刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類(lèi)似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
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開(kāi)關(guān)電源的高頻變壓器的頻率是由什么決定的呢
2024-03-01 06:52:45
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
隨著科技的飛速發(fā)展，超材料和超表面作為新興研究領(lǐng)域，吸引了廣泛關(guān)注。它們通過(guò)人工設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)，能夠在特定條件下表現(xiàn)出特殊的物理性質(zhì)，為光電子領(lǐng)域帶來(lái)革命性的變革。COMSOL Multiphysics
2024-02-20 09:20:23
輪廓儀，也被稱(chēng)為白光干涉儀，是利用白光干涉原理進(jìn)行成像測(cè)量的儀器，是一種通過(guò)測(cè)量干涉光的干涉條紋來(lái)獲取物體表面形貌的方法。該儀器通過(guò)發(fā)射一束寬光譜的白光，并將其照射到
2024-02-20 09:10:09
0 臺(tái)階儀通過(guò)掃描被測(cè)樣品表面，獲取高分辨率的表面形貌數(shù)據(jù)，能夠揭示微觀結(jié)構(gòu)的特征和性能。了解工作原理和性能特點(diǎn)臺(tái)階儀利用掃描探針在樣品表面上進(jìn)行微觀測(cè)量，通過(guò)探測(cè)探針和樣品表面之間的相互作用力，獲取
2024-02-20 09:06:240 光學(xué)3D表面輪廓儀利用白光干涉原理，以0.1nm分辨率精準(zhǔn)捕捉物體表面細(xì)節(jié)，實(shí)現(xiàn)三維顯微成像測(cè)量。廣泛應(yīng)用于材料學(xué)領(lǐng)域，可測(cè)量各種材料表面形貌，提高超光滑表面形貌的測(cè)試精度。
2024-02-19 13:47:01237 
臺(tái)階儀是一款超精密接觸式微觀輪廓測(cè)量?jī)x，能高精度測(cè)量微觀表面形貌，揭示表面微觀特征。它具有高速掃描能力，測(cè)量范圍廣泛，可應(yīng)用于科學(xué)研究、材料表征、納米技術(shù)等領(lǐng)域。臺(tái)階儀的優(yōu)勢(shì)包括高精度、快速測(cè)量和廣泛適用范圍。
2024-02-18 10:51:05242 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽(tīng)到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過(guò)程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來(lái)去除材料表面的部分，通過(guò)掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門(mén)軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專(zhuān)注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對(duì)DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過(guò)化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
中圖儀器CP系列臺(tái)階儀接觸式表面形貌測(cè)量?jī)x器主要用于臺(tái)階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測(cè)量。測(cè)量時(shí)通過(guò)使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺(tái)移動(dòng)樣品時(shí)掃描其表面，測(cè)針的垂直位移距離被轉(zhuǎn)換
2024-01-04 10:08:52
中圖儀器VT6000系列3D共聚焦形貌顯微鏡以共聚焦技術(shù)為原理、結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等，測(cè)量表面物理形貌，進(jìn)行微納米尺度的三維形貌分析，如3D表面形貌、2D的縱深形貌、輪廓（縱深
2024-01-03 10:05:05
LT3748的工作頻率是由什么決定的呢，我查看了芯片手冊(cè)，里面的參考設(shè)計(jì)并沒(méi)有說(shuō)清楚。另外，LT3748的最大工作頻率是多少
2024-01-03 07:24:04
微納米表面輪廓形貌的測(cè)量可以幫助我們了解材料的物理特性、表面形態(tài)以及質(zhì)量狀況。如白光干涉儀是一種常見(jiàn)的微納米表面輪廓儀測(cè)量?jī)x器，常用于研究產(chǎn)品的微觀形貌和粗糙度；而共聚焦顯微鏡大傾角超清納米測(cè)量，在滿(mǎn)足精度的情況下使用場(chǎng)景更具有兼容性。選擇適合的測(cè)量?jī)x器對(duì)于準(zhǔn)確獲取樣品表面形貌和特征至關(guān)重要。
2023-12-20 16:38:09358 
IC的片內(nèi)和片間非均勻性是什么？有什么作用呢？ IC的片內(nèi)和片間非均勻性是指在IC設(shè)計(jì)和制造的過(guò)程中，芯片內(nèi)部或芯片之間出現(xiàn)的性能或結(jié)構(gòu)的不均勻分布現(xiàn)象。這種非均勻性可以在多個(gè)層面上存在，例如晶體管
2023-12-19 11:48:24204 片內(nèi)和片間非均勻性是什么？有什么作用呢？ 片內(nèi)和片間非均勻性是指光學(xué)元件（如透鏡）表面上的厚度/形狀/折射率等參數(shù)的變化，以及元件之間的相對(duì)位置誤差所引起的光學(xué)性能差異。這種非均勻性在光學(xué)系統(tǒng)
2023-12-19 11:48:19198 眾所周知，化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對(duì)材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對(duì)蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制，通過(guò)使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復(fù)雜性。本研究對(duì)比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對(duì)等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 
電磁波的激發(fā)原理主要分為電極激發(fā)原理和磁極激發(fā)原理，兩者均需要調(diào)整電場(chǎng)和磁場(chǎng)，激發(fā)物理過(guò)程從而產(chǎn)生電磁波。
2023-12-13 16:43:37984 
變頻器控制一個(gè)電機(jī)，最高轉(zhuǎn)速由什么決定
2023-12-13 08:31:48
是在銅面上包裹一層厚厚的、電性良好的鎳金合金，是常見(jiàn)的表面處理工藝。
好處主要包括表面平整和保質(zhì)期長(zhǎng)。
缺點(diǎn)是成本較高，焊接強(qiáng)度一般。
綠油板
綠油是指涂覆在PCB銅箔上面的油墨，也叫液態(tài)光致阻焊劑
2023-12-12 13:35:04
20多米的四氟傳輸帶在運(yùn)行的過(guò)程中老是跑偏，控制是變頻控制，求各位大俠幫忙?謝謝
電機(jī)的功率；3KW
2023-12-11 07:01:06
中圖儀器SuperViewW系列3d表面微觀形貌輪廓儀可測(cè)各類(lèi)從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。它是以3D非接觸方式，測(cè)量
2023-12-08 11:27:29
中圖儀器SuperViewW1非接觸表面形貌儀白光干涉儀具有測(cè)量精度高、功能全面、操作便捷、測(cè)量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)。它基于白光干涉原理，以3D非接觸方式，測(cè)量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸，測(cè)量
2023-12-06 14:04:23
該專(zhuān)利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 中圖儀器SuperViewW1白光干涉表面形貌檢測(cè)儀是利用光學(xué)干涉原理研制開(kāi)發(fā)的超精細(xì)表面輪廓測(cè)量?jī)x器。它具有測(cè)量精度高、操作便捷、功能齊全、測(cè)量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)，測(cè)量單個(gè)精細(xì)器件的過(guò)程用時(shí)短
2023-12-04 14:52:41
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測(cè)溫晶圓表面溫度均勻性測(cè)試的重要性及方法 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個(gè)重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42
在工業(yè)應(yīng)用中，光學(xué)3D表面輪廓儀超0.1nm的縱向分辨能力能夠高精度測(cè)量物體的表面形貌，可用于質(zhì)量控制、表面工程和納米制造等領(lǐng)域。與其它表面形貌測(cè)量方法相比，SuperViewW系列光學(xué)3D表面
2023-11-29 10:04:380 與其它表面形貌測(cè)量方法相比，SuperViewW系列光學(xué)3D表面輪廓儀達(dá)到納米級(jí)別的相移干涉法(PSI)和垂直掃描干涉法(VSI)，具有快速、非接觸的優(yōu)點(diǎn)。它結(jié)合了跨尺度納米直驅(qū)技術(shù)、精密光學(xué)干涉
2023-11-28 10:59:58241 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
中圖儀器CP200國(guó)產(chǎn)臺(tái)階形貌儀是一種接觸式表面形貌測(cè)量?jī)x器，可以對(duì)微米和納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測(cè)量。測(cè)量時(shí)通過(guò)使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺(tái)移動(dòng)
2023-11-09 09:11:26
干涉現(xiàn)象，使用白光源照射物體，并將反射光經(jīng)過(guò)干涉儀的分光裝置后形成干涉圖樣。通過(guò)觀察干涉圖樣的變化，就可以獲得物體表面形貌的細(xì)節(jié)信息。
如何使用白光干涉儀來(lái)測(cè)量坑的形貌？在使用白光干涉儀測(cè)量坑的形貌
2023-11-06 14:27:48
晶圓在加工過(guò)程中的形貌及關(guān)鍵尺寸對(duì)器件的性能有著重要的影響，而形貌和關(guān)鍵尺寸測(cè)量如表面粗糙度、臺(tái)階高度、應(yīng)力及線寬測(cè)量等就成為加工前后的步驟。以下總結(jié)了從宏觀到微觀的不同表面測(cè)量方法：?jiǎn)畏N測(cè)量手段
2023-11-03 09:21:580 晶圓在加工過(guò)程中的形貌及關(guān)鍵尺寸對(duì)器件的性能有著重要的影響，而形貌和關(guān)鍵尺寸測(cè)量如表面粗糙度、臺(tái)階高度、應(yīng)力及線寬測(cè)量等就成為加工前后的步驟。以下總結(jié)了從宏觀到微觀的不同表面測(cè)量方法：?jiǎn)畏N測(cè)量手段
2023-11-02 11:21:54462 
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。
2023-11-01 18:21:13608 
導(dǎo)語(yǔ)：均勻性在芯片制程的每一個(gè)工序中都需要考慮到，包括薄膜沉積，刻蝕，光刻，cmp，離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產(chǎn)品與性能。那么片內(nèi)和片間非均勻性是什么？如何計(jì)算？有什么作用呢？
2023-11-01 18:21:12503 
？它是利用干涉現(xiàn)象，使用白光源照射物體，并將反射光經(jīng)過(guò)干涉儀的分光裝置后形成干涉圖樣。通過(guò)觀察干涉圖樣的變化，就可以獲得物體表面形貌的細(xì)節(jié)信息。 如何使用白
2023-10-26 10:47:58
WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2023-10-24 09:42:25554 
WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚?？蓮V泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
眾所周知，傾斜光纖光柵可以激發(fā)眾多的包層模式，并且對(duì)光纖表面周?chē)h(huán)境敏感。當(dāng)光纖包層模式與表面等離子共振相位匹配時(shí)，傾斜光纖光柵可以在金表面激發(fā)倏逝表面等離子體共振波。
2023-10-20 15:48:08330 
但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-20 11:04:21454 
白光干涉儀廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究和工程實(shí)踐各個(gè)領(lǐng)域中。它作為一款用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量的檢測(cè)儀器，在測(cè)量坑的形貌方面扮演著舉足輕重的角色。白光干涉儀怎么測(cè)量坑的形貌？它是利用
2023-10-20 09:52:210 CAN總線上最多掛多少設(shè)備由什么決定？
2023-10-16 06:39:28
在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-11 18:18:43978 
納米級(jí)測(cè)量中，由于物體尺寸的相對(duì)較小，傳統(tǒng)的測(cè)量?jī)x器往往無(wú)法滿(mǎn)足精確的要求。而納米級(jí)測(cè)量?jī)x器具備高精度、高分辨率和非破壞性的特點(diǎn)，可以測(cè)量微小的尺寸。1、光學(xué)3D表面輪廓儀SuperViewW1光學(xué)3D
2023-10-11 14:37:46
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
有過(guò)深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會(huì)遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447 
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
SuperViewW系列白光干涉顯微形貌儀是以白光干涉技術(shù)原理，通過(guò)測(cè)量干涉條紋的變化來(lái)測(cè)量表面三維形貌，是一款用于精密零部件之重點(diǎn)部位表面粗糙度、微小形貌輪廓及尺寸的納米級(jí)測(cè)量?jī)x器。產(chǎn)品簡(jiǎn)介
2023-09-26 14:12:49
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱(chēng)的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類(lèi)似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-09-24 17:42:03996 
SuperViewW1白光干涉表面形貌儀用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量，可測(cè)各類(lèi)從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等
2023-09-19 14:31:26
IO的電平難道不是由對(duì)應(yīng)bank電源引腳的輸入電壓決定的嗎？在硬件上已經(jīng)把bank0的電源連接到3.3V了，通過(guò)sysctl_set_power_mode似乎不能把某個(gè)引腳設(shè)定到1.8V，請(qǐng)問(wèn)是這個(gè)函數(shù)作用是什么？
2023-09-15 07:17:14
臺(tái)階儀是一種接觸式表面形貌測(cè)量?jī)x器，可以對(duì)微米和納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測(cè)量。中圖儀器CP系列臺(tái)階儀接觸式表面形貌測(cè)量?jī)x廣泛應(yīng)用于：大學(xué)、研究實(shí)驗(yàn)室和研究所
2023-09-14 16:10:14
SuperViewW1三維白光干涉表面形貌儀采用光學(xué)干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和3D重建算法組成測(cè)量系統(tǒng)，高精度測(cè)量；隔振系統(tǒng)能夠有效隔離頻率2Hz以上絕大部分振動(dòng)，消除地面振動(dòng)噪聲和空氣中聲波振動(dòng)
2023-09-13 10:30:22
表面貼裝技術(shù)中的鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)是決定焊膏沉積量的關(guān)鍵因素，而再流焊后形成的焊點(diǎn)形貌與鋼網(wǎng)的開(kāi)口設(shè)計(jì)有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系。從SMT錫膏印刷工藝的理論基礎(chǔ)出發(fā)，結(jié)合實(shí)際PCB（印制線路板）上錫膏印刷量，針對(duì)在不同線寬的高速信號(hào)線衍生形成的焊盤(pán)上印刷不同體積的錫膏量，論證再流焊后形成的焊點(diǎn)形貌。
2023-09-12 10:29:03383 
SuperViewW1光學(xué)材料表面形貌測(cè)試儀是利用光學(xué)干涉原理研制開(kāi)發(fā)的超精細(xì)表面輪廓測(cè)量?jī)x器，具有測(cè)量精度高、操作便捷、功能齊全、測(cè)量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)，測(cè)量單個(gè)精細(xì)器件的過(guò)程用時(shí)2分鐘以?xún)?nèi)，確保
2023-09-08 17:32:10
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來(lái)顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
白光干涉儀是一種常見(jiàn)的測(cè)量設(shè)備，它能夠利用不同的光束干涉原理來(lái)觀察和測(cè)量顯微形貌。當(dāng)白色光經(jīng)過(guò)分束鏡分成兩束光線，這些光線在目標(biāo)物體上反射后重新合并。這樣，生成的光束會(huì)發(fā)生干涉，由此產(chǎn)生一系列明暗相間的干涉條紋。這些條紋的形狀和間距與目標(biāo)物體的表面形貌直接相關(guān)。
2023-08-23 10:35:21441 
激光共聚焦顯微鏡原理是由LED光源發(fā)出的光束經(jīng)過(guò)一個(gè)多孔盤(pán)和物鏡后，聚焦到樣品表面。之后光束經(jīng)樣品表面反射回測(cè)量系統(tǒng)。再次通過(guò)MPD上的針孔時(shí)，反射光將只保留聚焦的光點(diǎn)。最后，光束經(jīng)分光片反射后在
2023-08-22 15:19:49
白光干涉儀以白光干涉為原理，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)等領(lǐng)域，對(duì)各種產(chǎn)品、部件和材料表面的平面度、粗糙度、波紋度、面形輪廓、表面缺陷、孔隙間隙、臺(tái)階高度、彎曲變形情況、磨損情況、腐蝕情況、加工情況等表面形貌
2023-08-21 13:46:12
光學(xué)3D表面輪廓儀是基于白光干涉技術(shù)，結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等快速、準(zhǔn)確測(cè)量物體表面的形狀和輪廓的檢測(cè)儀器。它利用光學(xué)投射原理，通過(guò)光學(xué)傳感器對(duì)物體表面進(jìn)行掃描，并根據(jù)反射光的信息來(lái)
2023-08-21 13:41:46
PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 和共聚焦3D顯微形貌檢測(cè)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于涉足超精密加工領(lǐng)域的三維形貌檢測(cè)與表面質(zhì)量檢測(cè)方案。其中，VT6000系列共聚焦顯微鏡，在結(jié)構(gòu)復(fù)雜且反射率低的表面3D微觀形貌重構(gòu)與檢測(cè)方面具有不俗的表現(xiàn)。
一
2023-08-04 16:12:06
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過(guò)程，通過(guò)移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在半導(dǎo)體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進(jìn)程度直接決定了晶圓廠所能實(shí)現(xiàn)的最高工藝節(jié)點(diǎn)，所用產(chǎn)品
2023-07-30 03:24:481556 
白光干涉儀利用白光干涉原理，通過(guò)測(cè)量光的相位變化來(lái)獲取物體表面的形貌信息。在工業(yè)制造、科學(xué)研究等領(lǐng)域，被廣泛用于測(cè)量精密器件的形貌、表面缺陷檢測(cè)等方面。白光干涉儀通過(guò)對(duì)干涉條紋進(jìn)行圖像處理，可以獲得
2023-07-21 11:05:48418 
白光干涉儀測(cè)量的結(jié)果通常以二維形貌圖或三維形貌圖的形式展示。二維形貌圖是對(duì)干涉條紋進(jìn)行圖像處理得到的，顯示出被測(cè)物體表面的高低起伏。而三維形貌圖則是在二維圖像的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步還原出物體表面的立體形貌
2023-07-21 11:03:00522 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
NightN光學(xué)表面形貌測(cè)試儀HION產(chǎn)品介紹：光學(xué)測(cè)試儀HION用于光學(xué)表面測(cè)試。該技術(shù)基于 Shack-Hartmann 方法。激光束從被測(cè)光學(xué)表面反射并進(jìn)入 Shack-Hartmann 波前
2023-06-29 14:12:45
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會(huì)嚴(yán)重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對(duì)PCB進(jìn)行表面處理。
常見(jiàn)的表面
2023-06-25 11:17:44
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會(huì)嚴(yán)重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對(duì)PCB進(jìn)行表面處理。
常見(jiàn)的表面
2023-06-25 10:37:54
白光干涉儀是以白光干涉技術(shù)原理，對(duì)各種精密器件表面進(jìn)行納米級(jí)測(cè)量的光學(xué)3D表面輪廓測(cè)量?jī)x，通過(guò)測(cè)量干涉條紋的變化來(lái)測(cè)量表面三維形貌，專(zhuān)用于精密零部件之重點(diǎn)部位表面粗糙度、微小形貌輪廓及尺寸的非接觸
2023-06-16 11:53:051106 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱(chēng)的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類(lèi)似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-06-15 17:51:571177 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353319 
刻蝕硅，硅的均勻剝離，同時(shí)帶走表面顆粒。隨著器件尺寸縮減會(huì)引入很多新材料（如高介電常數(shù)和金屬柵極），那么在后柵極制程，多晶硅的去除常用氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，制程關(guān)鍵是控制溶液的溫度和濃度，以調(diào)整刻蝕對(duì)多晶硅和其他材料的選擇比。
2023-06-05 15:10:011597 等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無(wú)氯基體，而且對(duì)Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無(wú)傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
白光干涉儀又叫做非接觸式光學(xué)3D表面輪廓儀，是以白光干涉掃描技術(shù)為基礎(chǔ)研制而成用于樣品表面微觀形貌檢測(cè)的精密儀器。它以白光干涉技術(shù)為原理，光源發(fā)出的光經(jīng)過(guò)擴(kuò)束準(zhǔn)直后經(jīng)分光棱鏡后分成兩束，一束經(jīng)被
2023-05-23 13:58:04
表面形貌即為表面微觀幾何形態(tài)，不僅對(duì)接觸零件的機(jī)械和物理特性起著決定作用，而且對(duì)一些非接觸零件的光學(xué)和外部特性影響也很大。所以對(duì)表面形貌的精準(zhǔn)測(cè)量能正確地識(shí)別出加工過(guò)程的變化和缺陷，對(duì)研究表面幾何
2023-05-19 16:52:10411 
PTFE表面等離子改性是一種有效的技術(shù)手段，可以改變PTFE表面的性質(zhì)，增加其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。通過(guò)引入親水基團(tuán)、改善表面形貌、形成致密的氟化物膜等方式，可以提高PTFE表面的粘附性、潤(rùn)濕性、抗腐蝕性、耐磨性、生物相容性和電性能。
2023-05-19 10:45:39628 
決定PCB表面成型的參考之一。當(dāng)然，這些項(xiàng)目永遠(yuǎn)不可能是具有同等重要性的平均重要性。然后，在你準(zhǔn)備好依賴(lài)這個(gè)列表并考慮你具體的產(chǎn)品情況之前，應(yīng)該澄清每個(gè)項(xiàng)目的重要性程度。
ENIG和ENEPIG
2023-04-24 16:07:02
形成的鍍層更一致、更均勻，但是缺少如ENIG中鎳層提供的保護(hù)和持久性。雖然它的表面處理工藝比ENIG更簡(jiǎn)單，而且比ENIG更劃算，但是它不適合在電路制造商那里長(zhǎng)期儲(chǔ)存。4、化學(xué)沉錫化學(xué)沉錫工藝通過(guò)一個(gè)
2023-04-19 11:53:15
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 為什么電流互感器的二次測(cè)電流由一次側(cè)電流決定呢？
2023-04-13 10:47:57
%） 的圓臺(tái)硅通孔刻蝕方法被研究探索出來(lái)。該方法通過(guò)調(diào)節(jié) 下電極功率 （≤30 W），獲得了側(cè)壁角度可調(diào) （70°~88°）、通孔底部開(kāi)口尺寸小于光刻定義特征尺寸 的圓臺(tái)硅通孔結(jié)構(gòu)。這一方法有望向三維集成電路領(lǐng)域推廣，有助于在封裝階段延續(xù)摩爾定律。
2023-04-12 14:35:411569 在DPC陶瓷基板制備過(guò)程中，由于電鍍電流分布不均勻，導(dǎo)致基板表面電鍍銅層厚度不均勻（厚度差可超過(guò)100μm），表面研磨是控制電鍍銅層厚度，提高銅層厚度均勻性的關(guān)鍵工藝，直接影響陶瓷基板的性能和器件封裝質(zhì)量。
2023-04-12 11:25:121592 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問(wèn)題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 開(kāi)關(guān)電源功率是由開(kāi)關(guān)管的最大電流決定嗎？例如5v1a的電源，開(kāi)關(guān)管選多大的電流，這個(gè)電流是如何算出來(lái)的？謝謝
2023-04-04 16:56:04
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