FPGA雙口RAM的使用主要涉及配置和使用雙端口RAM模塊。雙端口RAM的特點(diǎn)是有兩組獨(dú)立的端口，可以對(duì)同一存儲(chǔ)塊進(jìn)行讀寫操作，從而實(shí)現(xiàn)并行訪問。
2024-03-15 13:58:14
74 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可編程SRAM的TPS23880 4 型4線對(duì)8通道PoE PSE控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:17:20
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有SRAM和200mΩ RSENSE的TPS23881 4型4線對(duì)8通道PoE PSE控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:07:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有SRAM和200mΩ RSENSE的TPS23882 3型2 線對(duì)8通道PoE PSE控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:04:450 通過外部引腳可配置BOOT從SRAM中啟動(dòng)，上電過程SRAM沒有初始化，BOOT從SRAM啟動(dòng)的作用是什么，這個(gè)我不能理解。
我想實(shí)現(xiàn)所有程序都在SRAM中運(yùn)行，有沒有實(shí)現(xiàn)的方法？
2024-03-12 07:30:49
請(qǐng)問DMA總線訪問APB外設(shè)和SRAM1，CPU操作CCM RAM，這個(gè)是同時(shí)進(jìn)行的，還是分時(shí)復(fù)用的呢？
2024-03-08 07:45:09
我使用分散加載將部分程序放到RAM，RAM掉電后數(shù)據(jù)就沒有了，重新上電后，芯片是如何將RAM區(qū)程序復(fù)原的呢。
2024-03-06 07:01:53
在IC設(shè)計(jì)中，我們有時(shí)會(huì)使用深度很大，位寬很小的ram。例如深度為1024，位寬為4bit的ram。
2024-03-04 15:08:26441 
如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16186 
使用CY8CKIT-062S2-43012Demo板調(diào)試SMIFSRAM功能，不能正常讀取數(shù)據(jù)；但是可以正常讀取串行 FLASH 的數(shù)據(jù)，板子上用的是CY15B104QSN 串行SRAM ；使用的是QSPI CONfigruation4.0默認(rèn)配置。懇請(qǐng)大家?guī)兔?謝謝
2024-02-01 07:23:57
我正在與 SafetPack 為 TC38x 調(diào)試的無損測(cè)試 (MBIST) 合作。 但我找不到 Geth Tx/Rx RAM 和 gtm_mcsxslow/Fast-DPLL RAM 的正確的 SRAM 初始化過程。
你能否給我一些關(guān)于上面提到的 RAMS 的初始化過程的提示。
2024-02-01 07:09:22
PSOC6如何把變量定義在外部串行SPI SRAM中，并且在使用時(shí)可以跟內(nèi)部SRAM變量使用方法類似
2024-02-01 06:33:40
特殊光敏IC三極管是一種集成了光敏元件和三極管于一體的集成電路，相比于傳統(tǒng)的光敏電阻和分立的三極管，它具有以下優(yōu)勢(shì)
2024-01-30 11:25:21187 Scratch-Pad Sram（CPU5 DSPR）相關(guān)聯(lián)。 在鏈接器腳本中，我已經(jīng)映射了每個(gè).text 部分移至其各自的 PSPR 內(nèi)核。 我想知道如何將共享代碼映射到 DSPR5 以及如何將其映射到其他 RAM 區(qū)域。
2024-01-24 07:26:27
是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 側(cè)發(fā)光貼片LED燈珠的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn) 側(cè)發(fā)光貼片LED燈珠是一種新型的LED照明產(chǎn)品，具有許多優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)。 1. 采用先進(jìn)的側(cè)發(fā)光技術(shù) 側(cè)發(fā)光貼片LED燈珠采用了先進(jìn)的側(cè)發(fā)光技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)全方位360
2023-12-21 10:50:55560 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有串行I2C接口的實(shí)時(shí)時(shí)鐘1339 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-21 10:45:310 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 的設(shè)計(jì)縮小更多尺寸。然而，當(dāng)我們轉(zhuǎn)向更小尺寸的節(jié)點(diǎn)時(shí)，保持這種區(qū)別變得越來越具有挑戰(zhàn)性?，F(xiàn)在，SRAM 正在遵循越來越多的邏輯設(shè)計(jì)規(guī)則，并且與基于邏輯晶體管的設(shè)計(jì)相比，進(jìn)一步縮小存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)并不明顯。
2023-12-15 09:43:42175 易靈思RAM在使用時(shí)可以會(huì)遇到一些問題，這里把常用的問題總結(jié)下。 1、ram初始化文件路徑是工程路徑 在對(duì)ram進(jìn)行初始化時(shí)需要指定文件路徑，這里要注意'/'的方向。 （1）如果文件放在工程目錄
2023-12-12 09:52:33193 
SENT總線的特征和優(yōu)勢(shì)? SENT總線是一種常用于計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備之間的通信接口。它具有許多特征和優(yōu)勢(shì)，使得它在現(xiàn)代電子領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。 首先，SENT總線是一種數(shù)字串行通信協(xié)議，它通過串行
2023-12-07 11:15:32560 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 １：請(qǐng)問下BF592 用于做音頻處理RAM不夠用可以外掛SDRAM或者SRAM嗎？如果可以有沒有相關(guān)的原理圖和軟件下載？
２：５９２是定點(diǎn)ＤＳＰ，那對(duì)音頻采樣數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)要定義成float類型好呢
2023-11-30 07:20:36
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 單相電機(jī)和三相電機(jī)，實(shí)質(zhì)上區(qū)別，或者說為什么三相電機(jī)比單相電機(jī)更具優(yōu)勢(shì)
不要百度，復(fù)制的。要能看懂的，通俗些。
就是說三相電機(jī)的優(yōu)勢(shì)在哪里。我覺著，三相電機(jī)，比單相貴，一定有他的優(yōu)勢(shì)。
2023-11-09 07:50:01
單片機(jī)中RAM少有哪幾點(diǎn)原因？ 正文： 單片機(jī)是指把整個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片之內(nèi)，具有微型化、低功耗、低成本等特點(diǎn)的集成電路。單片機(jī)系統(tǒng)中RAM少常有幾點(diǎn)原因，本文將從器件成本、集成度、電源噪聲
2023-10-29 16:23:56358 CC3200和esp8266相比性能有優(yōu)勢(shì)么？
2023-10-23 08:08:40
SerDes（Serialization/Deserialization）是一種在數(shù)字通信系統(tǒng)中提供重要優(yōu)勢(shì)的串行/并行轉(zhuǎn)換電路。
2023-10-20 15:31:24828 
AT32 部分型號(hào)有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執(zhí)行速度比在非零等待閃存執(zhí)行速度快，如果有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到零等待區(qū)執(zhí)行。當(dāng)零等待閃存使用完后，如果還有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到 SRAM 執(zhí)行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數(shù)代碼。
2023-10-20 06:10:59
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM) 就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
RT1052和stm32F7系列H743對(duì)比有哪些優(yōu)勢(shì)？如何選擇這兩種開發(fā)板？
2023-10-10 08:29:33
FT232對(duì)比CH430有什么優(yōu)勢(shì)
2023-10-09 07:06:07
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
串行通信（Serial Communication）是一種數(shù)據(jù)傳輸方式，其中數(shù)據(jù)位按順序一個(gè)接一個(gè)地傳輸。盡管這種通信方式在某些方面可能不如并行通信（如 USB、I2C 和 HDMI）高效，但它在許多應(yīng)用中仍然具有重要價(jià)值。本文將介紹串行通信的基本原理、常見應(yīng)用場(chǎng)景以及其優(yōu)勢(shì)。
2023-09-26 17:25:231231 使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
具有唯一ID和安全扇區(qū)的2線串行EEPROM
2023-09-06 13:39:06
交叉導(dǎo)軌具有那些方面的優(yōu)勢(shì)？
2023-09-01 17:45:33536 
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)榉且资源鎯?chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
鐵電存儲(chǔ)器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲(chǔ)著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息，可以和最近測(cè)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護(hù)儀就會(huì)
2023-08-16 10:30:26
讓一顆SRAM型FPGA在太空長期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
地址
（3）需要修改啟動(dòng)文件，如下圖圈出位置。由于上電時(shí)內(nèi)核的PC指針處于0，由于指令中會(huì)有利用當(dāng)前PC取指的操作（auipc），所以需要在啟動(dòng)時(shí)就把PC偏移到正確位置。RAM啟動(dòng)下，內(nèi)核上電的前8
2023-08-09 15:34:57
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲(chǔ)密度的新型F-RAM存儲(chǔ)器。全新
2023-08-09 14:32:40397 
本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 
對(duì)于大多數(shù)單片機(jī)來說，片內(nèi)的 RAM 空間通常都比片內(nèi) ROM 空間小，開發(fā)過程中，RAM 空間不足的情況更為常見，那么現(xiàn)在就來講講在編程的過程中，如何更加高效地利用好本就不充裕的 RAM 資源。
2023-07-22 10:51:58313 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
本文主要講述了Speedster7t FPGA的片上SRAM，也就是Block RAM針對(duì)傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)所做出的一些優(yōu)化。
2023-07-13 17:24:15302 
的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
單口 RAM（Single RAM）、雙口 RAM（Dual RAM）、簡單雙口 RAM（Simple-Dual RAM）、真雙口 RAM（True-Dual RAM）有什么不同？
2023-06-25 17:47:111969 
規(guī)格書寫著： N76E003提供豐富的特殊功能模塊，包括： 256字節(jié)SRAM， 768字節(jié)XRAM
– 256字節(jié)片內(nèi)直接存取RAM.
– 額外768字節(jié)片內(nèi)間接存取RAM(XRAM)通過
2023-06-15 06:32:03
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
_shareable: ORIGIN = 0x20417000, LENGTH = 0x00001000 /* 4k */
ram_rsvd2: ORIGIN = 0x204180 00, LENGTH = 0 /* SRAM
2023-06-08 07:51:01
串行啟動(dòng)模式時(shí)，我看到了分支。這是否意味著我不需要設(shè)置外部引腳？
另一個(gè)問題：如果我理解正確，是否意味著如果我將生命周期設(shè)置為“In field”，我將無法再進(jìn)入串行啟動(dòng)模式？那么，我不能使用“ Rappid bootloader”將代碼下載到內(nèi)部 SRAM 嗎？
2023-06-06 09:21:12
************************************************* *************************************
* 詳細(xì)說明：
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過
2023-06-05 09:47:48
銠鐵溫度計(jì)具有廣泛的測(cè)溫范圍，且不受電離輻射影響，在77K溫度以上受磁場(chǎng)環(huán)境影響小。線繞型銠鐵溫度計(jì)穩(wěn)定性強(qiáng)，多作為二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)溫度計(jì)使用。銠鐵溫度計(jì)具有正溫度系數(shù)，測(cè)溫范圍內(nèi)呈現(xiàn)單調(diào)變化。100K到
2023-05-16 11:12:23
在過去，當(dāng)計(jì)算機(jī)只有 640 K 的 ram 時(shí)，有一個(gè)技巧，大型程序可以用較少使用的例程覆蓋其部分代碼，以獲得比 RAM 適合的更大的程序。
有沒有辦法在 ESP8266 中做類似的事情？
這將
2023-05-15 06:47:49
為可從 RAM 執(zhí)行，則生成的映像文件應(yīng)該可以通過串行啟動(dòng)來啟動(dòng)。如果不是，還需要做什么才能獲得合適的圖像？
從用戶手冊(cè)中，我認(rèn)為串行引導(dǎo)需要一些命令。即get_property
2023-05-12 06:30:39
SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)？其中的“刷新電路”什么意思？謝謝~
2023-05-10 14:56:06
%
BOARD_FLASH：2766904 B 16 MB 16.49%
SRAM_UPPER：144836 B 160 KB 88.40%
SRAMX：0 GB 32 KB 0.00%
USB_RAM：0 GB 8
2023-05-06 08:47:13
我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們?cè)?SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。
給出了兩個(gè) icf 文件：
1) 內(nèi)存
2023-05-05 06:38:08
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)
2023-04-27 20:25:406 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205062 
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
Flash 上呢？是否有可用的 API 以便我可以指定存儲(chǔ)它們的地址？2. 如何解密用戶程序并將其加載到RAM？我想我需要另一個(gè)程序，說啟動(dòng)程序。引導(dǎo)程序可以使用新生成的SRAM啟動(dòng)數(shù)據(jù)和預(yù)存的AC來恢復(fù)
2023-04-20 08:31:37
內(nèi)存放入 SRAM_OC2，SRAM_ITC_cm7 的內(nèi)存使用從 150% 減少到 140% .順便說一句，在應(yīng)用程序鏈接到RAM時(shí)是否需要將SRAM_ITC_cm7設(shè)置為第一個(gè)？我已經(jīng)將具有512KB的SRAM_OC1設(shè)置為第一個(gè)，調(diào)試器無法重置并且通過DMA傳輸?shù)臄?shù)據(jù)是錯(cuò)誤的。為什么？
2023-04-14 08:01:47
我想獲取 RAM、CPU 和閃存使用率的實(shí)時(shí)百分比，以便我可以監(jiān)控 ESP32 健康檢查。
2023-04-13 07:46:48
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢(shì)：?更快的隨機(jī)訪問操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
前兩期，我們分別對(duì)OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來談?wù)凪emory Compiler，以及通過它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:378516 我注意到在S32K116的啟動(dòng)文件中有一個(gè)ECC RAM initial。(startup_S32K116.S)我認(rèn)為這與 AN12522 有關(guān)。我的問題，初始化似乎只應(yīng)用了 SRAM_U。(0x2000_0000 到 0x2000_3800)是否沒有必要初始化SRAM_L因?yàn)樗皇蹺CC保護(hù)？
2023-03-31 06:05:14
ROM和RAM的區(qū)別是什么？ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲(chǔ)，掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
2023-03-30 14:53:271938 在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM。RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。但是這些數(shù)據(jù)并不是像用袋子盛米那么簡單，更像是圖書館中用書架擺放書籍一樣，不但要放進(jìn)去還要
2023-03-30 14:15:533182 
今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
2 Mbit （256 K × 8） 串行 （SPI） F-RAM，具有擴(kuò)展溫度
2023-03-27 13:44:32
256 K位 （32 K × 8） 串行 （I2C） F-RAM
2023-03-27 12:55:59
的模座更適合每個(gè)人的應(yīng)用。其次，有更好的應(yīng)用效果：當(dāng)您使用某些產(chǎn)品時(shí)，除了高質(zhì)量的產(chǎn)品外，您還需要適合您的應(yīng)用的模架以呈現(xiàn)良好的應(yīng)用效果。非標(biāo)準(zhǔn)模架加工比一般模架更適合每個(gè)人的應(yīng)用，因此在應(yīng)用中具有更好的應(yīng)用效果。
2023-03-27 11:05:10
將 u-boot 代碼復(fù)制到 SRAM。但我知道我必須在鏈接器中啟用 __RAM_INIT 標(biāo)志才能初始化 ECC。如果不是，則在我將u-boot代碼復(fù)制到SRAM時(shí)出現(xiàn)異常。那是正常癥狀嗎？3) 啟動(dòng)時(shí)
2023-03-27 09:15:16
具有串行控制的8位模數(shù)轉(zhuǎn)換器
2023-03-24 15:06:30
具有串行控制的8位模數(shù)轉(zhuǎn)換器
2023-03-24 15:06:29
具有 SPI 總線的 256K 低功耗串行 SRAM
2023-03-23 07:33:32
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