FRAM_READ_INST0x03 //讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
#define FRAM_WRITE_INST0x02//寫存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
光伏逆變器拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">概述及關(guān)鍵技術(shù)
2024-02-21 09:47:20
197 
當(dāng)我發(fā)送讀取請(qǐng)求或 RDID 請(qǐng)求時(shí)，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯(cuò)了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
FeRAM在汽車行駛記錄儀中應(yīng)用:
存儲(chǔ)實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)如速度、剎車.
推薦型號(hào)：MB85RS64T
·非易失性存儲(chǔ)器
·高可靠性
·FeRAM無需寫等待，快速讀寫
·低功耗，靜態(tài)電流小于10uA
·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)
2024-01-02 15:46:16314 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 x86-64:又簡(jiǎn)稱為x64，最初開發(fā)為1999年AMD，為了擴(kuò)充IA64。當(dāng)時(shí)的x86-64架構(gòu)誕生頗有時(shí)代意義，處理器的發(fā)展遇到了瓶頸，內(nèi)存尋址空間由于受到32位CPU的限制而只能最大到約4G。于是就有了x86-64。后被INTEL所采用。
2023-12-10 14:48:511372 看出來采集信息的變化則需要存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)，請(qǐng)問有什么辦法能存儲(chǔ)超過64K的樣本數(shù)據(jù)嗎？下面是我實(shí)驗(yàn)采集的圖，第一個(gè)圖是
9M時(shí)鐘采樣10M被測(cè)信號(hào)；第二個(gè)圖是9．999M時(shí)鐘采樣10M被測(cè)信號(hào)。
希望您能抽出時(shí)間幫忙解答，非常感謝您。
2023-12-04 08:32:30
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，消除了對(duì)額外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的需要。
2023-11-29 16:45:57397 
FLASH存儲(chǔ)器 64MB SPI NOR FLASH 2.7V~3.6V
2023-11-28 15:09:06
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測(cè)芯片的精度有關(guān)，而且與其存儲(chǔ)方式有關(guān)，如果檢測(cè)到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫入存儲(chǔ)器或?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器過程出錯(cuò)電表的精度就會(huì)大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
其他存儲(chǔ)器 64GB 2.7V~3.6V
2023-11-17 14:41:09
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)存儲(chǔ)要求的是國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
51單片機(jī)外部ram和rom能同時(shí)接64k嗎，一般都是rom64kram32k，請(qǐng)問同時(shí)試用控制線怎么接
2023-11-09 07:44:11
W25Q64 將 **8M** 的容量分為 **128 個(gè)塊（Block）** ，每個(gè)塊大小為 **64K 字節(jié)** ，每個(gè)塊又分為 **16個(gè)扇區(qū)（Sector）** ，每個(gè)扇區(qū) **4K 個(gè)字節(jié)** 。
2023-10-24 09:50:49547 
的非易失性存儲(chǔ)器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
溫度：-40°C ~ +85°C
? 存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)：
- CW24C32A, 4096 × 8 (32K 位)
- CW24C64A, 8192 × 8 (64K 位)
- CW24C128A
2023-09-15 07:53:08
? 存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)：
- CW24C256A, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512A, 65536 × 8 (512K 位)
? 2 線串行接口
? 施密特觸發(fā)器，過濾輸入，實(shí)現(xiàn)
2023-09-15 07:45:35
? 存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)：
- CW24C256B, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512B, 65536 × 8 (512K 位)
? 2 線串行接口
? 施密特觸發(fā)器，過濾輸入，實(shí)現(xiàn)
2023-09-15 07:20:24
高達(dá)48 MHz的ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核、高速嵌入式存儲(chǔ)器(高達(dá)64K字節(jié)的閃存和高達(dá)8K字節(jié)的SRAM)，以及各種增強(qiáng)型外設(shè)和I/O。
所有器件均提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(三個(gè)UART、一個(gè)SPI
2023-09-14 08:54:22
CW32L031 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲(chǔ)器（多至 64K 字節(jié) FLASH 和多至 8K
2023-09-14 08:26:49
CW32L052 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲(chǔ)器（多至 64K 字節(jié) FLASH 和多至 8K
2023-09-14 06:28:26
FLASH存儲(chǔ)器 64Mb WLCSP8_4X2MM 1.65V~2V 133MHz
2023-09-05 10:19:13
Banana Pi BPI-M64 全志A64開發(fā)板硬件原理圖
以下是 Banana Pi BPI-M64 開發(fā)板的主要特點(diǎn)：
1. 處理器：搭載了全志 A64 四核 Cortex-A53
2023-09-04 16:52:36
1 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲(chǔ)方案中。對(duì)于這些應(yīng)用，鐵電存儲(chǔ)器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
內(nèi)核：ARM?Cortex?-M0+–最高主頻64MHz?工作溫度：-40℃至105℃；工作電壓：1.65V至5.5V?存儲(chǔ)容量–64K字節(jié)FLASH，數(shù)據(jù)保持25年@85℃–8K字節(jié)RAM，支持
2023-08-09 10:42:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS2502P-E64相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS2502P-E64的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS2502P-E64真值表，DS2502P-E64管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-07 18:30:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS2502-E64相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS2502-E64的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS2502-E64真值表，DS2502-E64管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-04 19:06:01
W25Q64 將 8M 的容量分為 128 個(gè)塊（Block），每個(gè)塊大小為 64K 字節(jié)，每個(gè)塊又分為 16個(gè)扇區(qū)（Sector），每個(gè)扇區(qū) 4K 個(gè)字節(jié)。
2023-07-22 11:09:092643 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
R1EX24064ASAS0I/R1EX24064ATAS0I 數(shù)據(jù)表 (Two-wire serial interface / 64k EEPROM (8-kword x 8-bit) )
2023-07-13 19:34:320 8051單片機(jī)使用8位數(shù)據(jù)總線，因此它們最多可以支持64K的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和64k的外部程序存儲(chǔ)器。總的來說，8051單片機(jī)可以尋址128k的外部存儲(chǔ)器。
2023-07-07 12:31:33736 
記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
2023-06-29 09:39:03382 的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問題就將迎刃而解。將國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
，鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25391 
我定義了一個(gè)64K字節(jié)的數(shù)組，如果把數(shù)組定義成Const常量，編輯之后運(yùn)行都正常。
但如果把數(shù)組定義成變量數(shù)組，可以編譯（占的空間比較大：Program Size: Code=8776
2023-06-13 08:36:12
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
任何人都可以幫助我面對(duì)像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無法將超過 8K 的數(shù)據(jù)寫入 64k 的問題嗎？即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
/* 32K */ int_dtcm：起點(diǎn) = 0x20000000，長(zhǎng)度 = 0x000100 00 /* 64K *
/
int_sram : ORIGIN = 0x20400000, 長(zhǎng)度
2023-06-07 08:21:37
使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲(chǔ)器都無法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48187 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
鐵電存儲(chǔ)器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，讀寫速度較慢，存儲(chǔ)單元反復(fù)擦寫后容易損壞，無法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求，故此，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
我想將 i.MX RT1024 與外部 64MB SDRAM 一起使用。根據(jù)數(shù)據(jù)表，它支持 8/16 位 SDRAM 外部存儲(chǔ)器接口。從性能的角度來看，哪種模式更好？如何？如果有任何鏈接/參考可以通過此詳細(xì)信息，請(qǐng)告訴我。謝謝
2023-05-05 11:17:30
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 我們的 RAM (64k) 不足，現(xiàn)在當(dāng)我將一些操作系統(tǒng)任務(wù)堆棧移動(dòng)到系統(tǒng) Ram (384K) 時(shí)，它會(huì)影響系統(tǒng)的性能。請(qǐng)讓我知道如何進(jìn)行。為系統(tǒng) Ram 啟用數(shù)據(jù)緩存會(huì)有幫助嗎？如果是這樣，請(qǐng)告訴我該怎么做？
2023-04-20 09:27:20
...................................117 結(jié)論....................................12插圖清單圖 5-1. 使用 LP873364 為支持 LPDDR4 存儲(chǔ)器的 AM64x 供電
2023-04-14 16:40:42
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲(chǔ)器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲(chǔ)語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲(chǔ)器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553818 
需配置且無需實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)3.369coremark/MHz100%單周期指令，無需分支預(yù)測(cè)最高 200MHz 系統(tǒng)主頻2 存儲(chǔ)器：128KB SRAM可按需分配為：96K代碼空間+32K數(shù)據(jù)空間64K
2023-04-10 11:52:16
/寫存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 R1EX24064ASAS0I/R1EX24064ATAS0I 數(shù)據(jù)表 (Two-wire serial interface / 64k EEPROM (8-kword x 8-bit) )
2023-03-30 20:02:570 大家好，有人可以告訴我在哪里可以找到 20140530_k20dx128_k64f_if_mbed.bin 引導(dǎo)加載程序固件嗎？我需要這個(gè)來完成 FRDM K64F 板的一些實(shí)驗(yàn)。如果您可以提供指向固件或 Github 云存儲(chǔ)庫的鏈接，那將非常有幫助。
2023-03-30 07:57:09
FRAM存儲(chǔ)器 I2C 3~5.5V 80μA SOP8_150MIL
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲(chǔ)器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 1M（128 K×8） 40MHz SPI
2023-03-29 20:47:53
存儲(chǔ)器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
窄帶內(nèi)存FRAM 512K（64 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:00
我已插入全新的 FRDM-K64F。我已經(jīng)安裝了 MCUXpresso SDK、IDE、配置工具和 (windows) 串行驅(qū)動(dòng)程序。我已經(jīng)編譯了“hello world”演示。但是當(dāng)我點(diǎn)擊“調(diào)試
2023-03-29 06:30:07
FLASH存儲(chǔ)器 SOIC8_208MIL 64(8Mx8)MB SPI-四 I/O 133MHz 2.7V~3.6V
2023-03-28 18:28:15
EEPROM存儲(chǔ)器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:27
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SON
2023-03-28 00:13:59
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SOP
2023-03-28 00:13:59
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SOP
2023-03-28 00:13:44
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SON
2023-03-28 00:13:44
FRAM存儲(chǔ)器 SOIC8_150MIL 1MHz 64kb
2023-03-27 13:53:02
FRAM存儲(chǔ)器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
2023-03-27 13:53:02
IC FRAM 64KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:50
IC FRAM 64KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:49
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOP
2023-03-27 13:42:07
64 K（8 K×8）位I2C存儲(chǔ)器FRAM
2023-03-27 13:39:18
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP
2023-03-27 13:36:52
1.8 v 64位 串行快閃存儲(chǔ)器 雙/四spi和qpi
2023-03-27 11:55:03
3 v 64位 串行快閃存儲(chǔ)器 雙/四spi & qpi & DTR
2023-03-27 11:45:15
存儲(chǔ)器容量：64Kb (8K x 8) 存儲(chǔ)器接口類型：I2C 工作電壓：1.7V ~ 5.5V
2023-03-27 11:43:20
雙線串行EEPROM 64K（8位寬）
2023-03-25 03:55:03
單片機(jī)程序存儲(chǔ)器64KB是外擴(kuò)的還是外擴(kuò)加內(nèi)部的呢？
2023-03-24 17:44:04
EEPROM存儲(chǔ)器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-23 04:56:18
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