NV-SRAM與BBSRAM的對(duì)比，誰的優(yōu)勢(shì)更加明顯

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）技術(shù)相比較。

BBSRAM

數(shù)據(jù)保留時(shí)間和產(chǎn)品使用壽命

?電池電量耗盡（在商業(yè)系統(tǒng)中通常為4到7年）后，BBSRAM不再作為非易失性存儲(chǔ)器操作。

?下面兩個(gè)主要因素會(huì)降低電池使用壽命：

-存儲(chǔ)器電路的漏電流—該因素取決于存儲(chǔ)器對(duì)電流的要求，它還決定了電池在室溫條件下的使用壽命。

-電解液蒸發(fā)—在溫度為70°C的條件下，蒸發(fā)速率

?便是電池與存儲(chǔ)器斷開導(dǎo)致其使用壽命縮短的速率。

?通常在溫度為85°C的條件下，即使從未給器件充電，電池的使用壽命也不能超過兩年。

?在低溫條件下，電池維持的電流能力也會(huì)下降。

?在溫度為–40°C的條件下，大致相同的機(jī)制會(huì)使汽車電池的化學(xué)成分在低溫條件下無效，從而導(dǎo)致電池的供電能力降低20%。

?不受控制的斷電序列會(huì)對(duì)電池的使用壽命造成不利影響。特別是斷電時(shí)的警報(bào)導(dǎo)致的VCC下沖會(huì)耗盡電池電量。如果斷電器件CE不能維持高電平狀態(tài)，那么可能會(huì)發(fā)生意外的讀/寫操作。這些周期對(duì)全電流的要求會(huì)降低電池的使用壽命。

性能

?有電池供電的器件必須要優(yōu)化待機(jī)功耗，以便最大化數(shù)據(jù)保留時(shí)間并減少訪問時(shí)間。

?4Mb大小的BBRAM的最快訪問時(shí)間為70ns到100ns。

NV-SRAM

?NV-SRAM保證20年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和一百萬次的存儲(chǔ)操作。

?NV-SRAM中的非易失性存儲(chǔ)器單元便是一個(gè)EEPROM單元。該單元包括在導(dǎo)體和硅表面間放置的氮化物絕緣體和薄氧化物絕緣體。編程電荷存儲(chǔ)在氮化物絕緣體內(nèi)。各個(gè)導(dǎo)體間的電場(chǎng)會(huì)控制氮化物絕緣體內(nèi)電荷的注入。

?絕緣體保持電荷的能力決定了數(shù)據(jù)的保留時(shí)間。當(dāng)存儲(chǔ)單元被循環(huán)或溫度增高時(shí)，絕緣體會(huì)使更多電荷被泄漏。器件的保存溫度和執(zhí)行存儲(chǔ)操作的次數(shù)決定了NV-SRAM中數(shù)據(jù)的保留時(shí)間。

?使用溫度加速因素檢測(cè)賽普拉斯所有NV-SRAM器件，從而保證這些器件在最高溫度下維持操作時(shí)符合最終指定存儲(chǔ)周期內(nèi)的全部保留規(guī)格

性能

?某個(gè)NV-SRAM中的SRAM部分與使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)6T單元中的標(biāo)準(zhǔn)SRAM完全相同。因此其性能規(guī)范同標(biāo)準(zhǔn)的SRAM相同，電流訪問時(shí)間為20ns到45ns。

在數(shù)據(jù)保留時(shí)間、訪問時(shí)間和封裝大小等方面，與BBSRAM器件相比，NV-SRAM具有明顯的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于要求幾乎為無限次的耐久性、長期保留數(shù)據(jù)和高速訪問存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)等問題的系統(tǒng)，NV-SRAM是優(yōu)先的選擇。

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存儲(chǔ)器(161608) 存儲(chǔ)器(161608)
sram(113777) sram(113777)

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2023-04-23 08:01:09

???NV040C語音芯片的應(yīng)用案例解析

NV040C語音芯片，可部分替代MCU的功能，通過通訊口調(diào)用NV040C語音芯片集成的標(biāo)準(zhǔn)功能模塊，實(shí)現(xiàn)更多的擴(kuò)展功能應(yīng)用，在MCU開發(fā)設(shè)計(jì)上可節(jié)省1元以上的成本，同時(shí)省去產(chǎn)品開發(fā)過程中各類需求功能代碼的開發(fā)和調(diào)試時(shí)間。

2023-04-10 12:45:27

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