想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術(shù)到底對材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷一場由數(shù)字化轉(zhuǎn)型引領(lǐng)的結(jié)構(gòu)性變革，人工智能（AI）技術(shù)融入產(chǎn)品研發(fā)過程進(jìn)一步加速了這一轉(zhuǎn)型。與此同時(shí)，摩爾定律從晶體管微縮向系統(tǒng)級(jí)微縮的演進(jìn)以及新冠疫情引發(fā)的全球電子供應(yīng)鏈重塑，也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型提供了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。
2024-02-23 09:59:23211 發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種電子器件，可以將電能轉(zhuǎn)化為可見光。它由半導(dǎo)體材料制成，是一種先進(jìn)的光電器件。本文將詳細(xì)介紹發(fā)光二極管的制作材料以及其性質(zhì)
2024-02-19 17:37:00327 光放大器的基本概念。半導(dǎo)體光放大器是一種利用半導(dǎo)體材料的特性來放大光信號(hào)的器件。它通過注入電流或光激發(fā)半導(dǎo)體材料中的激子，從而實(shí)現(xiàn)光放大的效果。其中最常用的半導(dǎo)體材料包括InGaAsP、InP和GaAs等。半導(dǎo)體光放大
2024-02-18 14:42:43146 N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
半導(dǎo)體材料是一種電子能級(jí)介于導(dǎo)體材料和絕緣體材料之間的材料，在固體物質(zhì)中具有特殊的電導(dǎo)特性。在半導(dǎo)體材料中，電子的能帶結(jié)構(gòu)決定了電子的運(yùn)動(dòng)方式，從而決定了電子導(dǎo)電性質(zhì)的特點(diǎn)。 常見的半導(dǎo)體材料包括
2024-02-04 09:46:07456 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
，基于石墨烯的半導(dǎo)體也有可能成為未來埃米級(jí)制造的新材料。 ? 石墨烯半導(dǎo)體的可行性 ? 硅材料在小于10nm的尺寸下，卻始終存在容易失去穩(wěn)定性的問題。這也是為何越來越多的研究開始轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體材料替代的原因。就以碳納米管為例，相
2024-01-26 01:10:004443 在2023第二屆國際新材料展上，由新材料在線主辦的“第十二屆中國新材料資本技術(shù)峰會(huì)暨材料院長論壇”在深圳隆重舉行。
2024-01-23 09:35:10221 電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 半導(dǎo)體二極管是一種電子器件，由兩種不同類型的半導(dǎo)體材料組成，通常是P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。它具有兩個(gè)電極，即陽極和陰極。
2024-01-20 09:53:15291 半導(dǎo)體材料是指在溫度較低且電流較小的條件下，電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用，如集成電路、太陽能電池、發(fā)光二極管等。其中，硅和二氧化硅是半導(dǎo)體材料中最常見的兩種
2024-01-17 15:25:12507 在2023第二屆國際新材料展上，由新材料在線主辦的“第十二屆中國新材料資本技術(shù)峰會(huì)暨材料院長論壇”在深圳隆重舉行。
2024-01-17 09:47:51216 半導(dǎo)體材料是一種在電子行業(yè)中使用廣泛的材料，在元素周期表中它們的位置屬于一些特定的元素群。半導(dǎo)體材料的特殊性使其成為電子設(shè)備制造中不可或缺的材料之一。本文將詳盡地探討半導(dǎo)體材料在元素周期表中的位置
2024-01-15 16:55:19664 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32396 半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時(shí)，器件被導(dǎo)通，這時(shí)它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲(chǔ)單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產(chǎn)品越來越“小而精，微薄”，半導(dǎo)體芯片和器件尺寸也日益微小，越來越微細(xì)，因此對于分析微納芯片結(jié)構(gòu)的精度要求也越來越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
他強(qiáng)調(diào)了材料領(lǐng)域的創(chuàng)新對于提升半導(dǎo)體元件生產(chǎn)效率至關(guān)重要。對此，默克集團(tuán)電子業(yè)務(wù)總經(jīng)理凱·貝克曼 （Kai Beckmann） 亦持相同看法，并贊同未來十年將以“材料時(shí)代”為主導(dǎo)。
2023-12-27 14:52:04159 常見的半導(dǎo)體材料有哪些？具備什么特點(diǎn)？ 常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵、磷化銦、碲化鎘等。它們具備許多特點(diǎn)，包括導(dǎo)電性能、能隙、熱穩(wěn)定性、光電性質(zhì)等方面的特點(diǎn)。 首先，導(dǎo)電性能是半導(dǎo)體材料的重要
2023-12-25 14:04:48488 在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導(dǎo)體封裝的不同分類，包括制造半導(dǎo)體封裝所用材料的類型、半導(dǎo)體封裝的獨(dú)特制造工藝，以及半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用案例。
2023-12-14 17:16:52442 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 根據(jù)不同的誘因，常見的對半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）12月6日，半導(dǎo)體材料領(lǐng)域又一家優(yōu)秀的國產(chǎn)企業(yè)在科創(chuàng)板成功上市。作為一家半導(dǎo)體材料商，江蘇艾森半導(dǎo)體材料股份有限公司（以下簡稱：艾森半導(dǎo)體）自2010年成立以來，抓住
2023-12-07 00:11:002226 
自然界的萬物都有各自獨(dú)特的特性，我們?nèi)祟惸茏龅囊仓皇翘剿鬟@些物體的特性，并利用它為自己服務(wù)。在我們電子領(lǐng)域，根據(jù)物體的導(dǎo)電特性，通?？梢苑譃椋?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)體，絕緣體，以及處于導(dǎo)體和絕緣體之間的半導(dǎo)體。我們今天
2023-12-06 10:12:34599 
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見的半導(dǎo)體
2023-11-29 10:22:17516 
盡管有這些優(yōu)點(diǎn)，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
2023-11-27 10:09:10247 
半導(dǎo)體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導(dǎo)體分立器件的基本概念、分類、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。
2023-11-23 10:12:56792 
是什么。半導(dǎo)體是一種材料，具有介于導(dǎo)體（如金屬）和絕緣體（如陶瓷）之間的電導(dǎo)率。半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率可以通過控制材料中的摻雜（添加）來改變，從而使得電流通過材料。這使得半導(dǎo)體在電子和光電子器件中具有廣泛的應(yīng)用。 在
2023-11-22 17:21:252330 鍺和硅是兩種基本的半導(dǎo)體。世界上第一個(gè)晶體管是由鍺材料制成的，作為固態(tài)電路時(shí)代的最初的一個(gè)標(biāo)志。
2023-11-20 10:10:51311 
本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時(shí)是無用的，因?yàn)樗鼪]有自由移動(dòng)的電子或者空穴，所以不能導(dǎo)電。
2023-11-13 09:38:21278 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場要求的不斷提高，對于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對于半導(dǎo)體材料的測試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 上海伯東提供半導(dǎo)體新材料和設(shè)備管道檢漏解決方案, 助力企業(yè)生產(chǎn)高質(zhì)量的六氯乙硅烷 Si?Cl?. 六氯乙硅烷廣泛應(yīng)用于有機(jī)硅化合物的合成, 電子半導(dǎo)體材料制造.
2023-11-09 15:31:41121 
據(jù)了解，2018年成立于深圳的純鈞專注于溫控新材，是一家為客戶提供多專業(yè)、垂直應(yīng)用場景溫控解決方案的專業(yè)機(jī)構(gòu)，實(shí)施“技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑設(shè)計(jì)+技術(shù)與材料開發(fā)+項(xiàng)目運(yùn)營”的三角型發(fā)展戰(zhàn)略。當(dāng)前包含冷鏈、液冷、TEC（熱電半導(dǎo)體）三大業(yè)務(wù)體系。
2023-11-06 14:32:35321 
半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:02273 
半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性，正是由于這些特點(diǎn)，使得半導(dǎo)體器件和電路具有獨(dú)特的功能。在接下來的半導(dǎo)體材料的特性這一期中，我們將對這些性質(zhì)進(jìn)行深入的探討，并將它們與原子的基礎(chǔ)、固體的電分類以及什么是本征和摻雜半導(dǎo)體等一系列關(guān)鍵性的問題共同做一個(gè)介紹。
2023-11-03 10:24:30427 
中國半導(dǎo)體芯片膠領(lǐng)域日新月異，而今，漢思新材料再次掀起技術(shù)革命的風(fēng)暴。10月25日，漢思新材料董事長蔣章永與邁信智控總經(jīng)理黃總以及恩捷斯智能總經(jīng)理洪總進(jìn)行了點(diǎn)膠技術(shù)深入科學(xué)交流。三方著眼未來，決定
2023-11-03 10:14:07514 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 項(xiàng)目計(jì)劃總投資不超過8億元，分兩期建設(shè)。其中一期建設(shè)年產(chǎn)5.5萬噸半導(dǎo)體新材料和20.5萬噸電池化學(xué)品，二期建設(shè)7萬噸半導(dǎo)體新材料。
2023-10-29 10:31:53438 第3代半導(dǎo)體一般指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大致分為3個(gè)階段，以硅(Si)為代表的通常稱為第1代半導(dǎo)體材料 ;以砷化鎵為代表的稱為第2代半導(dǎo)體材料
2023-10-25 15:10:27278 
據(jù)蘭州日報(bào)消息，金川蘭新電子半導(dǎo)體封裝新材料（蘭州）生產(chǎn)線項(xiàng)目有序推進(jìn)，現(xiàn)在四個(gè)單體的主體建筑已經(jīng)全部封頂，完成了主體驗(yàn)收。預(yù)計(jì)2024年4-5月份完成全部設(shè)備安裝工作，同年9月將全線投產(chǎn)。
2023-10-24 17:25:43817 如今，半導(dǎo)體元器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體元器件的需求主要受生命周期較短的消費(fèi)電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21879 
一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測試機(jī)專為以下測試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
漢思新材料“十年磨一劍”的結(jié)晶，自面市來已快速打入消費(fèi)類電子，航空航天，軍工產(chǎn)品，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)及半導(dǎo)體芯片行業(yè)。公司自主研制Underfill底部填充封裝材料，品質(zhì)媲
2023-10-08 10:54:43649 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
什么是半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)？ 半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代電子技術(shù)的關(guān)鍵材料之一。它們具有獨(dú)特的電學(xué)性能，包括可調(diào)的電阻率和壓阻效應(yīng)。壓阻效應(yīng)是指半導(dǎo)體材料在受到外力或應(yīng)力作用時(shí)導(dǎo)電性能的變化。在本文中，我們
2023-09-19 15:56:551581 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
小片，以便進(jìn)行后續(xù)的制造和封裝過程。晶圓劃片工藝的應(yīng)用包括但不限于半導(dǎo)體材料、太陽能電池、半導(dǎo)體器件、光學(xué)器件等。封裝劃片：在半導(dǎo)體封裝過程中，需要對封裝材料進(jìn)行
2023-09-18 17:06:19392 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25890 在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了解更多 - 泛林小課堂 | 半導(dǎo)體材料“家族史”大揭秘（上））
2023-09-14 12:19:11842 半導(dǎo)體( semiconductor)，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等。
2023-09-11 17:33:001013 半導(dǎo)體激光器是一種利用半導(dǎo)體材料產(chǎn)生激光的設(shè)備。它具有小尺寸、高效率、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、材料加工、光纖傳感等領(lǐng)域。
2023-08-25 18:25:112088 
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體
2023-08-14 11:31:471207 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
2023-08-11 17:21:50871 
碳化硅材料是制作高頻、高溫、抗輻射、大功率和發(fā)光器件的優(yōu)異材料。具有高可靠、高溫、高電壓、大功率、節(jié)能等特點(diǎn)，應(yīng)用優(yōu)勢明顯。目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。
2023-08-08 15:52:46314 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
在電子工業(yè)的歷史中，硅(Si)已經(jīng)穩(wěn)定地成為半導(dǎo)體元器件的首選材料。從普通的晶體管到今天高度集成的芯片，硅都起到了不可替代的作用。但為什么在眾多元素和化合物中，人們會(huì)選擇硅作為制造半導(dǎo)體元器件的主要材料呢？本文將深入探討硅背后的秘密和它在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的無與倫比的地位。
2023-08-08 10:12:354874 
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來越小，半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381967 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978 
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。
2023-08-01 10:01:561637 
在現(xiàn)代電子工程領(lǐng)域中，半導(dǎo)體起著極其重要的角色。自從固態(tài)物理學(xué)的發(fā)展為我們帶來了對半導(dǎo)體的理解以來，科學(xué)家就開始通過創(chuàng)新的方式利用這種材料制造各種各樣的電子設(shè)備。本文將介紹半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)，從其物理特性和材料出發(fā)，討論其在電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-07-28 10:05:22893 
芯片粘接用什么膠好?漢思新材料電子芯片膠有哪些？芯片是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，它被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)各種功能。芯片通常是將電子元器件、電路和系統(tǒng)集成在一個(gè)微小的硅片上，可以視為一種封裝形式
2023-07-27 15:15:381328 功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035048 
半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途： 半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱特點(diǎn)：1．圓幅內(nèi)襯，不銹鋼圓幅型內(nèi)襯設(shè)計(jì)，可避免蒸氣潛熱直接沖擊試品。2．實(shí)驗(yàn)開始前之真空動(dòng)作可將原來箱內(nèi)之空氣抽出并吸入
2023-07-18 10:37:12
第一代半導(dǎo)體材料以錯(cuò)和硅為主。
2023-07-17 11:22:381242 眾所周知，鎵、鍺是半導(dǎo)體應(yīng)用中非常重要的材料。
2023-07-06 10:05:1912560 砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:083873 集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計(jì)、制造和封測等關(guān)鍵步驟，其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料，按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。
2023-07-03 10:50:4421200 
自1990年代末至2000年代初以來，有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究引起了相關(guān)領(lǐng)域的高度關(guān)注，大大提高了實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中有機(jī)半導(dǎo)體器件的制造水平。目前，有機(jī)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域正在進(jìn)入商業(yè)化階段。
2023-06-30 14:51:032222 半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
2023-06-30 09:24:30369 功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件（power electronic device），通常是指用于控制大功率電路的電子器件（數(shù)十至數(shù)千安培的電流，數(shù)百伏以上的電壓）以及轉(zhuǎn)換電力設(shè)備間電能的器件。功率半導(dǎo)體
2023-06-09 15:49:241819 
目前，98.7％的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是使用硅襯底材料制造的。然而，存在從Si到寬帶隙襯底材料（GaN和SiC）的轉(zhuǎn)變，這有望實(shí)現(xiàn)功率器件性能的顯著提高。在未來四到五年內(nèi)，預(yù)計(jì)這些材料的使用量將增長3.9％（17億美元）。*
2023-05-30 14:28:30347 
、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信射頻等市場的發(fā)展，具有較大的發(fā)展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，半導(dǎo)體分立器件市場逐步向高端應(yīng)用
2023-05-26 15:15:01657 
、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信射頻等市場的發(fā)展，具有較大的發(fā)展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，半導(dǎo)體分立器件市場逐步向高端應(yīng)用市場推進(jìn)。隨著我國分立器件企業(yè)產(chǎn)品
2023-05-26 14:24:29
有機(jī)半導(dǎo)體材料可廣泛應(yīng)用于OLED、OPVC或OFET中，為開發(fā)具有優(yōu)異光電性能的新型有機(jī)半導(dǎo)體材料，需要深入研究有機(jī)半導(dǎo)體材料的分子結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系。
2023-05-23 14:17:12887 
【第①輪通知】 2023先進(jìn)電子材料創(chuàng)新大會(huì) 9月24-26日 ?中國·深圳 --??新材料，“芯”機(jī)遇?-- 在當(dāng)前科技革命步伐加快、新材料產(chǎn)業(yè)優(yōu)化升級(jí)加速的背景下，先進(jìn)電子材料和器件的發(fā)展迭代
2023-05-22 13:39:57487 
半導(dǎo)體制冷也叫溫差制冷、熱電制冷，是根據(jù)法國物理學(xué)家珀?duì)柼l(fā)現(xiàn)的珀?duì)柼?yīng)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的人工制冷技術(shù)。其原理是利用半導(dǎo)體材料的溫差效應(yīng)，當(dāng)直流電通過兩種不同的半導(dǎo)體材料串聯(lián)
2023-05-19 16:40:08668 
在半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)內(nèi)，特色工藝是指以拓展摩爾定律為指導(dǎo)，不完全依賴縮小晶體管特征尺寸（以下簡稱“線寬”），通過聚焦新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件的研發(fā)創(chuàng)新與運(yùn)用，并強(qiáng)調(diào)特色I(xiàn)P定制能力和技術(shù)品類多元性的半導(dǎo)體晶圓制造工藝。
2023-05-17 15:49:56246 
半導(dǎo)體材料在開發(fā)納米光子技術(shù)方面發(fā)揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲(chǔ)能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
隨著 “中國制造”向高質(zhì)量、高性能、高精密發(fā)展吹起號(hào)角，半導(dǎo)體、光學(xué)、3C制造、新材料、精度加工、醫(yī)療、航空航天、新能源等高端產(chǎn)業(yè)相繼得到重點(diǎn)投資和扶持，推動(dòng)國產(chǎn)制造“高端化”已成為未來5-10
2023-05-04 19:46:05178 
膠 杜科新材料把握市場工業(yè)需求，研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過研究和創(chuàng)新，自主研發(fā)出了兩款適應(yīng)市場工業(yè)需求的優(yōu)質(zhì)的導(dǎo)熱膠。 丙烯酸導(dǎo)熱膠是一種將電子元器件粘結(jié)在散熱片或印刷電路板上的導(dǎo)熱膠粘劑。熱敏感元件快速室溫固化與優(yōu)異的熱散發(fā)相結(jié)合，
2023-04-24 10:33:35839 
器件方向發(fā)展結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體改性清洗的需要，除了硅，在前一種情況下，用于下一代CMOS柵極結(jié)構(gòu)文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁以及深3D幾何圖形的垂直表面的清潔和調(diào)理MEMS設(shè)備這些問題加速的步伐除硅以外的半導(dǎo)體正在被引進(jìn)主流制造業(yè)需要發(fā)展特定材料的晶
2023-04-23 11:03:00246 半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件
2023-04-07 10:30:21728 獲批。 據(jù)悉，該重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的建設(shè)目標(biāo)和重點(diǎn)任務(wù)是聚焦二維半導(dǎo)體材料等突破尺寸微縮極限的變革性材料新體系，發(fā)展晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體材料可控制備新方法與新裝備，建立新原理低功耗器件的功能耦合與系統(tǒng)集成新技術(shù)，研制低世代制程等
2023-03-30 16:59:23348 四氯化硅按純度可以分為工業(yè)級(jí)四氯化硅與高純四氯化硅，高純四氯化硅是光纖通訊、集成電路、氣凝膠制造生產(chǎn)不可或缺的基礎(chǔ)原材料， 按照下游需求可以分為半導(dǎo)體級(jí)（VAD級(jí)、OVD級(jí)、PCVD級(jí)等）四氯化硅和電子級(jí)四氯化硅。
2023-03-28 13:51:245309 氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢。然而，散熱問題是制約其發(fā)展和應(yīng)用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁（AlN）作為過渡層連接到具有高導(dǎo)熱系數(shù)的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570
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