WD4000國(guó)產(chǎn)晶圓幾何形貌量測(cè)設(shè)備通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV、BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷?？蓪?shí)現(xiàn)砷化鎵
2024-03-15 09:22:08
一個(gè)生態(tài)系統(tǒng)，讓每家公司都能夠?qū)Ｗ⒂谒麄兊暮诵母?jìng)爭(zhēng)力，這是管理復(fù)雜性的一個(gè)好方法。這就是第三個(gè)時(shí)代所發(fā)生的事情。芯片的設(shè)計(jì)和實(shí)施由無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司負(fù)責(zé)，設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施由 EDA 公司負(fù)責(zé)，工藝技術(shù)則
2024-03-13 16:52:37
看作如圓3.16所示的幷聯(lián)路，此處Cr可以是正值也可以是負(fù)值。低阻值時(shí)C，隨電阻值的變化如圖3.17所示。
圖3.16一定頻率下低阻值電阻器在射電頻率下的阻值的等效電路。R:與直流電阻R的比值，R
2024-03-12 07:49:06
想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41
161 
。以下是
半導(dǎo)體制造中氣體
混合的一些常見(jiàn)用途和相關(guān)操作。 1、
清洗:氣體
混合用于制備
清洗氣體，例如氫氣和氮?dú)獾?b class="flag-6" style="color: red">混合物，以去除制造設(shè)備和器件上的雜質(zhì)和殘留物，確保器件的純度。 2、退火:氣體
混合物，通常是氫氣和氮?dú)獾幕?/div>
2024-03-05 14:23:0896 
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開(kāi)發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59300 
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)是通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷?？杉嫒莶煌馁|(zhì)
2024-02-21 13:50:34
根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
WD4000半導(dǎo)體晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
WD4000半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應(yīng)表面
2024-01-03 10:02:59
后，這些芯片也將被同時(shí)加工出來(lái)。
材料介質(zhì)層參見(jiàn)圖3，芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標(biāo)示。對(duì)應(yīng)每一層的圖案，制造過(guò)程會(huì)在硅晶圓上制做出一層由半導(dǎo)體材料或介質(zhì)構(gòu)成的圖形。本文把這些圖形層稱之為材料介質(zhì)
2024-01-02 17:08:51
ADIS16488數(shù)據(jù)接口只能支持SPI協(xié)議嗎？能否配置成I2C？
還有引腳1、2、7、9，是DIO3 DIO4 DIO1 DIO2數(shù)字輸入輸出，這四個(gè)引腳可否配置成串口232的輸入和輸出
2024-01-01 07:55:56
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，清洗機(jī)與PFA閥門扮演著至關(guān)重要的角色。它們是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備，對(duì)于提高產(chǎn)品質(zhì)量、確保生產(chǎn)效率具有舉足輕重的作用。 半導(dǎo)體清洗機(jī)是一種專門用于清洗半導(dǎo)體的設(shè)備。在半導(dǎo)體
2023-12-26 13:51:35255 
TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對(duì)晶圓表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。通過(guò)晶圓的測(cè)溫點(diǎn)了解特定位置晶圓的真實(shí)溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過(guò)程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。WD
2023-12-20 11:22:44
中圖儀器WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3
2023-12-14 10:57:17
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
在電子學(xué)領(lǐng)域中，半導(dǎo)體扮演著至關(guān)重要的角色。然而，為何它們被稱為“半導(dǎo)體”而不是“全導(dǎo)體”呢？本文將詳細(xì)探討半導(dǎo)體的定義、特性及其應(yīng)用，以揭示這一命名背后的奧秘。
2023-12-08 11:01:59545 
隨著技術(shù)的不斷變化和器件尺寸的不斷縮小，清潔過(guò)程變得越來(lái)越復(fù)雜。每次清洗不僅要對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，所使用的機(jī)器和設(shè)備也必須進(jìn)行清洗。晶圓污染物的范圍包括直徑范圍為0.1至20微米的顆粒、有機(jī)和無(wú)機(jī)污染物以及雜質(zhì)。
2023-12-06 17:19:58562 
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測(cè)溫晶圓表面溫度均勻性測(cè)試的重要性及方法 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個(gè)重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42
硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。硅材料的主要缺點(diǎn)是它的導(dǎo)電性較差，需要摻雜其他元素來(lái)提高其導(dǎo)電性。
2023-11-30 17:21:18825 半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體
2023-11-29 10:22:17517 
專利摘要據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成的方法中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括如下：第一夾雜著離子的電路板；位于基板內(nèi)的深谷結(jié)構(gòu)、機(jī)關(guān)和深深的凹槽結(jié)構(gòu)位于上方的雜質(zhì)區(qū)域切斷，位于阻擋摻雜區(qū)上的第一外延層，第一外延層內(nèi)的體區(qū)，至少一部分是所述深谷位于結(jié)構(gòu)的上部。
2023-11-21 15:34:03212 
請(qǐng)問(wèn)像AD8233一樣的晶圓封裝在PCB中如何布線，芯片太小，過(guò)孔和線路都無(wú)法布入，或者有沒(méi)有其他封裝的AD8233
2023-11-14 07:01:48
半導(dǎo)體的電導(dǎo)率直接影響著半導(dǎo)體器件的工作狀態(tài)，是半導(dǎo)體材料的重要參數(shù)。因此，半導(dǎo)體電導(dǎo)率的檢測(cè)也是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，確保半導(dǎo)體器件的性能、穩(wěn)定性和可靠性。
2023-11-13 16:10:291089 海納半導(dǎo)體（山西）有限公司半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地工程總投資5.46億元，占地約133.85畝，建筑面積約8.97萬(wàn)平方米。利用海納的自主技術(shù)，引進(jìn)120套單晶生產(chǎn)設(shè)備
2023-11-13 09:47:43442 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來(lái)越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 對(duì)于半導(dǎo)體器件而言熱阻是一個(gè)非常重要的參數(shù)和指標(biāo)，是影響半導(dǎo)體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱阻過(guò)大，那么半導(dǎo)體器件的熱量就無(wú)法及時(shí)散出，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件溫度過(guò)高，造成器件性能下降，甚至損壞器件。因此，半導(dǎo)體熱阻測(cè)試是必不可少的，納米軟件將帶你了解熱阻測(cè)試的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
。WD4000晶圓幾何形貌測(cè)量及參數(shù)自動(dòng)檢測(cè)機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、B
2023-11-06 10:49:18
WD4000系列半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動(dòng)檢測(cè)機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07
WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚?？蓮V泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
WD4000半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過(guò)外延加工，即在襯底上生 長(zhǎng)一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
隨著科技的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體設(shè)備在制造過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)多個(gè)工藝步驟，而每個(gè)步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中，華林科納的PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 2.4TFT屏幕上怎么畫(huà)實(shí)心圓？
2023-10-16 09:12:27
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
樣的干式清洗方法越來(lái)越受到頭部企業(yè)的青睞，主要因素是它針對(duì)凹凸面、異面、平面、曲面等不同精密器件的去除異物、除塵、清潔，而且用戶可以在新設(shè)工藝產(chǎn)線中加入旋風(fēng)清潔設(shè)備，或在原有工藝設(shè)備中的必要節(jié)點(diǎn)加裝旋風(fēng)模組單元，均可達(dá)到升級(jí)改善原有潔凈度、提升良率、減少人工、增進(jìn)效率的良好效果。
2023-09-21 15:46:00689 結(jié)果的概率分布
我們進(jìn)一步為銷中心建立垂直方向的虛擬測(cè)量，進(jìn)行5000次虛擬裝配后得到圖3仿真測(cè)量結(jié)果，標(biāo)準(zhǔn)差為0.205分布。
圖3 銷中心垂直方向波動(dòng)量仿真結(jié)果
三、模擬方法二
因?yàn)樵诎霃絉的圓內(nèi)
2023-09-20 12:09:57
性能和速度上同時(shí)滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù) , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術(shù)對(duì)于
2023-09-19 07:23:03
? 上市周期短（距第3代不到2年）意法半導(dǎo)體溝槽技術(shù)：長(zhǎng)期方法? 意法半導(dǎo)體保持并鞏固了領(lǐng)先地位? 相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的重大工藝改良? 優(yōu)化和完善的關(guān)鍵步驟
2023-09-08 06:33:00
今天我們來(lái)聊一下非接觸除塵設(shè)備在半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的應(yīng)用，說(shuō)起半導(dǎo)體清洗，是指對(duì)晶圓表面進(jìn)行無(wú)損傷清洗，用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測(cè)試每個(gè)步驟中可能產(chǎn)生的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率和性能。而非接觸精密除塵設(shè)備可以大幅提升芯片良率，為企業(yè)實(shí)現(xiàn)降本增效的目的。
2023-09-04 18:47:39787 
9月2日，2023大功率半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用前沿高端學(xué)術(shù)論壇在華中科技大學(xué)舉行，富力天晟實(shí)驗(yàn)室參與學(xué)習(xí)交流。 會(huì)議圍繞大功率半導(dǎo)體激光技術(shù)及其應(yīng)用的發(fā)展，研討其在工業(yè)領(lǐng)域中的重要應(yīng)用價(jià)值，剖析半導(dǎo)體
2023-09-04 16:17:13508 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24365 
PFA花籃（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花藍(lán) ，鐵氟龍卡匣 ， 鐵氟龍晶舟盒 ，鐵氟龍晶圓盒為承載半導(dǎo)體晶圓片/硅片
2023-08-29 08:57:51
高精度半導(dǎo)體芯片推拉力測(cè)試儀免費(fèi)測(cè)樣品半導(dǎo)體芯片測(cè)試是半導(dǎo)體制造過(guò)程中非常重要的一環(huán)。芯片測(cè)試流程：芯片測(cè)試一般分為兩個(gè)階段，一個(gè)是CP（Chip Probing）測(cè)試，也就是晶圓（Wafer）測(cè)試
2023-08-22 17:54:57
批量式清洗機(jī)、單晶圓清洗機(jī)和集群工具清洗機(jī)。 批式清洗機(jī)用于一次清洗大量晶圓。單晶圓清洗機(jī)用于一次清洗一個(gè)晶圓。集群工具清潔器用于一次清潔多個(gè)晶圓。全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)正在以健康的速度增長(zhǎng)。推動(dòng)該市場(chǎng)增長(zhǎng)
2023-08-22 15:08:001225 
早些時(shí)期半導(dǎo)體常使用濕式清洗除塵方法，濕式清洗除塵通常使用超純水或者化學(xué)藥水來(lái)清洗除塵，優(yōu)點(diǎn)就是價(jià)格低廉，缺點(diǎn)是有時(shí)化學(xué)藥水或者超純水會(huì)把產(chǎn)品損害。隨著科技技術(shù)的進(jìn)步，人們對(duì)半導(dǎo)體的清洗除塵要求越來(lái)越高，不僅要保證產(chǎn)品的良率達(dá)到一定的標(biāo)準(zhǔn)，還需要清洗除塵的程度達(dá)到不錯(cuò)的水平
2023-08-22 10:54:45681 ，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無(wú)接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測(cè)量需求，解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06
根據(jù)太陽(yáng)能電池種類的差異，不同太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝也會(huì)有所不同，抉擇一塊電池性能的重要環(huán)節(jié)是制作太陽(yáng)能電池的清洗制絨。單晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝的優(yōu)劣可判斷其在應(yīng)用過(guò)程中是否具有超高的使用價(jià)值
2023-08-19 08:36:27811 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對(duì)半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來(lái)越高。
2023-08-01 10:01:561639 
半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途： 半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱特點(diǎn)：1．圓幅內(nèi)襯，不銹鋼圓幅型內(nèi)襯設(shè)計(jì)，可避免蒸氣潛熱直接沖擊試品。2．實(shí)驗(yàn)開(kāi)始前之真空動(dòng)作可將原來(lái)箱內(nèi)之空氣抽出并吸入
2023-07-18 10:37:12
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來(lái)越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40
芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試。
2023-06-09 16:25:42
捕捉特征邊緣進(jìn)行二維尺寸快速測(cè)量，從而更加有效的對(duì)晶圓表面進(jìn)行檢測(cè)和質(zhì)量控制。此外還可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、微
2023-06-08 14:39:01
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長(zhǎng)爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中，清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù)，如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機(jī)械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液，會(huì)產(chǎn)生大量廢水，因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問(wèn)題。
2023-06-02 13:33:211021 
;amp;做高ROI秋招策略
2、半導(dǎo)體行業(yè)人才資源趨勢(shì)
3、高端人才校招：雇主品牌與效能提升！
未來(lái)一年贏在高端人才校招！
主講人介紹
黃博同
復(fù)醒科技CEO·復(fù)旦大學(xué)微電子博士
主講人黃博同先生
2023-06-01 14:52:23
半導(dǎo)體芯片PCT老化試驗(yàn)箱 壹叁伍 叁捌肆陸 玖零柒陸 試驗(yàn)方法主要分成兩種類型：即PCT和USPCT(HAST、現(xiàn)在壓力蒸煮鍋試驗(yàn)作為濕熱加速試驗(yàn)被IEC(國(guó)際電工委員會(huì))所
2023-05-26 10:52:14
單晶爐，全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐，是一種在惰性氣體（氮?dú)?、氦氣為主）環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515631 
請(qǐng)教一下，有部分工程師使用的0402以上阻容件封裝焊盤(pán)呈子彈頭設(shè)計(jì)（焊盤(pán)內(nèi)測(cè)導(dǎo)圓），這樣設(shè)計(jì)走什么優(yōu)缺點(diǎn)呢？
2023-05-11 11:56:44
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個(gè)單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-05-09 14:12:38
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個(gè)單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-04-28 17:41:49
日前，英國(guó)品牌估值咨詢公司“品牌金融”(Brand Finance)發(fā)布最新“全球半導(dǎo)體品牌價(jià)值20強(qiáng)(Brand Finance Semiconductor 20 2023)”報(bào)告。報(bào)告顯示，在
2023-04-27 10:09:27
高端智能LED照明整體解決方案 DIO8269+DIO8105+DIO8280整體解決方案能夠同時(shí)滿足：0-10V隔離調(diào)光與PWM調(diào)光兼容撥碼調(diào)光。 采用創(chuàng)新性的采樣結(jié)構(gòu)和深度調(diào)光架構(gòu)，突破了共陽(yáng)極
2023-04-24 16:05:54653 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：下一代半導(dǎo)體清洗科技材料系統(tǒng) 編號(hào)：JFKJ-21-188 作者：炬豐科技 摘要 本文簡(jiǎn)要概述了面臨的挑戰(zhàn)晶圓清洗技術(shù)正面臨著先進(jìn)的silicon技術(shù)向非平面
2023-04-23 11:03:00246 JY-V620是一款集天線、放大器、控制器、紅外感應(yīng)于一體的半導(dǎo)體電子貨架RFID讀寫(xiě)器，工作頻率134.2kHz，兼容TI系列玻璃管標(biāo)簽。工作時(shí)讀寫(xiě)器通過(guò)紅外感應(yīng)FOUP晶圓盒，觸發(fā)天線讀取
2023-04-23 10:45:24
【摘要】 在半導(dǎo)體濕法工藝中，后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對(duì)比研究，論述不同藥液與機(jī)臺(tái)的清洗原理，清洗特點(diǎn)與清洗局限性?！娟P(guān)鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
晶圓GDP2604003D負(fù)壓救護(hù)差壓3Kpa壓力傳感器裸片XGZGDP2604 型壓力傳感器晶圓產(chǎn)品特點(diǎn)：測(cè)量范圍-100…0～1kPa…1000kPa壓阻式原理表壓或絕壓形式***的穩(wěn)定性、線性
2023-04-06 15:09:45
wafer晶圓GDP703202DG恒流1mA表壓2Mpa裸片壓力傳感器die產(chǎn)品概述：GDP0703 型壓阻式壓力傳感器晶圓采用 6 寸 MEMS 產(chǎn)線加工完成，該壓力晶圓的芯片由一個(gè)彈性膜及集成
2023-04-06 14:48:12
做法，或者如果含有大量 VOC，則使用中央熱氧化器處理廢氣，這兩種方法通常都位于建筑物內(nèi)或建筑物頂部。然而，隨著單晶圓清洗在大規(guī)模生產(chǎn)中變得越來(lái)越普遍，局部濕式洗滌器具有優(yōu)勢(shì)。
2023-04-06 09:26:48408 
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導(dǎo)體表面質(zhì)量的情況下去除顆?；蛭廴疚锏倪^(guò)程。器件表面晶圓上的污染物和顆粒雜質(zhì)對(duì)器件的性能和可靠性有重大影響。本報(bào)告?zhèn)戎赜?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)的不同部分（產(chǎn)品、晶圓尺寸、技術(shù)、操作模式、應(yīng)用和區(qū)域）。
2023-04-03 09:47:511643 
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，是電子產(chǎn)品的核心。在電子半導(dǎo)體器件制造中，單晶硅的氧濃度會(huì)嚴(yán)重影響單晶硅產(chǎn)品的性能，也是單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中較難控制的環(huán)節(jié)。因此，對(duì)硅片承載區(qū)域氧氣含量
2023-03-29 11:48:39453 
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