場效應(yīng)管，即場效應(yīng)晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 15:31:17
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逆變器的場效應(yīng)管發(fā)熱原因? 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的裝置，常用于太陽能發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電等可再生能源系統(tǒng)中。其中，場效應(yīng)管（MOSFET）是逆變器中的關(guān)鍵元件，負(fù)責(zé)開關(guān)直流電，實現(xiàn)直流電的變換
2024-01-31 17:17:01427 1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何利用MES系統(tǒng)進行生產(chǎn)防錯.docx》資料免費下載
2024-01-26 16:08:23
0 在負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)沒有考慮到反饋支路的負(fù)載效應(yīng)，只是認(rèn)為反饋網(wǎng)絡(luò)是單向的，即沒有考慮到輸入經(jīng)反饋網(wǎng)絡(luò)到輸出的過程，如果考慮到反饋支路的負(fù)載效應(yīng)，就必須重新分析反饋環(huán)節(jié)的影響。
1、請問如何判斷反饋支路
2024-01-26 09:58:01
PID效應(yīng)的成因及抑制方法 PID（比例積分微分）控制器是一種常用的自動控制器，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)中。它由比例（P）、積分（I）和微分（D）三部分組成，用于控制系統(tǒng)的輸出校正與調(diào)節(jié)。 PID效應(yīng)
2024-01-23 14:58:28312 熱電效應(yīng)是指當(dāng)兩個不同材料的接觸處存在溫度差時，會產(chǎn)生電場或電勢差，從而引起電荷的移動和電流的產(chǎn)生。熱電效應(yīng)的研究對于熱電材料的開發(fā)和熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用有著重要的意義。 熱電效應(yīng)可以分為三種
2024-01-18 11:43:15647 。而超聲波傳感器中的壓電晶片則是其中最核心的部件之一，它起著轉(zhuǎn)換電信號和超聲波能量的重要作用。 壓電晶片，也被稱為壓電陶瓷，是一種特殊材料，具有壓電效應(yīng)。壓電效應(yīng)是指某些晶體在受到機械應(yīng)力時產(chǎn)生電荷分布的變
2024-01-17 15:37:28396 利用電流熱效應(yīng)工作的電器是指那些根據(jù)電流通過導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量來實現(xiàn)其功能的電器。電流熱效應(yīng)是指當(dāng)電流通過導(dǎo)體時，由于導(dǎo)體的電阻，電能會被轉(zhuǎn)化為熱能，導(dǎo)致導(dǎo)體溫度升高。這種熱能轉(zhuǎn)化的現(xiàn)象廣泛應(yīng)用于各種
2024-01-16 10:41:10224 2586場效應(yīng)管能不能使用3205場效應(yīng)管代替？ 場效應(yīng)管(也稱為晶體管)作為一種重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中，包括放大器、開關(guān)和數(shù)字邏輯電路等。然而，在一些場合下，我們可能需要找到一個能夠
2024-01-15 15:49:57317 太陽能發(fā)電原理是指利用太陽能將其轉(zhuǎn)化為電能的過程。太陽能是指太陽自身發(fā)出的輻射能，其中包括光能和熱能。太陽光是一種電磁輻射，由能量較高的光子組成。太陽能發(fā)電利用的是光能，而非熱能。下面將詳細(xì)介紹
2024-01-12 14:46:10342 場效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動經(jīng)常聽到米勒效應(yīng)這個詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個等效電容在場效應(yīng)管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍，進而導(dǎo)致驅(qū)動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
光電效應(yīng)是一種物理現(xiàn)象，指的是當(dāng)光子射到金屬表面時，金屬中的電子受到能量激發(fā)而從金屬表面逸出的過程。光電效應(yīng)的基本原理可以用經(jīng)典的波動理論和量子力學(xué)的粒子理論來解釋。
2024-01-10 14:49:50656 霍爾傳感器為何有磁阻效應(yīng)? 霍爾傳感器的磁阻效應(yīng)是指在外加磁場作用下，材料內(nèi)的電阻發(fā)生變化，從而產(chǎn)生電勢差?；魻杺鞲衅?b class="flag-6" style="color: red">利用這種效應(yīng)，能夠檢測和測量磁場的強度、方向和位置等信息。本文將從霍爾效應(yīng)的起源
2023-12-18 14:49:00478 產(chǎn)品小型化和更輕、更薄發(fā)展趨勢的推動下, 制造商開發(fā)出更小的封裝類型。最小的封裝當(dāng)然是芯片本身, 圖 1 描述了 IC 從晶片到單個芯片的實現(xiàn)過程, 圖 2 為一個實際的晶片級封裝 (CSP) 。 晶片級封裝的概念起源于 1990 年, 在 1998 年定義的 CSP 分類中, 晶片級 CSP
2023-12-14 17:03:21201 
碳化硅晶片薄化技術(shù)，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實現(xiàn)。
2023-12-12 12:29:24189 
場效應(yīng)管放大電路的原理? 場效應(yīng)管（FET）是一種三極管，常用于電子放大電路中。FET的原理是利用半導(dǎo)體材料的特性來控制電流和電壓，以實現(xiàn)放大作用。通過理解FET工作的原理，我們可以了解到FET
2023-12-07 15:48:241317 接地設(shè)計中的“決堤效應(yīng)”
2023-12-06 14:50:24136 
的復(fù)雜性和成本，努力實現(xiàn)持續(xù)改進至關(guān)重要. 質(zhì)量控制和產(chǎn)量 一個晶片上同時制造幾百個芯片。我們不是在談?wù)撁牢兜娘灨桑?b class="flag-6" style="color: red">晶片通常是一塊硅(世界上最豐富的半導(dǎo)體之一)或其他半導(dǎo)體材料，設(shè)計成非常薄的圓盤形式。晶片用于制造電子
2023-12-04 11:50:57197 
如圖：這個N溝道場效應(yīng)管，這樣接行不行？
2023-11-26 22:22:46
低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路
2023-11-24 16:54:18633 壓電效應(yīng)的定義 壓電效應(yīng)的應(yīng)用 壓電效應(yīng)的特點 壓電效應(yīng)是指某些物質(zhì)在受到機械應(yīng)力或壓力時會產(chǎn)生電荷分離現(xiàn)象的物理現(xiàn)象。具體地說，當(dāng)壓電材料變形時，其內(nèi)部正負(fù)電荷中心的偏移會導(dǎo)致電荷的分離，從而產(chǎn)生
2023-11-23 11:00:301380 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場效應(yīng)管可以分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）。其中，JFET是由一個pn結(jié)構(gòu)組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521232 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類.doc》資料免費下載
2023-11-03 09:42:540 電源系統(tǒng)故障的成因是什么？該如何有效應(yīng)對？有沒有一種簡單的方法可以保護電源設(shè)計免受故障影響？ 電源系統(tǒng)故障的成因是多種多樣的，包括但不限于設(shè)備老化、負(fù)載波動、過流、過壓、過熱、短路、接線松動等。這些
2023-10-23 09:46:06415 電阻器是電子電路中常見的被動元件，用于限制電流、調(diào)整電壓和執(zhí)行其他電阻性功能。在電阻器的制造中，有兩種常見的類型：厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻。這兩種類型的電阻器在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用方面都有一些顯著的區(qū)別。本文將介紹厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區(qū)別，以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17840 
場效應(yīng)管不導(dǎo)通，LED能亮嗎？
2023-10-17 07:09:53
整數(shù)霍爾效應(yīng)和分?jǐn)?shù)霍爾效應(yīng)是再明顯不過的磁通量量子化證據(jù)。把霍爾器件的邊界看作等效回路，而不是應(yīng)用霍爾器件的電路看作回路。
2023-10-16 13:27:09269 怎么實現(xiàn)利用藍(lán)牙和無線局域網(wǎng)共同控制監(jiān)控系統(tǒng)怎么實現(xiàn)?
2023-10-16 06:29:48
光伏電池是光伏組件中重要的一種，也是光伏系統(tǒng)的基礎(chǔ)。光伏電池是一種元器件，利用光伏效應(yīng)實現(xiàn)光電能的轉(zhuǎn)化。
2023-10-12 16:27:28865 
在刻蝕SOI襯底時，通常會發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-11 18:18:43978 
隨著社會的不斷發(fā)展，商業(yè)安全問題越來越受到人們的關(guān)注。為了保障商業(yè)安全，許多企業(yè)和機構(gòu)都采用了安防監(jiān)控系統(tǒng)。本文將介紹如何利用安防監(jiān)控系統(tǒng)保障商業(yè)安全，以僑杰智能科技為例。 在商業(yè)場所中，安防監(jiān)控
2023-10-11 16:22:56409 場效應(yīng)管(MOSFET)也叫場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34561 
健康、健身和元宇宙應(yīng)用開發(fā)與半導(dǎo)體技術(shù)集成的磁傳感器。 隧道磁阻（TMR）效應(yīng) 隧道磁阻（TMR）效應(yīng)是一種納米級量子力學(xué)現(xiàn)象，是指在鐵磁-絕緣體薄膜-鐵磁材料中，其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應(yīng)。 Neuranics利用TMR效應(yīng)來檢測人體器官（例如心臟和
2023-10-08 09:51:26442 本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導(dǎo)其小信號模型。
2023-10-02 17:36:001342 
添加Linux系統(tǒng)調(diào)用與利用QEMU測試
2023-10-01 12:19:00146 
倒裝晶片（Flip Chip）貼裝屬于先進半導(dǎo)體組裝（Advanced Semiconductor Assembly），常見的應(yīng)用有無線天線、藍(lán)牙、硬盤磁頭、元件封裝、智能傳感器和一些醫(yī)用高精密設(shè)備等。
2023-09-26 15:47:45335 
霍爾效應(yīng)是測量磁場最常用的方法，并且**霍爾效應(yīng)傳感器**在現(xiàn)代得到了廣泛的應(yīng)用和廣泛的應(yīng)用。
2023-09-26 14:17:481048 
相對于其他的IC元件，如BGA和CSP等，倒裝晶片裝配工藝有其特殊性，該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工 藝。因為助焊劑殘留物（對可靠性的影響）及橋連的危險，將倒裝芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法 。
2023-09-22 15:13:10352 
為什么只有共源級有密勒效應(yīng)，而共柵級、共漏級沒有密勒效應(yīng)？ 密勒效應(yīng)是指在半導(dǎo)體器件中，頻率越高時電路增益越低的現(xiàn)象。 該現(xiàn)象是由于半導(dǎo)體器件電容的存在而導(dǎo)致的，而這個電容主要是空乏區(qū)電容和晶體管
2023-09-21 15:55:43719 有些倒裝晶片應(yīng)用在柔性電路板或薄型電路板上，這時候?qū)宓钠秸畏浅ｊP(guān)鍵。解決方案往往會用到載 板和真空吸附系統(tǒng)，以形成一個平整的支撐及的定位系統(tǒng)，滿足以下要求：
2023-09-21 15:26:17126 
為什么共漏級沒有密勒效應(yīng)？ 共漏級（Common Emitter Configuration）和密勒效應(yīng)（Miller Effect）是兩個非常常見的電子電路中的概念，它們都是由美國電學(xué)家John
2023-09-20 17:41:37345 場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。 一、場效應(yīng)管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
什么是半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)？ 半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代電子技術(shù)的關(guān)鍵材料之一。它們具有獨特的電學(xué)性能，包括可調(diào)的電阻率和壓阻效應(yīng)。壓阻效應(yīng)是指半導(dǎo)體材料在受到外力或應(yīng)力作用時導(dǎo)電性能的變化。在本文中，我們
2023-09-19 15:56:551582 結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別是什么？? 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動。常見的場效應(yīng)管有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管，它們雖然在功能上有相似之處，但在
2023-09-18 18:20:512224 晶片切割方式對晶振的性能和應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)生重要影響。不同的切割方式適用于不同的需求和環(huán)境條件，提供了多樣性的選擇。本文將深入探討主要的晶片切割方式，包括原因、區(qū)別以及主要的應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 12:08:371069 
低溫型產(chǎn)品概述： 霍爾效應(yīng)測試儀由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件組成。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10效應(yīng)儀將恒流源，六位
2023-09-05 13:43:24197 場效應(yīng)管怎么測量好壞? 場效應(yīng)管又稱為晶體管（transistor），是電子器件中常見的一種。在電子電路設(shè)計中，場效應(yīng)管的主要作用是作為放大器和開關(guān)來使用。場效應(yīng)管的好壞直接影響到整個電路的性能
2023-09-02 11:31:243311 場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152543 場效應(yīng)管的原理與作用 場效應(yīng)管在電路中起什么作用？? 場效應(yīng)管，也被稱為晶體管，是一種重要的電子元件。它由一個半導(dǎo)體材料制成，可以調(diào)節(jié)電流的流動，被廣泛應(yīng)用于電路的放大和開關(guān)控制。 場效應(yīng)
2023-09-02 11:31:132857 計算中日益重要的地形效應(yīng)（厚掩模效應(yīng)）。在本文中，我們?nèi)A林科納提出了一種復(fù)雜的基爾霍夫近似，它能夠模擬嚴(yán)格的近場效應(yīng)，同時保持標(biāo)量模型的簡單性。我們?nèi)A林科納的模型是基于對晶片上的厚掩模和理想薄掩模產(chǎn)生的場
2023-08-25 17:21:43279 
工作原理 場效應(yīng)管（FET）是一種三極管，可以通過改變柵極電壓調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電阻。場效應(yīng)管的原理是利用電場控制載流子濃度，其主要特點是輸入電阻大，高頻特性好。場效應(yīng)管可以分為N溝道和P溝道兩種結(jié)構(gòu)。 可控硅（SCR）是一種雙
2023-08-25 15:41:381549 BSP_CMSIS_V3.02.000SampleCodeStdDriverUSBD_HID_TransferKEIL
裡頭的檔案燒錄進NANO130KE3BN晶片
并且想要使用內(nèi)附的Window Tool觀察資料的傳輸
但是我利用Visual C++ compile出Window
2023-08-24 06:13:50
溫度是半導(dǎo)體加工中需要監(jiān)測和控制的關(guān)鍵參數(shù)。我們使用了一種超聲波技術(shù)，其中利用硅片中最低階反對稱蘭姆波速度的溫度依賴性在20-1OO中進行原位溫度測量“C范圍。在幾乎所有的晶圓加工步驟中，晶圓上都有
2023-08-18 17:05:57595 
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。
2023-08-18 16:01:28591 
采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進給速度等切割參數(shù)對晶片切割表面的影響。通過優(yōu)化切割工藝參數(shù)，最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311051 
場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:295256 
磁光克爾效應(yīng)裝置是一種基于磁光效應(yīng)原理設(shè)計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結(jié)構(gòu)的理想測量工具。旋轉(zhuǎn)磁光克爾效應(yīng)（RotMOKE）是在磁光克爾效應(yīng)測量基礎(chǔ)上的一種類似于轉(zhuǎn)矩測量各向異性的實驗
2023-07-19 13:11:19383 霍爾效應(yīng)實驗是一個受系統(tǒng)誤差影響較大的實驗，特別是在霍爾效應(yīng)產(chǎn)生的同時，伴隨產(chǎn)生的其他效應(yīng)引起的附加電場對實驗影響較大。霍爾效應(yīng)產(chǎn)生誤差的原因主要有以下幾點：
2023-07-03 17:17:042553 通常，觀察到的效應(yīng)有兩種類型：累積效應(yīng)和單事件效應(yīng) （SEE）。在設(shè)備反復(fù)暴露于輻射并且設(shè)備性能開始以某種方式發(fā)生變化后，累積效應(yīng)會在較長時間內(nèi)發(fā)生。在累積效應(yīng)的情況下，設(shè)備的復(fù)位或電源循環(huán)不會使設(shè)備返回到其標(biāo)稱工作狀態(tài)。這些累積效應(yīng)導(dǎo)致設(shè)備性能從“半永久性”到永久性的轉(zhuǎn)變。
2023-06-30 11:52:31607 
請問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價位??？
2023-06-16 11:12:27
本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。
2023-06-15 10:59:59252 
本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復(fù)雜的切換繼電器
2023-06-15 10:31:58
在一個音頻設(shè)備的設(shè)計案例中，工程師面臨了鉭電容風(fēng)墻效應(yīng)的問題。
2023-06-11 14:37:59502 高品質(zhì)抗硫化汽車級晶片電阻器NS系列-阻容1號
2023-06-10 11:14:31492 
/R-5000)
以上便是高品質(zhì)抗硫化汽車級晶片電阻器NS系列的相關(guān)介紹。阻容1號網(wǎng)站將繼續(xù)不斷更新文章，為廣大用戶提供最新的技術(shù)資訊和產(chǎn)品信息，幫助用戶了解和選擇最適合自己需求的元器件。
2023-06-10 11:11:56
場效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14431 
系統(tǒng)芯片 (Sxstem on Chip，SoC）通過軟硬件結(jié)合的設(shè)計和驗證方法
2023-06-07 16:14:59529 
高阻型霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。
2023-06-07 13:30:03258 
人們在利用霍爾效應(yīng)原理開發(fā)的各種霍爾元件已廣泛應(yīng)用于精密測磁、自動化控制、通信、計算機、航天航空等工業(yè)部門及國防領(lǐng)域。
2023-06-07 10:38:511481 
霍爾效應(yīng)被發(fā)現(xiàn)后，人們做了大量的工作，逐漸利用這種物理現(xiàn)象制成霍爾元件。霍爾元件一般采用N型鍺（Ge）,銻化銦（InSb）和砷化銦（InA）等半導(dǎo)體材料制成。銻化銦元件的霍爾輸出電勢較大，但受溫度的影響也大；鍺元件的輸出電勢小，受溫度影響小，線性度較好。
2023-06-07 10:05:41967 
一、認(rèn)識MES系統(tǒng)的防呆防錯功能 首先，我們要清楚了解，什么是MES系統(tǒng)的防呆防錯。MES系統(tǒng)防呆防錯是指利用MES系統(tǒng)來避免生產(chǎn)過程中的錯誤和缺陷，保障生產(chǎn)排程和生產(chǎn)過程順利進行的過程。MES系統(tǒng)
2023-06-05 17:18:35625 硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 使用化學(xué)機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
博森源LED封裝晶片便攜式推拉力測試機是一種非常實用的測試設(shè)備，可以方便地進行LED封裝晶片的推拉力測試，從而保證LED產(chǎn)品的質(zhì)量。該測試機具有便攜式設(shè)計、數(shù)字顯示屏、高精度、高穩(wěn)定性、高可靠性等特點，可以滿足各種LED封裝晶片的測試需求。
2023-05-31 10:05:25387 
關(guān)注后面兩個參數(shù):pn結(jié)電容和溫度效應(yīng)，其中pn結(jié)電容這里不予展開討論，以后再將(主要是高頻信號里面才涉及到)，本文要討論的是利用二極管的溫度效應(yīng)設(shè)計出溫度補償電路，別看它貌似可有可無，但對于信號采集
2023-05-30 09:16:562189 
MH251霍爾效應(yīng)傳感器是一種溫度穩(wěn)定、耐應(yīng)力、靈敏度低容差的微功率開關(guān)。優(yōu)越的高溫性能是通過一個動態(tài)偏移消除，利用斬波穩(wěn)定。這種方法降低了通常由設(shè)備過度成型、溫度依賴性和熱應(yīng)力引起的偏移電壓
2023-05-22 11:22:14388 
交變電流通過導(dǎo)線時，電流在導(dǎo)線橫截面上的分布是不均勻的，導(dǎo)體表面的電流密度大于中心的密度，且交變電流的頻率越高，這種趨勢越明顯，該現(xiàn)象稱為趨膚效應(yīng)(skin effiect)，趨膚效應(yīng)也稱集膚效應(yīng)。
2023-05-19 09:31:352971 
康寧 晶片表面形態(tài)測量系統(tǒng)） 行業(yè)簡稱：平面度測量儀 02產(chǎn)品特性 Tropel?FlatMaster? 測量設(shè)備40年來持續(xù)為半導(dǎo)
2023-05-17 10:23:16772 
場效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34848 場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因為它只依靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23697 拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來，并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
晶片排列電阻器（Surface Mount Resistor Array）是一種常用的電阻器封裝方式，它采用集成電路工藝制造，將多個電阻器集成在一個小型封裝中。
2023-05-15 17:06:06460 
米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數(shù)
2023-05-15 16:11:324095 
如何利用霍爾效應(yīng)測量磁場呢？
2023-04-13 09:56:45
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當(dāng)然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。
2023-04-06 17:32:551090 
STM32F103ZET6小系統(tǒng)板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
STM32F407ZGT6小系統(tǒng)板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
ATK-STM32F103ZE最小系統(tǒng)板 DEVB_50×80MM 5V
2023-03-28 13:05:53
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