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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>次氯酸鈉對單晶硅表面的紋理蝕刻

次氯酸鈉對單晶硅表面的紋理蝕刻

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2023-06-16 17:35:03794

高景太陽能科創(chuàng)板IPO申請獲深圳證券交易所受理

萬股,占公司發(fā)行后總股本的比例不低于10%且不超過25%,募集50億元資金,用于宜賓25GW單晶硅棒及5GW單晶硅片生產(chǎn)建設(shè)項目等。 ? 高景太陽能是一家專注于光伏硅片的企業(yè),主營業(yè)務(wù)為光伏單晶硅棒、單晶硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,主要產(chǎn)品包括182mm、
2023-06-16 14:39:35502

硅片獨角獸高景太陽能IPO獲受理!三年營收從不到9萬沖到175億,募資50億

萬股,占公司發(fā)行后總股本的比例不低于10%且不超過25%,募集50億元資金,用于宜賓25GW單晶硅棒及5GW單晶硅片生產(chǎn)建設(shè)項目等。 ? 高景太陽能是一家專注于光伏硅片的企業(yè),主營業(yè)務(wù)為光伏單晶硅棒、單晶硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,主要產(chǎn)品包括182mm、210mm等
2023-06-16 00:15:002393

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423981

德爾森IOT 物聯(lián)網(wǎng)智能傳感器系列產(chǎn)品介紹

德爾森智能單晶硅沉降傳感器 DRS-3000 是采用德國進口高穩(wěn)定型單晶硅MEMS 傳感器芯片、運用智能信號處理與運算單元、測量兩點間或多點間相對高程變化的精密傳感器。
2023-06-09 12:50:24307

多晶硅和單晶硅光伏板哪個好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價格較貴。
2023-06-08 16:04:414916

6.3 區(qū)熔硅單晶(上)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:16:50

載體晶圓對蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟,然而,載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵(GaN)設(shè)備,通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中,英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

單晶硅結(jié)晶

2023-05-29 11:10:33

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程,測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù),提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

華耀光電IPO獲受理!營收年復(fù)合增長率超400%,募資29億擴充單晶硅片產(chǎn)能等

資金,用于12GW單晶硅片生產(chǎn)項目(二期)、年產(chǎn)10GW高效N型(異質(zhì)結(jié))電池項目(一期)等。 天眼查顯示,去年1月華耀光電剛完成由東海投資領(lǐng)投,天風(fēng)天睿、銀河資本等投資機構(gòu)參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資,其直接持有公司70.46%的股份
2023-05-27 07:45:02654

虹科方案 | 適用于水處理廠監(jiān)測腐蝕性進料壓力的解決方案

某一市政自來水處理廠在次氯酸鈉投藥室使用過時的壓力監(jiān)測系統(tǒng),導(dǎo)致安裝困難、泄漏和故障頻發(fā)。為解決問題,他們采用了虹科NOSHOK變送器,具有準(zhǔn)確性高、使用壽命長等優(yōu)點。這一簡化方案提供了準(zhǔn)確可靠的壓力測量,降低了泄漏風(fēng)險,增強了投藥室的安全性
2023-05-26 14:12:53132

華耀光電IPO獲受理!營收年復(fù)合增長率超400%,募資29億擴充單晶硅片產(chǎn)能等

資金,用于12GW單晶硅片生產(chǎn)項目(二期)、年產(chǎn)10GW高效N型(異質(zhì)結(jié))電池項目(一期)等。 ? 天眼查顯示,去年1月華耀光電剛完成由東海投資領(lǐng)投,天風(fēng)天睿、銀河資本等投資機構(gòu)參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資,其直接持有公司70.46%的股
2023-05-26 00:05:001607

PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細(xì)分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

Speos Texture可視化紋理如何提升視覺感知

。視覺外觀模擬不僅能在產(chǎn)品研發(fā)階段可視化材料外觀,同時能直接反應(yīng)人眼視覺感受。 Texture Mapping紋理映射是一個允許模擬材質(zhì)紋理來提高真實感的過程,紋理映射可以應(yīng)用在表面或是物體的外表面幾何組上,紋理映射允許在模擬
2023-05-16 15:52:23383

硅晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

鋁箔等離子表面處理設(shè)備原理 增加鋁箔表面的粘附力

通過金徠等離子體處理,可以提高金屬表面的活性,改善金屬表面的結(jié)合力、增強涂層附著力等性質(zhì),使得金屬制品的質(zhì)量和性能得到明顯的改善和提升。此外,等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度,使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23526

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

和晶格完善性。一個正六邊形的蝕刻坑密度約為4000厘米在AlN的鋁表面上觀察文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁到單晶。?EPD沿纖鋅礦結(jié)構(gòu)滑移方向呈線陣分布,表明其規(guī)模相當(dāng)大晶體在生長過程中所產(chǎn)生的熱應(yīng)力。?XRD全寬半最大值(FWHM)晶體為35弧秒,表明晶格
2023-04-23 11:15:00118

pcb線路板表面常見的處理方法有哪幾種呢?

PCB墊表面的銅在空氣中容易氧化污染,所以必須對PCB進行表面處理。那么pcb線路板表面常見的處理方法有哪幾種呢?
2023-04-14 14:34:15

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331004

共形可重構(gòu)超表面的遠(yuǎn)場波束掃描和雙波束產(chǎn)生

為多通道信息傳輸提供了新的設(shè)計思路。陣列天線共形可以很容易地集成在飛機、導(dǎo)彈、衛(wèi)星等載體平臺的表面,而不會破壞載體的形狀、結(jié)構(gòu)和空氣動力學(xué)。報告主要研究共形可重構(gòu)超表面的遠(yuǎn)場波束掃描及多波束產(chǎn)生。
2023-04-10 14:15:04907

氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻

清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中,在技術(shù)上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作,這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝,如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459

空間和輪廓域紋理圖像檢索算法

摘要 Contourlet變換已被廣泛應(yīng)用于許多圖像處理應(yīng)用中包括數(shù)字圖像去噪、紋理圖像檢索等。當(dāng)contourlet變換用于紋理圖像檢索問題,諸如標(biāo)準(zhǔn)差、偏度、峰度、L1能量等特征,L2能量和輪廓
2023-03-27 10:21:470

使用 ClF 3 H 2遠(yuǎn)程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅

在濕蝕刻的情況下,隨著SiNx/SiOy層的厚度減小,剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌,蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402

各向異性潤濕過程中的表面形態(tài)

在過去的幾年中,隨著器件尺寸的不斷減小,蝕刻表面的粗糙度開始發(fā)揮越來越重要的作用。
2023-03-24 10:11:13251

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