電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）提及芯片制造技術，首先想到的自然是光刻機和光刻技術。眾所周知在芯片行業(yè)，光刻是芯片制造過程中最重要、最繁瑣、最具挑戰(zhàn)也最昂貴的一項工藝步驟。在光刻機的支持下，摩爾定律
2023-07-16 01:50:15
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光刻機經歷了5代產品發(fā)展，每次改進和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機發(fā)展到浸沒步進式投影光刻機和極紫外式光刻機。
2024-03-21 11:31:4142 
制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:0060 
與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢撔?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。
2024-03-20 11:36:50195 
本文從光刻圖案設計、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見問題。
2024-03-17 14:33:52174 
在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788 
利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18399 光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:16131 
電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設計圖形相符的微納結構。
2024-03-04 10:19:28206 
據(jù)吳中發(fā)布的最新消息，簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目，該項投資高達15億元，旨在新建半導體光刻膠及其配套試劑的生產基地。
2024-01-26 09:18:43207 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，是半導體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升，中國有望承接半導體
2024-01-19 08:31:24340 
光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21346 
如果我們假設光刻機成本為 3.5 億至 4 億美元，并且 2024 年 10 個光刻機的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。
2023-12-28 11:31:39406 所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素，廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關注的焦點。
2023-12-28 11:14:34379 光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質？
2023-12-15 09:35:56442 
光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 本期和大家分享下關于涂層附著力的原理和影響因素，首先我們都知道涂層和基材之間是可以通過機械咬合、物理吸附、形成氫鍵和化學鍵、互相擴散等作用結合在一起，由于這些作用產生的附著力，決定了涂層與基材的附著力。
2023-12-14 10:05:32415 近期，萬潤股份在接受機構調研時透露，其“年產65噸半導體用光刻膠樹脂系列”項目已經順利投入運營。該項目旨在為客戶提供專業(yè)的半導體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328 光學模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學成像理論，預先計算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機的光學成像。光學模型中，經過優(yōu)化的光源，通過光刻機的照明系統(tǒng)，照射在掩模上。如果在實際光刻
2023-12-11 11:35:32288 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
據(jù)報道，韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務，收購后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠，并通過了SK海力士的性能驗證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術開發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。
2023-11-29 10:28:50283 
據(jù)悉，skmp開發(fā)的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米，與東進半導體（DONGJIN SEMICHEM）向三星提供的產品相似。日本jsr公司的類似產品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258 為了生產高純度、高質量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:48550 20日，西隴科學（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產銷售礦產品。公司生產及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315 在光刻過程中，鉻被用作掩膜版的關鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層光刻膠，再使用電子束光刻，顯影，在光刻膠上做出預期的圖形，之后進行Cr的刻蝕，最后去除光刻膠，即可得到掩膜版。
2023-11-20 17:07:57836 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
第六屆進博會于近日在上海國家會展中心正式收官，ASML2023進博之旅也圓滿落幕! 今年，ASML繼續(xù)以“光刻未來，攜手同行”為主題，攜全景光刻解決方案驚艷亮相，還創(chuàng)新性地帶來了“芯”意滿滿的沉浸
2023-11-11 15:23:53595 
EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構成光刻膠的分子必須是單組分、小的構建塊，以防止聚集和分離。新的設計結構將需要超薄光刻膠和底層組合。
2023-11-06 11:23:15402 
如何保持pcb銅箔附著力？
2023-11-06 10:03:18552 股，募集資金人民幣850,000,002.24元，用于瑞紅蘇州先進制程工藝半導體光刻膠及配套試劑業(yè)務的研發(fā)、采購、生產和銷售及相關投資。
2023-11-02 10:59:26555 生產光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（光增感劑、光致產酸劑幫助其更好發(fā)揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138 
熱噴涂附著力測試通過施加拉力來評估熱噴涂涂層與基材之間的結合強度，以確保涂層牢固粘附在基材上。
2023-11-01 10:08:39416 
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設計過程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:55615 。 在材料科學和工程領域，涂層附著力的測試成為了一個重要的研究領域。測試涂層的附著力不僅可以提供有關材料性能的重要信息，還有助于改進產品設計和生產工藝，以滿足不斷演進的市場需求。 本文科準測控小編將深入探討如何
2023-10-30 09:57:21220 
光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關鍵耗材，其質量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。
2023-10-26 15:10:24359 
金屬圖案的剝離方法已廣泛應用于各種電子器件的制造過程中，如半導體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經過涂層、曝光和開發(fā)過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185 
光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學反應，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271 
FPC電鍍的前處理 柔性印制板FPC經過涂覆蓋層工藝后露出的銅導體表面可能會有膠黏劑或油墨污染，也還會有因高溫工藝產生的氧化、變色，要想獲得附著力良好的緊密鍍層必須把導體表面的污染和氧化層去除，使導體表面清潔。
2023-10-12 15:18:24342 黃光的波長遠離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護光敏材料免受不必要的曝光。
2023-10-11 15:14:33747 光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業(yè)的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。
2023-10-09 14:34:491674 
光刻是通過一系列操作，除去外延片表面特定部分的工藝，在半導體器件和集成電路制作中起到極為關鍵的作用。
2023-10-08 10:11:23696 貼膏附著力試驗機貼膏劑黏著力試驗設備是一種用于測試貼膏劑產品黏附性能的專業(yè)設備。通過該設備，我們能夠準確地評估貼膏劑在皮膚或其他表面的粘附力，以確定其質量和適用性。本文將詳細介紹貼膏劑黏著力試驗設備
2023-09-28 15:00:33
電暈處理機在學術上被成為介質阻擋放電。主要用于塑料薄膜類或塑料板材類制品以及金屬鋁箔、銅箔鍍鋁膜等金屬箔的表面電暈處理，提升材質的表面活性，附著力，達因值。
2023-09-25 16:42:453086 
線路板的光刻技術
2023-09-21 10:20:34607 
EUV光刻膠材料是光敏物質，當受到EUV光子照射時會發(fā)生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349 
光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586 
2000年代初，芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬（ArF）光源光刻技術過渡到157納米氟（F 2 ）光源光刻技術。
2023-08-23 10:33:46798 
湖州國資消息，寧波微芯新材料科技有限公司的半導體材料生產基地項目總投資3.5億元人民幣，用地35畝，年產1000噸的電子級光刻膠原材料（光刻膠樹脂、高等級單體等核心材料）基地建設?！比窟_到，預計年產值可達到約5億元。
2023-08-21 11:18:26942 會上，經開區(qū)分別同4家企業(yè)就功率器件IC封測項目、超級功率電池及鋰電池PACK產線項目、氫能產業(yè)集群項目、高性能電池項目進項現(xiàn)場簽約。會議還舉行了《2023勢銀光刻膠產業(yè)發(fā)展藍皮書》發(fā)布儀式。
2023-08-16 15:30:38483 光刻是一種圖像復制技術，是集成電路工藝中至關重要的一項工藝。簡單地說，光刻類似照相復制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下對硅片進行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531480 
EUV掩膜，也稱為EUV掩?；駿UV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術，用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導體器件。
2023-08-07 15:55:02396 當談到該創(chuàng)新工藝時，不可避免地要與傳統(tǒng)的光刻工藝體系進行對比。光刻工藝體系是一種減法工藝：首先要在襯底表面沉積一層材料，例如銅；然后在材料層表面涂布一層光刻膠；接著將光刻膠圖形化曝光并顯影，形成有圖案的光刻覆蓋區(qū)域
2023-07-29 11:01:50835 
半導體技術的未來通常是通過光刻設備的鏡頭來看待的，盡管高度挑戰(zhàn)性的技術問題幾乎永無休止，但光刻設備仍繼續(xù)為未來的工藝節(jié)點提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:161130 
在UV三防漆各項性能中，附著力驗證是非常重要的一項內容。對UV三防漆進行附著力驗證能夠直接反應三防漆防護性能，如果常溫下UV三防漆附著力差，便保證不了長期的防護性，可靠性就更不用提了。
2023-07-12 12:57:50691 
光刻膠（光敏膠）進行光刻，將圖形信息轉移到基片上，從而實現(xiàn)微細結構的制造。光刻機的工作原理是利用光學系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
? ? 紫外光刻和曝光 是半導體行業(yè)生產各種高端芯片、微觀電路結構的核心技術。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026 
中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-30 10:06:02261 
中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-29 10:02:17327 
JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應商之一，其產品是制造先進芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597 中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-26 17:00:19766 
如今，光刻技術已成為一項容錯率極低的大產業(yè)。全球領先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強大的商用激光器之一以及比太陽表面爆炸還高的熱度，在硅上刻出微小的形狀，尺寸僅為幾納米。
2023-06-26 16:59:16569 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在上游的半導體制造產業(yè)中，除了光刻機等設備外，光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質量與良率的關鍵因素。就拿掩膜版來說，這個承載設計圖形的材料，經過曝光后將圖形信息轉移到
2023-06-22 01:27:001984 近日，湖南大學段輝高教授團隊通過開發(fā)基于“光刻膠全干法轉印”技術的新型光刻工藝，用于柔性及不規(guī)則（曲面、懸空）襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造，為高精度、高可靠性和高穩(wěn)定性柔性電子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507 
中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-14 10:16:38226 
來源：欣奕華材料 據(jù)欣奕華材料官微消息，近日，國內光刻膠龍頭企業(yè)阜陽欣奕華材料科技有限公司（以下簡稱“阜陽欣奕華”）完成超5億元人民幣 D 輪融資。 據(jù)悉，本輪融資由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00552 光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試，實現(xiàn)高性能的先進封裝，技術難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205857 
芯片前道制造可以劃分為七個環(huán)節(jié)，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。
2023-06-08 10:57:093765 
極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當今使用的最先進的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復雜的技術。
2023-06-06 11:23:54688 
通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當?shù)目刮g劑調節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418 
來源：每日經濟新聞，記者：程雅 編輯：張海妮，謝謝 編輯：感知芯視界 5月24日晚，國產光刻膠大廠彤程新材發(fā)布公告稱，于近日收到實控人Zhang Ning與Liu Dong Sheng的通知，二人
2023-05-29 09:33:44187 中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。
2023-05-26 14:59:17528 
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時間內芯片制造的產出越高，經濟效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:09561 
集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展，其中最為關鍵的一個參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條寬度與設計尺寸的偏離都會直接影響最終器件的性能
2023-05-24 09:25:193491 
EUV光刻技術仍被認為是實現(xiàn)半導體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關鍵途徑。隨著技術的不斷發(fā)展和成熟，預計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。
2023-05-18 15:49:041790 
光刻（Photolithography） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。
2023-05-17 09:30:338513 
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進行濕法刻蝕，避免了側腐蝕對線條精度和膜基結合力的影響，同時，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 
在集成電路制造領域，如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122 
光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 
通過金徠等離子體處理，可以提高金屬表面的活性，改善金屬表面的結合力、增強涂層附著力等性質，使得金屬制品的質量和性能得到明顯的改善和提升。此外，等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度，使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23526 
晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
在整個芯片制造過程中，幾乎每一道工序的實施都離不開光刻技術。光刻技術也是制造芯片最關鍵的技術，占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033 根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。
2023-04-25 11:11:331243 
清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性
基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859 
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260 
光刻技術簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規(guī)模集成電路的基礎。目前市場上主流技術是193nm沉浸式光刻技術，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261 
光刻技術是將掩模中的幾何形狀的圖案轉移到覆蓋在半導體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程
2023-04-25 09:55:131057 
光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過程，是芯片制造過程的起始階段，包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。
2023-04-25 09:22:16696 
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164 此前該公司指出，公司已建成年產5噸ArF干式光刻膠生產線、年產20噸ArF浸沒式光刻膠生產線及年產45噸的光刻膠配套高純試劑生產線，具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產能力，目前公司送樣驗證的產品均由該自建產線產出。
2023-04-11 09:25:32920 光刻機是芯片智造的核心設備之一，也是當下尤為復雜的精密儀器之一。正因為此，荷蘭光刻機智造商阿斯麥通研制的EUV光刻機才會“千金難求”。 很多人都對光刻機有所耳聞，但其實不同光刻機的用途并不
2023-04-06 08:56:49679 
光刻是將設計好的電路圖從掩膜版轉印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標圖形印刻到特定材料上的技術。光刻工藝包括三個核心流程：涂膠、對準和曝光以及光刻膠顯影，整個過程涉及光刻機，涂膠顯影機、量測設備以及清洗設備等多種核心設備，其中價值量最大且技術壁壘最高的部分就是光刻機。
2023-03-25 09:32:394952 ，如鍍金、鍍銀等。
3. 增強電鍍附著力。對于附著力差的金屬，通常在電鍍前將銅的底部抽頭，以增強附著力?？梢婋婂儯珏冦~。
4. 提高可焊性。由于原材料對錫的附著力較差，在表面電鍍一定厚度
2023-03-24 10:39:32990 GTC 2023 NVIDIA將加速計算引入半導體光刻 計算光刻技術提速40倍 NVIDIA cuLitho的計算光刻庫可以將計算光刻技術提速40倍。這對于半導體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說
2023-03-23 18:55:377489 
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