臺積電以5倍速擴產(chǎn)，在建及規(guī)劃中的晶圓廠達12座

面對全球芯片短缺、半導(dǎo)體產(chǎn)能供不應(yīng)求，晶圓代工龍頭臺積電在6月2日舉辦的2021年技術(shù)論壇上表示，3年1000億美元投入案已全面啟動，現(xiàn)在正以5倍的速度加快擴產(chǎn)腳步，包括將在南科擴建5nm晶圓廠及興建3nm晶圓廠，以及在竹科興建研發(fā)晶圓廠及2nm晶圓廠。以臺積電興建中及計劃中的投入案來看，等于要再蓋12座晶圓廠，極紫外光（EUV）產(chǎn)能將大爆發(fā)。

此外，臺積電在南科及竹南封測廠興建已啟動，美國亞利桑那州12吋廠開始興建。隨著臺積電加快建廠腳步，及擴大設(shè)備及備品采購規(guī)模，臺積電大同盟合作伙伴的業(yè)績可望再旺3年。

臺積電今年資本支出上調(diào)至300億美元，3年1000億美元投入案全面啟動，而臺積電已開始興建3nm晶圓廠，未來會是全球首座3nm晶圓廠。

臺積電營運資深副總經(jīng)理秦永沛說明了建廠計劃：南科Fab 18超大型晶圓廠（GigaFab）將建置P1～P4共4座5nm晶圓廠，P5～P8共4座3nm晶圓廠。其中P1～P3廠已進入量產(chǎn)，P4～P6廠正在興建中，未來將再擴建P7～P8廠。另外，南科Fab 14超大型晶圓廠將擴建P8廠為特殊制程生產(chǎn)基地，AP2C封測廠亦興建中。

臺積電竹科Fab 12超大型晶圓廠將擴建P8～P9廠為研發(fā)中心，P8廠將在今年完成。臺積電預(yù)計在竹科寶山興建Fab 20超大型晶圓廠，現(xiàn)在仍在土地取得程序，未來將成為2nm生產(chǎn)重鎮(zhèn)。至于美國亞利桑那州5nm晶圓廠已開始興建，2024年以月產(chǎn)能2萬片量產(chǎn)計劃不變。

在封測廠投入部份，秦永沛指出，臺積電已有4座先進封測廠區(qū)，主要提供晶圓凸塊、先進測試、后段3D封裝等業(yè)務(wù)，現(xiàn)在竹南興建的第5座封測廠AP6，未來將以前段3D封裝及芯片堆疊等先進技術(shù)為主。而竹南封測AP6廠總面積是4座封測廠總面積的1.3倍，預(yù)計2022年下半年開始量產(chǎn)SoIC先進封裝制程。

如此大規(guī)模的擴產(chǎn)，對于目前芯片短缺是好事，但未來會不會產(chǎn)能過剩那就不好說了。

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