請教下：cyw20721對比cyw20706，傳輸音頻，那個有更好的特性呢
2024-03-01 08:44:44
CLF3H0060-10 寬帶射頻功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT
2024-02-29 20:35:47
CLF3H0060S-10 寬帶射頻功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管，可在 DC
2024-02-29 20:35:06
CLF3H0035-100CLF3H0035-100 寬帶射頻功率 GaN HEMTCLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN
2024-02-29 20:32:16
CLF3H0035S-100 寬帶射頻功率 GaN HEMTCLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN HEMT 晶體管
2024-02-29 20:31:45
CLF3H0060-30 寬帶射頻功率 GaN HEMTCLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管
2024-02-29 20:31:04
CLF3H0060S-30 寬帶射頻功率 GaN HEMTCLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管
2024-02-29 20:30:35
BLP15H9S30G 功率LDMOS晶體管適用于廣播和工業(yè)應用的 30 W LDMOS 驅動器晶體管。該器件出色的耐用性使其非常適合 HF 至 2 GHz 頻率范圍內(nèi)的數(shù)字和模擬發(fā)射器
2024-02-29 20:27:41
CLL3H0914L-700 L 波段內(nèi)部預匹配 GaN-SiC HEMTCLL3H0914L-700 和 CLL3H0914LS-700 是 700 W 內(nèi)部預匹配 RF
2024-02-29 17:54:19
CLL3H0914LS-700 CLL3H0914LS-700 L 波段內(nèi)部預匹配 GaN-SiC HEMTCLL3H0914L-700 和 CLL3H
2024-02-29 17:53:49
AEB是一種汽車主動安全技術，主要由哪3大模塊構成
2024-02-20 06:06:08
ZCC1130T是一款采用先進恒定電流/恒定電壓算法的雙節(jié)鋰電池充電器，以其卓越性能和智能設計成為您設備的最佳搭檔。最大支持1A的充電電流，確保您的電池迅速充滿，時刻保持高效運行。
智能交叉充電
2024-01-08 15:55:16
3P4W制的已無問題，3P3W-2CT的接線讀值也無問題了，但是不理解3P3W-3CT的接線方式應該如何配置，如下圖所示
這種N相不接，我無論將ADE7880配置在哪種模式，計算出來的電壓都是不對的，并且是跳動的，跳動的范圍挺大，
請各種專家?guī)蛶臀?，這種不接N線的要測量應該如何實現(xiàn)，謝謝。
2023-12-26 07:06:10
您好，我使用AD2S1205解碼上海捷納公司的貝米52.4-4的單通道4極對旋轉變壓器，輸出12位的位置信息，即0-4096，但是在輸出300-2000之間是跳變過去的，不是穩(wěn)定的輸出，即當慢慢旋轉
2023-12-11 07:30:42
F658-H130M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT F658-H130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的應用程序。型號規(guī)格
2023-12-05 19:09:33
的實測成績對比，上一代龍芯3A5000作為參照。
和3A5000相比 ，3A6000在SPEC CPU 2006測試中，多核定點提升103%，多核浮點提升83%。單核定點提升62%，單核浮點提升92
2023-11-29 10:44:17
PKD01是一款很好用的峰值保持電路，因停產(chǎn)很難買到貨，請問用哪款芯片能替代它？
2023-11-24 08:27:04
/STM32F100RBT_robot.git
悟空派：
1、開場白
大家好，我是FFD80。很高興能夠在這里和大家分享一些關于我使用悟空派H3開發(fā)板構建全向輪小車的試用經(jīng)驗。
前段時間有幸在電子發(fā)燒友論壇申請到了悟空派H3 Zero
2023-11-12 01:00:04
一、產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性CGHV1F025S Package Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN
2023-11-07 15:24:25
CGHV1F025SPackage Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMTDescriptionWolfspeed
2023-11-07 15:05:39
喇叭的規(guī)格什么3R 4W是代表什么意思？音量嗎？
2023-11-07 06:05:53
產(chǎn)品試用報告 - 悟空派H3開發(fā)板
產(chǎn)品概述
產(chǎn)品名稱：悟空派H3開發(fā)板
試用項目：ROS系統(tǒng)基礎下構建全向輪小車
背景
悟空派H3開發(fā)板不僅僅是一款消費品，同時也是給任何想用技術來創(chuàng)新的人
2023-11-02 01:37:47
stm8s103f3的HSI怎么校準？
2023-10-26 08:09:21
/F3訪問線8位微控制器提供8 KB閃存程序存儲器，以及集成的真數(shù)據(jù)EEPROM。STM8S微控制器系列參考手冊（RM0016）將該系列中的設備稱為低密度。它們具
2023-10-17 16:52:24
RT1052和stm32F7系列H743對比有哪些優(yōu)勢？如何選擇這兩種開發(fā)板？
2023-10-10 08:29:33
FT232對比CH430有什么優(yōu)勢
2023-10-09 07:06:07
STM32F429和407差別大么，選擇哪款比較好？
2023-10-08 08:41:10
基于STM8S003F3的碰撞檢測功能
2023-09-25 06:56:39
悟空派H3開發(fā)版是一款由悟空派團隊開發(fā)的基于RISC-V架構的開發(fā)板。該開發(fā)板采用了SiFive U74-HiFive Unleashed RISC-V處理器，主頻為1.5GHz，具有4個Arm
2023-09-19 10:04:58
、可穿戴電子設備等物聯(lián)網(wǎng)場景。ESP32-S3-MINI-1 采用 PCB 板載天線，ESP32-S3-MINI-1U 采用連接器連接外部天線。兩款模組配置了最大 8MB SPI flash，部分模組配置
2023-09-18 08:48:12
本文提供基于 ESP32-S3 的硬件設計的指導規(guī)范。ESP32-S3 是一款具有超高性能的 Wi-Fi +Bluetooth? 5 (LE) 系統(tǒng)級芯片。這些規(guī)范將幫助您提升原理圖和 PCB 版圖設計的準確性。
2023-09-18 08:06:04
悟空派是一款開源的單板卡片電腦，新一代的arm開發(fā)板，它可以運行Android 4.4、Ubuntu 和 Debian 等操作系統(tǒng)。悟空派開發(fā)板 (悟空派H3 Zero) 使用全志 H3 系統(tǒng)級芯片，同時擁有 256MB/512MB DDR3 內(nèi)存。
2023-09-07 11:10:22
F3產(chǎn)品技術培訓-21.固件兼容性
2023-09-07 07:09:17
透鏡顏色：紅色@@波長：615-635nm@@發(fā)光亮度：320-480mcd@@正向電壓：1.8-2.2v@@功耗：200mW@@工作溫度：-20~+85℃@@插件LED燈座@@F3紅發(fā)紅四孔燈座
2023-08-29 11:10:00
透鏡顏色：紅色@@波長：615-635nm@@發(fā)光亮度：240-360mcd@@正向電壓：1.8-2.2v@@功耗：150mW@@工作溫度：-20~+85℃@@插件LED燈座@@F3紅發(fā)紅三孔燈座
2023-08-29 11:08:09
透鏡顏色：紅色@@波長：615-635nm@@發(fā)光亮度：260mcd@@正向電壓：1.8-2.2v@@功耗：100mW@@工作溫度：-20~+85℃@@插件LED燈座@@F3紅發(fā)紅雙孔燈座
2023-08-29 11:06:53
透鏡顏色：紅色@@波長：615-635nm@@發(fā)光亮度：80-120mcd@@正向電壓：1.8-2.2v@@功耗：50mW@@工作溫度：-20~+85℃@@插件LED燈座@@F3紅發(fā)紅單孔燈座
2023-08-29 11:05:30
先來介紹一下米爾-全志T113-S3開發(fā)板：
全志科技 T113 系列處理器是一款基于雙核A7@1.2GHz + HiFi4 DSP 多核異構工業(yè)級處理器，支持
H.265/H
2023-08-17 23:59:59
TTM Technologies 的 X3C45F1-04S 是一款定向耦合器，頻率為 3.6 至 5.1 GHz，耦合度 4 dB，方向性 20 dB，平均功率 25 W，插入損耗 0.2 dB
2023-08-16 16:12:41
TTM Technologies 的 X3C45F1-05S 是一款定向耦合器，頻率為 3.6 至 5.1 GHz，耦合度 5 dB，方向性 20 dB，平均功率 25 W，插入損耗 0.2 dB
2023-08-16 16:10:27
TTM Technologies 的 X3C35F1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 3.3 至 4.2 GHz，耦合為 1.9 dB，耦合變化 ±0.15 dB，方向性為 16 至 21 dB
2023-08-16 15:59:36
TTM Technologies 的 X3C35F1-05S 是一款定向耦合器，頻率為 3.1 至 4.2 GHz，耦合度 4.9 dB，方向性 20 dB，平均功率 25 W，插入損耗 0.2
2023-08-16 15:56:49
TTM Technologies 的 X3C25F1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 2.3 至 2.7 GHz，耦合 1.9 dB，耦合變化 ±0.15 dB，方向性
2023-08-16 15:04:57
TTM Technologies 的 X3C25F1-05S 是一款定向耦合器，頻率為 2.2 至 2.8 GHz，耦合為 4.9 dB，耦合變化 ±0.20 dB，方向性為 20 至 23 dB
2023-08-16 14:37:50
TTM Technologies 的 X3C20F1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 1.8 至 2.2 GHz，耦合為 1.9 dB，耦合變化 ±0.20 dB，方向性為 21 dB
2023-08-16 14:18:58
TTM Technologies 的 X3C20F1-05S 是一款定向耦合器，頻率為 1.7 至 2.3 GHz，耦合 5 dB，耦合變化 ±0.2 至 ±0.3 dB，方向性 20 dB
2023-08-16 11:52:55
TTM Technologies 的 X3C14F1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 1.2 至 1.7 GHz，耦合為 1.9 dB，耦合變化 ±0.2 至 ±0.3 dB，方向性 21 dB
2023-08-16 11:36:53
TTM Technologies 的 X3C07F1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 690 MHz 至 1 GHz，耦合 1.9 dB，耦合變化 ±0.15 dB，方向性 21 dB，功率 25
2023-08-16 11:13:45
TTM Technologies 的 X3C07F1-05S 是一款定向耦合器，頻率為 600 MHz 至 1 GHz，耦合為 5 至 5.35 dB，耦合變化 ±0.3 dB，方向性為
2023-08-16 11:08:06
TTM Technologies 的 X3C06F1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 575 至 655 MHz，耦合 2 dB，耦合變化 ±0.3 dB，平均功率 10 W，插入損耗 0.2
2023-08-16 10:51:27
TTM Technologies 的 X3C70F1-20S 是一款定向耦合器，頻率為 5.5 至 8.5 GHz，耦合 20 dB，耦合變化 ±1.5 dB，方向性 18 dB，平均功率 20 W
2023-08-16 10:34:12
TTM Technologies 的 X3C50F1-20S 是一款定向耦合器，頻率為 3.6 至 6.3 GHz，耦合 20 dB，耦合變化 ±1.5 dB，方向性 20 dB
2023-08-16 10:18:45
TTM Technologies 的 X3C30F1-20S 是一款定向耦合器，頻率為 2.3 至 3.8 GHz，耦合 20 dB，耦合變化 ±1 至 1.50 dB，方向性 20
2023-08-16 09:44:42
TTM Technologies 的 X3C19F1-20S 是一款定向耦合器，頻率為 1.4 至 2.7 GHz，耦合為 19.5 至 20 dB，耦合變化 ±0.5 dB，方向性為 20 至
2023-08-15 17:24:11
TTM Technologies 的 X3C09F1-20S 是一款定向耦合器，頻率為 700 MHz 至 1 GHz，耦合為 19.7 至 20 dB，耦合變化 ±0.5
2023-08-15 15:41:51
TBT技術中的3W525S是一個頻率為1.8-2.5千兆赫、幅值平衡為+0.4分貝、相位平衡為5度、插入損失為0.35-0.38分貝、功率為150W的不對稱
2023-08-11 10:01:21
該X3C21-P1-03S技術是一個90度混合耦合器,頻率為1.8到2.3千兆赫,平均功率為90到110瓦,插入損失0.12到0.25分貝,隔離18到25分貝,耦合3分貝。標簽:表面貼裝。
2023-08-11 09:22:41
TBT技術的X3C19-P1-03S是一種90度的混合耦合器,頻率1.4-2千兆赫,平均功率90-110瓦,插入損失0.12-0.22分貝,隔離20-25分貝,耦合3分貝。
2023-08-11 09:17:19
該X3C26P1-03S技術的技術是一個90度的混合耦合器,頻率2.3到2.91千兆赫,平均功率80到110瓦,插入損失0.18到0.2分貝,隔離20到23分貝,耦合3分貝。
2023-08-11 09:14:08
TTM Technologies 的 1F1304-3S 是一款 90 度混合耦合器，頻率為 470 至 860 MHz，平均功率 100 W，插入損耗 0.4 dB，隔離度 21 dB，耦合 3
2023-08-10 17:40:12
15.4 - 17.7 GHz，80 W GaN MMIC HPAWolfspeed 的 CMPA1F1H060 MMIC HPA 系列利用 Wolfspeed 的高性能 0.15um GaN
2023-08-08 11:40:11
正在學習繪制PCB，缺少stm8s003f3u6tr的封裝，求大佬給文件
2023-08-07 07:03:25
最近在做一款150W LLC架構電源，PFC電容采用L6562 DCM模式，LLC IC采用NCP1397，最低工作頻率約69KHZ，最高工作頻率約200KHZ。在3M輻射測試發(fā)現(xiàn)冷開機時33MHz有3個dB的余量，煲熱之后竟超標20dB。請各位高人支招是否有合理解決方案
2023-07-31 11:45:46
技術指標：1、基本信息指標：產(chǎn)品名稱三槽式冷熱沖擊快變試驗箱產(chǎn)品型號PW-CTS3-250-55W冷卻方式水冷式試驗方式氣動風門切換3溫區(qū)標稱內(nèi)容積250L 開門方式單開門（右邊開）內(nèi)箱
2023-07-26 11:06:57
600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:14:55
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:07:08
600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 09:18:50
600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-24 17:37:00
F1130 數(shù)據(jù)表
2023-07-03 19:04:13
0 Skyworks Solutions 的 SMV1130 系列是變?nèi)荻?b class="flag-6" style="color: red">極管，電容 18.5 pF@Vr=1 V，2 pF@Vr=20 V，正向連續(xù)電流 20 mA，反向電壓 26
2023-06-29 15:10:27
智能燈的制作STC8H3K系列單片機
要求：使用STC8H3K系列單片機，編程實現(xiàn)24小時內(nèi)任意設置燈的開、關時間，設置點不小于12對（開、關各12個時間點），LED燈珠供電電壓12V，總功率不小于10W，并具有PWM調(diào)光功能。
2023-06-25 19:13:39
PD3S130H產(chǎn)品簡介DIODES 的 PD3S130H 這種肖特基勢壘整流器的設計滿足汽車應用的嚴格要求。它非常適合用作：極性保護二極管再循環(huán)二極管開關二極管 產(chǎn)品規(guī)格
2023-06-20 13:49:26
SBR3U40S1F 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR3U40S1F 是采用 SOD123F 封裝的單一整流器，在高溫下提供極低的正向壓降 (V F ) 和較低的反向泄漏穩(wěn)定性
2023-06-16 12:50:12
各位工程師好請問關于STM8S005C6T6、STM8L051F3P6、STM8L052C6T6這三款芯片有沒有可以pin對pin替換的芯片，求圈內(nèi)的大神告知，感謝大家！
2023-06-16 08:32:59
對比STLINK-V3MINIE與野火 fireFlasher Mini 脫機燒錄器的燒錄速度
首先，選擇一個相同的hex文件進行對比燒錄，使用SWD接口進行燒錄，野火 fireFlasher
2023-05-22 00:43:42
的狀態(tài)。 此次當貝推出新品當貝盒子H3S,為H3的升級版,對內(nèi)存、WiFi和藍牙進行了升級,進一步提升了電視盒子的運行效率和傳輸速率,讓老舊電視煥然一新。 當貝盒子H3S怎么樣?參數(shù)性能詳解 外觀設計—— 當貝盒子H3S采用了純黑配色+弧形機身的
2023-05-19 17:03:37
2258 
765IIK6
STM32F413ZGT6
STM32H755XIH3
STM8S003F3U6TR
STM32F407IGT6
STM32H743VGT6
SAK-TC275TP-64F200W DB
TDA7802PDTR
2023-05-15 18:01:49
UF3C120150K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-12 12:52:17
UF3C065080K4S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 20:53:23
Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上
2023-05-11 15:25:03
Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一
2023-05-11 14:50:32
關于S32K3：當人為短路晶體導向S32K3產(chǎn)品復原位進入sBAF，是不是看門狗還能起作用？
2023-04-24 07:55:16
檢查將被跳過。黑客會利用這一點來讀取固件。
問題：
(1) S32K3系列是否也存在這樣的風險？
(2) 如果沒有，是否有針對這種風險的保護措施？它是如何受到保護的？
問題背后：有一款MCU
2023-04-24 07:02:31
=317f8h (202744) map I (2262590) esp_image: segment 1: paddr=00281820 vaddr=3fc988d0 size= 03d2ch
2023-04-14 06:16:16
我已將 ESP32S3-DevKitC 板與 Wiz850io 板連接，以在 ESP32S3 設備上測試 SPI 以太網(wǎng)。我已經(jīng)配置了基本以太網(wǎng)示例并讓它在板上運行。該示例運行良好，它能夠初始化 W5500 并連接到以太網(wǎng)，但一段時間后（10-15 秒）日志中報告堆棧溢出消息并且示例崩潰。
2023-04-13 07:48:49
我在 esp-idf/examples/protocols/https_server/simple 的 https 網(wǎng)絡服務器示例中遇到問題。我正在運行帶有 ESP32S3 目標的 ESP-IDF
2023-04-13 06:02:52
) 的 esp_mpi_enable_hardware_hw_op() 函數(shù)啟用它。我遇到的問題/疑問是為什么與 ESP32-S2 相比，ESP32-S3 和 ESP32-C3 的性能要慢 ~50%。在技??術參考手冊中，我看到只要 CPU 時鐘
2023-04-12 07:39:25
請告訴我們這種現(xiàn)象發(fā)生的機制以及如何恢復。獲取 NTAG I2C plus Explorer Kit ， 我在示例芯片上組裝了一個天線板，將用 NT3H1201 創(chuàng)建的程序 (MSP430) 替換
2023-04-03 06:46:01
請問mosfet搭建的H橋為什么比二極管搭建的H橋功耗要低呢？
2023-03-31 13:56:01
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