齒輪制造有滾齒，銑齒，插齒等等各種工藝，但還有一種齒輪是用金屬粉末壓出來的，也就是粉末冶金工藝。
2024-03-19 11:22:42
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BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個(gè)芯片上的高級(jí)制造工藝。
2024-03-18 09:47:41176 
旋轉(zhuǎn)花鍵的制造工藝是一門精細(xì)的技術(shù)，涉及多個(gè)步驟和精細(xì)的操作，以確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，下面簡單介紹下旋轉(zhuǎn)花鍵的制造工藝。
2024-03-16 17:39:1780 
共讀好書 蓋曉晨 成都四威高科技產(chǎn)業(yè)園有限公司 摘要： 在航空航天領(lǐng)域中，金屬封裝材料被廣泛應(yīng)用，對(duì)其加工制造工藝的研究具有重要的意義。近年來，金屬基復(fù)合材料逐漸代替?zhèn)鹘y(tǒng)金屬材料應(yīng)用于新一代
2024-03-16 08:41:597 
保護(hù)。較小的圓盤只是將鍍錫銅線焊接到黃銅層上，并且可以進(jìn)一步加工以包括介電涂層。幾何形狀的制造旨在通過改變外徑、內(nèi)徑、厚度和長度來適應(yīng)所需的電氣值。我們的制造工藝具有良好的電壓依賴性和高能量吸收性
2024-03-08 08:37:49
共讀好書 王強(qiáng)翔 李文濤 苗國策 吳思宇 （南京國博電子股份有限公司） 摘要： 本文重點(diǎn)研究了金屬陶瓷功率管膠黏劑封裝工藝中膠黏劑的固化溫度、時(shí)間、壓力等主要工藝參數(shù)對(duì)黏結(jié)效果的影響。通過溫度循環(huán)
2024-03-05 08:40:3566 
表面貼裝技術(shù)（Surface Mount Technology，簡稱SMT）是現(xiàn)代電子制造業(yè)中的一種重要技術(shù)，主要用于將電子元件貼裝在印刷電路板（PCB）上。
在SMT中，紅膠工藝和錫膏工藝是兩種
2024-02-27 18:30:59
晶圓表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響，最常見的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機(jī)臺(tái)或是整體工藝中所遭遇的污染程度與種類。
2024-02-23 17:34:23319 
。 原始石英晶體材料到封裝為最終晶振圖 晶振的制造工藝主要包括以下幾個(gè)步驟： 石英晶體切割：首先，將石英晶體原石進(jìn)行切割，使其成為一定形狀和尺寸的石英晶體片。切割過程中需要控制晶體片的厚度、直徑和角度等參數(shù)，
2024-02-16 14:59:00317 
金屬膜電阻器是一種常見的電子元器件，其主要通過調(diào)整電阻值來實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。在電路設(shè)計(jì)和制造中，金屬膜電阻器扮演著重要的角色。本文將從金屬膜電阻器的原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝和典型應(yīng)用等多個(gè)方面展開詳述
2024-01-31 10:43:00223 服務(wù)范圍PCB、PCBA、汽車焊接零部件檢測標(biāo)準(zhǔn)1、整車廠標(biāo)準(zhǔn)：韓系（含合資）-ES90000系列、?系（含合資）-TSC0507G、TSC0509G、 TSC0510GTSC3005G、德系（含合資）-VW80000系列、美系（含合資）-GMW3172、吉利汽車系列標(biāo)準(zhǔn)、奇瑞汽車系列標(biāo)準(zhǔn)、一汽汽車系列標(biāo)準(zhǔn)等2、其他行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)/國標(biāo)/特殊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等：
2024-01-29 22:37:53
制造運(yùn)營管理系統(tǒng)中的工藝數(shù)據(jù)將按如圖 2 所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行管理。主要包含零件信息管理、工藝版本的管理、工序管理、工步維護(hù)以及各類關(guān)聯(lián)要素的管理，首先對(duì)面向智能制造的機(jī)加工藝中的工藝版本、工序、工步進(jìn)行定義。
2024-01-25 10:17:2699 
伺服電缸通常采用閉環(huán)控制系統(tǒng)，通過反饋信號(hào)實(shí)時(shí)調(diào)整電機(jī)的轉(zhuǎn)速和位置，以達(dá)到精確的運(yùn)動(dòng)控制。而伺服壓機(jī)一般采用閉環(huán)或開環(huán)控制系統(tǒng)，通過控制液壓系統(tǒng)或壓力傳感器實(shí)時(shí)調(diào)整壓力或力量，以滿足加工需求。
2024-01-22 17:21:21313 隨著集成電路工藝技術(shù)不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電路器件的特征尺寸不斷按比例縮小，工作電壓不斷降低。為了有效抑制短溝道效應(yīng)，除了源漏的結(jié)深不斷降低
2024-01-19 10:01:431479 
小、精度高、穩(wěn)定性好、溫度系數(shù)低、使用壽命長等。下面將詳細(xì)介紹金屬膜電阻器的工作原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝、允許誤差和應(yīng)用。 一、工作原理： 金屬膜電阻器的工作基于電阻材料與電流的關(guān)系。當(dāng)電流通過金屬膜電阻器時(shí)，流過電阻材料的電流會(huì)在其上產(chǎn)生電阻
2024-01-17 09:20:11332 是在絕緣基片上先形成一層薄的金屬膜，然后再均勻覆蓋上一層碳質(zhì)材料。兩者的制造方法不同，金屬膜電阻器需要進(jìn)行金屬沉積、蝕刻等多道工藝，而碳膜電阻器則需要額外的碳沉積、碳蒸發(fā)等工藝。 其次，在電阻值方面，金屬膜電阻
2024-01-11 10:27:57331 。 一、電解電容的工藝 電解電容的制造工藝主要包括電極制備、介質(zhì)制備、裝配和封裝等步驟。 電解電容是用金屬作為陽極（Anode），并在表面形成一層金屬氧化膜作為介質(zhì)；然后濕式或固態(tài)的電解質(zhì)和金屬作為陰極（Cathode）。電解
2024-01-10 15:58:43293 
。 一、薄膜電容的工藝 薄膜電容的制造工藝主要包括金屬薄膜沉積、光刻、腐蝕等步驟。 金屬薄膜沉積：金屬薄膜沉積是薄膜電容制備過程中的關(guān)鍵步驟，它直接影響到電容的性能。金屬薄膜沉積方法有蒸發(fā)鍍膜、磁控濺射等。蒸發(fā)
2024-01-10 15:41:54443 
膜厚測試在MEMS制造工藝中至關(guān)重要，它不僅關(guān)乎工藝質(zhì)量，更直接影響著最終成品的性能。為了確保每一片MEMS器件的卓越品質(zhì)，精確測量薄膜厚度是不可或缺的一環(huán)。
2024-01-08 09:40:54262 
微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移母版掩膜版（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，是圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體。
2024-01-06 11:33:553204 
高達(dá)65 kHz的更高頻率聲音非常適合可以近距離檢查的問題，例如某些壓縮空氣、壓縮氣體或真空泄漏，通過隨時(shí)調(diào)整您的聲像儀頻率，以使用最合適的頻譜來執(zhí)行檢測任務(wù)。
2024-01-04 10:09:22119 
MIM的工藝過程MIM工藝主要分為四個(gè)階段，包括制粒、注射、脫脂和燒結(jié)，以及隨后的機(jī)械加工或拉絲，如果需要的話、電鍍等二次加工技術(shù)。
2023-12-26 14:53:42735 
如今，半導(dǎo)體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進(jìn)制造工藝。
2023-12-25 14:50:47174 等。 首先，MLCC制造的第一步是材料準(zhǔn)備。MLCC的主要材料包括陶瓷粉末、金屬電極粉末和有機(jī)溶劑。陶瓷粉末由氧化鈮和氧化鈦等陶瓷材料組成，金屬電極粉末通常由銀、銅和鈷等金屬組成。這些材料需要經(jīng)過篩分、混合和研磨等處理，以獲得所需
2023-12-21 14:02:23348 金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對(duì)薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對(duì)金屬薄膜沒有臺(tái)階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">需要重新填充原來多晶硅柵極的地方，因此對(duì)薄膜的臺(tái)階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659 
引入不同的氣態(tài)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行的，這些化學(xué)物質(zhì)通過與基材反應(yīng)來改變表面。IC最小特征的形成被稱為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過程中最重要的工藝步驟。
2023-12-06 18:17:331130 
薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個(gè)方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18994 ?在當(dāng)今的制造業(yè)中，金屬激光打標(biāo)機(jī)已經(jīng)逐漸成為一種主流的標(biāo)識(shí)和編碼設(shè)備。它利用激光光束的高能量，將金屬材料表面的一部分去除，從而實(shí)現(xiàn)所需的效果或標(biāo)識(shí)。這種先進(jìn)的打標(biāo)技術(shù)，不僅提高了生產(chǎn)效率，還為
2023-11-30 20:11:58182 
在晶圓生產(chǎn)工藝的結(jié)尾，有些晶圓需要被減薄（晶圓減?。┎拍苎b進(jìn)特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結(jié)；對(duì)于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（背面金屬化，簡稱背金）；
2023-11-29 12:31:26203 
半導(dǎo)體前端工藝：第六篇（完結(jié)篇）：金屬布線 —— 為半導(dǎo)體注入生命的連接
2023-11-27 16:11:35254 
性能方向發(fā)展，新產(chǎn)品設(shè)計(jì)中設(shè)計(jì)規(guī)范及制造匹配成為重要的關(guān)注點(diǎn)。工程師需要從設(shè)計(jì)開始考慮制造工藝的制程參數(shù)，提高制板一次性直通率，從設(shè)計(jì)開始考慮布局規(guī)范，正確設(shè)計(jì)PCB封裝，散熱均衡，確保裝配的可靠性。華秋
2023-11-24 16:50:33
性能方向發(fā)展，新產(chǎn)品設(shè)計(jì)中設(shè)計(jì)規(guī)范及制造匹配成為重要的關(guān)注點(diǎn)。工程師需要從設(shè)計(jì)開始考慮制造工藝的制程參數(shù)，提高制板一次性直通率，從設(shè)計(jì)開始考慮布局規(guī)范，正確設(shè)計(jì)PCB封裝，散熱均衡，確保裝配的可靠性。華秋
2023-11-24 16:47:41
電源適配器的制造工藝流程是怎樣的？ 電源適配器的制造工藝流程包括多個(gè)步驟，每個(gè)步驟都需要經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和檢測。下面將詳細(xì)描述電源適配器的制造工藝流程。 1. 材料采購：首先需要根據(jù)設(shè)計(jì)要求，采購
2023-11-23 16:03:56767 恒流源電路的特點(diǎn)是： **當(dāng)負(fù)載阻值發(fā)生變化時(shí)，流過其中的電流總是不變的，基本原理是通過實(shí)時(shí)監(jiān)控輸出電流并實(shí)時(shí)調(diào)整** 。
2023-11-10 17:10:201023 
如何高效調(diào)整PCB元件的絲印位號(hào)？ 在PCB設(shè)計(jì)中，元件的絲印是非常重要的，因?yàn)樗梢宰孭CB制造商和裝配工程師正確地識(shí)別組件的位置和功能。但是，在實(shí)際設(shè)計(jì)中，由于一些原因（如元件庫變更、元件添加
2023-10-31 10:42:571701 存在很大的差別，因此不能互換。那么，為什么金屬膜電阻與碳膜電阻不能互換呢？下面將從制造工藝、電阻特性和應(yīng)用場景三個(gè)方面來詳細(xì)探討。 1、制造工藝不同 金屬膜電阻是在金屬基片上蒸鍍一層極薄的金屬膜，形成固態(tài)金屬線路
2023-10-29 11:22:001317 本文整理自公眾號(hào)芯生活SEMI Businessweek中關(guān)于MEMS制造工藝的多篇系列內(nèi)容，全面、專業(yè)地介紹了MEMS芯片制造中的常用工藝情況，推薦！ ? 作為現(xiàn)代傳感器重要的制造技術(shù)，MEMS
2023-10-20 16:10:351403 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于單片機(jī)的UHF電調(diào)濾波器的實(shí)時(shí)調(diào)諧設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-20 09:45:40
1 濺射是一種在晶圓表面形成金屬薄膜的物理氣相沉積(PVD)6工藝。如果晶圓上形成的金屬薄膜低于倒片封裝中的凸點(diǎn)，則被稱為凸點(diǎn)下金屬層(UBM，Under Bump Metallurgy)。通常
2023-10-20 09:42:212737 
流程的應(yīng)用場景。
一、單面純貼片工藝
應(yīng)用場景： 僅在一面有需要焊接的貼片器件。
二、雙面純貼片工藝
應(yīng)用場景： A/B面均為貼片元件。
三、單面混裝工藝
應(yīng)用場景： A面有貼片元件+插件元件
2023-10-17 18:10:08
隨著工業(yè)發(fā)展，金屬工件趨于精細(xì)化和復(fù)雜化，同時(shí)在宇航工藝、車輛制造業(yè)及輕工產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域起到了難以取代的作用，這使人們對(duì)金屬工件表面質(zhì)量的需求也越來越高。
2023-10-16 10:42:36537 此次簽約的特色工藝晶圓制造項(xiàng)目總投資51億元，用地約130畝。該項(xiàng)目依托嘉力豐正的半導(dǎo)體材料先進(jìn)技術(shù)，在云和投資生產(chǎn)特色工藝晶圓片，共分2個(gè)階段建設(shè)。
2023-09-28 10:02:47695 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
DVFS 即動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整，針對(duì) SOC主頻的不同，需要動(dòng)態(tài)調(diào)整 SOC 的 Core Power。通過調(diào)整內(nèi)核供電電壓，實(shí)現(xiàn)SOC主頻的調(diào)整。
2023-09-19 17:01:14389 
一個(gè)優(yōu)秀的工程師設(shè)計(jì)的產(chǎn)品一定是既滿足設(shè)計(jì)需求又滿足生產(chǎn)工藝。規(guī)范產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，輔助PCB設(shè)計(jì)的相關(guān)工藝參數(shù)，使得生產(chǎn)出來的實(shí)物產(chǎn)品滿足可生產(chǎn)性、可測試性、可維修性等的技術(shù)規(guī)范要求。本文將從初學(xué)者
2023-08-28 13:55:03
對(duì)于機(jī)器人、高端制造業(yè)、醫(yī)療和過程控制（石油、天然氣和電力）業(yè)務(wù)來說，實(shí)時(shí)處理非常重要。這些行業(yè)依賴實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理以不斷提高安全性、效率和可靠性。而確保這些行業(yè)的實(shí)時(shí)處理數(shù)據(jù)的一個(gè)關(guān)鍵因素是，系統(tǒng)要能夠實(shí)時(shí)調(diào)度工作任務(wù), 優(yōu)先響應(yīng)、管理和執(zhí)行實(shí)時(shí)工作任務(wù)。
2023-08-25 14:49:52299 
。華秋PCB可滿足1-3階制造。
（HDI的階數(shù)定義：從中心層到最外層，假如有N層連續(xù)用盲孔導(dǎo)通，則為(N-1)階）
3表面鍍層
1）噴錫
噴錫是電路板行內(nèi)最常見的表面處理工藝，它具有良好的可焊接
2023-08-25 11:28:28
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
輪廓儀可以快速、準(zhǔn)確地獲取金屬表面的曲率、凹凸等特征。
2、表面缺陷檢測。光學(xué)3D表面輪廓儀可以實(shí)時(shí)捕捉金屬表面的瑕疵、劃痕、凹陷等問題，以便及時(shí)修復(fù)和改進(jìn)。
3、幾何尺寸測量。光學(xué)3D表面輪廓儀可以
2023-08-21 13:41:46
電動(dòng)機(jī)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)在很大程度上與其制造材料、制造工藝有關(guān)。在電動(dòng)機(jī)制造廠中，同樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，同一批原材料所制成的產(chǎn)品，其質(zhì)量往往相差甚大。沒有先進(jìn)的制造工藝技術(shù)，很難生產(chǎn)出先進(jìn)的產(chǎn)品。今天我們來看看電機(jī)制造中的那些關(guān)鍵工藝。
制造工藝主要包含哪些環(huán)節(jié)？連接器的制造工藝按照產(chǎn)品類型、產(chǎn)品規(guī)格、以及制造廠家的不同，在生產(chǎn)工藝上會(huì)有不同。一般包含有以下幾個(gè)方面：金屬材料的選擇、材料的預(yù)處理
2023-08-01 00:25:12425 
。好了，今天就來談?wù)勥B接器制造工藝的話題。 連接器制造工藝主要包含哪些環(huán)節(jié)？??? 連接器的制造工藝按照產(chǎn)品類型、產(chǎn)品規(guī)格、以及制造廠家的不同，在生產(chǎn)工藝上會(huì)有不同。一般包含有以下幾個(gè)方面：金屬材料的選擇、材料的預(yù)處理、沖
2023-07-31 16:09:44381 電動(dòng)機(jī)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)在很大程度上與其制造材料、制造工藝有關(guān)。在電動(dòng)機(jī)制造廠中，同樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，同一批原材料所制成的產(chǎn)品，其質(zhì)量往往相差甚大。沒有先進(jìn)的制造工藝技術(shù)，很難生產(chǎn)出先進(jìn)的產(chǎn)品。今天我們來看看電機(jī)制造中的那些關(guān)鍵工藝。
2023-07-21 17:19:25694 
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183029 
現(xiàn)代電子制造生產(chǎn)工藝，主要分為：加成法、減成法與半加成法，目前以減成法為主。減成法工藝采用減材制造原理，通過光刻、顯影、刻蝕等技術(shù)將不需要的材料去除，形成功能材料圖形結(jié)構(gòu)，這種工藝已經(jīng)比較成熟。然而
2023-07-11 10:56:37402 
今天主要講一下PCB生產(chǎn)制造前需要注意的DFM可制造性問題。
2023-07-05 10:01:23869 
半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在
2023-07-03 10:21:572170 
焊料焊材位于電子產(chǎn)品制造上游，根據(jù)不同的應(yīng)用場景，屬于材料供應(yīng)位置。
2023-06-26 11:42:00
電源通常設(shè)置為固定輸出電壓，以為電氣負(fù)載供電。然而，有些應(yīng)用需要可變的供電電壓。例如，在某些情況下，如果根據(jù)相應(yīng)的工作狀態(tài)調(diào)整內(nèi)核電壓，微控制器可以更有效地運(yùn)行。本文將展示如何使用為此目的而開發(fā)的專用數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)來即時(shí)調(diào)整電源的輸出電壓。
2023-06-15 14:30:25556 
。接地電阻柜的制造完成后需要進(jìn)行相關(guān)的電氣性能測試，
比如電流、電壓等值的測試，以及產(chǎn)品的穩(wěn)定性測試等等。通過測試調(diào)試過程，
生產(chǎn)工藝中每個(gè)環(huán)節(jié)的分析、提高對(duì)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求有著非常重要的作用。
以上
2023-06-08 11:04:41
晶圓表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響，最常見的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機(jī)臺(tái)或是整體工藝中所遭遇的污染
2023-06-06 10:29:151093 
還原，從而減少資源浪費(fèi)縮減成本，因此需要對(duì)金屬粉末進(jìn)行回收利用。 基于PLC遠(yuǎn)程監(jiān)控的金屬粉末自動(dòng)收送回收系統(tǒng)分為自動(dòng)收粉、送粉及電解回收等工藝流程的實(shí)時(shí)在線監(jiān)控。通過將PLC進(jìn)入到物通博聯(lián)工業(yè)智能網(wǎng)關(guān)，網(wǎng)關(guān)就能進(jìn)行
2023-05-29 14:00:41257 
。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲(chǔ)器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個(gè)高真空的平臺(tái)，在
2023-05-26 16:36:511748 覆銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）工藝：是一種用于制備高密度電子封裝材料的工藝方法。 該工藝是微電子制造中進(jìn)行金屬膜沉積的主要方法，主要用蒸發(fā)、磁控濺射等面沉積
2023-05-23 16:53:511332 
摘 要：針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點(diǎn)介紹集成電路工藝設(shè)備、分立器件工藝設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-05-23 15:23:47974 
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478 
重金屬廢水是指礦冶、機(jī)械制造、化工、電子、儀表等工業(yè)生產(chǎn)過程中排出的含重金屬的廢水。重金屬（如含鎘、鎳、汞、鋅等）廢水是一種嚴(yán)重污染環(huán)境和危害人體健康的工業(yè)廢水之一，其水質(zhì)與生產(chǎn)工藝有關(guān)，需要
2023-05-18 15:38:17192 
多層板制造方法有電鍍通孔法以及高密度增層法兩種，都是通過不同工藝的組合來實(shí)現(xiàn)電路板結(jié)構(gòu)。 其中目前采用最多的是電鍍通孔法，電鍍通孔法經(jīng)過超過半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展與完善，電鍍通孔法無論從設(shè)備、材料方面，還是
2023-05-06 15:17:292404 
早期的硅基集成電路工藝以 **雙極型工藝為主** ，不久之后，則以更易大規(guī)模集成的 **平面金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）工藝為主流** 。MOSFET由于具有高輸入阻抗、較低的靜態(tài)功耗等優(yōu)異性能，以及
2023-05-06 10:38:414053 在視頻處理中，為了能夠實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)圖像的對(duì)比對(duì)，通常需要對(duì)直方圖進(jìn)行拉伸處理。
2023-05-04 09:38:36706 
經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
作為工業(yè)4.0重要命題之一的柔性制造，其核心價(jià)值在于，既能夠依靠自動(dòng)化設(shè)備保障生產(chǎn)效率，又讓生產(chǎn)線具有一定的延展性，可以根據(jù)市場變化和客戶需求對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行適時(shí)調(diào)整。
2023-04-26 14:44:281096 ），CSP 的封裝尺寸與芯片尺寸相同。
BGA 封裝的缺點(diǎn)是器件組裝后無法對(duì)每個(gè)焊點(diǎn)進(jìn)行檢查，個(gè)別焊點(diǎn)缺陷不能進(jìn)行返修。有些問題在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)顯露出來。隨著封裝尺寸的減少，制造過程的工藝窗口也隨之縮小
2023-04-25 18:13:15
一、PCB制造基本工藝及目前的制造水平
PCB設(shè)計(jì)最好不要超越目前廠家批量生產(chǎn)時(shí)所能達(dá)到的技術(shù)水平，否則無法加工或成本過高。
1.1層壓多層板工藝
層壓多層板工藝是目前廣泛
2023-04-25 17:00:25
一、PCB工藝設(shè)計(jì)要考慮的基本問題
PCB的工藝設(shè)計(jì)非常重要，它關(guān)系到所設(shè)計(jì)的PCB能否高效率、低成本地制造出來。新一代的SMT裝聯(lián)工藝，由于其復(fù)雜性，要求設(shè)計(jì)者從一開始就必須考慮制造
2023-04-25 16:52:12
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
柔性制造是一種可以迅速適應(yīng)市場需求變化的制造模式。它采用靈活的生產(chǎn)系統(tǒng)，能夠快速生產(chǎn)多種不同規(guī)格和品種的產(chǎn)品，并在生產(chǎn)過程中對(duì)生產(chǎn)參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)整，以適應(yīng)市場變化和客戶需求。柔性制造可以應(yīng)用于各種不同的制造領(lǐng)域，包括汽車、電子、航空以及機(jī)械制造等等。
2023-04-25 10:28:593083 柔性制造和剛性制造的區(qū)別主要在以下幾個(gè)方面：
1. 生產(chǎn)模式的差異：剛性制造采用生產(chǎn)線工藝，通常在生產(chǎn)過程中需要生產(chǎn)大規(guī)模相同的產(chǎn)品，略缺少生產(chǎn)適應(yīng)性；而柔性制造采用生產(chǎn)定制化的工藝
2023-04-25 10:03:523057 。柔性制造能夠根據(jù)市場需求快速調(diào)整生產(chǎn)線布置和組織生產(chǎn)的制造模式。該模式采用了靈活的生產(chǎn)系統(tǒng)，可根據(jù)需要快速靈活地生產(chǎn)多種不同規(guī)格和品種的產(chǎn)品，并在生產(chǎn)過程中對(duì)生產(chǎn)參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)整，以適應(yīng)市場變化和客戶需求。
2023-04-25 09:56:561847 本文涉及一種用于制造半導(dǎo)體元件的滴氣室及利用其的滴氣工藝；晶片內(nèi)側(cè)加載的腔室，安裝在艙內(nèi)側(cè)，包括通過加熱晶片激活晶片上殘存雜質(zhì)的加熱手段、通過將晶片上激活的雜質(zhì)吸入真空以使晶片上激活的雜質(zhì)排出外部的真空吸入部、以及通過向通過加熱手段加熱的艙提供氫氣以去除晶片上金屬氧化膜的氫氣供給部
2023-04-23 10:22:02337 
外包給海外供應(yīng)商，這變得不切實(shí)際。因此，我們提供此文章是為了對(duì)PCB板制造工藝步驟有一個(gè)適當(dāng)?shù)牧私狻ＯＭ苁闺娐吩O(shè)計(jì)師和PCB業(yè)新手清楚地了解印制電路板的制造方式，并避免犯下不必要的錯(cuò)誤?！ CB
2023-04-21 15:55:18
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接，外引線通過金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過金屬外殼
2023-04-21 11:42:342376 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號(hào)：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計(jì)規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00247 
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，德國Plan Optik公司和4JET microtech公司合作開發(fā)了一條高生產(chǎn)率的玻璃通孔（TGV）金屬化制造工藝鏈。
2023-04-20 09:09:01943 更大，所付出的代價(jià)將是前一階段修改成本的數(shù)十倍以上。 3.2 工藝可制造性設(shè)計(jì)主要考慮方面 工藝可制造性設(shè)計(jì)主要考慮以下方面： a） 自動(dòng)化生產(chǎn)所需的傳送邊、定位孔、光學(xué)定位符號(hào)； b） 與生產(chǎn)
2023-04-14 16:17:59
石墨烯金屬化工藝應(yīng)用于線路板的生產(chǎn)加工已經(jīng)是一個(gè)相對(duì)成熟的工藝，這也是筆者十二年前（2010年）開始接觸石墨烯時(shí)最初的工藝構(gòu)想。
2023-04-11 15:18:501560 芯片將成為使能引擎，需要對(duì)新技術(shù)、材料和制造工藝進(jìn)行大量投資，從領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)到可以以新方式利用的成熟工藝。
2023-04-07 10:37:32325 
DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 如何解決PCB制造中的HDI工藝內(nèi)層漲縮對(duì)位問題呢？
2023-04-06 15:45:50
PCB的工藝稱之為半孔工藝?！ ?半孔的說明 什么是半孔板呢？ 這類板邊有整排半金屬化孔的 PCB ，其特點(diǎn)是孔徑比較小，大多用于載板上，作為一個(gè)母板的子板，通過這些半金屬化孔與母板以及元器件的引腳
2023-03-31 15:03:16
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4817
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