光刻技術(shù)是什么,有哪些作用

光刻是在掩模中轉(zhuǎn)移幾何形狀圖案的過程，是覆蓋在表面的一層薄薄的輻射敏感材料(稱為抗輻射劑) ，也是一種半導(dǎo)體晶片。圖5.1簡要說明了光刻用于集成電路制造的工藝。如圖5.1(b)所示，輻射為通過口罩的透明部分傳播，使其暴露光刻膠不溶于顯影劑溶液，從而使之直接將掩模圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上。在定義模式之后，需要采用蝕刻工藝選擇性地去除屏蔽部分基本層。光刻曝光的性能由三個參數(shù)決定: 分辨率、注冊和吞吐量。分辨率定義：半導(dǎo)體晶圓上的薄膜。注冊是衡量其準(zhǔn)確性的一個指標(biāo)連續(xù)掩模上的模式可以對齊或疊加在同一晶圓片上先前定義的圖案。吞吐量是數(shù)量每小時(shí)可以暴露在給定掩模水平下的晶圓。

光刻技術(shù)是什么,有哪些作用

潔凈室

集成電路制造設(shè)備需要一個潔凈室，特別是在光刻領(lǐng)域，沉積在半導(dǎo)體晶圓和光刻掩模上的灰塵顆?？赡茉斐稍O(shè)備缺陷。如圖5.2所示，空氣中的顆粒附著在掩模表面的圖案可以是不透明的隨后轉(zhuǎn)移到電路模式，從而導(dǎo)致不好的后果。例如，圖5.2中的粒子1可能導(dǎo)致底層有一個針孔粒子2可能引起的收縮電流在金屬流道中流動，而粒子3可能導(dǎo)致短路從而使電路失效。

光刻技術(shù)是什么,有哪些作用

審核編輯：湯梓紅

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晶圓(126258) 晶圓(126258)
工藝(28544) 工藝(28544)
光刻(29860) 光刻(29860)

納米壓印光刻技術(shù)應(yīng)用在即，能否掀起芯片制造革命？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）提及芯片制造，首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。而眾所周知，EUV光刻機(jī)產(chǎn)能有限而且成本高昂，業(yè)界一直都在探索不完全依賴于EUV光刻機(jī)來生產(chǎn)高端芯片的技術(shù)和工藝。納米

2024-03-09 00:15:00

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光刻廠落地雄安？中國電子院否認(rèn)！真相是啥？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近期，各大視頻平臺瘋傳一條消息，稱清華大學(xué)EUV項(xiàng)目，把ASML的光刻機(jī)巨大化，實(shí)現(xiàn)了光刻機(jī)國產(chǎn)化，并表示這個項(xiàng)目已經(jīng)在雄安新區(qū)落地，還在視頻中配了下面這張圖，表示圖片

2023-09-20 08:56:50

2579

繞開EUV光刻，下一代納米壓印光刻技術(shù)從存儲領(lǐng)域開始突圍

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）提及芯片制造技術(shù)，首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。眾所周知在芯片行業(yè)，光刻是芯片制造過程中最重要、最繁瑣、最具挑戰(zhàn)也最昂貴的一項(xiàng)工藝步驟。在光刻機(jī)的支持下，摩爾定律

2023-07-16 01:50:15

3008

光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程

光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)發(fā)展到浸沒步進(jìn)式投影光刻機(jī)和極紫外式光刻機(jī)。

2024-03-21 11:31:41

芯片制造工藝：光學(xué)光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 12:36:00

關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。

2024-03-20 11:36:50

195

電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化及常見問題介紹

本文從光刻圖案設(shè)計(jì)、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見問題。

2024-03-17 14:33:52

174

傳光刻機(jī)巨頭ASML要搬離荷蘭？

據(jù)荷蘭《電訊報(bào)》3月6日報(bào)道，因荷蘭政府的反移民政策傾向，光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）正計(jì)劃搬離荷蘭。

2024-03-08 14:02:15

179

淺談不同階段光刻機(jī)工作方式

在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。

2024-03-08 10:42:37

一文解析半導(dǎo)體設(shè)計(jì)電路的“光刻工藝”

利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

2024-03-06 14:28:50

ASML光刻機(jī)技術(shù)的領(lǐng)航者，挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

ASML在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中扮演著舉足輕重的角色，其光刻機(jī)技術(shù)和市場地位對于全球半導(dǎo)體制造廠商來說都具有重要意義。

2024-03-05 11:26:00

123

光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別

光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。

2024-03-04 17:19:18

399

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時(shí)間。

2024-03-04 10:49:16

131

基于SEM的電子束光刻技術(shù)開發(fā)及研究

電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設(shè)計(jì)圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。

2024-03-04 10:19:28

206

不同材料在晶圓級封裝中的作用

共讀好書本篇文章將探討用于晶圓級封裝（WLP）的各項(xiàng)材料，從光刻膠中的樹脂，到晶圓承載系統(tǒng)（WSS）中的粘合劑，這些材料均在晶圓級封裝中發(fā)揮著重要作用。光刻膠（Photoresists, PR

2024-02-18 18:16:31

277

佳能預(yù)計(jì)到2024年出貨納米壓印光刻機(jī)

Takeishi向英國《金融時(shí)報(bào)》表示，公司計(jì)劃于2024年開始出貨其納米壓印光刻機(jī)FPA-1200NZ2C，并補(bǔ)充說芯片可以輕松以低成本制造。2023年11月，該公司表示該設(shè)備的價(jià)格將比ASML的EUV機(jī)器便宜一位數(shù)。佳能表示，與利用光曝光電路圖案的傳統(tǒng)光刻技術(shù)不同，納米壓印光刻不需要光源，利用

2024-02-01 15:42:05

270

解析光刻芯片掩模的核心作用與設(shè)計(jì)

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一類不可或缺的晶圓制造材料，在芯片封裝（構(gòu)筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏〉、印刷電路板、微機(jī)電器件等用到光刻技術(shù)的領(lǐng)域也都能見到各種掩模的身影。

2024-01-18 10:25:22

145

光刻膠分類與市場結(jié)構(gòu)

光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場景。

2024-01-03 18:12:21

346

改進(jìn)芯片技術(shù)的關(guān)鍵因素——光刻技術(shù)

使用13.5nm波長的光進(jìn)行成像的EUV光刻技術(shù)已被簡歷。先進(jìn)的邏輯產(chǎn)品依賴于它，DRAM制造商已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)。

2023-12-29 15:22:31

172

英特爾搶下6種ASML HIGH NA光刻機(jī)

如果我們假設(shè)光刻機(jī)成本為 3.5 億至 4 億美元，并且 2024 年 10 個光刻機(jī)的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。

2023-12-28 11:31:39

406

激光微納加工技術(shù)詳解

激光微納加工技術(shù)利用激光脈沖與材料的非線性作用，可以<100nm精度實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實(shí)現(xiàn)的復(fù)雜功能結(jié)構(gòu)和器件的增材制造。而激光直寫（DLW）光刻是一項(xiàng)具有空間三維加工能力的微納加工技術(shù)，在微納集成器件制造中發(fā)揮著重要作用。

2023-12-22 10:34:20

401

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結(jié)構(gòu)圖

光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。

2023-12-18 10:53:05

326

晶圓級封裝(WLP)的各項(xiàng)材料及其作用

本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項(xiàng)材料，從光刻膠中的樹脂，到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑，這些材料均在晶圓級封裝中發(fā)揮著重要作用。

2023-12-15 17:20:36

807

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

2023-12-15 09:35:56

442

光刻各環(huán)節(jié)對應(yīng)的不同模型種類

光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過優(yōu)化的光源，通過光刻機(jī)的照明系統(tǒng)，照射在掩模上。如果在實(shí)際光刻

2023-12-11 11:35:32

288

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用

2023-12-04 09:17:24

1334

光刻膠國內(nèi)市場及國產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。

2023-11-29 10:28:50

283

不僅需要***，更需要光刻膠

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報(bào)廢

2023-11-27 17:15:48

550

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

2023-11-23 18:13:02

579

西隴科學(xué)9天8板，回應(yīng)稱“未生產(chǎn)、銷售光刻膠”

　20日，西隴科學(xué)（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。

2023-11-21 14:54:57

315

基于JSM-35CF SEM的納米電子束光刻系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用

在電子和電氣制造業(yè)中，光刻技術(shù)是制造無源/有源器件的重要步驟。

2023-11-20 09:30:05

406

儲能技術(shù)對智能電網(wǎng)的建設(shè)作用

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2023-11-14 10:44:33

光刻膠黏度如何測量？光刻膠需要稀釋嗎？

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？

2023-11-13 18:14:11

571

ASML攜全景光刻解決方案亮相進(jìn)博會

第六屆進(jìn)博會于近日在上海國家會展中心正式收官，ASML2023進(jìn)博之旅也圓滿落幕! 今年，ASML繼續(xù)以“光刻未來，攜手同行”為主題，攜全景光刻解決方案驚艷亮相，還創(chuàng)新性地帶來了“芯”意滿滿的沉浸

2023-11-11 15:23:53

595

片內(nèi)和片間非均勻性是什么？如何計(jì)算？有什么作用呢？

導(dǎo)語：均勻性在芯片制程的每一個工序中都需要考慮到，包括薄膜沉積，刻蝕，光刻，cmp，離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產(chǎn)品與性能。那么片內(nèi)和片間非均勻性是什么？如何計(jì)算？有什么作用呢？

2023-11-01 18:21:12

503

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠市場格局發(fā)展現(xiàn)狀

生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術(shù)的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。

2023-11-01 15:51:48

138

什么是EUV光刻？EUV與DUV光刻的區(qū)別

EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計(jì)過程中的后續(xù)步驟。

2023-10-30 12:22:55

615

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。

2023-10-26 15:10:24

359

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。

2023-10-24 11:43:15

271

PCB激光投影光刻照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PCB激光投影光刻照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載

2023-10-23 09:38:18

arduino平臺millis()函數(shù)有什么作用？

有關(guān)arduino平臺millis()函數(shù)，有什么作用？

2023-10-20 06:30:17

各種光刻技術(shù)你都了解嗎？

當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)到5nm時(shí)，DUV和多重曝光技術(shù)的組合也難以滿足量產(chǎn)需求了，EUV光刻機(jī)就成為前道工序的必需品了，沒有它，很難制造出符合應(yīng)用需求的5nm芯片，即使不用EUV能制造出一些5nm芯片，其整個生產(chǎn)線的良率也非常低，無法形成大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。

2023-10-13 14:45:03

834

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。

2023-10-09 14:34:49

1674

MDK的里面代碼補(bǔ)全的功能是有什么作用的？

MDK的里面代碼補(bǔ)全的功能是有什么作用的

2023-10-09 08:51:32

關(guān)于光刻技術(shù)的五大分類

光刻是通過一系列操作，除去外延片表面特定部分的工藝，在半導(dǎo)體器件和集成電路制作中起到極為關(guān)鍵的作用。

2023-10-08 10:11:23

696

sprintf和printf有什么區(qū)別？返回值有什么作用？

sprintf和printf有什么區(qū)別，返回值有什么作用？

2023-10-08 08:19:04

極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

歐洲極紫外光刻（EUVL）技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大多數(shù)在13.5納米附近發(fā)射的錫離子（例如Sn10+-Sn15+）。

2023-09-25 11:10:50

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芯片和線路板的光刻技術(shù)不同？差別在哪里？

線路板的光刻技術(shù)

2023-09-21 10:20:34

607

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP) 技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題

性能和速度上同時(shí)滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù) , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術(shù)對于

2023-09-19 07:23:03

EUV光刻膠開發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)？

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。

2023-09-11 11:58:42

349

濕法去膠液的種類有哪些？去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上，但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠，那么這個時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

2023-09-06 10:25:01

1152

光伏刻蝕工藝流程光刻蝕刻加工原理是什么

光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過光罩的設(shè)計(jì)和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。

2023-08-24 15:57:42

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半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

2023-08-24 10:38:54

1221

什么是光刻工藝？光刻的基本原理

光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)，光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。

2023-08-23 10:47:53

1586

浸沒式光刻，拯救摩爾定律

2000年代初，芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬（ArF）光源光刻技術(shù)過渡到157納米氟（F 2 ）光源光刻技術(shù)。

2023-08-23 10:33:46

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光刻技術(shù)概述及其分類

光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù)，是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡單地說，光刻類似照相復(fù)制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。

2023-08-07 17:52:53

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EUV光刻市場高速增長，復(fù)合年增長率21.8%

EUV掩膜，也稱為EUV掩?；駿UV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。

2023-08-07 15:55:02

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次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上！

半導(dǎo)體技術(shù)的未來通常是通過光刻設(shè)備的鏡頭來看待的，盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問題幾乎永無休止，但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。

2023-07-28 17:41:16

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深紫外光刻復(fù)雜照明光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：隨著微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，我國迫切需要研制極大規(guī)模集成電路的加工設(shè)備-光刻機(jī)。曝光波長為193nm的投影式光刻機(jī)因其技術(shù)成熟、曝光線寬可延伸至32nm節(jié)點(diǎn)的優(yōu)勢已成為目前光刻領(lǐng)域的主流設(shè)備

2023-07-17 11:02:38

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光刻掩膜版測溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀

GK-1000光刻掩膜版測溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過將光線通過

2023-07-07 11:46:07

虹科案例 | 用于低成本改造光刻設(shè)備的UV紫外光源

? ? 紫外光刻和曝光是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細(xì)圖案。長期以來

2023-07-05 10:11:24

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3D IC對光刻技術(shù)的新技術(shù)要求

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授

2023-06-30 10:06:02

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基于機(jī)器學(xué)習(xí)的逆向光刻技術(shù)

2023-06-29 10:02:17

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晶圓代工廠如何突破物理極限提升光刻技術(shù)？

EUV微影技術(shù)的落實(shí)延續(xù)了摩爾定律的壽命，這里的EUV指的其實(shí)是一種紫外光源，跟過去光刻技術(shù)所采用的光源比起來，EUV的波長更短，因此有助于大幅提高分辨率。

2023-06-27 10:11:42

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光刻對準(zhǔn)原理與精度控制

2023-06-26 17:00:19

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一文了解光刻的歷史

如今，光刻技術(shù)已成為一項(xiàng)容錯率極低的大產(chǎn)業(yè)。全球領(lǐng)先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強(qiáng)大的商用激光器之一以及比太陽表面爆炸還高的熱度，在硅上刻出微小的形狀，尺寸僅為幾納米。

2023-06-26 16:59:16

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與EUV相比，這一光刻技術(shù)更具發(fā)展?jié)摿?/a>

對于半導(dǎo)體行業(yè)而言，光刻技術(shù)和設(shè)備發(fā)揮著基礎(chǔ)性作用，是必不可少的。

2023-06-25 10:25:08

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光刻中承上啟下的半導(dǎo)體掩膜版

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，除了光刻機(jī)等設(shè)備外，光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來說，這個承載設(shè)計(jì)圖形的材料，經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到

2023-06-22 01:27:00

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硅基光刻技術(shù)在柔性電子器件制造中的應(yīng)用

近日，湖南大學(xué)段輝高教授團(tuán)隊(duì)通過開發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝，用于柔性及不規(guī)則（曲面、懸空）襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造，為高精度、高可靠性和高穩(wěn)定性柔性電子器件的制造提供

2023-06-17 10:19:38

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面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化

2023-06-14 10:16:38

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芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對較小。

2023-06-09 10:49:20

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芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個環(huán)節(jié)，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。

2023-06-08 10:57:09

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一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。

2023-06-06 11:23:54

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知識分享---光刻模塊標(biāo)準(zhǔn)步驟

通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。

2023-06-02 16:30:25

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逆向光刻的原理及其優(yōu)勢

2023-05-26 14:59:17

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化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟(jì)效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩(wěn)定性。

2023-05-25 09:46:09

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光刻技術(shù)：光學(xué)關(guān)鍵尺寸測量（OCD）原理

　　集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展，其中最為關(guān)鍵的一個參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條寬度與設(shè)計(jì)尺寸的偏離都會直接影響最終器件的性能

2023-05-24 09:25:19

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EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進(jìn)步。

2023-05-18 15:49:04

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一文講透光刻膠及芯片制造關(guān)鍵技術(shù)

在集成電路制造領(lǐng)域，如果說光刻機(jī)是推動制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。

2023-05-13 11:28:38

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二極管的鉗位作用和穩(wěn)壓作用有什么不同??？

2023-05-05 10:00:38

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。

2023-04-27 16:25:00

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NVIDIA H100 GPU為2nm芯片加速計(jì)算光刻！

現(xiàn)代工藝技術(shù)將晶圓廠設(shè)備要求推向極限，需要實(shí)現(xiàn)突破其物理極限的高分辨率，這正是計(jì)算光刻技術(shù)發(fā)揮作用的地方。計(jì)算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù)，它結(jié)合來自ASML設(shè)備和測試晶圓的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，是一個模擬生產(chǎn)過程的算法。

2023-04-26 10:05:29

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淺談光刻技術(shù)

在整個芯片制造過程中，幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù)，占芯片制造成本的35%以上。

2023-04-26 08:57:03

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光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。

2023-04-25 11:11:33

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