我有個應(yīng)用設(shè)計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴(kuò)了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
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1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機(jī)存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51517 
什么是時分復(fù)用TDM？時分復(fù)用類型 時分復(fù)用優(yōu)劣勢? 時分復(fù)用TDM是一種常見的多路復(fù)用技術(shù)，用于將多個低速信號合并成一個高速信號在傳輸線路上進(jìn)行傳輸。在時分復(fù)用TDM中，不同的信號在時間上按照一定
2024-01-16 16:03:33276 軟包電池優(yōu)劣勢有哪些？ 軟包電池是一種新型的電池類型，相對于傳統(tǒng)的硬包電池有著一些優(yōu)勢和劣勢。 第一部分：引言 軟包電池是一種采用軟包式包裝的鋰離子電池，近年來在電動汽車、電子設(shè)備等領(lǐng)域得到
2024-01-10 10:30:23388 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
三元鋰離子電池和磷酸鐵鋰電池是目前應(yīng)用較廣泛的兩種鋰離子電池類型，它們各自具有一些優(yōu)點和劣勢，可以根據(jù)具體的應(yīng)用場景來選擇。
2023-12-29 10:00:13187 FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 需要在設(shè)計和開發(fā)過程中遵循一些最佳實踐。本文將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供選擇，例如閃存（Flash）、EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲器）和
FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49507 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
扁平網(wǎng)線的介紹 扁平網(wǎng)線的優(yōu)劣勢 扁平網(wǎng)線的應(yīng)用 扁平網(wǎng)線最好不超過多少米? 扁平網(wǎng)線是一種新型的網(wǎng)絡(luò)連接線，相比傳統(tǒng)的圓形網(wǎng)線，它具有更加扁平的外觀。下面將詳細(xì)介紹扁平網(wǎng)線的優(yōu)劣勢、應(yīng)用以及最佳
2023-11-28 14:50:39582 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
明渠流量計廣泛應(yīng)用于城市供水引水渠、火電廠冷卻水引水和排水渠、污水治理流入等流量的測量。智能明渠流量計系統(tǒng)的測量是通過旋槳式流速傳感器來測量流速；通過壓力傳感器測量水位；采用鐵電存儲器實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的非
2023-11-27 10:17:05
存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機(jī)的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
mcs-8051單片機(jī)的程序存儲器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
TCP和UDP是兩種常見的互聯(lián)網(wǎng)傳輸協(xié)議，它們都是在IP網(wǎng)絡(luò)上運(yùn)行的傳輸層協(xié)議。
2023-10-16 10:16:13963 
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
想要了解什么是波長選擇器？通過介紹應(yīng)用市場中常見的濾波光學(xué)器件并對比其優(yōu)勢與劣勢，看見波長選擇器濾波性能的優(yōu)越性。
2023-09-20 09:45:05367 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
現(xiàn)在stm行業(yè)都會用到錫膏，不同的電子用的錫膏都不一樣，現(xiàn)在用的比較廣泛的就是低溫錫膏，那什么是低溫錫膏呢？熔點為138℃的錫膏被稱為低溫錫膏，當(dāng)貼片的元器件無法承受138℃及以上的溫度且需要貼片回流工藝時，使用低溫錫膏進(jìn)行焊接工藝，起了保護(hù)不能承受高溫回流焊焊接原件和PCB，很受LED行業(yè)歡迎，它的合金成分是錫鉍合金。現(xiàn)在錫膏廠家?guī)Т蠹伊私庖幌碌蜏劐a膏的特
2023-09-12 16:42:52816 
存儲器是計算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機(jī)存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272106 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
一般而言，越復(fù)雜的任務(wù)，越充裕的資源，應(yīng)該是各自用更加專業(yè)的方案來做各自的上限才會比較高，大模型能提供的，是一個基礎(chǔ)的、快速的、zero shot或者few shot的baseline方案。
2023-09-07 14:28:00972 根據(jù)專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24524 
整流電源原理是利用二極管的單向性，將AC轉(zhuǎn)換為DC。
2023-09-05 11:33:54252 
led恒流和恒壓驅(qū)動優(yōu)劣勢 LED恒流和恒壓驅(qū)動是在LED照明應(yīng)用中常用的兩種方式。它們各自具有優(yōu)劣勢，根據(jù)實際所需來選擇合適方法，這對于LED照明行業(yè)具有非常重要的意義。接下來，本文將詳細(xì)介紹
2023-09-04 17:48:284759 或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
探討充電樁的優(yōu)劣勢，以期幫助讀者更全面地了解這一領(lǐng)域的情況。 優(yōu)勢： 1. 解決能源危機(jī)。在世界范圍內(nèi)，對能源危機(jī)的解決之道一直備受關(guān)注。充電樁作為一種新型能源設(shè)施，在為電動汽車提供便利的同時，也有助于推廣環(huán)保的綠
2023-08-22 17:06:494988 庫的慢-慢工藝點對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計人員可以選擇多種類型的存儲器
2023-08-17 09:54:20414 
鐵電存儲器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息，可以和最近測量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護(hù)儀就會
2023-08-16 10:30:26
FPGA和ASIC是數(shù)字電路中常見的實現(xiàn)方式，因此人們經(jīng)常會想要了解哪種芯片在未來的發(fā)展中更具有前途。然而，這取決于具體的應(yīng)用場景和需求。在本文中，我們將探討FPGA和ASIC的優(yōu)劣勢，并分析哪種芯片在特定的應(yīng)用場景中更具有優(yōu)勢。
2023-08-14 16:40:201028 尺有所長，寸有所短，談單一的利弊沒有任何意義。
2023-07-24 10:35:36417 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機(jī)開機(jī)時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 在當(dāng)前的科技發(fā)展中，傳感器技術(shù)在各個領(lǐng)域中起著至關(guān)重要的作用。其中，固態(tài)光學(xué)氧傳感器作為一種新興的傳感器技術(shù)，具有許多優(yōu)勢和劣勢。本文將對固態(tài)光學(xué)氧傳感器的優(yōu)劣勢進(jìn)行探討和分析。 首先，固態(tài)光學(xué)
2023-06-27 10:11:59314 
PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
FIGURE 6.5講了3種不同的Lumped RC modeling，書中說明了這三種RC modeling的優(yōu)劣勢。
2023-06-19 16:42:20553 
與扁線電機(jī)相對應(yīng)的就是“圓線電機(jī)”，扁線、圓線的區(qū)別就在于電機(jī)中定子繞組所用的導(dǎo)線的形態(tài)不同。傳統(tǒng)電機(jī)采用的圓形導(dǎo)線，而扁線電機(jī)則采用了扁平的矩形導(dǎo)線。
2023-06-19 10:01:571410 
虛擬拍攝是一種基于計算機(jī)生成的技術(shù)，可以通過虛擬現(xiàn)實技術(shù)來模擬真實場景，實現(xiàn)高質(zhì)量的拍攝效果。隨著虛擬現(xiàn)實技術(shù)的不斷發(fā)展和普及，虛擬拍攝已經(jīng)成為了影視、游戲等領(lǐng)域的重要技術(shù)手段，為影視、游戲等行業(yè)帶來了巨大的變革和發(fā)展機(jī)遇。
2023-06-09 14:27:39805 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061411 和耐久性設(shè)計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
云存儲的優(yōu)勢和劣勢 目前云存儲的主要分為公有云、私有云和混合云。 公有云通常指第三方提供商為用戶提供的能夠使用的云，公有云一般可通過互聯(lián)網(wǎng)使用。這種云有許多實例，比如百度云盤、360
2023-04-13 13:54:18606 和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節(jié)級別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
的需求來講，低成本、小型化、智能化是重中之重。今天我們就來看看電機(jī)新技術(shù)——扁線電機(jī)的概念和定義，以及相對于傳統(tǒng)的圓線電機(jī)，扁線電機(jī)都有哪些優(yōu)劣勢。一、扁線電機(jī)定義扁線電機(jī)特指定子繞組所用的導(dǎo)線
2023-03-29 16:57:12
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
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