光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:16
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中圖儀器VT6000系列共聚焦高精度三維顯微鏡基于光學(xué)共軛共焦原理，結(jié)合精密縱向掃描，以在樣品表面進(jìn)行快速點(diǎn)掃描并逐層獲取不同高度處清晰焦點(diǎn)并重建出3D真彩圖像，從而進(jìn)行分析的精密光學(xué)儀器，一般用于
2024-02-21 13:55:40
光刻機(jī)是微電子制造的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛應(yīng)用于集成電路、平面顯示器、LED、MEMS等領(lǐng)域。在集成電路制造中，光刻機(jī)被用于制造芯片上的電路圖案。
2024-01-29 09:37:24359 
中圖儀器SuperViewW1白光干涉三維測(cè)量系統(tǒng)具有測(cè)量精度高、操作便捷、功能齊全、測(cè)量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)，測(cè)量單個(gè)精細(xì)器件的過(guò)程用時(shí)短，確保了高款率檢測(cè)?？蓽y(cè)各類從超光滑到粗糙、低反射率到高
2024-01-12 11:37:08
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲(chǔ)單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產(chǎn)品越來(lái)越“小而精，微薄”，半導(dǎo)體芯片和器件尺寸也日益微小，越來(lái)越微細(xì)，因此對(duì)于分析微納芯片結(jié)構(gòu)的精度要求也越來(lái)越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
引言 近年來(lái)，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門(mén)課題。因此，人們對(duì)硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運(yùn)研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不同器件時(shí)，反應(yīng)離子刻蝕法（RIE）在圖案轉(zhuǎn)移
2023-12-28 10:39:51131 
激光微納加工技術(shù)利用激光脈沖與材料的非線性作用，可以<100nm精度實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實(shí)現(xiàn)的復(fù)雜功能結(jié)構(gòu)和器件的增材制造。而激光直寫(xiě)（DLW）光刻是一項(xiàng)具有空間三維加工能力的微納加工技術(shù)，在微納集成器件制造中發(fā)揮著重要作用。
2023-12-22 10:34:20401 
在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們?cè)谥圃彀雽?dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們?cè)诠δ苌嫌兴嗨?，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對(duì)光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開(kāi)關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
現(xiàn)代激光加工，以超快激光加工為主，即使用高強(qiáng)度的超快激光進(jìn)行材料加工。具有峰值功率高、熱熔區(qū)域小、加工速度快和重復(fù)精度高的特點(diǎn)。 濱松LCOS-SLM則以其高精度的三維多點(diǎn)整形(通常使用CGH算法
2023-12-13 06:42:30169 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:39259 
在工業(yè)應(yīng)用中，SuperViewW三維光學(xué)輪廓檢測(cè)儀超0.1nm的縱向分辨能力能夠高精度測(cè)量物體的表面形貌，可用于質(zhì)量控制、表面工程和納米制造等領(lǐng)域。與其它表面形貌測(cè)量方法相比，SuperViewW
2023-11-30 10:14:52
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
中圖儀器GTS大尺寸三維空間測(cè)量?jī)x激光跟蹤儀是高精度、便攜式的空間大尺寸坐標(biāo)測(cè)量機(jī)，同時(shí)具高精度（μm級(jí)）、大工作空間（百米級(jí)）的高性能，能夠解決大型、超大型工件和大型科學(xué)裝置、工業(yè)母機(jī)等全域高精度
2023-11-15 09:26:26
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂(lè)觀的話來(lái)說(shuō)，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問(wèn)題，后面的章節(jié)將專門(mén)討論。
2023-11-14 15:23:10217 以最清晰明了的方式，圖解直觀闡述MEMS傳感器芯片的制造過(guò)程和原理！ MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫(xiě)，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號(hào)的系統(tǒng)的統(tǒng)稱。 ? 是利用微細(xì)加工技術(shù)，將機(jī)械零零件、電子電路
2023-11-02 08:37:09772 
中圖儀器SuperViewW1白光干涉三維形貌測(cè)量?jī)x用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量，以白光干涉技術(shù)為原理、結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等對(duì)器件表面進(jìn)行非接觸式掃描并建立表面3D
2023-11-01 09:39:26
SuperView W1光學(xué)三維輪廓測(cè)量?jī)x是一款用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量的檢測(cè)儀器。數(shù)秒內(nèi)可以獲得平面和曲面表面上測(cè)量所有常見(jiàn)的粗糙度參數(shù)。也可以選擇拼接功能軟件升級(jí)來(lái)組合多個(gè)
2023-10-30 09:24:38
光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫(huà)在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長(zhǎng)是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271 
WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚?？蓮V泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 
Novator系列三維全自動(dòng)影像測(cè)量?jī)x將傳統(tǒng)影像測(cè)量與激光測(cè)量掃描技術(shù)相結(jié)合，采用高精度光學(xué)成像技術(shù)和計(jì)算機(jī)數(shù)字處理技術(shù)，能夠快速、準(zhǔn)確地獲取三維物體表面形態(tài)信息，并進(jìn)行精密的尺寸、角度等多項(xiàng)測(cè)量
2023-10-08 09:17:18
提 出 了一 種 微 小 爬 壁 機(jī) 器 人 三 維 位 置 測(cè) 量 的新方 法 。筆 者 通 過(guò) 深 入 分 析 研 究各 種 位 置 測(cè) 控 方 法 與 系統(tǒng) ，提 出采 用單 目視 覺(jué)方 法
2023-09-20 07:25:43
SuperViewW1三維白光干涉表面形貌儀采用光學(xué)干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和3D重建算法組成測(cè)量系統(tǒng)，高精度測(cè)量；隔振系統(tǒng)能夠有效隔離頻率2Hz以上絕大部分振動(dòng)，消除地面振動(dòng)噪聲和空氣中聲波振動(dòng)
2023-09-13 10:30:22
SuperViewW1國(guó)產(chǎn)三維白光干涉儀以白光干涉技術(shù)原理，結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等對(duì)各種精密器件表面進(jìn)行納米級(jí)測(cè)量，通過(guò)測(cè)量干涉條紋的變化來(lái)測(cè)量表面三維形貌，專用于精密零部件之
2023-09-13 10:25:07
編輯：鐳拓激光因三維激光切割設(shè)備作為一種切割具有復(fù)雜曲面三維件的激光加工設(shè)備，解決了具有復(fù)雜輪廓的高強(qiáng)度鋼結(jié)構(gòu)部件，不管是技術(shù)角度還是經(jīng)濟(jì)角度，三維激光切割是不可或缺的切割機(jī)設(shè)備，激光加工技術(shù)憑借
2023-09-12 16:31:36947 
SuperViewW1白光干涉儀三維輪廓儀具有測(cè)量精度高、操作便捷、功能齊全、測(cè)量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)，測(cè)量單個(gè)精細(xì)器件的過(guò)程用時(shí)2分鐘以內(nèi)，確保了高款率檢測(cè)。白光干涉儀的特殊光源模式，可以廣泛適用于
2023-09-07 09:25:42
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
、光學(xué)加工、微納材料及制造、汽車零部件、MEMS器件等超精密加工行業(yè)及航空航天、科研院所等領(lǐng)域中，測(cè)量各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)
2023-09-04 11:44:34
眾所周知，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)嚴(yán)重依賴于集成電路制造中使用的材料，例如單晶硅。然而，由于金屬、玻璃和壓電陶瓷的特殊性質(zhì)，這些材料在MEMS中的使用正在迅速增加。
2023-09-01 10:19:20204 
Mars系列三坐標(biāo)三維測(cè)量?jī)x是移動(dòng)橋式的三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)。能夠?qū)Ω鞣N零件和部件的尺寸、形狀及相互位置關(guān)系進(jìn)行檢測(cè)，也可以對(duì)軟材質(zhì)或復(fù)雜零件進(jìn)行光學(xué)掃描測(cè)量。可用于機(jī)械制造、汽車工業(yè)、電子工業(yè)、航空航天
2023-08-25 15:05:36
光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過(guò)光罩的設(shè)計(jì)和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422270 結(jié)構(gòu)的相互作用，金屬納米結(jié)構(gòu)可以設(shè)計(jì)成對(duì)特定波長(zhǎng)的光表現(xiàn)出強(qiáng)烈的反應(yīng)。對(duì)于動(dòng)態(tài)、可變的顯示器，必須通過(guò)向設(shè)備施加電壓來(lái)理想地控制這些共振波長(zhǎng)的位置。來(lái)自德國(guó)的研究人員正在創(chuàng)建基于銅薄膜的設(shè)備，其中蝕刻有納米結(jié)構(gòu)，浸入電解質(zhì)溶液中
2023-08-23 06:33:33215 
傳感新品 【中山大學(xué)：基于三維組裝微針離子傳感器的生理離子波動(dòng)透皮監(jiān)測(cè)可穿戴系統(tǒng)】 新品亮點(diǎn) 1、降維加工法將片狀微針組裝成三維微針陣列； 2、基于三維微針陣列的離子傳感微針陣列系統(tǒng)包含離子傳感陣列
2023-08-21 17:19:49568 
CHOTEST中圖儀器SuperViewW1三維白光形貌干涉儀集成X、Y、Z三個(gè)方向位移調(diào)整功能的操縱手柄，可快速完成載物臺(tái)平移、Z向聚焦、找條紋等測(cè)量前工作。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造及封裝工藝檢測(cè)
2023-08-08 11:27:05
和共聚焦3D顯微形貌檢測(cè)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于涉足超精密加工領(lǐng)域的三維形貌檢測(cè)與表面質(zhì)量檢測(cè)方案。其中，VT6000系列共聚焦顯微鏡，在結(jié)構(gòu)復(fù)雜且反射率低的表面3D微觀形貌重構(gòu)與檢測(cè)方面具有不俗的表現(xiàn)。
一
2023-08-04 16:12:06
、高等數(shù)據(jù)的具體化，還可以精確測(cè)量工件的表面平面度。 CHOTEST中圖儀器Novator系列三維光學(xué)影像測(cè)量?jī)x是全自動(dòng)影像測(cè)量?jī)x，將傳統(tǒng)影像測(cè)量與激光測(cè)
2023-07-31 09:05:19
CHOTEST中圖儀器SuperViewW1白光干涉表面三維輪廓儀通過(guò)測(cè)量干涉條紋的變化來(lái)測(cè)量表面三維形貌，是一款對(duì)各種精密器件表面進(jìn)行納米級(jí)測(cè)量的儀器，專用于精密零部件之重點(diǎn)部位表面粗糙度、微小
2023-07-20 13:55:55
蔡司用于亞10納米級(jí)應(yīng)用的離子束顯微鏡ORION NanoFab,集 3 種聚焦離子束于一身的顯微鏡，可以實(shí)現(xiàn)亞 10 nm 結(jié)構(gòu)的超高精度加工快速、精準(zhǔn)的亞 10 納米結(jié)構(gòu)加工。借助 ORION
2023-07-19 15:45:07244 
GK-1000光刻掩膜版測(cè)溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過(guò)將光線通過(guò)
2023-07-07 11:46:07
激光跟蹤三維測(cè)量?jī)x在大尺度空間測(cè)量工業(yè)科學(xué)儀器中具有高精度和重要性，是同時(shí)具有μm級(jí)別精度、百米工作空間的高性能光電儀器。 在大尺寸精密測(cè)量領(lǐng)域，激光跟蹤儀具有測(cè)量范圍大、精度高、功能多
2023-06-29 14:26:42
都使用Cl基蝕刻化學(xué)物質(zhì)。當(dāng)在等離子體放電中分解時(shí)，CCl為還原物質(zhì)提供了來(lái)源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應(yīng)。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:441053 
的尺寸、形狀及相互位置關(guān)系進(jìn)行檢測(cè)，也可以對(duì)軟材質(zhì)或復(fù)雜零件進(jìn)行光學(xué)掃描測(cè)量。 中圖儀器MarsClassic系列三維掃描儀移動(dòng)橋架三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是開(kāi)
2023-06-25 10:54:11
在數(shù)字化的大背景下，電池結(jié)構(gòu)的數(shù)字化建模和管控成為研究熱點(diǎn)。過(guò)去二十年中，層析成像工具的快速發(fā)展為研究人員提供了常規(guī)表征電池電極微結(jié)構(gòu)的工具。鋰離子電池材料的電化學(xué)和機(jī)械性能很大程度上取決于其三維微觀結(jié)構(gòu)特性，了解隨機(jī)微觀結(jié)構(gòu)的定量影響對(duì)于預(yù)測(cè)材料特性和指導(dǎo)合成過(guò)程以及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)至關(guān)重要。
2023-06-21 15:29:33500 
激光跟蹤儀是建立在激光和自動(dòng)控制技術(shù)基礎(chǔ)上的一種高精度三維測(cè)量系統(tǒng)，主要用于大尺寸空間坐標(biāo)測(cè)量領(lǐng)域。它集中了激光干涉測(cè)距、角度測(cè)量等先進(jìn)技術(shù)，基于球坐標(biāo)法測(cè)量原理，通過(guò)測(cè)角、測(cè)距實(shí)現(xiàn)三維坐標(biāo)的精密
2023-06-20 10:16:46
Mars系列三維坐標(biāo)測(cè)量機(jī)是移動(dòng)橋式的三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)。采用中圖儀器自主研發(fā)的設(shè)計(jì)與測(cè)量系統(tǒng)，提供了測(cè)量機(jī)的高精度性能，測(cè)量行程500*700*500mm延伸到900*1200*600mm，結(jié)合多樣化
2023-06-20 10:12:21
上海伯東美國(guó)?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
顯重要。通過(guò)對(duì)三維形貌的測(cè)量可以比較全面地評(píng)定表面質(zhì)量的優(yōu)劣，進(jìn)而確認(rèn)加工方法的好壞及設(shè)計(jì)要求的合理性，這樣就可以反過(guò)來(lái)通過(guò)指導(dǎo)加工、優(yōu)化加工工藝以加工出高質(zhì)量的
2023-06-14 14:09:27
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
在材料生產(chǎn)檢測(cè)領(lǐng)域中，共聚焦顯微鏡主要測(cè)量表面物理形貌，進(jìn)行微納米尺度的三維形貌分析，如3D表面形貌、2D的縱深形貌、輪廓（縱深、寬度、曲率、角度）、表面粗糙度等。與傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡相比，它具有更高
2023-05-25 11:27:02
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽(yáng)能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
中圖儀器GTS激光三維跟蹤測(cè)量?jī)x集激光干涉測(cè)距技術(shù)、光電檢測(cè)技術(shù)、精密機(jī)械技術(shù)、計(jì)算機(jī)及控制技術(shù)、現(xiàn)代數(shù)值計(jì)算理論于一體，主要用于百米大尺度空間三維坐標(biāo)的精密測(cè)量。功能強(qiáng)的主機(jī)測(cè)量系統(tǒng)1.集成化控制
2023-05-16 16:34:32
。 中圖儀器Novator二次元三維影像測(cè)量?jī)x將傳統(tǒng)影像測(cè)量與激光測(cè)量掃描技術(shù)相結(jié)合，還支持頻閃照明和飛拍功能，可進(jìn)行高速測(cè)量，大幅提升測(cè)量效率；具有可獨(dú)立升降和
2023-05-15 11:29:26
光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 
晶圓廠通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
以共聚焦技術(shù)為原理的共聚焦顯微鏡，是用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行微納米級(jí)測(cè)量的檢測(cè)儀器。 中圖儀器VT6000系列三維光學(xué)輪廓共聚焦材料顯微鏡基于共聚焦顯微技術(shù)，結(jié)合精密Z向掃描模塊
2023-04-20 10:52:25
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
4月10日，創(chuàng)想三維2023年度戰(zhàn)略供應(yīng)商大會(huì)在惠州成功舉辦，高可靠多層板制造商華秋出席了本次活動(dòng)并取得了《優(yōu)秀質(zhì)量獎(jiǎng)》一獎(jiǎng)項(xiàng)。大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，創(chuàng)想三維董事長(zhǎng)陳春指出公司的持續(xù)發(fā)展與供應(yīng)鏈高質(zhì)量的交付
2023-04-14 11:29:30
4月10日，創(chuàng)想三維2023年度戰(zhàn)略供應(yīng)商大會(huì)在惠州成功舉辦，高可靠多層板制造商華秋出席了本次活動(dòng)并取得了《優(yōu)秀質(zhì)量獎(jiǎng)》一獎(jiǎng)項(xiàng)。大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，創(chuàng)想三維董事長(zhǎng)陳春指出公司的持續(xù)發(fā)展與供應(yīng)鏈高質(zhì)量的交付
2023-04-14 11:27:20
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 因項(xiàng)目需求，需外包Labview 三維云圖程序編寫(xiě)，做過(guò)類似項(xiàng)目的請(qǐng)回復(fù)，我聯(lián)系您。
2023-03-31 09:36:47
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886
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