SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同，膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實(shí)際有64，128，400層等層數(shù)。
2024-03-19 12:26:42
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在設(shè)計(jì)防止AI大模型被黑客病毒入侵時(shí)，需要考慮到復(fù)雜的加密和解密算法以及模型的實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，首先需要了解模型的結(jié)構(gòu)和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)。
以下是我使用Python和TensorFlow 2.x實(shí)現(xiàn)深度學(xué)習(xí)模型
2024-03-19 11:18:16
一般來(lái)說SiO2是作為大部分器件結(jié)構(gòu)中的絕緣體 或 在器件制作過程中作為擴(kuò)散或離子注入的阻擋層。
2024-03-11 10:19:11104 
我正在使用 CY8C5867LTI-LP025。
我知道我需要使用 SIO 端口來(lái)使用 I2C、UART 等。
SPI通信是否也需要使用 SIO 端口？
2024-03-06 06:23:39
ITO薄膜在提高異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池效率方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，同時(shí)優(yōu)化ITO薄膜的電學(xué)性能和光學(xué)性能使太陽(yáng)能電池的效率達(dá)到最大。沉積溫度和濺射功率也是ITO薄膜制備過程中的重要參數(shù)，兩者對(duì)ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20235 
用于開發(fā)過程中模型的靜態(tài)檢查，包括規(guī)范檢查、復(fù)雜度度量，提供MAAB、HIS、CG、MISRA_AC_SLSF、MISRA_AC_TL、dSPACE標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范及檢查，
2024-03-01 11:29:03
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購(gòu)GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購(gòu)了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001551 
HarmonyOS 3.1 版本（API 9）推出了全新應(yīng)用開發(fā)模型 - Stage 模型，該模型重新定義了應(yīng)用開發(fā)的能力邊界，從應(yīng)用開發(fā)模型的角度，支持多窗口形態(tài)下統(tǒng)一的應(yīng)用組件生命周期，并支持
2024-02-18 09:28:26321 
絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區(qū)和N+區(qū)）。
2024-02-06 10:29:19226 
電壓和漏源極電壓的作用下保持不變，漏極電流先增大后不變。
P溝道耗盡型MOS管，SIO2絕緣層摻入大量負(fù)離子，即使不加?xùn)旁措妷?，也?huì)形成反型層和導(dǎo)電溝道，在此基礎(chǔ)上加負(fù)向電壓溝道電阻變小，加正向電壓導(dǎo)電溝道變小，而且正向電壓減小到一定程度反型層消失導(dǎo)電溝道消失。
2024-01-30 11:51:42
減小到一定程度反型層消失導(dǎo)電溝道消失。
P溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加負(fù)向電壓，形成反型層和導(dǎo)電溝道，溝道電阻先小后大，漏極電流先增大后不變。
P溝道耗盡型MOS管，SIO2絕緣層摻入大量負(fù)離子
2024-01-30 11:38:27
ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，主要優(yōu)點(diǎn)是其高透明度和導(dǎo)電性，可以作為透明電極應(yīng)用在光伏電池中。在TOPCon電池中，添加ITO薄膜可以有效提升電池的短路電流密度和轉(zhuǎn)換效率，是提高
2024-01-20 08:32:51280 額定門極驅(qū)動(dòng)電壓：門極驅(qū)動(dòng)電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過此范圍的電壓時(shí)，門極-發(fā)射極間的氧化膜（
SiO2）有可能發(fā)生絕緣破壞或?qū)е驴煽啃韵陆怠?/div>
2024-01-05 09:06:321842 
在太陽(yáng)能電池的沉積工藝中，制備高性能的ITO薄膜是其首要任務(wù)。電池廠商在制備ITO薄膜時(shí)，往往需要考慮自身的方阻與影響ITO薄膜方阻的因素，從而在了解的基礎(chǔ)上更好的解決對(duì)ITO薄膜方阻有不利
2023-12-28 08:33:00418 技術(shù)革新日新月異，大模型的興起更是顛覆了千行百業(yè)。自ChatGPT問世以來(lái)，大模型的應(yīng)用前景充滿了無(wú)限的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。 12月16日，在2023開放原子開發(fā)者大會(huì)的“大模型應(yīng)用開發(fā)之道”分論壇
2023-12-21 19:35:01412 據(jù)悉，研究人員使用金屬有機(jī)氣相外延技術(shù)在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長(zhǎng)GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉(zhuǎn)移到可彎曲基板上。這項(xiàng)研究表明，可通過石墨烯上生長(zhǎng)出高質(zhì)量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設(shè)備中。
2023-12-13 16:55:39487 
，以及pulsar2作為推理引擎的一些細(xì)節(jié)。
1、完整流程概括
可以將模型部署細(xì)分為以下幾個(gè)步驟，其實(shí)就是和用onnxruntime\\\\openvino\\\\tensorRT這些部署步驟是一樣
2023-12-10 16:34:43
在太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝中，退火工藝和氧氣含量作為外界條件往往是影響ITO薄膜性能的關(guān)鍵因素，因此，為了較高程度的提升ITO薄膜的性能，電池廠商都會(huì)通過在生產(chǎn)中嚴(yán)謹(jǐn)?shù)牟僮魇侄蝸?lái)保證其性能的提升，并通過
2023-12-07 13:37:19292 GaN 技術(shù)的過去和現(xiàn)在
2023-12-06 18:21:00432 
GaN 如何改變了市場(chǎng)
2023-12-06 17:10:56186 
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場(chǎng)最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15913 
GaN是否可靠？
2023-12-05 10:18:41169 
某種電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與真空介電常數(shù)ε0的比值，稱為該電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)，符號(hào)為εr，即εr=ε/ε0，εr是無(wú)量綱的純數(shù)，其中真空介電常數(shù)ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相對(duì)介電常數(shù)為εr=3.9，所以SIO2的介電常數(shù)ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m
2023-11-30 15:39:12671 摘要本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。硅基的cu/sio2混合結(jié)合樣品和金剛石基礎(chǔ)的cu/sio2混合結(jié)合樣品的準(zhǔn)備后，進(jìn)行等離子體活性。經(jīng)等離子體活性處理后，將cu/sio2混合結(jié)合試料浸泡在有機(jī)酸溶液中清洗后干燥。
2023-11-22 09:25:59285 
擴(kuò)散模型和 GAN 的混合模型最早是英偉達(dá)的研究團(tuán)隊(duì)在 ICLR 2022 上提出的 DDGAN（《Tackling the Generative Learning Trilemma with Denoising Diffusion GANs》）。其靈感來(lái)自于普通擴(kuò)散模型對(duì)降噪分布進(jìn)行高斯假設(shè)的根本缺陷。
2023-11-21 16:02:19275 
yolov8nsim.onnx --output_dir output --config config.json, 將會(huì)得到output/compiled.axmodel文件。
開發(fā)板上運(yùn)行模型評(píng)測(cè)
2023-11-20 12:19:32
鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕
2023-11-18 08:11:021317 
鎵(GaN)納米線的光子器件，這些器件可以受益于紫外透明波導(dǎo)，包括近場(chǎng)掃描光學(xué)顯微鏡、垂直腔激光器和直寫光刻技術(shù)。
2023-11-16 11:13:50231 
開發(fā)者關(guān)系經(jīng)理李博和英邁中國(guó)技術(shù)工程師李寧在現(xiàn)場(chǎng)探討了汽車行業(yè)前沿趨勢(shì)與未來(lái)風(fēng)向標(biāo)。下文將帶領(lǐng)讀者回顧嘉賓們?cè)凇癗VIDIA 加速汽車行業(yè)大語(yǔ)言模型的開發(fā)與應(yīng)用”研討會(huì)上的重點(diǎn)分享。 基于深度學(xué)習(xí)的 AI 技術(shù)——大語(yǔ)言模型（LLM），通常擁有數(shù)十億到數(shù)萬(wàn)億的
2023-11-03 19:10:03356 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《太陽(yáng)能光伏玻璃及其薄膜的開發(fā)與應(yīng)用（一）.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:18:03
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《太陽(yáng)能光伏玻璃及其薄膜的開發(fā)與應(yīng)用(四).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:12:300 10 月 28?日上午?10?點(diǎn) ，NVIDIA 解決方案架構(gòu)師陳文愷將出席研討會(huì)，講解 ?NVIDIA 如何助力汽車行業(yè)開發(fā)企業(yè)級(jí)大語(yǔ)言模型 ，加速行業(yè)創(chuàng)新和發(fā)展 。會(huì)議期間還將有兩位神秘嘉賓助陣
2023-10-27 20:05:02182 
自從擴(kuò)散模型發(fā)布以來(lái)，GAN的關(guān)注度和論文是越來(lái)越少了，但是它們里面的一些思路還是值得我們了解和學(xué)習(xí)。所以本文我們來(lái)使用Pytorch 來(lái)實(shí)現(xiàn)SN-GAN
2023-10-18 10:59:17231 
在異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)中，ITO薄膜對(duì)其性能的影響是非常重要且直接的，ITO薄膜自身的優(yōu)劣與制備ITO薄膜過程的順利往往能直接決定異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的后期生產(chǎn)過程以及實(shí)際應(yīng)用是否科學(xué)有效
2023-10-16 18:28:09700 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換率的關(guān)鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術(shù)可較為便捷的制備高純度、高質(zhì)量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項(xiàng)核心技術(shù)
2023-10-10 10:15:53649 RKNN 是 Rockchip NPU 平臺(tái)(也就是開發(fā)板)使用的模型類型，是以.rknn 結(jié)尾的模型文件。
RKNN SDK 提 供 的 demo 程 序 中 默 認(rèn) 自 帶 了 RKNN 模 型
2023-09-21 11:39:02
由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽(yáng)能電池，因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:22407 諸多應(yīng)用難點(diǎn)，極高的開關(guān)速度容易引發(fā)振蕩，過電流和過電壓導(dǎo)致器件在高電壓場(chǎng)合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓?fù)涞膽?yīng)用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來(lái)其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
：ArmSoM P2 Pro 物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)板評(píng)測(cè)，支持PoE供電[]()
硬件說明
SoC 旁邊是 512 MB DDR3 內(nèi)存。規(guī)格表明SoC的DDR接口支持DDR2、LPDDR2和DDR3內(nèi)存
2023-09-13 12:21:21
你好，我用tensorflow訓(xùn)練的模型導(dǎo)出后，用ncc工具箱進(jìn)行轉(zhuǎn)化，轉(zhuǎn)化后的模型導(dǎo)入過程中出現(xiàn)問題：
1、我采用maxipy官方的固件，用micropython導(dǎo)入該模型是可以正常使用
2、根據(jù)
2023-09-13 07:34:46
P-NUCLEO-IOD01A1 是一款 STM32 Nucleo 套件，包括 NUCLEO-L073RZ 開發(fā)板、STEVAL-IOD003V1 評(píng)估板、以及 X-NUCLEO-IKS01A2
2023-09-13 06:39:09
P-NUCLEO-IOD01A1 是一款 STM32 Nucleo 套件，包括 NUCLEO-L073RZ 開發(fā)板、STEVAL-IOD003V1 評(píng)估板、以及 XNUCLEO-IKS01A2 擴(kuò)展
2023-09-13 06:01:51
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
傳感新品 【長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)：研發(fā)PAM@SiO2-NH2/石墨烯導(dǎo)電水凝膠傳感器】 導(dǎo)電水凝膠因其在軟機(jī)器人、電子設(shè)備和可穿戴技術(shù)等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。然而，由于傳統(tǒng)水凝膠固有的脆性，其廣泛應(yīng)用
2023-08-21 17:24:49960 
之前我們使用網(wǎng)頁(yè)文本輸入的方式體驗(yàn)了訊飛星火認(rèn)知大模型的功能（是什么讓科大訊飛1個(gè)月股價(jià)翻倍？），本篇博文將從開發(fā)者角度來(lái)看看如何使用訊飛星火認(rèn)知大模型API。
2023-08-15 12:22:264164 
用于快速模型的模型調(diào)試器是用于可擴(kuò)展集群軟件開發(fā)的完全可重定目標(biāo)的調(diào)試器。它旨在滿足SoC軟件開發(fā)人員的需求。
Model Debugger具有易于使用的GUI前端，并支持：
?源代碼級(jí)調(diào)試
2023-08-10 06:33:37
用于快速模型的模型調(diào)試器是用于可擴(kuò)展集群軟件開發(fā)的完全可重定目標(biāo)的調(diào)試器。它旨在滿足SoC軟件開發(fā)人員的需求。
Model Debugger具有易于使用的GUI前端，并支持：
?源代碼級(jí)調(diào)試
2023-08-09 07:57:45
20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523 
硅在暴露在空氣中時(shí)會(huì)形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學(xué)品。氫氟酸能夠與SiO2發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性的氟硅酸，從而清除硅片表面的氧化物層。
2023-08-02 10:40:25543 
器件溝道長(zhǎng)度為1μm，HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm；SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm；P襯底摻雜濃度4E15cm^-3；柵電極為鋁金屬。
2023-07-05 16:45:21419 
針對(duì)測(cè)量ITO導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用場(chǎng)景，CP200臺(tái)階儀能夠快速定位到測(cè)量標(biāo)志位；輕松實(shí)現(xiàn)一鍵多點(diǎn)位測(cè)量；能直觀測(cè)量數(shù)值變化趨勢(shì)。
2023-06-27 10:49:44713 
由于ITO膜具有一定的透光性，而硅基板具有較強(qiáng)的反射率，會(huì)對(duì)依賴反射光信號(hào)進(jìn)行圖像重建的光學(xué)輪廓儀造成信號(hào)干擾導(dǎo)致ITO膜厚圖像重建失真，因此考慮采用接觸式輪廓儀對(duì)ITO膜厚進(jìn)行測(cè)量，由于其厚度范圍
2023-06-27 10:47:070 地被開發(fā)出來(lái)。GaN器件的低導(dǎo)通內(nèi)阻、低寄生電容和高開關(guān)速度等特性，使得對(duì)應(yīng)的Class D功放系統(tǒng)能夠具有更高的效率，更高的功率密度，同時(shí)因?yàn)楦俚姆答佇枨笏鶐?lái)的非線性失真度將更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來(lái)
2023-06-21 07:19:58
金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。
2023-06-20 09:18:001044 
低規(guī)格GaN快速充電器的脈沖ACF
2023-06-19 12:09:55
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
最近在用M051開發(fā)板實(shí)現(xiàn)PWM輸出的控制，因?yàn)樯婕岸喾NPWM控制模式，所以想設(shè)置多個(gè)按鍵控制。而按鍵控制需要中斷的產(chǎn)生，敢問2個(gè)外部中斷EXINT0、EXINT1跟GPIOP0P1P2P3P
2023-06-16 08:13:28
一小部分2D圖像合成復(fù)雜3D場(chǎng)景的新視圖方面提供了最先進(jìn)的質(zhì)量。 作者提出了一個(gè)生成模型HyperNeRFGAN，它使用超網(wǎng)絡(luò)范式來(lái)生成由NeRF表示的三維物體。超網(wǎng)絡(luò)被定義為為解決特定任務(wù)的單獨(dú)目標(biāo)網(wǎng)絡(luò)生成權(quán)值的神經(jīng)模型?；?b class="flag-6" style="color: red">GAN的模型，利用超網(wǎng)絡(luò)范式將高斯噪
2023-06-14 10:16:11639 
目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
2023-06-13 16:48:17376 
賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)基于先進(jìn)的TCAD仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)開發(fā)出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫(kù)，并系統(tǒng)地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結(jié)構(gòu)對(duì)GaN基垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）電學(xué)和熱學(xué)特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271 
ISO774x器件在低功耗下提供高電磁抗擾度和低發(fā)射，同時(shí)隔離CMOS或LVCMOS數(shù)字I/O。每個(gè)隔離通道都有一個(gè)由雙電容二氧化硅（SiO2）絕緣屏障分隔的邏輯輸入和輸出緩沖器。
2023-06-01 15:27:15651 UIAbility通過WindowStage持有了一個(gè)窗口，該窗口為ArkUI提供了繪制區(qū)域。
Context
在Stage模型上，Context及其派生類向開發(fā)者提供在運(yùn)行期可以調(diào)用的各種能力
2023-05-25 17:44:46
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:011374 
本系列文章將在 AI 愛克斯開發(fā)板上使用 OpenVINO 開發(fā)套件依次部署并測(cè)評(píng) YOLOv8 的分類模型、目標(biāo)檢測(cè)模型、實(shí)例分割模型和人體姿態(tài)估計(jì)模型。
2023-05-05 11:47:53559 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212335 
應(yīng)用模型是OpenHarmony為開發(fā)者提供的應(yīng)用程序所需能力的抽象提煉，它提供了應(yīng)用程序必備的組件和運(yùn)行機(jī)制。有了應(yīng)用模型，開發(fā)者可以基于一套統(tǒng)一的模型進(jìn)行應(yīng)用開發(fā)，使應(yīng)用開發(fā)更簡(jiǎn)單、高效
2023-04-24 10:26:20
運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)開發(fā)與應(yīng)用 運(yùn)動(dòng) 是以 為控制對(duì)象，以控制器為核心，以電力電子、功率變換裝置為執(zhí)行機(jī)構(gòu)，在控制理論指導(dǎo)下組成的電氣傳動(dòng)控制系統(tǒng)。運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)多種多樣，但從基本結(jié)構(gòu)上看，一個(gè)典型的現(xiàn)代運(yùn)動(dòng)
2023-04-21 18:04:19690 是否有關(guān)于 NXP GaN 放大器長(zhǎng)期記憶的任何詳細(xì)信息。數(shù)據(jù)表說“專為低復(fù)雜性線性系統(tǒng)設(shè)計(jì)”。長(zhǎng)期記憶是否不再是當(dāng)前幾代 GaN 器件的關(guān)注點(diǎn)？這是整個(gè)產(chǎn)品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
與LMG5200評(píng)估模塊 (EVM) 一同提供的還有一塊驅(qū)動(dòng)GaN集成電路 (IC) 的電路。你需要將其斷開，并且連接你的LaunchPad開發(fā)套件。
2023-04-14 10:06:17424 
在本研究工作中，邊緣耦合器和圖案化溝槽在具有220 nm厚的頂部Si層和3 μm厚的SiO2掩埋氧化物（BOX）層的SOI晶片上制造。
2023-04-13 10:56:02166 STM32開發(fā)板 STM32F103RCT6最小系統(tǒng)板 ARM 一鍵串口下載 液晶屏
2023-04-04 11:05:04
零序電流互感器是絕對(duì)不可以穿零線的對(duì)嗎？
2023-04-03 11:27:38
N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā)，開發(fā)板主MCU芯片型號(hào)N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28
HiHope 滿天星智能家居開發(fā)套件
2023-03-28 13:07:10
ATK-Mini Linux開發(fā)板-EMMC
2023-03-28 13:05:54
ATK-Mini Linux開發(fā)板-NAND
2023-03-28 13:05:54
TI CC2541開發(fā)套件
2023-03-25 01:27:25
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