2023年12月底，由國(guó)家發(fā)展改革委、國(guó)家數(shù)據(jù)局、中央網(wǎng)信辦、工業(yè)和信息化部、國(guó)家能源局五部門聯(lián)合印發(fā)的《關(guān)于深入實(shí)施“東數(shù)西算”工程 加快構(gòu)建全國(guó)一體化算力網(wǎng)的實(shí)施意見》正式公布。
2024-01-16 10:41:21
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智能駕駛芯片排名并不簡(jiǎn)單只看AI算力，CPU、存儲(chǔ)帶寬、功耗和AI算力數(shù)值一樣重要，這個(gè)下文會(huì)詳細(xì)分析。
2023-12-28 10:29:21664 
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16411 
【科普小貼士】MOSFET的性能：漏極電流和功耗
2023-12-07 17:23:17365 
【科普小貼士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:47423 
本文將詳細(xì)分析國(guó)產(chǎn)光耦的發(fā)展趨勢(shì)，探討其未來發(fā)展的關(guān)鍵因素與前景。
2023-12-06 11:01:51237 
性能提升，功耗降低！，這樣的MOSFET是你的最愛么？
2023-12-04 15:09:36114 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
本文將詳細(xì)分析國(guó)產(chǎn)固態(tài)光耦的優(yōu)勢(shì)和其在產(chǎn)品工程中的重要作用。
2023-11-30 11:30:01201 10個(gè)天線性能指標(biāo)的分析? 天線是無線通信系統(tǒng)中的重要組成部分，它們負(fù)責(zé)接收和發(fā)送無線信號(hào)。天線的性能可以對(duì)通信質(zhì)量和系統(tǒng)性能產(chǎn)生重要影響。在設(shè)計(jì)和評(píng)估天線時(shí)，需要考慮多個(gè)性能指標(biāo)。下面將詳細(xì)分析
2023-11-27 15:40:051318 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195 
【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性
2023-11-23 09:09:05505 
從接觸單片機(jī)開始，我們就知道有一個(gè)叫KEIL的軟件。
2023-11-15 15:44:30377 L298驅(qū)動(dòng)的步進(jìn)電機(jī)本身沒有細(xì)分功能請(qǐng)問軟件上可以細(xì)分嗎？怎么實(shí)現(xiàn)?有例程分享嗎?
2023-11-10 06:04:18
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)
2023-11-09 10:10:02334 
光電耦合器是一種重要的電子元件，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。本文將詳細(xì)分析光電耦合器的工作原理以及其在現(xiàn)代科技中的應(yīng)用，并探索其潛力和未來發(fā)展方向。
2023-11-04 17:58:092034 高速光耦作為一種關(guān)鍵的電子元件，具有廣泛的應(yīng)用范圍和諸多優(yōu)勢(shì)。本文將探討高速光耦的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，并詳細(xì)分析其在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中的重要性和潛力。
2023-11-04 17:47:551381 文章目錄
FAT32文件系統(tǒng)詳細(xì)分析 （續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）
前言
格式化SD nand/SD卡
FAT32文件系統(tǒng)分析
3.1 保留區(qū)分析
3.1.1 BPB(BIOS Parameter
2023-11-03 17:55:26
這一篇，總結(jié)一下level shifter的晶體管級(jí)工作原理，就從最傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)講起，詳細(xì)分析這個(gè)level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的。
2023-11-03 16:36:12893 
運(yùn)放的datasheet參數(shù)表格中往往給出的是DC-PSRR，而AC-PSRR往往以圖表的形式給出。
2023-11-02 10:35:19498 
華科版《電機(jī)學(xué)》第三版第四章中直接指出，繞組電動(dòng)勢(shì)、磁動(dòng)勢(shì)具有相似性，但并未進(jìn)行詳細(xì)分析。本文對(duì)該點(diǎn)進(jìn)行深入分析，闡明兩者的一致性。
2023-11-01 16:34:50510 
國(guó)產(chǎn)新風(fēng)尚！WAYON維安針對(duì)PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品
2023-11-01 15:10:01232 
文章目錄FAT32文件系統(tǒng)詳細(xì)分析（續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）1.前言2.格式化SDnand/SD卡3.FAT32文件系統(tǒng)分析3.1保留區(qū)分析3.1.1BPB(BIOSParameterBlock
2023-10-18 17:12:34726 
文章目錄
FAT32文件系統(tǒng)詳細(xì)分析 （續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）
前言
格式化SD nand/SD卡
FAT32文件系統(tǒng)分析
3.1 保留區(qū)分析
3.1.1 BPB(BIOS Parameter
2023-10-18 16:58:34
、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02328 本文將詳細(xì)分析降壓 DC/DC 電壓轉(zhuǎn)換器的工作原理。使用 SPICE 仿真，我們將研究輸出電壓穩(wěn)定、電壓紋波以及電感器和負(fù)載電流。
2023-10-18 09:07:08728 
內(nèi)含參考答案以及詳細(xì)分析
2023-10-07 07:15:56
電子工程師需要掌握的20個(gè)模擬電路的詳細(xì)分析
2023-09-28 06:22:26
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是硬件工程師必須掌握的20個(gè)重要模擬電路的概述和參考答案以及詳細(xì)分析
2023-09-27 08:22:32
詳細(xì)介紹了硬件工程師必須掌握的20個(gè)重要模擬電路的概述和參考答案以及詳細(xì)分析
2023-09-27 06:01:17
高速數(shù)字信號(hào)的反射是影響現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)的重要因素之一 嚴(yán)重的反射將破壞信號(hào)完整性，并引起過沖現(xiàn)象，從而出現(xiàn)錯(cuò)誤的數(shù)字邏輯和毀壞器件。
2023-09-25 15:10:594002 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
能會(huì)對(duì)MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負(fù)面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會(huì)逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
進(jìn)行詳細(xì)分析，讓大家更加深入了解這款芯片。 一、CPU和GPU性能 麒麟9000采用了華為自主研發(fā)的CPU和GPU架構(gòu)，其中CPU使用的是Cortex-A77核心設(shè)計(jì)，GPU使用的是Mali-G78。這兩種核心都是具備高性能的最新一代芯片，它們?cè)谶\(yùn)行速度和CPU/GPU性能方面都有很高的表現(xiàn)。
2023-08-30 17:49:514293 麒麟820和麒麟970性能參數(shù)對(duì)比 麒麟820和麒麟970是華為推出的兩款手機(jī)芯片，同在麒麟系列，兩者在性能方面有何差別呢？下面詳細(xì)分析。 1.制程工藝 先從制程工藝角度分析，制程工藝是芯片性能
2023-08-29 17:27:255741 濾波電容器、共模電感、磁珠在EMC設(shè)計(jì)電路中是常見的身影，也是消滅電磁干擾的三大利器。
2023-08-24 17:26:22237 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
2023-08-17 09:16:301297 
分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對(duì)應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負(fù)載進(jìn)行詳細(xì)分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南記錄了計(jì)數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 07:48:31
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-11 06:58:37
分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對(duì)應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負(fù)載進(jìn)行詳細(xì)分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南記錄了計(jì)數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:31:12
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-11 06:18:39
分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對(duì)應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負(fù)載進(jìn)行詳細(xì)分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南記錄了計(jì)數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:17:39
分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對(duì)應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負(fù)載進(jìn)行詳細(xì)分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南記錄了計(jì)數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:13:07
分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對(duì)應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負(fù)載進(jìn)行詳細(xì)分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南記錄了計(jì)數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:11:43
開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對(duì)應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負(fù)載進(jìn)行詳細(xì)分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南記錄了計(jì)數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:10:46
分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對(duì)應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負(fù)載進(jìn)行詳細(xì)分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南記錄了計(jì)數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:10:22
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義
2023-08-09 07:54:06
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:53:11
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:52:21
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義
2023-08-09 07:48:17
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義
2023-08-09 07:48:08
循序漸進(jìn)的分析工作流。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將
2023-08-09 07:44:01
遵循循序漸進(jìn)的分析工作流。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本
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。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:23:42
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:11:46
的分析工作流。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器
2023-08-09 07:08:30
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:03:13
循序漸進(jìn)的分析工作流。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將
2023-08-09 07:01:50
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義
2023-08-09 07:00:25
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:51:53
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義
2023-08-09 06:40:20
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:31:22
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義
2023-08-09 06:30:22
中的計(jì)數(shù)器模板遵循循序漸進(jìn)的分析工作流。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中
2023-08-09 06:20:05
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:18:00
從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:17:49
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:16:16
。分析從高級(jí)工作負(fù)載分類開始，測(cè)量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對(duì)應(yīng)用程序渲染工作負(fù)載的詳細(xì)分析會(huì)審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對(duì)于模板中的每個(gè)計(jì)數(shù)器，本指南將記錄計(jì)數(shù)器的含義
2023-08-09 06:00:30
本篇來詳細(xì)分析下UVC的相機(jī)終端相關(guān)的內(nèi)容，同樣的我們理論結(jié)合實(shí)踐來進(jìn)行。
2023-07-13 09:46:291057 
本篇來詳細(xì)分析下UVC的處理單元相關(guān)的內(nèi)容，同樣的我們理論結(jié)合實(shí)踐來進(jìn)行。
2023-07-13 09:42:301023 
MOSFET是開關(guān)和汽車應(yīng)用中非常常見的元件，支持低壓或高壓擺幅，并具有寬范圍的電流驅(qū)動(dòng)。高功率應(yīng)用的數(shù)量正在增加，從而產(chǎn)生了對(duì)功率MOSFET的額外需求。為了生產(chǎn)數(shù)量不斷增加的功率MOSFET
2023-06-30 11:26:16886 
。因此，對(duì)DC電源模塊的低溫試驗(yàn)檢測(cè)應(yīng)用較為廣泛。本文將從試驗(yàn)環(huán)境、測(cè)試設(shè)備、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)評(píng)估等方面對(duì)DC電源模塊低溫試驗(yàn)檢測(cè)進(jìn)行詳細(xì)分析。
2023-06-29 10:56:49340 本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測(cè)試過程的浪涌電流沖擊問題，詳細(xì)分析了MOS管緩啟動(dòng)電路的RC參數(shù)，通過分析和實(shí)際對(duì)電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
2023-06-26 10:24:101042 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET，設(shè)計(jì)具有更好的特性，如快速開關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關(guān)電源和適配器的高速開關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:45
0 的性能和多領(lǐng)域的應(yīng)用潛力引起了廣泛關(guān)注。本文將詳細(xì)介紹CMZ120R080APA1的特點(diǎn)、應(yīng)用以及關(guān)鍵性能參數(shù)，展示其在高壓功率電子領(lǐng)域的新一代技術(shù)。 特點(diǎn): CMZ120R080APA1具備以下幾個(gè)創(chuàng)新特點(diǎn)： 高速開關(guān)和低電容: CMZ120R080APA1采用先進(jìn)的硅碳化物材料，具有快速開關(guān)特性和低電容設(shè)
2023-06-12 17:42:13317 高壓探頭是指測(cè)量電氣設(shè)備中高電壓的電器設(shè)備，如變壓器、母線、發(fā)電機(jī)和高壓開關(guān)等。它主要用于測(cè)量電氣設(shè)備中的電場(chǎng)分布或電場(chǎng)梯度，以便分析電氣性能并識(shí)別故障。而在高壓探頭中，高壓隔離探頭和高壓差分探頭是兩種常見的類型。
2023-06-08 11:21:021106 針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題，文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比，有效減小測(cè)量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:211841 
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-05-26 09:52:33462 
本章節(jié)首先介紹SVPWM控制技術(shù)的原理，然后詳細(xì)分析SVPWM控制算法的具體實(shí)現(xiàn)方式包括7段式SVPWM與5段式SVPWM算法，并通過Matlab/Simulink對(duì)SVPWM控制算法進(jìn)行仿真分析，最后通過永磁同步電機(jī)矢量控制的實(shí)例進(jìn)行算法應(yīng)用。
2023-05-24 11:10:303721 
PCBA端子引腳焊接發(fā)生異常，通過對(duì)PCBA基板和端子進(jìn)行一系列分析，定位到問題發(fā)生的原因在于共面性不良，且端子焊接引腳與錫膏接觸程度不足導(dǎo)致。詳細(xì)分析方案，請(qǐng)瀏覽文章獲知。
2023-05-17 13:58:46723 
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來，并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
Cortex-M的內(nèi)核中包含Systick定時(shí)器了，只要是Cortex-M系列的MCU就會(huì)有Systick，因此這是通用的，下面詳細(xì)分析。
2023-05-15 15:01:381851 
大家好，今天通過幾個(gè)實(shí)際案例，給大家詳細(xì)分析一下音頻TDD Noise的產(chǎn)生原因、解決方案和思路。
2023-05-12 09:23:571590 
Cortex-M的內(nèi)核中包含Systick定時(shí)器了，只要是Cortex-M系列的MCU就會(huì)有Systick，因此這是通用的，下面詳細(xì)分析。
2023-05-10 09:00:534805 
結(jié)構(gòu)體(struct)是由一系列具有相同類型或不同類型的數(shù)據(jù)構(gòu)成的數(shù)據(jù)集合，也叫結(jié)構(gòu)。
2023-05-04 10:21:39767 
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊(cè)中獲得。
2023-05-04 10:09:47538 
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
2023-05-04 09:43:181394 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的，相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
2023-04-26 17:50:102213 
上一節(jié)我們詳細(xì)分析了一個(gè)簡(jiǎn)單的差分放大電路，并怎么去估算差分放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)。
2023-04-25 15:42:511210 
電遷移和紅外壓降 （EM-IR） 分析不是工具。 實(shí)際上，這是一個(gè)復(fù)雜的流程，包括寄生提取、布局后仿真和結(jié)果的詳細(xì)分析。 這就是為什么必須在流程的所有階段做出謹(jǐn)慎的決定。 例如，在提取過程中，必須正確選擇工藝和溫度。 此外，在提取過程中，必須將其配置為生成包含所有必需物理信息的高質(zhì)量 DSPF。
2023-04-20 10:29:251005 
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021251 MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，其驅(qū)動(dòng)表面上看來是非常簡(jiǎn)單，但是詳細(xì)分析起來并不簡(jiǎn)單。下面我會(huì)花一點(diǎn)時(shí)間，一點(diǎn)點(diǎn)來解析MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-18 09:19:31603 new操作符從自由存儲(chǔ)區(qū)（free store）上為對(duì)象動(dòng)態(tài)分配內(nèi)存空間，而malloc函數(shù)從堆上動(dòng)態(tài)分配內(nèi)存。自由存儲(chǔ)區(qū)是C++基于new操作符的一個(gè)抽象概念，凡是通過new操作符進(jìn)行內(nèi)存申請(qǐng)，該內(nèi)存即為自由存儲(chǔ)區(qū)。而堆是操作系統(tǒng)中的術(shù)語，是操作系統(tǒng)所維護(hù)的一塊特殊內(nèi)存，用于程序的內(nèi)存動(dòng)態(tài)分配，C語言使用malloc從堆上分配內(nèi)存，使用free釋放已分配的對(duì)應(yīng)內(nèi)存。
2023-04-03 09:29:01452 德索fakra線束，為了滿足電動(dòng)高壓連接器的設(shè)計(jì)要求，高壓連接器的各個(gè)部件必須通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料選擇具有足夠的介電強(qiáng)度，以確保高壓阻力。高壓連接器的高壓性能設(shè)計(jì)主要包括爬電距離、界面氣隙和絕緣材料。
2023-03-28 11:26:53359 
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