近日，科友半導(dǎo)體在國際競(jìng)爭(zhēng)激烈的SiC襯底市場(chǎng)殺出一條血路，成功拿下超2億元的出口歐洲長訂單之后，順利通過“國際汽車特別工作組質(zhì)量管理體系”（IATF16949）認(rèn)證，獲得進(jìn)軍國內(nèi)新能源汽車芯片襯底百億級(jí)規(guī)模市場(chǎng)“通行證”。
2024-03-21 17:20:18
140 臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
半導(dǎo)體 IC 設(shè)計(jì)的目的是將多個(gè)電子元件、電路和系統(tǒng)平臺(tái)集成在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上，從而實(shí)現(xiàn)芯片尺寸小、功耗低、集成度高、性能卓越的優(yōu)勢(shì)。
2024-03-11 16:42:37509 想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
，TSS已經(jīng)成為電子領(lǐng)域中的重要組成部分，被廣泛應(yīng)用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。
二、半導(dǎo)體放電管TSS的工作原理TSS的工作原理基于快速開關(guān)的思想，其結(jié)構(gòu)主要由一個(gè)PN結(jié)或P-i-N結(jié)、一個(gè)控制電極
2024-03-06 10:07:51
、光電子等領(lǐng)域。
二、半導(dǎo)體放電管TSS的工作原理TSS的工作原理基于快速開關(guān)的思想，其結(jié)構(gòu)主要由一個(gè)PN結(jié)或P-i-N結(jié)、一個(gè)控制電極和一個(gè)負(fù)載組成。當(dāng)控制電極施加足夠的正壓電信號(hào)時(shí)，PN結(jié)或
2024-03-06 10:03:11
2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“重投天科”）建設(shè)運(yùn)營，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片
2024-02-29 14:09:14234 N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
近日，第38屆日本國際電子展NEPCON JAPAN 2024在東京有明國際展覽中心盛大舉行。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，三安半導(dǎo)體受邀參加此次盛會(huì)，并攜其8吋碳化硅晶碇、襯底、外延，車規(guī)級(jí)碳化硅二極管、MOSFET產(chǎn)品，以及多場(chǎng)景應(yīng)用解決方案亮相展覽會(huì)。
2024-02-03 16:37:39582 1月23日，山東有研硅半導(dǎo)體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議》，該協(xié)議旨在充分發(fā)揮雙方各自優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)新業(yè)務(wù)合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場(chǎng)與客戶。
2024-01-29 14:36:57459 電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 在這次考察中，考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn)，這筆交易總預(yù)算高達(dá)十億元人民幣，其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業(yè)預(yù)期估算，該項(xiàng)目完成后每年潛在銷售額將達(dá)到 15 億元。
2024-01-19 13:57:20787 鐵鋰電池，它是一種鋰電池。其主要由正極材料、負(fù)極材料、電解質(zhì)和隔膜等組成，正負(fù)極之間通過電解質(zhì)和隔膜隔開。 異質(zhì)結(jié)電池：異質(zhì)結(jié)電池又稱為 pn 結(jié)電池，它是一種半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換設(shè)備。其主要由光電材料、p 型半導(dǎo)體和 n 型半導(dǎo)體組成，其中光電材料
2024-01-17 14:13:361785 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向之一。SiC襯底分為導(dǎo)電型和半絕緣型兩種，各自適用于不同的外延層和應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-17 09:38:29309 
半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)和封裝能力的廠家使用。 ?2、芯片貼裝在瓷質(zhì)基板上的顆粒（COC/COS?）。 ? ? 把SOA裸芯片貼裝到一個(gè)襯底塊上，并在襯底上集成了附屬測(cè)溫的熱敏電阻，和給SOA加電工作用的焊盤。處于無引腳待封裝的狀態(tài)，需要焊盤引線和封裝。這是方便光基礎(chǔ)器件廠
2024-01-15 10:19:3993 
據(jù)智程半導(dǎo)體官方網(wǎng)站介紹，其創(chuàng)立于 2009 年，專注于半導(dǎo)體濕制程設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，服務(wù)覆蓋集成電路制造、先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體及半導(dǎo)體襯底等多個(gè)領(lǐng)域。
2024-01-12 14:09:58229 在功率和光子學(xué)應(yīng)用強(qiáng)勁擴(kuò)張的推動(dòng)下，到2029年，全球化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到58億美元。隨著MicroLED的發(fā)展，射頻探索新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
2024-01-05 15:51:06353 
半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時(shí)，器件被導(dǎo)通，這時(shí)它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
RT-thread IDE是否支持HC32L072，也就是小華半導(dǎo)體的芯片？如果支持，哪位好心人發(fā)的芯片支持包
2024-01-04 15:21:25
近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 SOA半導(dǎo)體光放大器的產(chǎn)品形態(tài)，根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景大致分為5種產(chǎn)品形態(tài)： 1、芯片（CHIP）。 單一的SOA裸片，只具備光放大的半導(dǎo)體硅芯片，無任何附屬連接，只能供給具有半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)和封裝能力
2024-01-04 09:16:44148 
后，這些芯片也將被同時(shí)加工出來。
材料介質(zhì)層參見圖3，芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標(biāo)示。對(duì)應(yīng)每一層的圖案，制造過程會(huì)在硅晶圓上制做出一層由半導(dǎo)體材料或介質(zhì)構(gòu)成的圖形。本文把這些圖形層稱之為材料介質(zhì)
2024-01-02 17:08:51
芯片和半導(dǎo)體有什么區(qū)別? 芯片和半導(dǎo)體是信息技術(shù)領(lǐng)域中兩個(gè)重要的概念。在理解它們之前，我們需要首先了解什么是半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。在半導(dǎo)體中，電流的傳導(dǎo)主要是由電子和空穴
2023-12-25 14:04:451457 半導(dǎo)體分為哪幾種類型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電? 半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間特性的物質(zhì)，其導(dǎo)電性能可以通過控制雜質(zhì)的加入而改變。半導(dǎo)體可以分為兩種類型：p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2023-12-19 14:03:481388 在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導(dǎo)體封裝的不同分類，包括制造半導(dǎo)體封裝所用材料的類型、半導(dǎo)體封裝的獨(dú)特制造工藝，以及半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用案例。
2023-12-14 17:16:52442 
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類型和濃度。
2023-12-13 11:12:32804 本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體主要由價(jià)電子和空穴組成。在常溫下，自由電子和空穴的數(shù)量很少，因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外，本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān)，具有熱敏、光敏特性。
2023-12-13 11:10:05619 根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）12月6日，半導(dǎo)體材料領(lǐng)域又一家優(yōu)秀的國產(chǎn)企業(yè)在科創(chuàng)板成功上市。作為一家半導(dǎo)體材料商，江蘇艾森半導(dǎo)體材料股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：艾森半導(dǎo)體）自2010年成立以來，抓住
2023-12-07 00:11:002226 
清軟微視是清華大學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測(cè)軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測(cè)裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:38767 
按施敏教授的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成，MOSFET由MOS結(jié)構(gòu)和兩對(duì)PN結(jié)構(gòu)成。
2023-11-30 15:56:171035 
1. 二極管--PN結(jié)
PN結(jié)二極管是半導(dǎo)體的分析的最小單位。P型半導(dǎo)體通過摻雜，會(huì)帶有大量的空穴，可以填充電子。N型半導(dǎo)體，則帶有更多的活躍電子。
我們先了解一下僅含有一個(gè)P—N結(jié)的二極管
2023-11-28 15:53:49
【半導(dǎo)體后端工藝：】第一篇了解半導(dǎo)體測(cè)試
2023-11-24 16:11:50484 
隨著對(duì)高性能半導(dǎo)體需求的增加，半導(dǎo)體市場(chǎng)越來越重視“封裝工藝”的重要性。根據(jù)這一趨勢(shì)，SK海力士正在大規(guī)模生產(chǎn)基于HBM3（高帶寬存儲(chǔ)器3）的高級(jí)封裝產(chǎn)品，同時(shí)專注于投資生產(chǎn)線并為未來封裝技術(shù)的發(fā)展獲取資源。
2023-11-23 16:20:04395 
半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個(gè)部分在制造過程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281509 半導(dǎo)體芯片剪切力測(cè)試機(jī)-8600產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)1、電腦自動(dòng)選取合適的推拉刀，無需人手更換2、采用進(jìn)口傳動(dòng)部件結(jié)合獨(dú)特力學(xué)算法，確保機(jī)臺(tái)運(yùn)行穩(wěn)定性及測(cè)試精度。3、多功能四軸自動(dòng)控制運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，采用進(jìn)口傳動(dòng)部件
2023-11-16 18:07:29
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 站在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的時(shí)代風(fēng)口，來自佛山的科創(chuàng)力量正在崛起，力合科創(chuàng)（佛山）科技園投資企業(yè)——廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司（下稱“匯芯半導(dǎo)體”）就是其中一個(gè)代表。
2023-11-10 09:58:50459 功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動(dòng)的各個(gè)行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動(dòng)汽車包括功率半導(dǎo)體，飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過外延加工，即在襯底上生 長一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404 一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06525 
一、半導(dǎo)體有關(guān)概念 1、半導(dǎo)體 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。它內(nèi)部運(yùn)載電荷的粒子有電子載流子(帶負(fù)電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物
2023-09-26 11:00:331127 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
近日，新加坡南洋理工大學(xué)高煒博教授與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張俊研究員合作，利用施主-受主對(duì)(DAP)模型解釋了二維MoS2/WSe2莫爾異質(zhì)結(jié)中密集且尖銳的局域?qū)娱g激子(IX)發(fā)射現(xiàn)象，并建立了DAP IX的動(dòng)力學(xué)模型，很好地解釋了層間激子壽命與發(fā)射能量的單調(diào)依賴關(guān)系。
2023-09-25 10:14:51379 
由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:22407 
在n型半導(dǎo)體中什么是多數(shù)載流子？? 在半導(dǎo)體物理學(xué)領(lǐng)域中，多數(shù)載流子（Majority carrier）是指在半導(dǎo)體材料中數(shù)量最多的帶電粒子。在n型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是負(fù)電子，在p型半導(dǎo)體中，多數(shù)
2023-09-19 15:57:042483 ▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
導(dǎo)電型襯底Wolfspeed一家獨(dú)大，絕緣型襯底天岳先進(jìn)入圍前三。2020年全球?qū)щ娦蚐iC襯底依舊被Wolfspeed、II-VI、羅姆壟斷，CR3高達(dá)90%，其中Wolfspeed市占率高達(dá)62
2023-09-07 16:26:321582 
半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征? 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子領(lǐng)域中的兩個(gè)重要概念，它們雖然有些相似，但是在性質(zhì)、應(yīng)用和制造過程等方面都有重要的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體與導(dǎo)體的重要特征，以及它們之間的區(qū)別
2023-08-27 15:55:122667 氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312376 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)-概況 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場(chǎng)上有各種類型的半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備。一些流行的設(shè)備類型包括
2023-08-22 15:08:001225 
定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能，并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描述了實(shí)現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法，重點(diǎn)介紹了離子
2023-08-14 17:03:50483 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究?jī)r(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途： 半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱特點(diǎn)：1．圓幅內(nèi)襯，不銹鋼圓幅型內(nèi)襯設(shè)計(jì)，可避免蒸氣潛熱直接沖擊試品。2．實(shí)驗(yàn)開始前之真空動(dòng)作可將原來箱內(nèi)之空氣抽出并吸入
2023-07-18 10:37:12
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對(duì)異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:23843 
簡(jiǎn)介：蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商，多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)，咨詢塑料激光焊接機(jī)多少錢，歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光！產(chǎn)品描述：品名：塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)品牌：鐳拓
2023-07-06 16:24:04
? 半導(dǎo)體自動(dòng)化專用離子風(fēng)機(jī)是一種專門用于半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域的設(shè)備。它采用了離子風(fēng)技術(shù)，通過產(chǎn)生帶電離子來達(dá)到除塵、靜電消除、表面清潔等功能。 半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，電子元器件的制造需要保持高度的清潔和靜
2023-07-06 09:59:26300 
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍(lán)寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過金屬有機(jī)氣象外延(MOCVD)進(jìn)行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:551652 
半導(dǎo)體冷凍治療儀利用半導(dǎo)體制冷組件產(chǎn)生的低溫來治療疾病，是近年來發(fā)展較快的物理治療設(shè)備。它具有溫控精確、功耗低、體積小等優(yōu)點(diǎn)，在康復(fù)治療領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。半導(dǎo)體冷凍治療儀包括治療儀本體、半導(dǎo)體
2023-06-12 09:29:18700 
HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32276 Multisim基礎(chǔ)上的智能空調(diào)設(shè)計(jì)（測(cè)溫，換氣，自清潔）該怎么做，求大佬指導(dǎo)一下
2023-06-05 09:14:43
根據(jù)中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
分立器件行業(yè)概況
半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場(chǎng)需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對(duì)二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508 
使用半導(dǎo)體芯片劃片機(jī)的方法如下：準(zhǔn)備工作：清潔設(shè)備，核對(duì)晶圓數(shù)量和批次信息，確保晶圓完好無破損。粘貼晶圓片：將待切割的晶圓片粘貼到藍(lán)膜上，并將藍(lán)膜框架放入劃片機(jī)。劃片開始：實(shí)時(shí)清除劃片產(chǎn)生
2023-05-26 10:16:27493 
近期，美國南卡羅來納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSHFET）器件。
2023-05-25 10:13:09679 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461675 
室溫下連續(xù)工作。 2 異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器 異質(zhì)結(jié)由晶格常數(shù)不同的兩種材料構(gòu)成的PN結(jié)，分為單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)和多異質(zhì)結(jié)，如圖2.7所示。常用的異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器材料體系有：GaAs/AlxGa1-xAs和InP/Ga1-xInxAs1-yIny。 圖7異質(zhì)結(jié) 單異質(zhì)結(jié)激光器的閾值電
2023-05-06 07:16:171224 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
器件方向發(fā)展結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體改性清洗的需要，除了硅，在前一種情況下，用于下一代CMOS柵極結(jié)構(gòu)文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁以及深3D幾何圖形的垂直表面的清潔和調(diào)理MEMS設(shè)備這些問題加速的步伐除硅以外的半導(dǎo)體正在被引進(jìn)主流制造業(yè)需要發(fā)展特定材料的晶
2023-04-23 11:03:00246 全自動(dòng)半導(dǎo)體激光COS測(cè)試機(jī)TC 1000 COS（chip on submount）是主流的半導(dǎo)體激光器封裝形式之一，對(duì)COS進(jìn)行全功能的測(cè)試必不可少
2023-04-13 16:28:40
恩智浦半導(dǎo)體公司 恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。 [1-2] 恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。 [3] 2015
2023-03-27 14:32:00711 了載流子分布的反轉(zhuǎn)， 由于電子的遷移速度比空穴的遷移速度快， 在有源區(qū)發(fā)生輻射、復(fù)合，發(fā)射出熒光，在一定的條件下發(fā)生激光 ，這是一種只能以脈沖形式工作的半導(dǎo)體激光器。半導(dǎo)體激光器發(fā)展的第二階段是異質(zhì)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體激光器， 它是由兩種不同帶隙
2023-03-27 08:49:171152 比較特殊。常用工作物質(zhì)有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵(lì)方式有電注入、電子束激勵(lì)和光泵浦三種形式。 半導(dǎo)體激光器件，可分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)等幾種。同質(zhì)結(jié)激光器和單異質(zhì)結(jié)激光器在室溫
2023-03-24 09:26:50697 
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