富士通與亞馬遜云服務(wù)AWS宣布深化合作,共同推出現(xiàn)代化加速聯(lián)合計劃,旨在推動AWS云上遺留應(yīng)用程序的現(xiàn)代化進(jìn)程。該計劃將于4月1日正式啟動,將富士通的系統(tǒng)集成能力與AWS的專業(yè)服務(wù)相結(jié)合,為運行在本地大型機和UNIX服務(wù)器上的傳統(tǒng)關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序提供評估、遷移和現(xiàn)代化服務(wù)。
2024-03-19 10:59:35221 我有個應(yīng)用設(shè)計,MCU用的是STM32G070rbt6芯片,外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作,但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理,是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇,例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
富士通株式會社(以下簡稱“富士通”)發(fā)布了最新的集團人工智能(AI)戰(zhàn)略,聚焦深化人類與AI之間的協(xié)作,并提出了將AI作為“可信賴的助手”這一愿景,為提升人類生產(chǎn)力與創(chuàng)造力提供全方位支持。
2024-02-21 17:09:10378 1) 允許一個物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間(Access Time),能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢,通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51517 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03211 富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點:? 抗金屬,可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入:可提高數(shù)據(jù)寫入時的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32,768個字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造,訪問時間高達(dá)150 ns,功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 近日,由日本理化學(xué)研究所(RIKEN)和富士通聯(lián)合開發(fā)的 超級計算機“富岳(Fugaku)” 在最新公布的HPCG和Graph500 BFS(廣度優(yōu)先搜索)等多個
2023-11-29 17:10:02228 該 FRAM 芯片(鐵電隨機存取存儲器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片(鐵電隨機存取存儲器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘,本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
存儲中,鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能,可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中,如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 11月15日-19日,第二十五屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(簡稱“高交會”)在深圳會展中心拉開帷幕。富士通(中國)信息系統(tǒng)有限公司CEO汪波先生受邀出席本次高交會
2023-11-20 17:10:03178 了機遇。 大多數(shù)企業(yè)和機構(gòu)已經(jīng)認(rèn)識到,必須調(diào)整業(yè)務(wù)運營以變得更加可持續(xù)。只有將可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)與更廣泛的業(yè)務(wù)聯(lián)系起來,并借助可信的合作伙伴生態(tài)系統(tǒng),才能夠在未來的競爭當(dāng)中脫穎而出。 在企業(yè)的可持續(xù)轉(zhuǎn)型之旅中,來自富士通
2023-11-13 17:15:02193 MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:01431 單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間,其存儲器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 本月,富士通與日本理化學(xué)研究所(RIKEN)宣布,在RIKEN RQC-Fujitsu合作中心成功開發(fā)出了 新型 64 量子位超導(dǎo)量子計算機 。理化學(xué)研究所于今
2023-10-27 09:15:02168 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32,768個字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造,訪問時間高達(dá)150 ns,功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了啊??AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明,各位高手有誰知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn),工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機械設(shè)備就能夠采用所連接的無線傳感器節(jié)點的實時數(shù)據(jù),提前預(yù)測可能發(fā)生的故障,并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施,以避免意外的系統(tǒng)停機。累積
2023-10-19 11:27:37
的非易失性存儲器,既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲,又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用,需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器(FRAM)是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
目前,日本在量子領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展落后于中美兩國,但此前已經(jīng)制定發(fā)展規(guī)劃。富士通計劃將量子計算機與超級計算機相結(jié)合,以提高計算能力。未來,富士通將會把量子計算機投入實際應(yīng)用,進(jìn)行分子構(gòu)型模擬、材料特性分析等
2023-10-09 11:03:15503 怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知,鐵電存儲器(FRAM)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上,不僅不需要備用電池,而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
與此同時,富士通還積極投身到全球各項可持續(xù)發(fā)展及碳中和行動項目當(dāng)中。就在本月,富士通宣布通過參與世界可持續(xù)發(fā)展工商理事會(WBCSD)的碳足跡數(shù)據(jù)共享倡議行動(PACT),成功實現(xiàn)了整個供應(yīng)鏈中二氧化碳排放量的可視化。
2023-09-22 17:12:49653 對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說,在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失,這種情況下有很多種解決方案,鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 根據(jù)專利要點,提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題,該存儲器的檢測方法如下:選通字線,通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24524 點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023年中國國際服務(wù)貿(mào)易交易會(服貿(mào)會)近日在北京開幕。富士通(中國)信息系統(tǒng)有限公司(以下簡稱“富士通”)副總裁汪波先生受邀出席本次服貿(mào)會,并在9月3日舉行
2023-09-06 17:10:02230 新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加,因此對于高性能非易失性存儲技術(shù)的需求也越來越高,因為當(dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析
2023-09-01 10:04:52
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步,數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加,因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
庫的慢-慢工藝點對塊進(jìn)行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計人員可以選擇多種類型的存儲器
2023-08-17 09:54:20414 鐵電存儲器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護儀,記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護儀存儲著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息,可以和最近測量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對照,如果發(fā)生異常情況,監(jiān)護儀就會
2023-08-16 10:30:26
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Emulex Gen 5光纖通道主機總線富士通適配器.pdf》資料免費下載
2023-08-10 14:32:280 富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT,是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中,隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計算的擴展,客
2023-08-04 11:55:04339 動態(tài)存儲運行時數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此,AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023財年第一季度財報 富士通于昨日發(fā)布了2023財年第一季度財報。根據(jù)財報顯示,2023財年第一季度整體營收為7,996億日元,較上一年度同期實現(xiàn)小幅增長
2023-07-28 17:15:01449 就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等,它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù),但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
該 FRAM 芯片(鐵電隨機存取存儲器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片(鐵電隨機存取存儲器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內(nèi)核時鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內(nèi)同時集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器,分成8字節(jié)大小的存儲塊,每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器,分成8字節(jié)大小的存儲塊,每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通近日發(fā)布了《2023富士通全球可持續(xù)轉(zhuǎn)型調(diào)查報告》。該報告對來自全球9個國家的1,800名企業(yè)高管及決策者進(jìn)行了調(diào)查, 闡述了可持續(xù)轉(zhuǎn)型(SX)的現(xiàn)狀以及
2023-07-12 17:10:01270 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒有寫等待時間等優(yōu)勢,能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長,芯片的擦寫次數(shù)為100萬次,比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 的信息不會丟失,且鋰電池還存在使用壽命的問題,所以當(dāng)使用了FRAM(鐵電存儲器)上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28874 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 近日,富士通(中國)信息系統(tǒng)有限公司副總裁汪波先生受邀出席2023中關(guān)村論壇平行活動“ChatGPT 與人工智能前沿技術(shù)交流會”,并發(fā)表了題為《加速AI創(chuàng)新,共建
2023-06-08 19:55:02296 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通株式會社(以下簡稱“富士通”)與微軟公司(以下簡稱“微軟”)宣布簽署為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議,進(jìn)一步擴大雙方現(xiàn)有合作。該協(xié)議將涉及兩家公司的投資,以推動富士通
2023-06-05 19:45:01379 我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個每秒累加的方法。問題:非易失性內(nèi)存有寫入限制,所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
? 富士通將利用在不同行業(yè)的先進(jìn)技術(shù)、技能和知識提供以人為本的數(shù)字服務(wù)、數(shù)據(jù)驅(qū)動的應(yīng)變能力和互聯(lián)互通的生態(tài)系統(tǒng),以推動可持續(xù)轉(zhuǎn)型?!?b class="flag-6" style="color: red">富士通(中國)信息系統(tǒng)有限公司副總裁 汪波 近日,以“智行天下
2023-05-26 10:58:24495 和耐久性設(shè)計,這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位,是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
一種便攜式存儲設(shè)備,當(dāng)插入計算機時,被解析為內(nèi)置硬盤設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣,USB閃存驅(qū)動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。
5、RAM
RAM是一個易失性內(nèi)存選項。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時,應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫入數(shù)據(jù),請告知
2023-04-23 07:19:24
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,對標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛,無污染。
2023-04-20 11:29:57224 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中,我們需要將安全數(shù)據(jù)(例如密鑰)存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
全球累計出貨量已達(dá)1億顆,廣泛運用在如智能座艙、智能駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)、新能源電動車大小三電系統(tǒng)等,這一重要里程碑凸顯了兆易創(chuàng)新與國內(nèi)外主流車廠及Tier1供應(yīng)商的密切合作關(guān)系。兆易創(chuàng)新致力于為汽車領(lǐng)域客戶
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值(僅驗證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
和用于讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器,可以在字節(jié)級別讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種,在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列,在塊中
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會丟失,而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點與富士通FRAM相比,升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢:?更快的隨機訪問操作時間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量??焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
隨著萬物智聯(lián)時代的到來,智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看,易失性存儲器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 存儲器FRAM 128K(16 K×8)位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K(2 K x 8)位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K(8 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K(2 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M(128 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K(32 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K(32 K×8)位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K(8 K×8)位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器(保證在重啟時歸零)對它們進(jìn)行異或,我在重啟時將其設(shè)置為隨機數(shù)。(這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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