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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>一種澆口蝕刻后的感光膜去除方法

一種澆口蝕刻后的感光膜去除方法

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2022-07-06 17:23:522866

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2019-05-17 11:13:2122170

淺談pcb蝕刻制程及蝕刻因子

1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學反應而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031004

濕法蝕刻工藝的作用:可有效去除金屬氧化物

的氧化鎳未完全去除造成的。這項研究對這些多余金屬缺陷的成分進行了分類和確定,評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法,最后提出了一種蝕刻工藝,該工藝將快速去除缺陷,同時繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓,這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:351780

半導體器件制造中的蝕刻技術(shù)

在半導體器件制造中,蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義,其創(chuàng)建過程在光刻中有詳細描述。一旦掩模就位,就可以通過濕化學或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護的材料。圖1顯示了該過程的示意圖。
2022-03-10 13:47:364332

水痕去除的有效方法有哪些

應用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過程。一種非常常見的方法是高速旋轉(zhuǎn)干燥,但從減少顆粒和防止水痕的角度來看,這都是無效的。一種高性能的替代品是基于旋轉(zhuǎn)力和馬蘭戈尼力的“旋轉(zhuǎn)戈尼”干燥器。這兩種技術(shù)的結(jié)合為清洗和干燥晶片提供了有效的平臺。
2022-03-15 11:27:481021

微細加工濕法蝕刻中不同蝕刻方法

微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程,每個晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581134

如何利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法,應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜,通過無損摩擦化學去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鮮硅。因此,可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻,通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度,從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18401

半導體制造工藝中澆口蝕刻后的感光去除方法

通過使半導體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢,可以簡化后處理序列,從而縮短前工藝處理時間,上述感光去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下,用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟;將晶片安放在板上,然后用O2等離子體去除感光膜的步驟;和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783

一種半導體制造用光刻膠去除方法

本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細地說,是一種半導體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導體裝置的制造工藝中,將殘留在晶片上的光刻膠,在H2O
2022-04-13 13:56:42872

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法,該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液;(b)從硅源向等離子體提供硅;以及
2022-04-24 14:58:51979

一種臭氧氧化和硅蝕刻技術(shù)

本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法,在通過臭氧氧化去除一些硅原子層,然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復測量,確定了成分和表面電位的深度分布,因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率,通過
2022-05-06 15:50:39366

刻蝕后殘留物的去除方法

(BCB)。蝕刻工藝的固有副產(chǎn)物是形成蝕刻后殘留物,該殘留物包含來自等離子體離子、抗蝕劑圖案、蝕刻區(qū)域的物質(zhì)混合物,以及最后來自浸漬和涂覆殘留物的蝕刻停止層(Au)的材料。普通剝離劑對浸金的蝕刻后殘留物無效,需要在去除殘留物之
2022-06-09 17:24:132320

使用清洗溶液實現(xiàn)蝕刻后殘留物的完全去除

我們?nèi)A林科納半導體開發(fā)了一種新的濕法清洗配方方法,其錫蝕刻速率在室溫下超過30/min,在50°c下超過100/min。該化學品與銅和低k材料兼容,適用于銅雙鑲嵌互連28 nm和更小的技術(shù)節(jié)點
2022-06-14 10:06:242210

BEOL應用中去除蝕刻后殘留物的不同濕法清洗方法

)開口的低k圖案化中,觀察到兩個主要問題。首先,MHM開口后的干剝離等離子體對暴露的低k材料以及MHM下面的低k材料造成一些損傷。受損低k是非常易碎的材料,不應該被去除,否則將獲得一些不良的輪廓結(jié)構(gòu)。其次,連續(xù)的含氟低k蝕刻等離子體導致聚合物
2022-06-14 16:56:371355

一種穿過襯底的通孔蝕刻工藝

通過使用多級等離子體蝕刻實驗設計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法,以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序;一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對于等離子體蝕刻部分,使用光學顯微鏡
2022-06-23 14:26:57516

澆注系統(tǒng)的澆口形式及尺寸設計

  澆口又稱進料口,是連接分流道與型腔之間的一段細短流道(除直接澆口外), 它是澆注系統(tǒng)的關(guān)鍵部分。其主要作用是:
2022-11-11 11:35:064164

什么是金屬蝕刻蝕刻工藝?

金屬蝕刻一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應。
2023-06-15 11:05:05526

深度解讀硅微納技術(shù)之蝕刻技術(shù)

蝕刻一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190

深度解讀硅微納技術(shù)之的蝕刻技術(shù)

蝕刻一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183

pcb蝕刻是什么意思

 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811

PCB的蝕刻工藝及過程控制

另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261

一種鋰電池內(nèi)水去除工藝方法

一種鋰電池內(nèi)水去除工藝方法
2024-01-04 10:23:47174

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