行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變許多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動蝕刻機的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準等等
2024-03-20 17:52:39
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濕電子化學(xué)品屬于電子化學(xué)品領(lǐng)域的一個分支，是微電子、光電子濕法工藝制程（主要包括濕法蝕刻、清洗、顯影、互聯(lián)等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質(zhì)顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03239 
一、制冷劑的發(fā)展歷程
在民用空調(diào)、工業(yè)制冷中，制冷劑作為制冷系統(tǒng)中不可或缺的工質(zhì)，一直發(fā)揮著重要作用。從歷史上看，制冷劑的發(fā)展可以分為四個階段。
（圖片來源：網(wǎng)絡(luò)）
（一）第一階段：1830
2024-03-02 17:52:13
2023年鋰電隔膜出貨中干法占比回彈，增速方面趕超濕法31個百分點。
2024-02-21 09:17:41303 根據(jù)已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學(xué)機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
碳性電池是一種使用碳材料作為負極活性物質(zhì)的電化學(xué)裝置。與之相對的是堿性電池，使用的是氫氧化鈉或氫氧化鉀作為電解質(zhì)。下面，我將詳細介紹碳性電池的種類以及與堿性電池的區(qū)別。 碳性電池的種類： 鋅碳干電池
2024-01-22 10:25:58467 智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636 至純科技旗下的至微科技是國內(nèi)濕法設(shè)備市場主流供應(yīng)商之一，在28納米節(jié)點實現(xiàn)了全覆蓋，全工藝機臺亦均有訂單。在更為尖端的制程中，至微科技已有部分工藝獲得訂單。
2024-01-12 09:29:45234 ADBMS6815芯片在使用的過程中出現(xiàn)插拔燒蝕板子問題，主要變現(xiàn)為芯片內(nèi)部的均衡MOS和外部均衡電阻損壞，當前是批次行出問題，其中2142周號芯片熱插拔損壞率超過5%，損壞區(qū)域為S6-S12;1
2024-01-03 06:39:42
會通股份公司在安徽蕪湖市三山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)舉行了盛大的鋰電池濕法隔離膜項目開工儀式。這個基地總投資高達20億元，一旦建成，將具備每年生產(chǎn)17億平方米濕法隔離膜的能力。
2024-01-02 16:41:52357 請教一下，為了進一步提高MEMS陀螺ADXRS646的抗振性，能否采用在一個軸向上用兩片陀螺的輸出信號進行差分的方式進行改善？如果可行，對應(yīng)某一個軸向，兩個陀螺應(yīng)該如何放置呢？比如，分別位于同一塊電路板的兩側(cè)（或同側(cè)），安裝方向同向（或轉(zhuǎn)180o）？多謝！
2024-01-01 06:05:41
過程中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區(qū)域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實現(xiàn)精確的圖案轉(zhuǎn)移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對SiGe選擇性的RIE技術(shù)尚未被發(fā)現(xiàn)。幸運的是
2023-12-28 10:39:51131 
您好！
我想問一下，AD9238這個芯片，1.它是否具有抗噪能力？2.它的外部時鐘的對頻率穩(wěn)定程度有什么要求么？有的話這種要求頻率穩(wěn)定度在多少范圍呢？
3.除了這種AD芯片，您公司是否有AD采樣率在幾十KS/s~幾十MS/s，且具有正弦外部時鐘的芯片呢？
2023-12-25 07:55:15
在微電子制造領(lǐng)域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們在制造半導(dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
MU-F1003醫(yī)用防護服抗滲水性測定儀設(shè)備用途：MU-F1003醫(yī)用防護服抗滲水性測定儀用于醫(yī)用防護服、緊密織物，如帆布、油布、苫布、帳篷布、防雨服裝布等抗滲水性能的測定。符合標準
2023-12-06 16:04:56
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 自動蝕刻機是利用電解作用或化學(xué)反應(yīng)對金屬板進行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動化設(shè)備，廣泛應(yīng)用于芯片、數(shù)碼、航空、機械、標牌等領(lǐng)域中?，F(xiàn)有一家蝕刻機設(shè)備制造商，要求對全國各地的蝕刻機設(shè)
2023-11-08 13:59:52146 
如何來評價一顆芯片的ESD能力呢？ 評價一顆芯片的ESD（Electrostatic Discharge）能力，可以從以下幾個方面進行詳盡、詳實、細致的分析。 首先，ESD是指在芯片設(shè)計、制造
2023-11-07 10:30:42636 近日，上海證券交易所公布了滬市上市公司2022至2023年度信息披露工作評價結(jié)果，本次評價首次將科創(chuàng)板上市公司納入評價范圍，瀾起科技憑借優(yōu)異的工作表現(xiàn)，獲得信息披露工作評價最高評級“A級”（優(yōu)秀）。
2023-10-27 11:47:56414 
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2023-10-27 11:46:31
0 醫(yī)用貼劑作為一種醫(yī)療用品，其持粘性能對于治療效果和患者的舒適度至關(guān)重要。溫控型持粘力測試儀是一種專門用于在嚴格控制溫度條件下測試醫(yī)用貼劑持粘性能的儀器，能夠更準確地評估醫(yī)用貼劑的性能，從而為產(chǎn)品
2023-10-19 16:37:54
在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對精細線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并沒有從本質(zhì)上認識噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問題。
2023-10-17 15:15:35164 
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 在制藥領(lǐng)域，注射劑的一致性密封質(zhì)量對于產(chǎn)品的安全性和質(zhì)量至關(guān)重要。為確保注射劑的密封性能符合預(yù)期，采用專業(yè)的注射劑一致性密封驗證儀器進行檢測是必不可少的。注射劑一致性密封驗證儀器主要通過模擬實際使用過程中注射劑
2023-10-13 13:41:44
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學(xué)蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
無刷電機在啟動的時候怎么抗負載啟動
2023-10-12 06:30:21
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2023-10-11 18:43:16
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2023-10-10 19:06:03
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2023-10-07 17:48:05
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
醫(yī)用貼劑初粘性測試儀醫(yī)用貼劑初粘性測試儀是一種專門用于測試醫(yī)用貼劑初粘性的儀器。初粘性是指物體表面在粘合前的粘附能力，對于醫(yī)用貼劑來說，初粘性是評價其質(zhì)量和效果的重要指標之一。本文將介紹醫(yī)用貼劑初
2023-09-28 14:15:10
本文簡單介紹了自抗擾控制技術(shù)和它是如何從經(jīng)典PID控制技術(shù)演變出新型實用控制技術(shù)的基本想法和關(guān)鍵技術(shù)。自抗擾控制器(Auto/Active DisturbancesRejection
2023-09-28 06:04:51
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
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2023-08-29 11:16:300 各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù)，旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407 我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實時地原位監(jiān)測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 綠色目標。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經(jīng)驗，Siconnex已成長為可持續(xù)濕法工藝設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商?？沙掷m(xù)發(fā)展和環(huán)境健康是我們的基因
2023-08-18 17:56:34320 
，內(nèi)層線路加工是把需要的圖形用干膜或濕膜保護起來，將不需要留下來的銅箔用酸性藥水蝕刻掉。
現(xiàn)有線路板上線路的線寬/間距一般都是一次性曝光-蝕刻形成的，由于化學(xué)蝕刻過程中的水池效應(yīng)，致使金屬線路產(chǎn)生側(cè)蝕
2023-08-18 10:08:02
半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 3D點云目標跟蹤的評價指標，可以根據(jù)跟蹤的目標是單個還是多個，分為單目標跟蹤（SOT）和多目標跟蹤（MOT）兩種。一般來說，SOT的評價指標主要關(guān)注跟蹤的準確性和魯棒性，而MOT的評價指標則需要考慮跟蹤的完整性和一致性。
2023-08-02 12:38:04630 刻蝕和蝕刻實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進行一對一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
控制。理論上，如果要精確地界定蝕刻的質(zhì)量，那么必須保證線寬的一致性和側(cè)蝕程度，即蝕刻因子（側(cè)蝕寬度與蝕刻深度之比稱為蝕刻因子）。
通常我們的蝕刻精度公差是10mil及以下的線寬按照+/-1mil來控制
2023-06-25 10:25:55
控制。理論上，如果要精確地界定蝕刻的質(zhì)量，那么必須保證線寬的一致性和側(cè)蝕程度，即蝕刻因子（側(cè)蝕寬度與蝕刻深度之比稱為蝕刻因子）。
通常我們的蝕刻精度公差是10mil及以下的線寬按照+/-1mil來控制
2023-06-25 09:57:07
上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機, 實現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計將在互補金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
,負載量,微蝕劑含量等都是要注意的項目；
6.沉銅返工不良：
一些沉銅或圖形轉(zhuǎn)后的返工板在返工過程中因為褪鍍不良,返工方法不對或返工過程中微蝕時間控制不當?shù)然蚱渌蚨紩斐砂迕嫫鹋?；沉銅板的返工如果在
2023-06-09 14:44:53
：線路電鍍和全板鍍銅，現(xiàn)敘述如下。 1、線路電鍍 該工藝中只在設(shè)計有電路圖形和通孔的地方接受銅層的生成和蝕刻阻劑金屬電鍍。在線路電鍍過程中，線路和焊墊每一側(cè)增加的寬度與電鍍表面增加的厚度大體相當，因此
2023-06-09 14:19:07
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 。我想避免它，在設(shè)備啟動時我希望中繼是休息的。
我想我需要使用下拉電阻來避免啟動時引腳處于低電平狀態(tài)。我不明白在哪里插入抗蝕劑。
你能告訴我這個方案嗎？
現(xiàn)有的引腳上有一個上拉或下拉電阻。一旦
2023-06-02 06:22:48
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學(xué)機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 。光線穿過薄膜的透明部分，使下面的銅上的光致抗蝕劑硬化。繪圖儀的黑色墨水可防止光線到達不希望硬化的區(qū)域，因此將其清除?！ “鍦蕚浜煤?，用堿性溶液洗滌，以除去任何未硬化的光致抗蝕劑。最后的壓力清洗將去
2023-04-21 15:55:18
及鋼的蝕刻劑。它適用于絲網(wǎng)漏印油墨、液體光致抗蝕劑和鍍金印制電路版電路圖形的蝕刻。用三氯化鐵為蝕刻劑的蝕刻工藝流程如下： 預(yù)蝕刻檢查→蝕刻→水洗→浸酸處理→水洗→干燥→去抗蝕層→熱水洗→水沖洗
2023-04-20 15:25:28
[技術(shù)領(lǐng)域] 本實用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)品
2023-04-20 13:57:0074 【摘要】 在半導(dǎo)體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性?！娟P(guān)鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
注射劑膠塞穿刺力試驗儀（滿足YBB00042005-2015）醫(yī)用注射針、醫(yī)用材料的穿刺力檢測，也是一項非常重要的檢測項目，我們以醫(yī)用膠塞來舉例說明，膠塞可與西林瓶、注射器、輸液袋、輸液瓶、真空采血
2023-04-04 10:56:38
清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
經(jīng)過多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術(shù)正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導(dǎo)體的物理特性會根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251 
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
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