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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>不同封裝形式的MOS管適配的電壓和電流

不同封裝形式的MOS管適配的電壓和電流

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在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個方向流動,但實際情況是,MOS電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒有。
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mos管小電流發(fā)熱的原因

電路設計的問題是讓MOS管在線工作,而不是在開關(guān)狀態(tài)下工作。這也是MOS管加熱的原因之一。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓比電源高幾V,P-MOS就相反了。未完全打開,壓降過大,導致功耗大,等效DC阻抗大,壓降大,U*I大,損耗意味著加熱。這是設計電路中最禁忌的錯誤。
2023-06-18 14:46:07552

請教下P溝道mos恒壓電源電路

mos漏極電壓8V,柵極電壓9V,仍低于源極12V電壓,持續(xù)導通?,F(xiàn)電路板出現(xiàn)故障后,柵極電壓上升很快,達到11.7V,mos截止,造成漏極無電壓輸出,達不到輸出供電效果。請教大神們講解下此電路原理,最有可能出錯的地方?mos和運放經(jīng)過單獨驗證,是正常的
2023-06-05 22:50:12

干貨|這篇文章把MOS管的基礎知識講透了

MOS管是一種具有絕緣柵的FET,其中電壓決定了器件的電導率。發(fā)明MOS管是為了克服FET中存在的缺點,如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以MOS管可以稱為FET的高級形式。
2023-06-05 09:54:59897

MOS管驅(qū)動電路原理與電路布線設計

一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的,不需要驅(qū)動電流。然而,在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在,這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。
2023-05-30 16:03:371652

有哪位大佬知道我使用RC電路來控制mos來實現(xiàn)延時的目的,但是實際情況是電容充電到1伏左右,mos就導通了

電路圖如圖所示,示波器黃色通道1測試電容兩端電壓,藍色通道2測試Vds.使用的mos型號為IRFZ34n,mos總是在1伏時導通,使用了其他mos也是同樣的情況,這1伏的電壓還沒有達到mos的開啟電壓,為啥mos就開啟了呢?
2023-05-18 22:59:00

元器件的封裝形式有哪些?

封裝,就是指把硅片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接。封裝形式是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼。
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2023-05-16 09:24:207681

DCDC5V~50V 輸出1A電流 線性降壓恒流LED手電筒驅(qū)動芯片

自動調(diào)低輸出電 流。 特點 寬輸入電壓范圍:5V~50V 可外擴MOS提高輸入電壓 可設定電流范圍:10mA~ 1000mA 可外擴MOS PWM 調(diào)光 過溫保護 CS 參考電壓:300mV ESOP8 封裝 應用領(lǐng)域 電動車,摩托車燈照明 汽車燈照明 手電筒 原理圖
2023-05-05 14:24:13

MOS晶體管漏電流的6個原因

電流會導致功耗,尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管中可以找到的六種泄漏電流。 在討論MOS晶體管時,短通道器件中基本上有六種類型的漏電流元件: 反向偏置PN結(jié)漏電流 亞閾值漏電流
2023-05-03 16:27:007776

了解短通道MOS晶體管中的漏電流元件

本文介紹了MOS晶體管的基礎知識,以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導致了氧化物厚度的減少,從而降低了MOS器件
2023-05-03 11:33:001279

這個圖中兩個三極MOS是怎么配合工作的?

芯片引腳 此圖是開關(guān)模式電路的一部分,左側(cè)是電壓輸入,右側(cè)電流流入電池,下方芯片引腳可以控制電流大小,是驅(qū)動外部PNP引腳,有電流大的時候也有小的時候,我想問,這兩個三極MOS是怎么實現(xiàn)開關(guān)模式工作的?
2023-04-28 15:20:10

MOS管的三個二級效應

前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu),符號,閾值電壓,四種工作狀態(tài)分別對應的漏電流公式和跨導的定義公式,相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解,這篇給大家介紹后續(xù)電路分析中不可缺少的MOS管的三個二級效應。
2023-04-25 14:24:312223

二極/三極/MOS封裝類型,看這一篇就夠了!

的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同,譬如TO220封裝的元件可能是三極、可控硅、場效應甚至是雙二極。TO-3封裝的元器件有三極,集成電路等。今天我們就來盤點一下常見的二極、三極、MOS封裝類型,下圖含精確尺寸。
2023-04-13 14:09:54

單片機通過三極控制MOS供電接負載后輸出電壓為0?

如圖POWER3.3是電源輸出,空載狀態(tài)下MOS正常通斷;一旦接上負載,POWER3.3處電壓就降到0了,同時單片機控制端的電壓也是一直為0無法抬高,請問如何解決呢
2023-04-12 11:28:44

淺談Mos損壞主要原因和Mos開關(guān)原理

os是電壓驅(qū)動型器件,只要柵極和源級間給一個適當電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻,就是導通電阻<Rds(on)>。
2023-04-08 10:11:381348

常用電壓轉(zhuǎn)電流電路設計原理

這是一種較為常用的電壓轉(zhuǎn)換電流電路,也是一款恒流源電路。它由一個運放、一個三極管(也可以是MOS管)以及若干電阻構(gòu)成,結(jié)構(gòu)簡單易懂。其輸出電流為Iout= Vref/Rs
2023-03-29 15:00:491903

三極管和MOS管驅(qū)動電路的正確用法

MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。 有P溝道MOS管(簡稱PMOS)和N溝道MOS管(簡稱NMOS),符號如下(此處只討論常用的增強型MOS管)。
2023-03-28 10:13:287482

淺析MOS 晶體管的核心概念

MOS 晶體管正在按比例縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導致氧化層厚度的減少,進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下,泄漏電流變得很大,并有助于功耗。這就是為什么我們必須了解 MOS 晶體管中各種類型的泄漏電流的原因。
2023-03-24 15:39:191786

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