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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>用于微系統(tǒng)的先進光刻膠技術(shù)

用于微系統(tǒng)的先進光刻膠技術(shù)

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買完ASML***,又“國有化”光刻膠龍頭,日本的野心藏不住了

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制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500)潔凈室,在光刻區(qū)域,潔凈室要求10級或更高。
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關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

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在曝光過程中,掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1,分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離,隨著曝光次數(shù)的增加,會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788

一文解析半導(dǎo)體設(shè)計電路的“光刻工藝”

利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062

光刻膠光刻機的區(qū)別

光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
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如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄,需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景,較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:16131

基于SEM的電子束光刻技術(shù)開發(fā)及研究

電子束光刻(e-beam lithography,EBL)是無掩膜光刻的一種,它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠(抗蝕劑)表面繪制形成與設(shè)計圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
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不同材料在晶圓級封裝中的作用

共讀好書 本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項材料,從光刻膠中的樹脂,到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑,這些材料均在晶圓級封裝中發(fā)揮著重要作用。 光刻膠(Photoresists, PR
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2023年中國光刻膠行業(yè)市場前景及投資研究報告

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2024-01-19 08:31:24340

德累斯頓工廠的電子束光刻系統(tǒng)

來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 投資半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)新的生產(chǎn)設(shè)備 Jenoptik公司計劃投資數(shù)億歐元,為目前在德累斯頓建設(shè)的高科技工廠建造最先進系統(tǒng)。新型電子束光刻系統(tǒng)(E-Beam)將用于為半導(dǎo)體
2024-01-15 17:33:16176

光刻膠分類與市場結(jié)構(gòu)

光刻膠主要下游應(yīng)用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用,占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%,是第三達應(yīng)用場景。
2024-01-03 18:12:21346

改進芯片技術(shù)的關(guān)鍵因素——光刻技術(shù)

使用13.5nm波長的光進行成像的EUV光刻技術(shù)已被簡歷。先進的邏輯產(chǎn)品依賴于它,DRAM制造商已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)。
2023-12-29 15:22:31172

全球光刻膠市場預(yù)計收入下滑,2024年有望反彈

所謂的“光刻膠”,即是在紫外線、電子束等輻射下,其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素,廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多,此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠,將成為各廠商關(guān)注的焦點。
2023-12-28 11:14:34379

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結(jié)構(gòu)圖

光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中,k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度,ASML認(rèn)為其物理極限在0.25,k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326

詳解***結(jié)構(gòu)及工作原理

到硅片上。光刻機主要由光源、凸透鏡、光刻膠和控制系統(tǒng)等組成,其中光源發(fā)出紫外線或可見光,凸透鏡將光線聚焦到光刻膠上,而控制系統(tǒng)則控制光刻膠的曝光時間和光線的強度等參數(shù)。 光刻機的工作原理是基于光學(xué)投影技術(shù)的。它利用光學(xué)系統(tǒng)將電路設(shè)計的圖案
2023-12-18 08:42:12278

晶圓級封裝(WLP)的各項材料及其作用

本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項材料,從光刻膠中的樹脂,到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑,這些材料均在晶圓級封裝中發(fā)揮著重要作用。
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勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)?

勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù),那么我們在勻膠時,是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質(zhì)?
2023-12-15 09:35:56442

光刻膠價格上漲,韓國半導(dǎo)體公司壓力增大

光刻膠類別的多樣化,此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品,也是未來各地廠家的競爭焦點。當(dāng)前市場中,光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408

萬潤股份在半導(dǎo)體制造材料領(lǐng)域穩(wěn)步推進,涉足光刻膠單體、PI等業(yè)務(wù)

近期,萬潤股份在接受機構(gòu)調(diào)研時透露,其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹脂系列”項目已經(jīng)順利投入運營。該項目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334

數(shù)字后端先進工藝知識科普

DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù),先進工藝下,如果用DUV,光的波長已經(jīng)無法直接刻出
2023-12-01 10:20:03596

韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

據(jù)報道,韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠,并通過了SK海力士的性能驗證,這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433

光刻膠國內(nèi)市場及國產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283

韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠,可助力3D NAND閃存制造

 據(jù)悉,skmp開發(fā)的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米,與東進半導(dǎo)體(DONGJIN SEMICHEM)向三星提供的產(chǎn)品相似。日本jsr公司的類似產(chǎn)品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258

不僅需要***,更需要光刻膠

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹脂,溶劑PGMEA…此外,生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如,2019年,某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:48550

全球主要晶圓廠制程節(jié)點技術(shù)路線圖

雕刻電路圖案的核心制造設(shè)備是光刻機,它的精度決定了制程的精度。光刻機的運作原理是先把設(shè)計好的芯片圖案印在掩膜上,用激光穿過掩膜和光學(xué)鏡片,將芯片圖案曝光在帶有光刻膠涂層的硅片上,涂層被激光照到之處則溶解,沒有被照到之處保持不變,掩膜上的圖案就被雕刻到芯片光刻膠涂層上。
2023-11-24 12:27:061287

西隴科學(xué)9天8板,回應(yīng)稱“未生產(chǎn)、銷售光刻膠

 20日,西隴科學(xué)(株)發(fā)布公告稱,該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠,占公司營業(yè)收入的比例,是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315

金屬Cr詳解

光刻過程中,鉻被用作掩膜版的關(guān)鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學(xué)密度,可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻,在其上涂覆一層光刻膠,再使用電子束光刻,顯影,在光刻膠上做出預(yù)期的圖形,之后進行Cr的刻蝕,最后去除光刻膠,即可得到掩膜版。
2023-11-20 17:07:57836

光刻膠黏度如何測量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11571

關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹

EUV 超薄 (≤10nm)尺度的光刻膠:隨著特征尺寸的縮小,光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊,以防止聚集和分離。新的設(shè)計結(jié)構(gòu)將需要超薄光刻膠和底層組合。
2023-11-06 11:23:15402

晶瑞電材子公司引入戰(zhàn)投中石化資本,定增募資8.5億元加碼光刻膠項目

股,募集資金人民幣850,000,002.24元,用于瑞紅蘇州先進制程工藝半導(dǎo)體光刻膠及配套試劑業(yè)務(wù)的研發(fā)、采購、生產(chǎn)和銷售及相關(guān)投資。
2023-11-02 10:59:26555

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠市場格局發(fā)展現(xiàn)狀

生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用)、樹脂、溶劑和其他添加劑等,我國由于資金和技術(shù)的差距,如感光劑、樹脂等被外企壟斷,所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138

什么是先進封裝?先進封裝技術(shù)包括哪些技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展,從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級封裝(SiP)等新的封裝方式,從技術(shù)實現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝(FlipChip),凸塊(Bumping),晶圓級封裝(Waferlevelpackage),2.5D封裝(interposer,RDL等),3D封裝(TSV)等先進封裝技術(shù)。
2023-10-31 09:16:29836

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359

具有獨特底部輪廓的剝離光刻膠的開發(fā)

金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中,如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是,采用剝離法的優(yōu)點是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中,經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后,光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān),而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271

PCB激光投影光刻照明系統(tǒng)的設(shè)計

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PCB激光投影光刻照明系統(tǒng)的設(shè)計.pdf》資料免費下載
2023-10-23 09:38:181

光刻區(qū)為什么選黃光燈?為什么不使用紅光或綠光?

黃光的波長遠(yuǎn)離UV范圍,因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線,從而保護光敏材料免受不必要的曝光。
2023-10-11 15:14:33747

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674

芯片和線路板的光刻技術(shù)不同?差別在哪里?

線路板的光刻技術(shù)
2023-09-21 10:20:34607

EUV薄膜容錯成本高 成芯片良率的關(guān)鍵

近20年來,EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12562

芯片封裝為什么要用到*** 封裝***與芯片***的區(qū)別

在芯片制造過程中,光刻用于在硅片上形成光刻膠圖形,作為制造電路的模板。光刻機使用紫外光或其他光源照射硅片上的光刻膠,并通過投影光學(xué)系統(tǒng)將圖形投射到硅片上,以形成所需的微小結(jié)構(gòu)和圖案。
2023-09-12 14:34:372325

EUV光刻膠開發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)?

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當(dāng)受到EUV光子照射時會發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度(LER)、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349

濕法去膠液的種類有哪些?去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?

光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上,但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠,那么這個時候去膠液就發(fā)揮了作用,那么去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
2023-09-06 10:25:011152

年產(chǎn)千噸電子級光刻膠原材料,微芯新材生產(chǎn)基地簽約湖州

湖州國資消息,寧波微芯新材料科技有限公司的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地項目總投資3.5億元人民幣,用地35畝,年產(chǎn)1000噸的電子級光刻膠原材料(光刻膠樹脂、高等級單體等核心材料)基地建設(shè)?!比窟_到,預(yù)計年產(chǎn)值可達到約5億元。
2023-08-21 11:18:26942

光刻膠產(chǎn)業(yè)大會在邳舉行,上達電子等與會!

會上,經(jīng)開區(qū)分別同4家企業(yè)就功率器件IC封測項目、超級功率電池及鋰電池PACK產(chǎn)線項目、氫能產(chǎn)業(yè)集群項目、高性能電池項目進項現(xiàn)場簽約。會議還舉行了《2023勢銀光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍皮書》發(fā)布儀式。
2023-08-16 15:30:38483

光刻技術(shù)概述及其分類

光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù),是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項工藝。簡單地說,光刻類似照相復(fù)制方法,即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面,然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下對硅片進行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531480

EUV光刻市場高速增長,復(fù)合年增長率21.8%

EUV掩膜,也稱為EUV掩?;駿UV光刻掩膜,對于極紫外光刻(EUVL)這種先進光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02396

先進封裝關(guān)鍵技術(shù)之TSV框架研究

)、凸塊制作(Bumping)及硅通孔(TSV)等工藝技術(shù),涉及與晶圓制造相似的光刻、顯影、刻蝕、剝離等工序步驟。
2023-08-07 10:59:46852

昇印光電完成超億元融資,開發(fā)原理級創(chuàng)新技術(shù):嵌入式納米印刷

當(dāng)談到該創(chuàng)新工藝時,不可避免地要與傳統(tǒng)的光刻工藝體系進行對比。光刻工藝體系是一種減法工藝:首先要在襯底表面沉積一層材料,例如銅;然后在材料層表面涂布一層光刻膠;接著將光刻膠圖形化曝光并顯影,形成有圖案的光刻覆蓋區(qū)域
2023-07-29 11:01:50835

深紫外光刻復(fù)雜照明光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計

摘要 :隨著微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,我國迫切需要研制極大規(guī)模集成電路的加工設(shè)備-光刻機。曝光波長為193nm的投影式光刻機因其技術(shù)成熟、曝光線寬可延伸至32nm節(jié)點的優(yōu)勢已成為目前光刻領(lǐng)域的主流設(shè)備
2023-07-17 11:02:38592

光刻掩膜版測溫儀,光刻機曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀

GK-1000光刻掩膜版測溫儀,光刻機曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀光刻機是一種用于納米加工的設(shè)備,主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS(微機電系統(tǒng))等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機是一種光學(xué)投影技術(shù),通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07

虹科案例 | 用于低成本改造光刻設(shè)備的UV紫外光源

? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中,光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵,然后投射到光刻膠層上,形成所需的微細(xì)圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026

3D IC對光刻技術(shù)的新技術(shù)要求

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-30 10:06:02261

基于機器學(xué)習(xí)的逆向光刻技術(shù)

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-29 10:02:17327

日本光刻膠巨頭JSR同意國家收購

JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一,其產(chǎn)品是制造先進芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597

光刻對準(zhǔn)原理與精度控制

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-26 17:00:19766

制造集成電路的版圖基本知識

光刻膠工藝過程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來,該涂層材料為正性光刻膠。
2023-06-25 15:32:114559

光刻中承上啟下的半導(dǎo)體掩膜版

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中,除了光刻機等設(shè)備外,光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來說,這個承載設(shè)計圖形的材料,經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984

硅基光刻技術(shù)在柔性電子器件制造中的應(yīng)用

近日,湖南大學(xué)段輝高教授團隊通過開發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝,用于柔性及不規(guī)則(曲面、懸空)襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造,為高精度、高可靠性和高穩(wěn)定性柔性電子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507

ASML***發(fā)展歷程 ***核心系統(tǒng)設(shè)計流程

光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機主要用于封裝測試,實現(xiàn)高性能的先進封裝,技術(shù)難度相對較小。
2023-06-15 11:14:533429

面向光刻的設(shè)計規(guī)則建立及優(yōu)化

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-14 10:16:38226

光刻膠國內(nèi)頭部企業(yè)阜陽欣奕華完成超5億元D輪融資

領(lǐng)投,中電中金、建投投資、合肥創(chuàng)新投、阜合基金、阜芯光電、物產(chǎn)中大、海智投資、龍鼎資本、齊芯資本、嘉和盛、上海昱熒等跟投。光源資本擔(dān)任獨家財務(wù)顧問。本輪資金用于進一步加大光刻膠、OLED 材料的研發(fā)與擴大再生產(chǎn),提升企業(yè)核心競爭力,以搶
2023-06-13 16:40:00552

3D NAND沉積技術(shù)的特點及挑戰(zhàn)

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-12 11:15:17279

半導(dǎo)體制備的主要方法

光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一,常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠,隨后對其進行預(yù)熱。接著,選擇一種光源(如深紫外光或X光)透過預(yù)先設(shè)計好的掩模圖案照射在硅片
2023-06-09 11:36:522037

芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機主要用于封裝測試,實現(xiàn)高性能的先進封裝,技術(shù)難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205857

重點闡述濕法刻蝕

光刻工藝后,在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形,下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688

知識分享---光刻模塊標(biāo)準(zhǔn)步驟

通常,光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的,其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進行表征,以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像,并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418

光刻膠產(chǎn)業(yè)天價離婚案!分割市值高達140億元

來源:每日經(jīng)濟新聞,記者:程雅 編輯:張海妮,謝謝 編輯:感知芯視界 5月24日晚,國產(chǎn)光刻膠大廠彤程新材發(fā)布公告稱,于近日收到實控人Zhang Ning與Liu Dong Sheng的通知,二人
2023-05-29 09:33:44187

逆向光刻的原理及其優(yōu)勢

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。
2023-05-26 14:59:17528

化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量,感光速度越快,單位時間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高,經(jīng)濟效益越好,另-方面,過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小,影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:09561

光刻技術(shù):光學(xué)關(guān)鍵尺寸測量(OCD)原理

  集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展,其中最為關(guān)鍵的一個參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條寬度與設(shè)計尺寸的偏離都會直接影響最終器件的性能
2023-05-24 09:25:193491

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟,預(yù)計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。
2023-05-18 15:49:041790

用于***照明均勻化的微柱面鏡陣列設(shè)計

在投影光刻機照明系統(tǒng)中,均勻照明是保證加工出的線條線寬均勻一致的一項重要技術(shù)。通常,用于光刻機照明系統(tǒng)的勻光元件有積分棒、衍射光學(xué)元件和微透鏡陣列。積分棒勻光的缺點是,限制了照明最大孔徑角
2023-05-17 14:52:061061

采用光刻膠犧牲層技術(shù)改善薄膜電路制備工藝

改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜,在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來,不再進行濕法刻蝕,避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的影響,同時,基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠,避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218

一文講透光刻膠及芯片制造關(guān)鍵技術(shù)

在集成電路制造領(lǐng)域,如果說光刻機是推動制程技術(shù)進步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122

全面解讀光刻膠工藝制造流程

光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩(掩模版)轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689

開源鴻蒙OpenHarmony系統(tǒng)已成功用于納衛(wèi)星

工作組) 組長、大連理工大學(xué)于曉洲教授在題為“納衛(wèi)星技術(shù)與 OpenHarmony 實時操作系統(tǒng)”的主題報告中宣布, OpenHarmony 操作系統(tǒng)已經(jīng)成功應(yīng)用于中國科學(xué)院微小衛(wèi)星創(chuàng)新研究院“電磁組裝試驗
2023-04-26 13:59:54

淺談光刻技術(shù)

在整個芯片制造過程中,幾乎每一道工序的實施都離不開光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍寶石。
2023-04-25 11:11:331243

光刻技術(shù)的詳細(xì)工序

清洗硅片(Wafer Clean) 清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷,提高光刻膠黏附性 基本步驟:化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859

光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260

什么是光刻技術(shù)

光刻技術(shù)簡單來講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程,是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù),CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261

光刻技術(shù)簡述

光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過程
2023-04-25 09:55:131057

中國最先進的***是多少納米?

中國在芯片制造領(lǐng)域一直在追趕先進技術(shù),雖然在一些關(guān)鍵技術(shù)方面還存在一定差距,但近年來中國在光刻機領(lǐng)域取得了一些進展,下面將詳細(xì)介紹中國目前最先進光刻機是多少納米。
2023-04-24 15:10:0159466

PCB制造過程分步指南

。  此步驟僅適用于兩層以上的電路板。簡單的兩層板可跳過鉆孔。多層板需要更多步驟?! 〔襟E4:移除不需要的銅  去除光刻膠并用硬化的光刻膠覆蓋我們希望保留的銅之后,電路板將繼續(xù)進行下一階段:去除不需要
2023-04-21 15:55:18

負(fù)光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā),必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164

一種用于先進封裝的圓臺硅通孔的刻蝕方法

在集成電路的制造階段延續(xù)摩爾定律變得越發(fā)困難,而在封裝階段利用三維空間可以視作 對摩爾定律的拓展。硅通孔是利用三維空間實現(xiàn)先進封裝的常用技術(shù)手段,現(xiàn)有技術(shù)中對于應(yīng)用于 CMOS 圖像傳感器件封裝
2023-04-12 14:35:411569

高端光刻膠通過認(rèn)證 已經(jīng)用于50nm工藝

此前該公司指出,公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線,具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力,目前公司送樣驗證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:32920

音圈電機模組在主流光刻掩模臺系統(tǒng)中的應(yīng)用

一樣。像上文提及的EUV光刻機則是用于生產(chǎn)芯片的光刻機,此外還有封裝芯片的光刻機以及用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機。 近幾年,我國本土企業(yè)在光刻機的研制方面正一步一個腳印地穩(wěn)步前進,拿上海微電子裝備股份有限公司來說,近幾年,其先
2023-04-06 08:56:49679

JSM4435

該P溝道MOSFET采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以低柵電荷提供優(yōu)良的RDS(on),可用于多種應(yīng)用。
2023-03-28 12:45:11

被卡脖子的半導(dǎo)體設(shè)備(萬字深度報告)

光刻是將設(shè)計好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上,通過曝光、顯影將目標(biāo)圖形印刻到特定材料上的技術(shù)。光刻工藝包括三個核心流程:涂膠、對準(zhǔn)和曝光以及光刻膠顯影,整個過程涉及光刻機,涂膠顯影機、量測設(shè)備以及清洗設(shè)備等多種核心設(shè)備,其中價值量最大且技術(shù)壁壘最高的部分就是光刻機。
2023-03-25 09:32:394952

GTC 2023 NVIDIA將加速計算引入半導(dǎo)體光刻 計算光刻技術(shù)提速40倍

為2nm及更先進芯片的生產(chǎn)提供更強大的助力。 計算光刻是芯片設(shè)計和制造領(lǐng)域中最大的計算工作負(fù)載,每年消耗數(shù)百億CPU小時。而NVIDIA cuLitho計算光刻庫利用GPU技術(shù)實現(xiàn)計算光刻,可以極大的降低功耗、節(jié)省時間。 目前臺積電、光刻機制造商阿斯麥,以及EDA巨頭新思科技都已經(jīng)導(dǎo)入
2023-03-23 18:55:377489

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