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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>IGBT器件結(jié)殼熱阻測(cè)試

IGBT器件結(jié)殼熱阻測(cè)試

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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧

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聊一下IGBT驅(qū)動(dòng)中的參考電位問(wèn)題

大家好,今天聊一下IGBT驅(qū)動(dòng)中的**參考電位**問(wèn)題。我們都知道IGBT的驅(qū)動(dòng)參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ,當(dāng)柵極相對(duì)于發(fā)射極電位 **超過(guò)閾值電壓時(shí),器件就會(huì)開(kāi)通** , **小于閾值電壓后,器件就會(huì)關(guān)斷** 。
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2023-10-11 14:49:05350

IGBT模塊測(cè)試:重要?jiǎng)討B(tài)測(cè)試參數(shù)介紹

IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件,而IGBT測(cè)試也變的尤為重要,其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有:主要參數(shù)有開(kāi)關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644

如何使用萬(wàn)用表測(cè)試 IGBT

通過(guò)目視檢查、測(cè)量電氣參數(shù)、評(píng)估柵極驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進(jìn)行測(cè)試,可以識(shí)別潛在故障。然而,這種萬(wàn)用表測(cè)試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對(duì) IGBT 進(jìn)行更全面的評(píng)估,建議進(jìn)行柵極驅(qū)動(dòng)測(cè)試、開(kāi)關(guān)性能分析等額外測(cè)試。
2023-10-09 14:20:02796

ZS-02水性測(cè)試

ZS-02水性測(cè)試儀醫(yī)用材料水試驗(yàn)儀是一種用于測(cè)試醫(yī)用材料的防水性能的實(shí)驗(yàn)儀器。醫(yī)用材料廣泛應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域,如手術(shù)縫合線、傷口敷料、藥物載體等,其防水性能對(duì)于產(chǎn)品的質(zhì)量和患者的治療效果具有重要
2023-09-28 15:09:57

鈉鈣玻璃沖擊強(qiáng)度測(cè)試

鈉鈣玻璃沖擊強(qiáng)度測(cè)試儀 玻璃瓶沖擊試驗(yàn)儀是一種專(zhuān)門(mén)用于測(cè)試玻璃瓶在瞬間高溫和低溫環(huán)境下的沖擊性能的設(shè)備。它能夠模擬實(shí)際使用中可能出現(xiàn)的各種沖擊情況,例如冷熱溫度的交替、室外和室內(nèi)
2023-09-27 15:51:22

包裝袋封性能測(cè)試

包裝袋封性能測(cè)試儀 在當(dāng)今的藥品包裝領(lǐng)域,封性能是評(píng)估包裝材料的重要指標(biāo)之一。無(wú)論是藥包材包裝還是藥用鋁箔等,良好的封性能可以確保產(chǎn)品的密封性和保存效果。包裝袋封試驗(yàn)儀可滿(mǎn)足藥品
2023-09-26 13:54:27

IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng),其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件,是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件,也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103334

繃帶測(cè)試

繃帶測(cè)試儀包裝材料水性測(cè)試儀是一種專(zhuān)門(mén)用于檢測(cè)包裝材料的防水性能的設(shè)備,其作用愈發(fā)顯得重要。本文將詳細(xì)介紹包裝材料水性測(cè)試儀的發(fā)展歷程、技術(shù)參數(shù)、使用方法、結(jié)果分析及結(jié)論,強(qiáng)調(diào)其在包裝行業(yè)中
2023-09-21 17:02:16

醫(yī)用材料水性能測(cè)試

醫(yī)用材料水性能測(cè)試 水性能測(cè)試儀是一款用于測(cè)試繃帶、創(chuàng)可貼、醫(yī)用材料等防水性能的專(zhuān)業(yè)檢測(cè)儀器。它采用先進(jìn)的壓力傳感器技術(shù)和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng),能夠準(zhǔn)確地測(cè)試其防水性能,為醫(yī)療、運(yùn)動(dòng)等領(lǐng)域
2023-09-20 15:10:30

高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)解決方案

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試,具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求。
2023-09-19 14:57:28499

測(cè)試

測(cè)試儀 測(cè)試儀是一種用于檢測(cè)各種材料縮性能的專(zhuān)業(yè)設(shè)備,其中包括薄膜、聚乙烯、熱縮管、背板、PVC硬片、PET收縮膜和包裝袋等。本文將介紹測(cè)試儀的工作原理、實(shí)驗(yàn)方法和應(yīng)用場(chǎng)
2023-09-18 11:17:54

IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因?

IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因?
2023-09-16 08:32:131710

封性能測(cè)試

封性能測(cè)試儀 封性能測(cè)試儀是一種用于檢測(cè)各種包裝材料封性能的專(zhuān)業(yè)設(shè)備,它可以用于檢測(cè)復(fù)合膜、紙塑包裝、塑料軟管、鋁箔、包裝袋等材料。該設(shè)備通過(guò)模擬實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中封工藝的操作
2023-09-15 15:38:39

IGBT動(dòng)態(tài)斬波雙脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)及其注意事項(xiàng)

了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對(duì)不同IGBT的性能驗(yàn)證,我們引入了雙脈沖測(cè)試方法,借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32484

新能源汽車(chē)IGBT功率器件溫度測(cè)試方案

IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車(chē)領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力釋放速度, 車(chē)輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358

什么是IGBT模塊(IPM Modules)

IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代,當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性,尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn),以滿(mǎn)足
2023-09-12 16:53:531804

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析

近年來(lái),新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識(shí),IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件(圖2),IGBT
2023-09-11 10:42:41910

ChatGPT變聰明了嗎?如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj

ChatGPT變聰明了嗎?如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj
2023-09-09 08:16:11654

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521084

功率模塊IPM、IGBT及車(chē)用功率器件

功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見(jiàn)的器件類(lèi)型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用,但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同,那么
2023-09-04 16:10:494676

igbt測(cè)量好壞方法萬(wàn)用表

師來(lái)說(shuō),了解如何檢測(cè)IGBT的質(zhì)量非常重要。而對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō),找到正確的測(cè)試方法可能是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。本文旨在提供一份詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的文章,介紹如何使用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)試IGBT的質(zhì)量。 一、了解什么是IGBT 在深入了解如何測(cè)試IGBT之前,我們需要先了解什么是它。IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,可用于
2023-09-02 11:20:152222

igbt功率管怎么檢測(cè)好壞?

igbt功率管怎么檢測(cè)好壞? 簡(jiǎn)介: 隨著電力電子技術(shù)越來(lái)越先進(jìn)和高效,IGBT已成為工業(yè)應(yīng)用的熱門(mén)選擇。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種三端半導(dǎo)體器件,支持高電壓和高電流應(yīng)用,同時(shí)提供快速開(kāi)關(guān)
2023-08-25 15:03:352091

igbt和mos管的區(qū)別

Transistor)都是半導(dǎo)體器件,用于控制電流和電壓。IGBT和MOSFET在功能和結(jié)構(gòu)上非常相似,但它們有一些不同之處。 1. 結(jié)構(gòu) IGBT是由三極管和場(chǎng)效應(yīng)管兩個(gè)半導(dǎo)體器件組成的復(fù)合型器件
2023-08-25 14:50:013233

p柱浮空的超結(jié)IGBT器件的設(shè)計(jì)案例

) 。采用深槽刻 蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測(cè)試結(jié)果表明,該器件擊穿電壓高于 660 V,在導(dǎo)通電流 20 A 時(shí),其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V,相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低,關(guān)斷 能量為 0. 23 mJ,遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000

車(chē)用IGBT器件技術(shù)概述

車(chē)用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312

為什么不用SiC來(lái)做IGBT?未來(lái)是否會(huì)大規(guī)模的使用SiC來(lái)做IGBT呢?

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分,通常由硅制成。它由四個(gè)區(qū)域組成:N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619

分立器件IGBT驅(qū)動(dòng)電源板中的應(yīng)用

IGBT驅(qū)動(dòng)電源板 中有著廣泛的應(yīng)用。 ? ? ? ?IGBT驅(qū)動(dòng)板是控制系統(tǒng)和開(kāi)關(guān)器件中的中間環(huán)節(jié),承擔(dān)著接受控制系統(tǒng)信號(hào)并傳輸信號(hào),確保IGBT執(zhí)行開(kāi)關(guān)、保護(hù)、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常,IGBT驅(qū)動(dòng)板由IGBT驅(qū)動(dòng)芯片、驅(qū)動(dòng)外圍電路、驅(qū)動(dòng)輔
2023-08-04 17:35:03609

森國(guó)科推出大功率IGBT分立器件

森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355

國(guó)產(chǎn)igbt模塊品牌

根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類(lèi)來(lái)看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502

IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)

IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開(kāi)關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開(kāi)關(guān)控制。IGBT的全稱(chēng)是Isolated Gate Bipolar Transistor,是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合
2023-07-20 16:39:514483

一文解析IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性

IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開(kāi)關(guān)器件。 編輯:黃飛
2023-07-07 09:36:321089

igbt和mos管的區(qū)別

MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件,且都屬于電壓控制器件
2023-07-07 09:15:451490

如何實(shí)施IGBT裝置的絕緣耐壓測(cè)試?

IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備中。為了滿(mǎn)足安全要求,這些設(shè)備在電氣設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中要遵循相應(yīng)的規(guī)范。
2023-06-08 11:33:332663

IGBT耐壓測(cè)試的正確方法

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-06 22:24:59

關(guān)于IGBT模塊可靠性測(cè)試

作為電力電子重要大功率主流器件之一,IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
2023-06-04 15:42:05858

電池沖擊試驗(yàn)機(jī)-鋰電池沖擊測(cè)試儀-沖擊試驗(yàn)箱

  電池沖擊試驗(yàn)機(jī)-鋰電池沖擊測(cè)試儀-沖擊試驗(yàn)箱  一、產(chǎn)品概述:  電池沖擊試驗(yàn)機(jī)也叫電池濫用試驗(yàn)箱,是通過(guò)模擬電池放置在自然對(duì)流或強(qiáng)制通風(fēng)的高溫箱中,以一定的升溫速率升溫至設(shè)定測(cè)試溫度
2023-05-24 11:17:01

IGBT管的工作原理與帶電測(cè)試

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-28 12:23:20

不同的PCB和器件配置對(duì)行為的影響

  5.1 介紹  在前一章中考慮了不同的PCB和器件配置對(duì)行為的影響。通過(guò)對(duì)多種情況的分析和比較,可以得出許多關(guān)于提供LFPAK MOSFETs散熱片冷卻的最佳方式的結(jié)論。  在第4章中考
2023-04-21 15:19:53

PCB外殼對(duì)PCB設(shè)計(jì)的影響因素

  5.1 介紹  在前一章中考慮了不同的PCB和器件配置對(duì)行為的影響。通過(guò)對(duì)多種情況的分析和比較,可以得出許多關(guān)于提供LFPAK MOSFETs散熱片冷卻的最佳方式的結(jié)論。  在第4章中考
2023-04-20 17:08:27

PCB設(shè)計(jì)概述

”的概念類(lèi)似于電阻的概念,在許多關(guān)于熱管理的文獻(xiàn)中都有描述?! ?shù)據(jù)表中最常見(jiàn)的兩個(gè)MOSFET阻值為:  Rth(j-a):從器件結(jié)(晶元)到環(huán)境的。這是一個(gè)單一的阻值,是所有可能的級(jí)數(shù)和從結(jié)
2023-04-20 16:49:55

半導(dǎo)體IGBT功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)探討

IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡(jiǎn)介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(BipolarJunctionTransistor,BJT
2023-04-20 09:54:432099

?壓接型IGBT器件的封裝結(jié)構(gòu)及特性

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581287

一文詳解IGBT的過(guò)流和短路保護(hù)

 IGBT是高頻開(kāi)關(guān)器件,芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過(guò)流或短路故障時(shí),器件中流過(guò)的大于額定值的電流時(shí),極易使器件管芯結(jié)溫升高,導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來(lái)聊聊IGBT的過(guò)流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175478

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