FRAM_READ_INST0x03 //讀存儲器數(shù)據(jù)
#define FRAM_WRITE_INST0x02//寫存儲器數(shù)據(jù)
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
我有個應用設計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
同一個存儲器的不同物理位置，因此程序指令和數(shù)據(jù)的寬度相同，如英特爾公司的8086中央處理器的程序指令和數(shù)據(jù)都是16位寬。
數(shù)學家馮·諾依曼提出了計算機制造的三個基本原則，即采用二進制邏輯、程序存儲執(zhí)行
2024-03-12 10:25:21
TC364 微控制器是否支持外部存儲器？
根據(jù)我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
通過多級存儲器的設計，存儲器層次結構能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42
121 
Flash存儲器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對存儲器進行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28536 
ram在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結果。隨機存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
ROM（Read-Only Memory）是一種只讀存儲器，用于存儲計算機程序和數(shù)據(jù)，它在計算機系統(tǒng)中扮演著非常重要的角色。ROM的存儲內容在制造時就被寫入，并且在計算機運行過程中不能被改變。ROM
2024-02-05 10:05:10740 1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
當我發(fā)送讀取請求或 RDID 請求時，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51517 
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 如果按照資料里的：0x1419 0x0000 準備從存儲器位置0x19讀取數(shù)據(jù)。
0x2000 0x0100 準備從控制寄存器讀取數(shù)據(jù)。SDO輸出16位字，其中最后10位包含存儲器位置0x19的內容
2023-12-06 06:04:03
在數(shù)字電子設備中，存儲器是至關重要的部分。它負責存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
的。可執(zhí)行文件必須在目標操作系統(tǒng)上構建，并且不能在另一個操作系統(tǒng)上或同一操作系統(tǒng)的另一個版本上運行。例如，Windows 7的安裝程序或可執(zhí)行文件在不同的Windows版本上（例如Windows XP
2023-12-02 21:47:52
電表作為一個計量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測芯片的精度有關，而且與其存儲方式有關，如果檢測到的電量數(shù)據(jù)不能隨機寫入存儲器或寫入存儲器過程出錯電表的精度就會大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
程序經(jīng)過編譯后，變成了可執(zhí)行的文件，可執(zhí)行文件主要包括代碼和數(shù)據(jù)兩部分，代碼是只讀的，數(shù)據(jù)則是可讀可寫的。 可執(zhí)行文件由操作系統(tǒng)加載到內存中，交由CPU去執(zhí)行，現(xiàn)在問題來了，CPU怎么去訪問代碼和數(shù)據(jù)
2023-11-08 17:04:37402 
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于FPGA在通訊領域和數(shù)據(jù)存儲的應用.pdf》資料免費下載
2023-10-26 11:06:55
0 大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
內存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
、SPI、USART、I2C、USB、，可以…）。IAP已為希望更新其應用程序軟件的用戶實現(xiàn)通過在程序執(zhí)行期間對閃存程序存儲器進行重新編程來對其自身進行編程。主要IAP的優(yōu)點是能夠重新編程閃存和數(shù)據(jù)
2023-10-10 07:42:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何對STM8S和STM8A閃存程序存儲器和數(shù)據(jù)EEPROM進行編程.pdf》資料免費下載
2023-10-07 16:05:500 單片機功能強大，我想它可以完成存儲器6116的數(shù)據(jù)存取功能吧？這或許是認識單片機比較容易的一步？討厭我這個問題的朋友您就別看了，我真的不是想愚弄您。
2023-10-07 08:16:39
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設->存儲器存儲器->外設和外設-&
2023-09-13 08:06:16
系統(tǒng)架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
每當一個核通過MVA操作對另一個核執(zhí)行廣播無效指令高速緩存時，例如，當將可執(zhí)行代碼從閃存復制到存儲器時，其他核每次都刷新并重新啟動它們的預取單元，而不進行任何處理。
由于該錯誤，其他核心可能停止它們的執(zhí)行，直到不再發(fā)生剩余的廣播操作。
2023-09-01 09:16:59
分散加載是ARM鏈接器提供的一種機制，它允許您將可執(zhí)行映像分區(qū)為可在內存中獨立定位的區(qū)域。
在一個簡單的嵌入式計算機系統(tǒng)中，存儲器分為只讀存儲器和隨機存儲器。
鏈接器產(chǎn)生的鏡像被分為“只讀”段
2023-08-24 08:23:51
新唐很多mcu可以在spi flash上直接尋址，執(zhí)行代碼，很多自帶內部spi flash作為代碼存儲器，這樣雖然可以降低成本，但代碼在spi flash上執(zhí)行是極其慢的，一些關鍵函數(shù)必須得定向到
2023-08-24 07:21:51
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
指定在加載和執(zhí)行時輸出圖像中各個代碼和數(shù)據(jù)節(jié)的內存位置。
這使您能夠創(chuàng)建跨越多個記憶的復雜圖像。
鏈接器可以執(zhí)行公共部分消除和未使用部分消除，以減小輸出圖像的大小。
此外，鏈接器使您能夠：
·生成有關
2023-08-12 07:46:01
【 2023 年 8 月 8 日 ， 德國慕尼黑訊】 汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)（EDR）市場的不斷發(fā)展正在推動專用數(shù)據(jù)記錄存儲設備的需求，這些設備能夠即時捕獲關鍵數(shù)據(jù)并可靠地存儲數(shù)據(jù)長達數(shù)十年。近日
2023-08-09 14:32:40397 
確保單元正確操作。在這樣做的過程中，在MBIST使用的地址和數(shù)據(jù)路徑中實現(xiàn)了一些額外的測試覆蓋。您只能將MBIST控制器與緩存控制器一起使用，以執(zhí)行級別2（L2）緩存RAM的內存測試。
2023-08-02 17:33:52
確保單元正確操作。在這樣做的過程中，在MBIST使用的地址和數(shù)據(jù)路徑中實現(xiàn)了一些額外的測試覆蓋。必須僅將L220 MBIST控制器與L220緩存控制器一起使用，才能執(zhí)行＜Level 2＞緩存RAM的內存測試。
2023-08-02 14:47:18
ARM720T是一款通用的32位微處理器，具有8KB的高速緩存、擴大的寫入緩沖區(qū)和內存管理單元（MMU），組合在一個芯片中。ARM720T中的CPU是ARM7TDMI。ARM720T是與ARM處理器
2023-08-02 11:36:56
性能--ARM調試架構，額外支持實時調試。這使關鍵異常處理程序能夠在調試系統(tǒng)時執(zhí)行。
?支持外部緊密耦合存儲器（TCM）。為每個外部指令和數(shù)據(jù)存儲器塊提供TCM接口。指令和數(shù)據(jù)TCM塊的大小都是特定于實現(xiàn)者的，可以在0KB到1MB之間
2023-08-02 10:17:36
ARM946E-S是一個可合成的宏單元，結合了ARM處理器。它是ARM9Thumb系列高性能32位片上系統(tǒng)處理器解決方案的一員。
ARM946E-S具有緊密耦合的SRAM存儲器、指令和數(shù)據(jù)緩存
2023-08-02 09:41:21
些應用中，高性能、低系統(tǒng)成本、小芯片尺寸和低功耗都很重要。
ARM966E-S處理器宏單元提供了一個完整的高性能處理器子系統(tǒng)，包括一個ARM9E-S RISC整數(shù)CPU、用于每個指令和數(shù)據(jù)CPU接口的緊密
2023-08-02 07:46:42
一個可隨時存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或寫(存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數(shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
iButton?溫度記錄器(DS1922L/T)是堅固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度并將測量結果記錄在受保護的存儲器內。記錄溫度的頻率由用戶定義。總共可以保存8192個8位數(shù)據(jù)記錄或4096個16
2023-07-14 09:24:23
iButton?溫度/濕度記錄器(DS1923)是堅固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度與/或濕度，并將測量結果記錄在受保護的存儲器內。記錄頻率由用戶定義?？偣部梢员４?192個8位讀數(shù)或4096個16
2023-07-14 09:18:41
現(xiàn)在免費下載源碼的網(wǎng)站不太多了，特地收集整理了20個python3大項目開發(fā)源代碼。內含可執(zhí)行程序與源代碼，非常適合入門進階的同學借鑒學習。無論是做畢業(yè)設計還是項目答辯都是不錯的資源。
2023-07-06 10:47:20803 
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù)，但在關閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 8 存儲器 8.4 片上閃存 RA6 MCU具有兩部分閃存：代碼閃存和數(shù)據(jù)閃存，各部分的大小和擦寫周期數(shù)因器件而異。閃存控制單元 (FCU) 控制閃存的編程和擦除。閃存應用程序命令接口 (FACI
2023-06-26 12:10:03375 
半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲器共用地址空間；使用單獨的總線分別訪問這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設
2023-06-21 12:15:03421 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
************************************************* *************************************
* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
。存儲密度分為道密度、位密度和面密度。
數(shù)據(jù)傳輸率——磁表面存儲器在單位時間內向主機傳送數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)
2023-05-26 11:27:061409 EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM：
這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失
2023-05-19 15:59:37
核頭文件中找不到打開或關閉函數(shù)。
我在網(wǎng)上搜索，它告訴我 SCP 命令可以做到，但我不想使用以太網(wǎng)。
有人可以告訴我將可執(zhí)行文件放入板的步驟嗎？或者它有一些方法可以將它構建到圖像中？
我更新了c文件和可執(zhí)行文件，請幫助我。
2023-05-19 07:00:50
與NOR Flash相比，其讀取速度慢得多。由于NAND電路的布局，存儲器是串行訪問的。這些設備可以一次寫入一個字節(jié)到單個內存地址。NAND是理想的數(shù)據(jù)存儲器。它通常存在于需要頻繁上傳和覆蓋大文件
2023-05-18 14:13:37
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
關于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設傳輸方式，本章將講解DMA外設到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設，通過串口調試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
。關于DMA存儲器到外設傳輸方式，程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內部 FLASH中，然后通過DMA的方式傳輸?shù)酱诘?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)寄存器，然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機顯示出來。
2023-04-20 16:35:13
51單片機外擴數(shù)據(jù)存儲器最大的容量是多少？可以達到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
UART0 的串行連接 + Tera Term）。我打算使用能夠為該板生成代碼的 Green Hills 編譯器生成我的可執(zhí)行文件。
2023-04-19 07:29:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
寄存器是計算機硬件中最快、最小、最常用的存儲器。它是CPU內部的存儲器，通常作為指令和數(shù)據(jù)的存儲和暫存空間。在CPU中，寄存器直接與算術邏輯單元(ALU)相連，用于存儲操作數(shù)或運算結果。
2023-04-09 18:43:059373 存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的普及應用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器，45nm
2023-04-07 16:41:05
，并與FRAM兼容。兩種產(chǎn)品都使用標準的SRAM并行地址（A0-16），字節(jié)寬的雙向數(shù)據(jù)引腳（DQ0-7）和控制信號（/E，/W，/G）。每個模塊都可以由一個公共的定時接口支持，并且將用作隨機存取讀
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
7. 存儲器 RA2 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為0000 0000h到FFFF FFFFh，其中可以包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲器總線。程序和數(shù)據(jù)存儲器共用地址空間；可使用單獨的總線分別訪問
2023-04-06 16:45:03466 我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
我知道當HSM工作或像S32R45這樣的MCU工作時時鐘是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能從外部存儲器讀取任何數(shù)據(jù)。解決此問題的解決方案是什么？
2023-04-03 08:34:09
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
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