本內(nèi)容詳解了晶圓制造工藝流程，包括表面清洗，初次氧化，熱處理，光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)等
2011-11-24 09:32:10
6258 ，加工周期短，速度快。 聯(lián)系方式：姚經(jīng)理、馬經(jīng)理，010-51293689；sales@firstchip.cn工藝能力：1、 熱氧化硅2、 硼、磷擴(kuò)散，推進(jìn)3、 離子注入（硼、磷）4、 高低溫退火5
2015-01-07 16:15:47
晶片全面曝光的方法，使單一
晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來(lái)，雖然產(chǎn)率得以提高，但同時(shí)也制造一些
工藝處理問(wèn)題。特別在對(duì)
硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)
工藝方面?！ ∮捎诓捎萌嫫毓?/div>
2018-03-16 11:53:10
氧化鐵理化性能對(duì)鐵氧體制造工藝和產(chǎn)品性能有什么影響？氧化鐵應(yīng)滿足的性能指標(biāo)要求有哪些？
2021-06-15 06:53:38
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，F(xiàn)D-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
問(wèn)題, 不過(guò)二者皆需付出降低產(chǎn)能和增加金剛砂輪刀片成本的高昂代價(jià)，并且不能完全解決。激光切割是無(wú)接觸式加工方式，不直接接觸晶圓片，無(wú)應(yīng)力產(chǎn)生，從而可提高切割速度。例如：切一種叫做GPP（玻璃鈍化工藝）的STD
2008-05-26 11:29:13
kg。可見(jiàn)原材料好壞帶來(lái)的收入差異之大。 關(guān)鍵在于原料的選擇和工藝。市場(chǎng)上有些公司拿著4個(gè)9，甚至3個(gè)9的氧化鋁冒充5個(gè)9氧化鋁低價(jià)給長(zhǎng)晶企業(yè)，也能長(zhǎng)出晶體，大家就滿意了。結(jié)果晶體質(zhì)量差，最后成品率極低
2011-12-20 10:06:24
。如Deal-Grove模型所述，這種制造MEMS的方法主要依賴于硅的氧化。熱氧化工藝用于通過(guò)高精度尺寸控制生產(chǎn)各種硅結(jié)構(gòu)。包括光頻率梳[24]和硅MEMS壓力傳感器[25]在內(nèi)的設(shè)備已經(jīng)通過(guò)
2021-01-05 10:33:12
PCB工藝流程詳解PCB工藝流程詳解
2013-05-22 14:46:02
序 一、 工藝流程圖： 二、設(shè)備及其作用： 1. 設(shè)備：棕氧化水平生產(chǎn)線； 2. 作用：本工序是繼內(nèi)層開(kāi)料、內(nèi)層D/F、內(nèi)層蝕板之后對(duì)生產(chǎn)板進(jìn)行銅面處理，在內(nèi)層銅箔表面生成一層氧化層以提升多層
2018-09-19 16:28:07
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過(guò)有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗(yàn)都可以提，請(qǐng)照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
清潔 - 表面問(wèn)題：金屬污染的起源：來(lái)源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過(guò)渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對(duì)一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進(jìn)行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
下方的蝕刻速率遠(yuǎn)高于沒(méi)有金屬時(shí)的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時(shí)，金屬層會(huì)下降到半導(dǎo)體中。4 本報(bào)告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號(hào)：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過(guò)程：硅
2021-07-06 09:32:40
)、HF 等，已廣泛應(yīng)用于濕法清洗工藝，以去除硅片表面上的光刻膠、顆粒、輕質(zhì)有機(jī)物、金屬污染物和天然氧化物。然而，隨著硅電路和器件架構(gòu)的規(guī)模不斷縮?。ɡ鐝?VLSI 到 ULSI 技術(shù)），探索有效和可靠
2021-07-06 09:36:27
。光刻膠的圖案通過(guò)蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開(kāi)始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
μm 的 3''、4'' 和 6''硅晶片進(jìn)行了 KOH 和 TMAH 溶液的蝕刻實(shí)驗(yàn)分別是納米制造中心。3''晶片被雙面拋光并在熱氧化層上分別在60/40nm的兩側(cè)具有氮化層以獲得掩模窗口。4 英寸
2021-07-19 11:03:23
摘要：總結(jié)了制造模具的主要步驟。其中一些在過(guò)程的不同階段重復(fù)多次。此處給出的順序并不反映制造過(guò)程的真實(shí)順序。硅芯片形成非常?。ㄍǔ?650 微米）的圓形硅片的一部分：原始晶片。晶圓直徑通常為
2021-07-01 09:34:50
SCR 的橫截面（顯示有效區(qū)域和端接區(qū)域） 覆蓋邊緣端接區(qū)域的最常用的介電層是熱氧化物。這種在擴(kuò)散過(guò)程中生長(zhǎng)的熱氧化物應(yīng)該是非常高的質(zhì)量，具有低表面狀態(tài)密度和低氧化物電荷。另一種選擇是半絕緣多晶硅（簡(jiǎn)稱
2023-02-24 15:34:46
底部填充工藝就是將環(huán)氧樹(shù)脂膠水點(diǎn)涂在倒裝晶片邊緣，通過(guò)“毛細(xì)管效應(yīng)”，膠水被吸往元件的對(duì)側(cè)完成底 部充填過(guò)程，然后在加熱的情況下膠水固化。為了加快膠水填充的速度，往往還需要對(duì)基板進(jìn)行預(yù)熱。利用
2018-09-06 16:40:41
過(guò)程中分解進(jìn)入焊點(diǎn)。 了解造成各種缺陷的根本原因，有利于我們采取得當(dāng)?shù)拇胧﹣?lái)解決及預(yù)防各種可能出現(xiàn)的缺陷。表1列出 的是在倒裝晶片組裝工藝中常見(jiàn)的缺陷及原因分析，并針對(duì)各缺陷提出了改善措施，以方便工程技術(shù)人員在 工藝過(guò)程中快速有效地找出問(wèn)題的根本原因，幫助采取正確的解決或預(yù)防方法。表1常見(jiàn)缺陷及原因分析
2018-09-06 16:40:06
什么元件被稱為倒裝晶片（FC）？一般來(lái)說(shuō)，這類(lèi)元件具備以下特點(diǎn)。 ?、倩氖?b class="flag-6" style="color: red">硅； ?、陔姎饷婕昂竿乖谠卤砻?； ③球間距一股為0.1～0.3 mm，球徑為0.06～0，.15 mm，外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
。然后再通過(guò)第二條生產(chǎn)線處理部分組裝的模 塊，該生產(chǎn)線由倒裝芯片貼片機(jī)和回流焊爐組成。底部填充工藝在專用底部填充生產(chǎn)線中完成，或與倒裝芯片生 產(chǎn)線結(jié)合完成。如圖1所示。圖1 倒裝晶片裝配的混合工藝
2018-11-23 16:00:22
助焊劑工藝在倒裝晶片裝配工藝中非常重要。助焊劑不僅要在焊接過(guò)程中提供其化學(xué)性能以驅(qū)除氧化物和油污 ，潤(rùn)濕焊接面，提高可焊性，同時(shí)需要起到黏接劑的作用。在元件貼裝過(guò)程中和回流焊接之前黏住元件，使其
2018-11-23 15:44:25
寬松，可以獲得很好的焊接良 率。由于減少了氧化，可以獲得更好的潤(rùn)濕效果，同時(shí)工藝窗口也較寬。在氮?dú)饣亓鳝h(huán)境中熔融的焊料表面張力 較大，元件具有很好的自對(duì)中性，可控坍塌連接會(huì)更完整，焊接良率也會(huì)較高。對(duì)于無(wú)
2018-11-23 15:41:18
由于倒裝晶片韓球及球問(wèn)距非常小，相對(duì)于BGA的裝配，其需要更高的貼裝精度。同時(shí)也需要關(guān)注從晶片被吸 取到貼裝完成這一過(guò)程。在以下過(guò)程中，元件都有可能被損壞： ·拾取元件； ·影像處理
2018-11-22 11:02:17
定義的CSP分類(lèi)中。晶片級(jí)CSP是多種應(yīng)用的一種低成本選擇,這些應(yīng)用包括EEPROM等引腳數(shù)量較少的器件，以及ASIC和微處理器。CSP采用晶片級(jí)封裝(WLP)工藝加工，WLP的主要優(yōu)點(diǎn)是所有裝配
2018-08-27 15:45:31
關(guān)于黑孔化工藝流程和工藝說(shuō)明，看完你就懂了
2021-04-23 06:42:18
今日分享晶圓制造過(guò)程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過(guò)程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
：AWR1x和IWR1x。全新毫米波傳感器產(chǎn)品組合中的5款器件都具有小于4厘米的距離分辨率，距離精度低至小于50微米，范圍達(dá)到300米。同時(shí)，功耗和電路板面積相應(yīng)減少了50%。且看單芯片毫米波傳感器如何拋棄鍺硅工藝，步入CMOS時(shí)代？
2019-07-30 07:03:34
一 引言 石油化工產(chǎn)業(yè)對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)有重要影響，整個(gè)石化工業(yè)領(lǐng)域包括：上游的輕油裂解煉油廠、中游的塑料中間原料廠和屬于下游的塑料加工及塑料化工廠等。在上述各類(lèi)工廠的生產(chǎn)工藝過(guò)程中經(jīng)常會(huì)不同程度的產(chǎn)生或
2019-07-09 06:51:38
，該值與軟連接的安裝和使用條件有關(guān)。鍍鎳抗氧化銅排絕緣套管工藝絕緣銅排圖片：產(chǎn)品用途：適用于高低壓電器、開(kāi)關(guān)觸頭、配電設(shè)備、母線槽等電器工程，也廣泛用于金屬冶煉、電化電鍍、化工燒堿等超大電流電解冶煉工程。詳細(xì)了解產(chǎn)品其他信息請(qǐng)！咨詢！`
2020-06-19 21:30:42
眾所周知，半導(dǎo)體（IC）芯片是在一顆晶片上，歷經(jīng)數(shù)道及其細(xì)微的加工程序制造出來(lái)的，而這個(gè)過(guò)程就叫做工藝流程（Process Flow）。下列我們就來(lái)簡(jiǎn)單介紹芯片生產(chǎn)工藝流程：芯片工藝流程目錄：一
2016-07-13 11:53:44
簡(jiǎn)單的說(shuō)晶圓是指擁有集成電路的硅晶片,因?yàn)槠湫螤钍菆A的,故稱為晶圓.晶圓在電子數(shù)碼領(lǐng)域的運(yùn)用是非常廣泛的.內(nèi)存條、SSD，CPU、顯卡、手機(jī)內(nèi)存、手機(jī)指紋芯片等等，可以說(shuō)幾乎對(duì)于所有的電子數(shù)碼產(chǎn)品
2019-09-17 09:05:06
考倒裝晶片的貼裝工藝。與倒裝晶片所不同的是，晶圓級(jí)CSP外形尺寸和焊球直徑一般都比它大，其基材和 倒裝晶片相同，也是表面平整光滑的硅。所以需要認(rèn)真選擇恰當(dāng)?shù)奈?，確保足夠的真空，使吸嘴和元件在 影像
2018-09-06 16:32:18
做，可以有較低的成本及較短的生產(chǎn)時(shí)間?；瘜W(xué)鍍工藝最大特色是，只需利用一系列的氧化還原反應(yīng)，將鎳金/鎳鈀金選擇性的成長(zhǎng)在鋁墊上，完全不需要經(jīng)過(guò)高真空濺鍍/黃光工藝/蝕刻工藝，因此成本可降低，生產(chǎn)時(shí)間也可
2021-06-26 13:45:06
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類(lèi)似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
來(lái)激活化學(xué)氣相淀積反應(yīng)。其淀積溫度一般在400℃以下，可以用來(lái)淀積氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、Al2O3等絕緣體及鈍化膜和非晶硅薄膜以及有機(jī)化合物和TiC、TiN等耐磨抗蝕膜。在表面硅MEMS工藝中
2018-11-05 15:42:42
我對(duì)工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應(yīng)該怎么做？（有個(gè)思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
綜述化工壓力容器和工藝管道壁厚測(cè)定的原理、方法、選點(diǎn)及操作注意事項(xiàng)。
2010-01-16 15:25:05
16 雙面拋光已成為硅晶片的主要后續(xù)加工方法，但由于需要嚴(yán)格的加工條件，很難獲得理想的超光滑表面。設(shè)計(jì)了硅片雙面拋光加工工藝新路線，并在新研制的雙面拋光機(jī)上對(duì)硅晶
2010-09-16 15:48:230 化工工藝流程圖閥門(mén)程序設(shè)計(jì)提要:本文針對(duì)化工工藝流程圖CAD閥門(mén)繪制程序設(shè)計(jì)，探討CAD在化工工藝設(shè)計(jì)中的運(yùn)用。文后提供的程序清單可在AutoCAD R12中文環(huán)境下
2009-02-14 17:06:312890 對(duì)輝鉬精礦在Na2MoO42Na2 SO4 體系的熔鹽氧化過(guò)程進(jìn)行了研究 ,探索了不同的工藝參數(shù)對(duì)鉬的轉(zhuǎn)化率和脫
硫率的影響.研究結(jié)果表明 ,在熔鹽組成Na2MoO4 與Na2 SO4 質(zhì)量比
2011-02-02 11:24:5017 介紹了PZT壓電陶瓷極化工藝的流程及基本原理，歡迎大家下載學(xué)習(xí)
2011-08-24 14:30:1637 PCB工藝流程詳解
2017-01-28 21:32:490 單晶硅晶片及單晶硅的制造方法 本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法（CZ法）生長(zhǎng)單晶硅晶片，其特征為：對(duì)全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時(shí)，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過(guò)Cu
2017-09-28 16:35:3018 裝晶片之所以被稱為倒裝是相對(duì)于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（WireBonding）與植球后的工藝而言的。傳統(tǒng)的通過(guò)金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當(dāng)于將前者翻轉(zhuǎn)
2017-10-24 10:12:258 圖形化工藝是要在晶圓內(nèi)和表面層建立圖形的一系列加工，這些圖形根據(jù)集成電路中物理部件的要求來(lái)確定其尺寸和位置。 圖形化工藝還包括光刻、光掩模、掩模、去除氧化膜、去除金屬膜和微光刻。圖形化工藝是半導(dǎo)體
2018-12-03 16:46:011571 工藝流程圖是化工生產(chǎn)的技術(shù)核心，包含了物料平衡、設(shè)備、儀表、閥門(mén)、管路等信息，無(wú)論是設(shè)計(jì)院的工程師、化工廠的工藝員，還是中控控制室的主操，能看能畫(huà)工藝流程圖，都是必不可少的技能。
2019-02-17 09:01:2214601 
本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說(shuō)，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:211999 很多化學(xué)物質(zhì)氧化后會(huì)腐蝕自己但晶圓氧化生成的膜層卻能保護(hù)自己“守護(hù)”晶圓的氧化工程是什么樣的？解鎖半導(dǎo)體8大工藝第二篇讓芯君來(lái)滿足你的好奇心 編輯：jq
2021-05-28 14:26:3710080 氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3644 引言 為了分析不同尺寸的金字塔結(jié)構(gòu)對(duì)太陽(yáng)能電池特性的影響，我們通過(guò)各種刻蝕工藝在硅片上形成了金字塔結(jié)構(gòu)。在此使用一步蝕刻工藝（堿性溶液蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)和金屬輔助化學(xué)蝕刻）以及兩步蝕刻工藝
2022-01-11 14:05:05822 
本研究透過(guò)數(shù)值解析，將實(shí)驗(yàn)上尋找硅晶片最佳流動(dòng)的方法，了解目前蝕刻階段流動(dòng)的形式，并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實(shí)驗(yàn)的方法尋找最佳流動(dòng)，通過(guò)數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32340 
本研究通過(guò)我們?nèi)A林科納對(duì)使用液體二氧化碳和超臨界二氧化碳進(jìn)行蝕刻和沖洗工藝的各種實(shí)驗(yàn)結(jié)果，選擇合適的共溶劑，獲得最佳的工藝條件，以提高工藝效率和生產(chǎn)率。通過(guò)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)證實(shí)丙酮是有效的，并作為本研究
2022-02-08 17:04:28762 
摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評(píng)估而制備的受污染測(cè)試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:502588 
介紹了半導(dǎo)體晶片制造設(shè)備濺射機(jī)和濺射工藝對(duì)晶片碎片的影響，給出了如何減少晶片應(yīng)力以達(dá)到少碎片的目的。
2022-03-10 14:45:082 近十年來(lái)，濕化學(xué)法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結(jié)構(gòu)的技術(shù)和研究取得了迅速發(fā)展。這種結(jié)構(gòu)最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長(zhǎng)有關(guān)。
2022-03-11 13:57:22828 
晶圓-機(jī)械聚晶(CMP)過(guò)程中產(chǎn)生的漿體顆粒對(duì)硅晶片表面的污染對(duì)設(shè)備工藝中收率（Yield）的下降有著極大的影響。
2022-03-14 10:50:141077 
本文介紹了新興的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)，研究它們提供更低的水和化學(xué)消耗的能力，提供了每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益和考慮因素、環(huán)境、安全和健康(ESH)效益和考慮因素、技術(shù)狀態(tài)和供應(yīng)商信息的可用信息。
2022-03-16 15:24:57308 
本文章將對(duì)表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽(yáng)能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:49516 
拋光的硅片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過(guò)切片將單晶硅錠切成圓盤(pán)(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過(guò)程，該過(guò)程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷通過(guò)蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37666 
引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)。該信息被用于一項(xiàng)倡議，其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計(jì)算速度場(chǎng)。大部分的水無(wú)助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461044 
表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中，使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明，振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效，并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37291 
華林科納使用多步清洗工藝清洗晶片的半導(dǎo)體襯底表面，其中清洗工藝的最后一步包括用HMSO和HCO的溶液清洗，由此在晶片表面上形成化學(xué)氧化物初始層。此后，晶片的表面被氧化以形成熱氧化層，其中在集成電路的制造中，化學(xué)氧化
2022-06-17 17:20:40783 
陰極材料：微弧氧化的陰極材料采用不溶性金屬材料。由于微弧氧化電解液多為堿性液，故陰極材料可采用碳鋼，不銹鋼或鎳。其方式可采用懸掛或以上述材料制作的電解槽作為陰極。
2022-09-06 11:56:362781 濕氧氧化化學(xué)反應(yīng)式為H2O(水汽）+ Si = SiO2 +2H2；在濕氧工藝中，可在氧氣中直接攜帶水汽，也可以通過(guò)氫氣和氧氣反應(yīng)得到水汽，通過(guò)調(diào)節(jié)氫氣或水汽與氧氣的分壓比改變氧化速率。注意，為了確保安全，氫氣與氧氣的比例不得超過(guò) 1.88：1。
2022-10-27 10:46:537279 來(lái)源：華友化工國(guó)際貿(mào)易（上海） 隨著傳統(tǒng)工業(yè)技術(shù)改造、工廠自動(dòng)化以及企業(yè)信息化發(fā)展提速，產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)與自動(dòng)化提升也迫在眉睫。面對(duì)落后的產(chǎn)能和工藝，華友化工國(guó)際貿(mào)易(上海)有限公司針對(duì)美國(guó)康寧晶片表面
2023-05-17 10:23:16772 
詳解半導(dǎo)體封裝測(cè)試工藝
2023-05-31 09:42:18997 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
6.3.3熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理
2022-01-04 14:10:56564 
通過(guò)對(duì)蓄熱式熱氧化裝置運(yùn)行控制模式的介紹，闡述了蓄熱式熱氧化裝置多個(gè)儀表設(shè)置的安全問(wèn)題，根據(jù)聯(lián)鎖停爐的控制方式
2023-06-28 14:12:21618 
采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過(guò)優(yōu)化切割工藝參數(shù)，最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311051 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
微弧氧化技術(shù)工藝流程
主要包含三部分：鋁基材料的前處理，微弧氧化，后處理三部分
其工藝流程如下：鋁基工件→化學(xué)除油→清洗→微弧氧化→清洗→后處理→成品檢驗(yàn)。
2023-09-01 10:50:341235 
相對(duì)于其他的IC元件，如BGA和CSP等，倒裝晶片裝配工藝有其特殊性，該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工 藝。因?yàn)橹竸埩粑铮▽?duì)可靠性的影響）及橋連的危險(xiǎn)，將倒裝芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法 。
2023-09-22 15:13:10352 
倒裝晶片在氮?dú)庵谢亓骱附佑性S多優(yōu)點(diǎn)。在較低氧氣濃度下回流焊接，條件比較寬松，可以獲得很好的焊接良 率。由于減少了氧化，可以獲得更好的潤(rùn)濕效果，同時(shí)工藝窗口也較寬。在氮?dú)饣亓鳝h(huán)境中熔融的焊料表面張力 較大，元件具有很好的自對(duì)中性，可控坍塌連接會(huì)更完整，焊接良率也會(huì)較高。
2023-09-26 15:35:56379 
多孔性 氧化膜具有多孔的蜂窩狀結(jié)構(gòu)，膜層的空隙率決定于電解液的類(lèi)型和氧化的工藝條件。氧化膜的多孔結(jié)構(gòu)，可使膜層對(duì)各種有機(jī)物、樹(shù)脂、地蠟、無(wú)機(jī)物、染料及油漆等表現(xiàn)出良好的吸附能力，可作為涂鍍層的底層，也可將氧化膜染成各種不同的顏色，提高金屬的裝飾效果。
2023-10-11 15:59:04901 
PCB工藝流程詳解
2022-12-30 09:20:249 PCB工藝流程詳解
2023-03-01 15:37:447 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類(lèi).doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:42:540 SMT關(guān)鍵工序再流焊工藝詳解
2024-01-09 10:12:30185 
由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場(chǎng)氧化層。
2024-03-13 09:49:05103 
導(dǎo)熱氧化鋁在動(dòng)力電池中扮演著非常重要的角色，主要作用是幫助電池管理系統(tǒng)（Battery Management System, BMS）有效地進(jìn)行熱管理。以下是導(dǎo)熱氧化鋁在動(dòng)力電池中的一些具體作用
2024-03-22 14:53:3945 
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