行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變許多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動蝕刻 機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等
2024-03-20 17:52:39 823 負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種新型藍(lán)牙物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備》，深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。
2024-03-11 15:08:54 284 實(shí)驗(yàn)名稱：功率放大器在 合成射流高效摻混機(jī)理研究 中 的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：合成射流是一種新型主動流動控制技術(shù)，其主要工作原理是利用振動薄膜或活塞周期性地吹/吸流體，在 孔口外形成渦環(huán)，這些渦環(huán)在 自誘導(dǎo)
2024-03-08 17:47:25
該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報告 預(yù)測了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種
2024-03-06 11:07:24 87 M74HCL 32BL是什么功能芯片
2024-02-19 16:31:49
根據(jù)已公開的研究報告 ，東京電子的新式蝕刻 機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻 的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻 工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22 109 蝕刻 時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究 的目的是確定蝕刻 ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻 ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45 306 佐思汽研發(fā)布《2023-2024年全球和中國混合動力汽車研究報告 》。
2024-01-25 13:54:50 1270 WitDisplay消息，海通證券發(fā)布研究報告 稱，2024年1月ROLED、FOLED手機(jī)面板價格均環(huán)比增長。
2024-01-23 09:48:14 386 如圖所示，我在 MCAL 中 禁用了 ALM8 [10] 和 ALM8 [17]，但是 SMU AG8 在 冷啟動時仍會報告 這兩個錯誤，而 WDG 工作正常。 但是，如果我使用調(diào)試器重置程序，則不會報告 這些警報。 我能有一些建議嗎？ 謝謝。
2024-01-18 10:32:31
上電時mos源-地電壓
inp 低電平時mos源-地電壓
inp 高電平時mos源-地電壓
開關(guān)部分原理圖
問題：1.請問這4v左右的電壓是否正常？是否柵級驅(qū)動器已經(jīng)損壞？（換用多個均是這種
2024-01-04 06:44:25
轉(zhuǎn)自：存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日， 存 儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲研究報告 （2023）》，詳細(xì)闡釋分布式融合存儲概念和技術(shù)要求
2023-12-21 18:05:01 270 這份報告 由業(yè)內(nèi)知名研究 機(jī)構(gòu)——MicroLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會公布。事實(shí)上，早在2000年，業(yè)界便開始關(guān)注MicroLED技術(shù)。該技術(shù)以其出色的亮度、豐富的色彩展現(xiàn)力以及超長的使用壽命引起了轟動。
2023-12-20 14:35:07 333 世界各國不僅把6G作為構(gòu)筑未來數(shù)字經(jīng)濟(jì)與社會發(fā)展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點(diǎn)。全球主要國家的多。個研究 機(jī)構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術(shù)趨勢、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等方面的白皮書和研究報告 ，陳述各國發(fā)展6G的宏偉愿景與技術(shù)思考。
2023-12-19 11:23:36 151 在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻 機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們在制造半導(dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻機(jī)和蝕刻 機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09 371 基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24 294 按工藝要求排放出部分比重高的溶液 經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液 ，使蝕刻 液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46 285 如果HMC874LC3C的時鐘引腳沒有信號，它的輸出會隨著INP -INN的變化嗎
2023-12-05 07:25:39
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究 。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻 方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39 259 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）近日，專業(yè)評測機(jī)構(gòu) RTINGS.com發(fā)布了關(guān)于 OLED 屏幕燒屏的相關(guān)研究報告 。報告 發(fā)布之前，該機(jī)構(gòu)對所有測試的OLED面板，進(jìn)行了長達(dá)10個月的極限測試。最終
2023-12-01 00:16:00 1879 存儲研究報告 》（以下簡稱：《報告 》）正式發(fā)布?！?b class="flag-6" style="color: red">報告》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲的概念、技術(shù)架構(gòu)和應(yīng)用場景，為融合存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院領(lǐng)導(dǎo)表示，“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素，數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01 172 由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻 已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻 引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58 166 ，雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)KOH基溶液 可以蝕刻 AlN和InAlN，但是之前還沒有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻 高質(zhì)量GaN的酸或堿溶液 。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻 為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30 241 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報告 .pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 14:29:13 0 蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻 液都會對蝕刻 因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10 217 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業(yè)研究報告
2023-11-07 16:37:39 0 石墨烯是一種原子級薄層2D碳納米材料，具有以六方晶格結(jié)構(gòu)排列的sp2鍵碳原子。石墨烯因其優(yōu)異的物理和電子性能而受到廣泛關(guān)注。自發(fā)現(xiàn)石墨烯以來，石墨烯的基礎(chǔ)、合成方法和潛在應(yīng)用的研究 一直在積極進(jìn)行。
2023-10-24 09:35:50 219 亞甲藍(lán)溶液 測試儀是一種用于檢測密封性的重要工具，通過負(fù)壓法來評估容器或管道的密封性能。該儀器利用真空泵將亞甲藍(lán)溶液 抽入測試室，然后將測試室密封，觀察測試室內(nèi)的壓力變化情況來確定密封性能的好壞。本文將
2023-10-18 16:43:33
在精細(xì)印制電路制作過程中，噴淋蝕刻 是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一?，F(xiàn)有很多的文章對精細(xì)線路的蝕刻 做了大量的研究 ，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究 中，并沒有從本質(zhì)上認(rèn)識噴淋蝕刻 中出現(xiàn)的問題。
2023-10-17 15:15:35 164 蝕刻 液的化學(xué)成分的組成：蝕刻 液的化學(xué)組分不同，其蝕刻 速率就不相同，蝕刻 系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻 液的蝕刻 系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻 液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻 液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻 后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35 553 腐蝕pcb板的溶液 按抗蝕層類型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液 的一些知識。 三氯化鐵的蝕刻 液是銅箔
2023-10-08 09:50:22 734 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻 結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻 工藝。干法蝕刻 開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻 速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻 。
2023-10-07 15:43:56 319 香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進(jìn) 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務(wù)繼2021年以來，于2023年9月19日，連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報告 。通過對上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58 265 好消息再次傳來！ 統(tǒng)信UOS又雙叒叕獲得認(rèn)可！ 第一新聲發(fā)布 《2023年中國信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究報告 》 我們分別入選： 中國最佳信創(chuàng)廠商TOP50 中國最佳信創(chuàng)操作系統(tǒng)廠商 中國最佳信創(chuàng)廠商優(yōu)秀
2023-09-13 17:02:17 376 不兼容的原因：eNSP支持Virtual Box是5.2.44；HCL 支持的Virtual Box版本是6.0.14
2023-09-11 10:58:28 529 不兼容的原因：eNSP支持Virtual Box是5.2.44；HCL 支持的Virtual Box版本是6.0.14。
2023-09-11 10:58:13 1234 要注意的是，蝕刻 時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻 工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻 掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12 474 近日，中國信息通信研究 院在“2023 SecGo云和軟件安全大會”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報告 （2023年）》 （以下簡稱“報告 ”），全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01 488 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻 工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻 。
2023-09-06 09:36:57 811
應(yīng)用程序: 本樣本代碼使用 M031BT 來做藍(lán)牙電牙刷溶液 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000
硬件: nuvoton 核_M031BT 藍(lán)牙
2023-08-29 07:40:54
我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實(shí)時地原位監(jiān)測用有機(jī)堿性溶液 的濕法蝕刻 ，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻 導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56 239 半導(dǎo)體蝕刻 設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液 通過將晶片浸入化學(xué)溶液 （蝕刻 劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液 溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58 319 PCB蝕刻 工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻 質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:43 1013 佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報告 》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應(yīng)用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:43 1401 推薦安裝新版本HCL 5.9.0版本，HCL 5.9.0/5.8.0/5.5.0/5.3.0均可使用virtualbox5.2.44版本，與ensp兼容，HCL 5.9.0新增基于Openwrt
2023-07-31 15:24:16 3622 預(yù)登記展會領(lǐng)取門票還可以獲得由AIoT星圖研究 院出品2023行業(yè)報告 之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場跟蹤調(diào)研報告 》、《中國光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報告 》、《2023中國智慧工地行業(yè)市場研究報告
2023-07-31 11:14:32 525 原文標(biāo)題：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所2021級碩士研究 生中期報告 (五) 文章出處：【微信公眾號：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-07-24 15:15:03 287 原文標(biāo)題：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所2021級碩士研究 生中期報告 (四) 文章出處：【微信公眾號：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-07-21 07:35:01 315 原文標(biāo)題：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所2021級碩士研究 生中期報告 (三) 文章出處：【微信公眾號：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-07-20 07:35:01 351 原文標(biāo)題：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所2021級碩士研究 生中期報告 (二) 文章出處：【微信公眾號：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-07-19 07:25:02 289 原文標(biāo)題：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所2021級碩士研究 生中期報告 (一) 文章出處：【微信公眾號：智能感知與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究 所】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-07-18 07:20:01 267 自己的模板
研究 報告 《 容、感、阻被動元器件市場
報告 》，如需領(lǐng)取
報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? 元器件? 即可領(lǐng)取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-17 17:15:04 246 一個典型的機(jī)器視覺系統(tǒng)，一般包括：光源、鏡頭、相機(jī)、視覺控制系統(tǒng)（視覺處理分析軟件及視覺控制器硬件）等。其中，光源及光源控制器、鏡頭、相機(jī)等硬件部分負(fù)責(zé)成像功能，視覺控制系統(tǒng)負(fù)責(zé)對成像結(jié)果進(jìn)行處理分析、輸出分析結(jié)果至智能設(shè)備的其他執(zhí)行機(jī)構(gòu)。
2023-07-17 15:52:22 1005 前不久，國家無線電監(jiān)測中心與全球移動通信系統(tǒng)協(xié)會（GSMA）共同發(fā)布了關(guān)于 未來寬帶移動通信與頻譜高效利用的合作研究報告 。
2023-07-17 09:56:00 976 蝕刻 是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻 的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32 183 、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達(dá)克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報告 》。報告 結(jié)果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費(fèi)者對整體制造過程的可持續(xù)性和透明度不
2023-07-12 13:09:55 287 蝕刻 是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻 的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03 190 年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達(dá)克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報告 》。報告 結(jié)果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費(fèi)者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24 321 自己的模板
研究 報告 《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場前景
報告 》，如需領(lǐng)取
報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? 虛擬人? 即可領(lǐng)?。?聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02 283 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻 變得更有必要。為了防止蝕刻 掩模下的橫向蝕刻 ，我們需要一個側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻 的研究
2023-06-27 13:24:11 318 CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻 時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻 速率以及橫向或分層膜的蝕刻 速率降低，濕法化學(xué)也會有問題。
2023-06-26 13:32:44 1053 》的研究報告 ，在報告 中，分析師們通過對47個國家及地區(qū)的850種職業(yè)（全球80%以上勞動人口）的研究 ，探討了在AI成指數(shù)級發(fā)展背后，對全球經(jīng)濟(jì)將帶來的影響，哪些行業(yè)沖
2023-06-21 10:10:39 254 潛力》的研究報告 ，在報告 中，分析師們通過對47個國家及地區(qū)的850種職業(yè)（全球80%以上勞動人口）的研究 ，探討了在AI成指數(shù)級發(fā)展背后，對全球經(jīng)濟(jì)將帶來的影響，哪些行業(yè)沖擊最大，哪些人面臨失業(yè)威脅？ 以下為報告 主要內(nèi)容： 1、AI取代人類工
2023-06-21 08:40:01 280 要摘InGaAs光電探測器被廣泛地應(yīng)用于光纖通訊領(lǐng)域，由于其特有的優(yōu)點(diǎn)，國外已應(yīng)用于空間遙感領(lǐng)域.本文簡要介紹了InGaAs/InP 的物理特性、PIN光電探測器結(jié)構(gòu)和主要性能指標(biāo)，討論了研制InGaAs/InP 空間遙感用光電探測器的意義.
2023-06-19 16:42:21 2 器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻 (ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻 技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05 526 為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻 應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻 ，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻 能力。
2023-06-14 11:03:53 1779 研究報告 1.0版》，總計(jì)192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風(fēng)險篇、哲理篇、未來篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進(jìn)行了詳盡研究 和分析
2023-06-09 10:32:36 550 近年來， InGaAs/InP 雪崩光電二極管（APD）體積小、功耗低、響應(yīng)速度快，被廣泛應(yīng)用于近紅外單光子檢測。
2023-06-09 09:34:23 381 然而，關(guān)于 電荷和表面疏水性的影響的研究 結(jié)果并不一致。例如，一些研究 發(fā)現(xiàn)表面電荷通過靜電相互作用或與礦物離子的絡(luò)合反應(yīng)影響非均相成核，而另一些研究報告 了不同電荷表面的成核速率相似。
2023-06-07 16:22:05 206 發(fā)展研究報告 1.0版》，總計(jì)192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風(fēng)險篇、哲理篇、未來篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進(jìn)行了詳盡研究 和分析。 以下為報告 內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報告 預(yù)覽 后臺回復(fù)【 AIG
2023-06-04 16:15:01 503 等離子體蝕刻 是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實(shí)質(zhì)上改變蝕刻 特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究 中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究 蝕刻 過程中蝕刻 速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54 452 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻 步驟包括虛擬柵極蝕刻 、各向異性柱蝕刻 、各向同性間隔蝕刻 和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻 是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻 （壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11 1071 自己的模板 研究 報告 《 汽車電子2023車載充電機(jī)(OBC)市場分析》，如需領(lǐng)取報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? OBC? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需
2023-05-29 17:55:02 896 過去利用堿氫氧化物水溶液 研究 了硅的取向依賴蝕刻 ，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻 劑，研究 了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻 過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻 速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻 面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40 618 蝕刻 可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢绊?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻 率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護(hù)蝕刻 化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31 575 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻 圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:48 4917 蝕刻 是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻 和干法蝕刻 ，濕法蝕刻 進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻 。硅濕法各向異性蝕刻 廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12 700 自己的模板 研究 報告 《 工業(yè)視覺產(chǎn)業(yè)與工業(yè)圖像傳感器技術(shù)趨勢分析》，如需領(lǐng)取報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? 工業(yè) ? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交
2023-05-11 20:16:37 145 】，不包括yole報告 ，可在感知芯視界首頁對話框回復(fù)“汽車電子”免費(fèi)下載。 5月9日消息，近期行業(yè)研究 機(jī)構(gòu)Yelo發(fā)布了關(guān)于 汽車半導(dǎo)體傳感器市場的研究報告 ，公布了2022年全球汽車半導(dǎo)體傳感器市場的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)與廠商排名，并且預(yù)計(jì)隨著汽車電氣化和ADAS技術(shù)
2023-05-10 13:20:35 686 院知識產(chǎn)權(quán)與創(chuàng)新發(fā)展中心在 2022年發(fā)布《全球5G專利活動報告 （2022年）》的基礎(chǔ)上，編寫了《全球5G標(biāo)準(zhǔn)必要專利及標(biāo)準(zhǔn)提案研究報告 （2023年）》。本報告 基于截至2022年12月31日ETSI專利數(shù)據(jù)庫中
2023-05-10 10:39:03
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻 和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究 了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00 118 在本例中，我們將研究 混合硅基光電探測器的各項(xiàng)性能。單行載流子（uni-traveling carrier，UTC）光電探測器（PD）由InP /InGaAs制成
2023-04-23 09:31:10 895 關(guān)于 M4_S32K144_SCST_Library_FaultCoverage_Estimation報告 ，表中有一個條目叫做“l(fā)ookup”，在 lookup sheet中 ，獨(dú)立事件和互斥事件的數(shù)據(jù)源
2023-04-21 06:06:14
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：HQ2和HF溶液 循環(huán)處理 編號：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究 了濕法化學(xué)處理過程中的表面形貌。在SC-1清洗過程中，硅表面
2023-04-19 10:01:00 129 反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻 工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:16 1253 自己的模板
研究 報告 《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
報告 》，如需領(lǐng)取
報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? MCU? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02 390 干法蝕刻 與濕法蝕刻 之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻 劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻 ）還是氣體（干法蝕刻 ）
2023-04-12 14:54:33 1004 濕法蝕刻 工藝的原理是使用化學(xué)溶液 將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10 453 全國普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競賽研究報告 鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在 計(jì)算機(jī)類競賽中 的表現(xiàn)情況是評估相關(guān)高校計(jì)算機(jī)
2023-04-10 10:16:15
報告 將立足于中國工業(yè)產(chǎn)業(yè)升級和智能制造的大背景，通過對供應(yīng)端市場和產(chǎn)業(yè)鏈的剖析，結(jié)合投資視角，探討工業(yè)機(jī)器人企業(yè)如何打造自身競爭力，賦能中國工業(yè)產(chǎn)業(yè)，給企業(yè)帶來新的增長與轉(zhuǎn)型機(jī)會，由此思考中國工業(yè)
2023-04-07 06:58:15 294 濟(jì)南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國工業(yè)邊緣市場分析》研究報告 （以下簡稱《報告 》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機(jī)器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30 540 的一個 重要研究 方向，機(jī)器學(xué)習(xí)（machine learning， ML）利用了深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（deep neural network， DNN）的非線性處理能力，成功地解決了一系列從前難以處理的問題，在圖像識別、語音 處理、自然語言處理、游戲等領(lǐng)域甚至表現(xiàn)出強(qiáng)于人類的性能，因此近來受到了越來越多的 關(guān)
2023-03-31 16:03:10 2 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻 進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07 886 SM0603HCL
2023-03-28 14:28:37
HCL 10-12
2023-03-28 13:13:43
研究 表明，半導(dǎo)體的物理特性會根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻 成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34 251 自己的模板 研究 報告 《 國內(nèi)電源管理IC企業(yè)2022年業(yè)績分析》，如需領(lǐng)取報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? 電源管理? 即可領(lǐng)取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交
2023-03-27 20:25:04 478 在濕蝕刻 的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻 溶液 對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49 402 已全部加載完成
生龍活虎3
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