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電子發(fā)燒友網>今日頭條>單晶硅晶片的超聲輔助化學蝕刻

單晶硅晶片的超聲輔助化學蝕刻

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使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗,探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響,并對工藝參數進行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片
2023-05-31 10:30:062215

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學。優(yōu)化內部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

單晶硅結晶

2023-05-29 11:10:33

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程,測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發(fā)現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據,提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

華耀光電IPO獲受理!營收年復合增長率超400%,募資29億擴充單晶硅片產能等

資金,用于12GW單晶硅片生產項目(二期)、年產10GW高效N型(異質結)電池項目(一期)等。 天眼查顯示,去年1月華耀光電剛完成由東海投資領投,天風天睿、銀河資本等投資機構參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資,其直接持有公司70.46%的股份
2023-05-27 07:45:02654

華耀光電IPO獲受理!營收年復合增長率超400%,募資29億擴充單晶硅片產能等

資金,用于12GW單晶硅片生產項目(二期)、年產10GW高效N型(異質結)電池項目(一期)等。 ? 天眼查顯示,去年1月華耀光電剛完成由東海投資領投,天風天睿、銀河資本等投資機構參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資,其直接持有公司70.46%的股
2023-05-26 00:05:001607

濕式化學蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質,特別是,當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時,金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而,用于制造微孔的技術是耗時的,并且需要昂貴的設備和專業(yè)人員。因此,英思特開發(fā)了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846

led晶片推拉力機半導體推拉力測試儀

led晶片
力標精密設備發(fā)布于 2023-05-24 17:40:04

如何在蝕刻工藝中實施控制?

蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝,因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定,蝕刻率就會變化,因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918

晶片的酸基蝕刻:傳質和動力學效應

拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584

硅片表面染色對銅輔助化學蝕刻的影響

在硅基光伏產業(yè)鏈中,硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術,采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中,由于金剛石線和硅片的反復摩擦,硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38489

簡述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法,(1)機械研磨,(2)化學機械平面化,(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成:研磨和蝕刻。為了研磨晶片,將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄,而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979

《炬豐科技-半導體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》 文章:單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號:JFKJ-21-206 作者:炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118

酸性化學品供應控制系統

[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域,具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統。 由于半導體行業(yè)中芯片生產線的工作對象是硅晶片,而能在硅晶片蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學
2023-04-20 13:57:0074

飛秒激光輔助制造石英晶體MEMS諧振器

提出了一種利用飛秒激光誘導化學蝕刻(FLICE)制造壓電致動的石英晶體MEMS諧振器的方法。
2023-04-20 09:10:46878

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331004

氮化鋁單晶的濕法化學蝕刻

清洗過程在半導體制造過程中,在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作,這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝,如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459

PCB加工的蝕刻工藝

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程,本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

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