具有一個或多個未成對電子的Mn順磁離子具有出色的弛豫系數(shù)，其在水溶液中穩(wěn)定，可通過氧化還原反應(yīng)轉(zhuǎn)換多種價態(tài)，從而克服了傳統(tǒng)磁弛豫開關(guān)傳感器穩(wěn)定性低（受食物基質(zhì)和自然沉降的干擾）和工作范圍窄（小分子結(jié)合位點有限）的缺陷。
2024-03-13 10:04:53
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如下硅與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM，圓圈標(biāo)的地方是硅嗎？如果不是還請大佬指點一下，那些位置是硅？
2024-03-12 08:53:37
刻蝕機(jī)的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24461 
實驗名稱：功率放大器在合成射流高效摻混機(jī)理研究中的應(yīng)用
實驗內(nèi)容：合成射流是一種新型主動流動控制技術(shù)，其主要工作原理是利用振動薄膜或活塞周期性地吹/吸流體，在孔口外形成渦環(huán)，這些渦環(huán)在自誘導(dǎo)
2024-03-08 17:47:25
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
碳性電池是一種使用碳材料作為負(fù)極活性物質(zhì)的電化學(xué)裝置。與之相對的是堿性電池，使用的是氫氧化鈉或氫氧化鉀作為電解質(zhì)。下面，我將詳細(xì)介紹碳性電池的種類以及與堿性電池的區(qū)別。 碳性電池的種類： 鋅碳干電池
2024-01-22 10:25:58467 干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點探測 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 
目前，盛新鋰能已具備7.7萬噸鋰鹽產(chǎn)能，主要分布在四川德陽和射洪兩地，包括致遠(yuǎn)鋰業(yè)的4.2萬噸和遂寧盛新的3萬噸。更值得注意的是，盛新金屬的1萬噸鋰鹽項目一期已建成并試運行，而規(guī)劃中的印度尼西亞6萬噸鋰鹽項目也正在按計劃推進(jìn)
2024-01-12 09:59:19177 澆鑄和切片的聚氨酯與填料或被稱為urethane-coated的材料來構(gòu)成。懸浮在相對比較溫和的腐蝕劑中的硅(玻璃)漿液，如鉀或氫氧化銨，需要被送入到拋光墊。
2024-01-12 09:54:06359 
就在去年8月，英聯(lián)鋰能年產(chǎn)2萬噸氫氧化鋰/碳酸鋰電子材料項目正式投產(chǎn)。該項目是新能源汽車行業(yè)、新能源電池行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈端重要產(chǎn)品的生產(chǎn)項目，主要業(yè)務(wù)包括鋰粗料精煉提純、電池黑粉濕法回用有價元素等。
2024-01-10 16:41:54361 在紅外探測器的制造技術(shù)中，臺面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
光互連CPU技術(shù) 實驗演示了三種可以實現(xiàn)與集成在光網(wǎng)絡(luò)芯片（ONC）上的CPU核心的光互連的技術(shù)。該粘合劑技術(shù)具有>99%的透明度、高達(dá)400℃的耐高溫性、耐清洗溶劑性以及GaP棱鏡與波導(dǎo)之間的折射率匹配的特性。 聚酰亞胺微透鏡具有準(zhǔn)直25Gbps VCSEL的輸出光束以將光耦合到光波導(dǎo)中的特性。VCSEL或光電二極管的封裝尺寸具有0.4mm2的面積和0.64mm的高度，可以連接到棱鏡。除了棱鏡處的反射損耗外，從VCSEL到波導(dǎo)的凈耦合損耗被測量為0.855dB。通過腔型波導(dǎo)的傳
2024-01-05 17:14:28143 
SEMI-e 第六屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿，向20多個應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購與技術(shù)交流平臺。
2023-12-25 16:43:54284 
測量呢？ 技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Galen Zhang針對基于電極法原理的ADI PH計應(yīng)用方案展開了詳細(xì)介紹。 PH測量原理 PH值是衡量水溶液中氫離子和氫氧化物離子相對量的一項指標(biāo)。就摩爾濃度來說，25°C的水含有1×10^?7mol/L氫離子，
2023-12-20 16:05:48154 
。然而，如果選擇了不易防止氧化的材料，就容易導(dǎo)致引腳氧化，進(jìn)而影響晶振正常工作。 2. 工藝環(huán)境不當(dāng)：晶振引腳的工藝環(huán)境可能包含一些有害氣體或者化學(xué)物質(zhì)，如高溫、濕度環(huán)境、酸堿溶液等，這些環(huán)境下會加速引腳的氧化。特別
2023-12-18 14:36:50241 ，但換上原來的電機(jī)就幾乎沒有滯后。在側(cè)測量了旋變后發(fā)現(xiàn)客戶拿來的電機(jī)旋變sin和cos的電感量和內(nèi)阻比我們正常使用的小一倍。想探討下不同參數(shù)的旋變對信號滯后的機(jī)理是什么？
2023-12-12 06:38:58
根據(jù)協(xié)議，各方擬在印尼合資建設(shè)年產(chǎn)12萬噸（鎳金屬量）氫氧化鎳鈷濕法項目（波馬拉項目），總投資額約為38.42億美元（約合人民幣275億元）。
2023-12-08 09:11:47249 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 該專利詳細(xì)闡述了一種針對含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 人們常說鎳鎘電池不能完全放電。這并不完全正確，但在實踐中，很難防止一個或多個電池的極性反轉(zhuǎn)。鎳鎘電池是一種可充電電池，其電極由氫氧化鎳和金屬鎘制成。
2023-12-03 17:55:33834 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
有鑒于此，哈佛大學(xué)Lo?c Anderegg和加州理工學(xué)院Nicholas R. Hutzler等人建立了對氫氧化鈣(CaOH)中各個量子態(tài)的相干控制，并演示了一種搜索電子電偶極矩(eEDM)的方法。
2023-11-25 15:18:58309 
據(jù)介紹，中礦資源目前擁有年2.5萬噸電池級碳酸鋰/氫氧化鋰和年6000噸電池級氟化鋰生產(chǎn)線。此次春鵬鋰已建成3.5萬噸的高純度鋰鹽工程并投入生產(chǎn)，中礦資源電池級鋰鹽的年產(chǎn)量有望達(dá)到6.6萬噸。
2023-11-17 10:20:53328 人工智能（AI）是預(yù)計到2030年將成為價值數(shù)萬億美元產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動力，它對半導(dǎo)體性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面，一些最復(fù)雜的問題來自于需要通過新的刻蝕技術(shù)來解決的器件制造挑戰(zhàn)。
2023-11-16 16:03:02164 ESD的保護(hù)機(jī)理和主要測試模式有哪些？ ESD（Electrostatic Discharge）是靜電放電的縮寫，指的是靜電在兩個物體之間突然放電的現(xiàn)象。ESD是電子設(shè)備和電子元件面臨的主要故障來源
2023-11-07 10:21:47384 英思特研究了在低溫下用乙酸去除氧化銅。乙酸去除各種氧化銅，包括氧化亞銅、氧化銅和氫氧化銅，而不會侵蝕下面的銅膜。
2023-11-06 17:59:44239 
但是，在刻蝕SOI襯底時，通常會發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-20 11:04:21454 
亞甲藍(lán)溶液測試儀是一種用于檢測密封性的重要工具，通過負(fù)壓法來評估容器或管道的密封性能。該儀器利用真空泵將亞甲藍(lán)溶液抽入測試室，然后將測試室密封，觀察測試室內(nèi)的壓力變化情況來確定密封性能的好壞。本文將
2023-10-18 16:43:33
在干法的深刻蝕過程中，精細(xì)的刻蝕控制成為一個至關(guān)重要的因素，它直接影響到芯片的性能。
2023-10-08 18:10:07903 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22734 刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447 
鋁坩堝作為熱分析儀中主要的配套工具，作為樣品的載體。鋁為銀白色金屬，由于表面形氧化層而保護(hù)其不與空氣和水起反應(yīng)，易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。相對密度2.70。熔點
2023-09-27 11:34:57
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
服務(wù)內(nèi)容材料或產(chǎn)品放置在鹽霧試驗設(shè)備中，然后通過加熱鹽水溶液產(chǎn)生鹽霧。這些鹽霧顆粒會在試驗樣品表面沉積，并且由于其腐蝕性，可能導(dǎo)致材料或產(chǎn)品的表面腐蝕。鹽霧試驗的主要目的是評估材料和產(chǎn)品的耐蝕性能
2023-09-21 16:33:34
烷基氧化胺易溶于水和極性有機(jī)溶劑，是一種弱陽離子型兩性表面活性劑，水溶液在酸性條件下呈陽離子性，在堿性條件下呈非離子性。具有良好的增稠、抗靜電、柔軟、增泡、穩(wěn)泡和去污性能;還具有殺菌、鈣皂分散能力，且生物降解性好，屬環(huán)保型日化產(chǎn)品。
2023-09-18 12:27:541616 
的相關(guān)知識。 pcb顯影液的主要成分堿性顯影劑和氫氧化鈉，其中PCB顯影液的核心成分堿性顯影劑可以分解未曝光的光敏膜上的化學(xué)物質(zhì)，讓未被曝光的銅箔顯露出來。堿性顯影劑有氨、氫氧化鈉、碳酸鉀等多種類型，在pcb生產(chǎn)制造中合理的選擇顯影劑能
2023-09-12 10:48:291374 的碘量法、電極極譜法和熒光法。 碘量法是參照《水質(zhì)溶解氧的測定碘量法》（GB7489-1987）標(biāo)準(zhǔn)，基于溶解氧的氧化性能，在水樣中加入硫酸錳和堿性碘化鉀溶液，生成氫氧化錳沉淀，該沉淀極不穩(wěn)定，會迅速與水中的溶解氧反應(yīng)生成硫酸
2023-09-06 15:08:03693 肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971
應(yīng)用程序: 本樣本代碼使用 M031BT 來做藍(lán)牙電牙刷溶液 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000
硬件: nuvoton 核_M031BT 藍(lán)牙
2023-08-29 07:40:54
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有何不同 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子學(xué)中常見的兩種材料，它們在電子傳導(dǎo)方面有著不同的導(dǎo)電機(jī)理。在本文中，我們將詳細(xì)探討半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理，以及它們的區(qū)別。 導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 導(dǎo)體
2023-08-27 16:00:251348 光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過光罩的設(shè)計和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422270 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 ORP是氧化還原電位，全稱oxidation-reductionpotential，用來反映水溶液中所有物質(zhì)表現(xiàn)出來的宏觀氧化還原性。氧化還原電位越高，氧化性越強(qiáng)，氧化還原電位越低，還原性越強(qiáng)。電位
2023-08-17 09:33:423029 
。微溶于水、醇及醚，可溶于氫氧化鉀。不與氫氧化鈉、液氨、鹽酸及水起化學(xué)的反應(yīng)。300℃以下干燥環(huán)境中與銅、銀、鐵、鋁不反應(yīng)。500℃以下對石英不起作用。250℃時與金屬鈉反應(yīng)，-64℃時在液氨中反應(yīng)。與硫化氫混合加熱則分解。200℃時，在特定的金屬如鋼及硅鋼存在下，能促
2023-08-09 14:59:07334 
作為制造高鎳電池的關(guān)鍵材料，氫氧化鋰市場需求超出預(yù)期，從側(cè)面反映出動力電池高鎳化趨勢之下，高鎳三元電池仍有很大的市場增長空間。
2023-08-07 14:30:53270 項目年處理三元正負(fù)極粉5.775萬噸（對應(yīng)廢舊三元鋰電池量為18萬噸），年產(chǎn)硫酸鎳79975噸、硫酸鈷33425噸、氫氧化鋰12250噸、硫酸鋰2100噸、磷酸鋰5075噸、四氧化三錳11725噸和二氧化錳1260噸；同時副產(chǎn)無水硫酸鈉160659.2噸/年和粗制石墨粉47841.44噸/年。
2023-08-04 15:50:24829 
氫氧化物 開始沉淀 沉淀完全 沉淀開始溶解 沉淀完全溶解 離子開始濃度 殘留離子濃度《10-5mol/L 氫氧化錫 0 0。5mol/L 1 13 15
2023-08-04 14:24:23476 就在此前一天，雅化集團(tuán)剛剛宣布，擬延長與特斯拉此前在2020年簽訂的電池級氫氧化鋰供貨協(xié)議，將在2023-2030年合計供應(yīng)氫氧化鋰20.7萬噸-30.1萬噸。
2023-08-03 14:53:54489 據(jù)公布，雙方合作從2020年12月開始，2020年未與交易對方發(fā)生交易金額。2021年與交易對方發(fā)生的交易金額約占2021年度公司審計營業(yè)收入的0.5%。2022年與交易對方發(fā)生的交易金額約占2022年會計審計營業(yè)收入的17%。
2023-08-03 10:03:34294 在微電子制造中，刻蝕技術(shù)是制作集成電路和其他微型電子器件的關(guān)鍵步驟之一。通過刻蝕技術(shù)，微電子行業(yè)能夠在硅晶片上創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)。本文旨在探討刻蝕設(shè)備的市場規(guī)模以及行業(yè)內(nèi)的競爭格局。
2023-08-02 10:01:08623 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在半導(dǎo)體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進(jìn)程度直接決定了晶圓廠所能實現(xiàn)的最高工藝節(jié)點，所用產(chǎn)品
2023-07-30 03:24:481556 
行業(yè)簡介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點是：在普通
2023-07-21 16:01:32
氫氧化鋁中的結(jié)晶水含量，高達(dá)34.46%，當(dāng)周圍溫度上升到300℃以上，這些水分全部析出。由于水的比熱大，當(dāng)其化為水蒸氣時需從周圍吸取大量熱能。氫氧化鎂也含結(jié)晶水，但含水率僅30.6%，不如氫氧化鋁。
2023-07-20 16:31:12316 ，產(chǎn)生Al、Fe等離子，在經(jīng)一系列水解、聚合及亞鐵的氧化過程，發(fā)展成為各種羥基絡(luò)合物、多核羥基絡(luò)合物以至氫氧化物，使廢水中的膠態(tài)雜質(zhì)、懸浮雜質(zhì)凝聚沉淀而分離.同時
2023-07-19 17:07:17
作者展示了10 M和5 M濃度的尿素水溶液在2 ps時間窗內(nèi)記錄的時間分辨?OD譜。5M溶液和10M溶液獲得的結(jié)果之間的主要區(qū)別在于，在后者數(shù)據(jù)的寬吸收特征之上出現(xiàn)了額外的吸收帶，該吸收帶出現(xiàn)在286.5-287 eV范圍內(nèi)，轉(zhuǎn)移到287.5 eV左右，同時強(qiáng)度增加。
2023-07-17 17:16:23249 
3.35米直徑通用氫氧末級是采用通用化、產(chǎn)品化、模塊化研制思路，對標(biāo)世界一流水平，在現(xiàn)有3米直徑氫氧末級基礎(chǔ)上打造的一款高性能火箭模塊，滿足未來新一代中型運載火箭能力提升需要，擁有廣闊的市場。
2023-07-14 16:56:21310 第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
行業(yè)簡介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點是：在普通
2023-07-11 14:28:29
堿類助洗劑常用的為氫氧化鈉、純堿、硅酸鈉和三聚磷酸鈉。氫氧化鈉和純堿作為堿劑，價格*為便宜，廢水較難處理，有時因為堿性偏強(qiáng)導(dǎo)致清洗物體受到損傷，另一方面氫氧化鈉和純堿沒有乳化作用對于礦物油清洗沒有任何效果;
2023-07-05 10:23:42746 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
。
在器件層面，根據(jù)實際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
AMT-CL301型在線二氧化氯變送器是帶微處理器的水質(zhì)在線監(jiān)測控制儀。通過二氧化氯電極對水溶液中的二氧化氯值及溫度值進(jìn)行連續(xù)監(jiān)測和控制。 特征 點陣液晶屏顯示； 中/英文智能菜單操作； 多種信號
2023-05-23 14:07:04138 
團(tuán)隊發(fā)展了一種制造不溶性CNC基水凝膠的簡單且有效的方法，利用分子間氫鍵重構(gòu)，熱脫水使優(yōu)化的CNC復(fù)合光子膜在水溶液中形成一個穩(wěn)定的水凝膠網(wǎng)絡(luò)。
2023-05-15 17:03:32136 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
高鎳三元正極材料生產(chǎn)中需要更低的燒結(jié)溫度,所以必須使用熔點較低的氫氧化鋰提供鋰源。而其它正極材料中，包括中低鎳三元、磷酸鐵鋰、鈷酸鋰、錳酸鋰則主要使用熔點高的碳酸鋰。
2023-04-24 14:23:082297 
的粗糙度大大增加，這將導(dǎo)致質(zhì)量文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁差柵氧化層擊穿性能。?SC-1清洗后的硅片粗糙度降低，采用雙氧水溶液和氫氟酸溶液循環(huán)處理，而不是只用hf清洗。 介紹 ? 硅超大規(guī)模集成電路技術(shù)要求超凈硅表面具有特征，即無污染物、無氧化物、
2023-04-19 10:01:00129 
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 如圖所示：1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個高電平后光耦3063會立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點導(dǎo)通，是否可以認(rèn)為可控硅兩端的電壓為零，此時可控硅不導(dǎo)通，那如果是這樣請問這個電路可控硅是何時導(dǎo)通的，又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少，怎么理解
2023-04-10 21:59:00
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發(fā)性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459 高頻陶瓷溶液
2023-03-28 18:21:12
基于此，印度理工學(xué)院和韓國科學(xué)技術(shù)研究所的研究團(tuán)隊介紹了一種通過混合金屬氧化物/氫氧化物的硒化實現(xiàn)的邊緣取向硒化鉬（MoSe2）和鎳鈷硒化物（NiCo2Se4）的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。所開發(fā)的片上片異質(zhì)結(jié)構(gòu)
2023-03-23 10:39:14630 為什么在直流穩(wěn)壓電源中，不選可控硅降壓電路，而選擇降壓變壓器呢？
2023-03-23 09:48:42
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