42dBm高增益，22dB輸入輸出適配50Ω應(yīng)用儀器儀表商用型電信通信模塊穩(wěn)固微波流程深圳立維創(chuàng)展是AMCOM功率放大器的代理銷售，主營AMCOM的功率放大器，如：射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合
2024-03-15 09:36:37
產(chǎn)品詳情介紹End Launch 毫米波連接器是SOUTHWEST的高性能端發(fā)射連接器，旨在為高頻信號位于頂層的單層和多層印刷電路板提供低VSWR，110 GHz的無模式寬帶響應(yīng)。提供
2024-03-03 13:16:40
多芯微矩形毫米波連接器SSBP系列‘ 重要參數(shù) 多芯微矩形毫米波連接器SSBP系列3、6、9芯可選 支持頻率DC-65GHz 適合間距小、多端口測試項(xiàng)目 訂貨
2024-03-03 13:14:10
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實(shí)也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:00
1844 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)中的放大、開關(guān)、整流等電路中。晶體管的放大作用在電子技術(shù)應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用。晶體管放大的內(nèi)部條件和外部條件包括了很多方面，下面我將詳細(xì)介紹。 首先
2024-02-27 16:56:01264 Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預(yù)匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對于一個實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應(yīng)的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
只是加了一個LCL濾波裝置，就能使并網(wǎng)端的電壓由PWM波變?yōu)檎?b class="flag-6" style="color: red">波嗎？尤其是在SVG的應(yīng)用里，只是改變了進(jìn)線電網(wǎng)的功率因數(shù)，輸出電壓波形并沒有改變，這是在SVG內(nèi)部晶體管通過控制晶體管開通關(guān)斷程度實(shí)現(xiàn)
2024-01-19 09:34:31
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因?yàn)殡妷航翟谙陆刀娏髟谏仙?b class="flag-6" style="color: red">功率最大點(diǎn)在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進(jìn)入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
電流的功率因數(shù)，那么SVG的輸出電壓還應(yīng)該是正弦波，我想知道SVG是怎么做到輸出電壓波形是正弦波的，輸出電流波形受負(fù)載影響。SVG既能發(fā)出容性無功又能發(fā)出感性無功，其又是怎么控制SVG設(shè)備內(nèi)部晶體管的開關(guān)程度實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)的改變？
2024-01-14 14:18:38
5G毫米波是指在5G通信中使用的毫米波頻段，其頻段介于30GHz到300GHz之間，相比于傳統(tǒng)的低頻段，毫米波頻段具有更大的帶寬和更低的延遲，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的傳輸速率和更快的響應(yīng)時間。因此，在5G技術(shù)
2024-01-09 16:19:19162 AWA-0219 有源天線創(chuàng)新者套件產(chǎn)品概述雙極化 64 元件毫米波至中頻有源天線創(chuàng)新者套件AWA-0219-PAK 是一款完整的毫米波至中頻雙極化天線設(shè)計(jì)，適用于毫米波 5G 無線電。該套件旨在
2024-01-02 15:18:30
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
5G毫米波天線具有廣泛的應(yīng)用價值和潛力，它在通信、網(wǎng)絡(luò)、醫(yī)療、交通、安全等領(lǐng)域都有重要作用。本文將詳細(xì)介紹5G毫米波天線的原理、特點(diǎn)、應(yīng)用和前景。 一、5G毫米波天線的原理和特點(diǎn) 原理：5G毫米波
2023-12-27 13:47:52451 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 UMS的CHA3656-FAB是種兩級自偏置電壓寬帶單片低噪聲放大器。CHA3656-FAB專門用來毫米波通信，也是非常適合普遍使用，如C、x、Ku雷達(dá)探測、測試設(shè)備和高分辨率
2023-12-26 15:41:53
Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶體管Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射頻功率晶體管是375W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT，工作頻率范圍為直流至
2023-12-20 16:11:06
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
毫米波雷達(dá)的優(yōu)缺點(diǎn)? 毫米波雷達(dá)是一種基于毫米波頻段的雷達(dá)系統(tǒng)，具有許多優(yōu)點(diǎn)和一些缺點(diǎn)。下面是關(guān)于毫米波雷達(dá)的詳細(xì)分析。 首先，我們來討論一下毫米波雷達(dá)的優(yōu)點(diǎn)。 1. 高分辨率：毫米波頻段的波長較短
2023-12-08 11:17:572576 來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
? ? 毫米波通常是指波長為1~10mm 的電磁波,其對應(yīng)的頻率范圍為30~300GHz。毫米波是介于微波到光波之間的電磁頻譜,它位于微波與遠(yuǎn)紅外波相交疊的波長范圍,因而兼有兩種波譜的特點(diǎn)。毫米波
2023-11-09 08:43:24204 
5g毫米波技術(shù)的原理和應(yīng)用 5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有
2023-10-18 15:56:10687 5g毫米波是什么意思 5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz 。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有
2023-10-18 15:45:311089 毫無疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應(yīng)用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)帶來了挑戰(zhàn)。因此，功率 IC 制造商正在尋求更高效的技術(shù)
2023-10-10 16:02:27523 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
2023-09-28 17:44:221864 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
專業(yè)的毫米波PCB測試站為毫米波天線測試帶來便利
2023-08-24 10:29:15431 
奕葉四向毫米波探針臺
2023-08-23 14:21:22555 
的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。 功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術(shù)）的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18
650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51686 
的 GaN HEMT 工藝。它基于準(zhǔn)MMIC技術(shù)。它采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 SMD 封裝。 內(nèi)部匹配的 GaN 功率晶體管&n
2023-08-10 11:00:43
50-W；7.9 – 9.6 GHz；50歐姆；輸入/輸出匹配 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-08 17:40:24
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術(shù)相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括
2023-08-08 10:23:26
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17968 
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點(diǎn) 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28225 的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
時39.5dbm 高線性增益值：28db 功率增添效率：34%@4dbc 靜態(tài)限幅點(diǎn)：Vd=8V，Id=2.3A 封裝尺寸：5X3.31x0.07mm UMS微波作為歐洲毫米波芯片的代表品牌，在
2023-07-24 11:09:10222 毫米波是指波長介于1~10mm的電磁波，毫米波雷達(dá)則指工作在毫米波波段的雷達(dá)，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，毫米波雷達(dá)的應(yīng)用在日常中不少見。
2023-07-24 10:11:521455 
。GaN HEMT還提供更大的功率密度和更寬的與Si和GaAs晶體管相比的帶寬。此MMIC包含兩級電抗匹配放大器，可實(shí)現(xiàn)非常寬的帶寬可在具有銅鎢散熱片的小型封裝中實(shí)現(xiàn)。
2023-07-05 15:04:32
1 高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34688 產(chǎn)品概述： 毫米波雷達(dá)是一種用于測量距離、速度和位置的高頻無源
2023-06-09 15:52:34
微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
Marki Microwave 的 M9-0444 是一款雙平衡毫米波混頻器，RF/LO 頻率為 4 至 44 GHz，中頻頻率為 DC 至 3
2023-05-22 16:10:14
毫米波雷達(dá)指的是工作在毫米波波段的雷達(dá)。毫米波的波長范圍是1-10mm、其對應(yīng)的頻率為 30-300GHz
2023-05-20 14:37:264668 
UMS的CHKA012bSYA是款前所未有的封裝形式氮化鎵高電子遷移率晶體管。此電源條為其他射頻電源技術(shù)應(yīng)用提供通用型和光纖寬帶解決方案。CHKA012bSYA特別適合雷達(dá)探測和電信網(wǎng)絡(luò)等多功能
2023-05-19 11:30:19277 Marki Microwave 的 MMD-1250H 是一款 GaAs MMIC 毫米波倍頻器，可將 6 - 25 GHz 的輸入頻率倍增至 12
2023-05-15 12:25:25
UMS的CHK8101-SYC是款前所未有的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。CHK8101-SYC為各類射頻功率技術(shù)應(yīng)用提供通用型和寬帶解決方案。CHK8101-SYC特別適合多功能技術(shù)應(yīng)用，例如空間
2023-05-15 11:24:30168 GHz。集成輸入匹配網(wǎng)絡(luò)可實(shí)現(xiàn)寬帶增益和功率性能，而輸出可在板上匹配以優(yōu)化頻帶內(nèi)任何區(qū)域的功率和效率。該設(shè)備采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 x 3 毫米封裝，可節(jié)省本已空間
2023-05-11 10:39:42
UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管，CHK8201-SYA集成化2個CHK8101A99F功率棒封裝形式，能夠單獨(dú)瀏覽，可以產(chǎn)生45W的搭配輸出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32:02103 毫米波雷達(dá)技術(shù)方案
芯片介紹
ADT3102（77Ghz毫米波雷達(dá)芯片）
單芯片集成2路收2路發(fā)射頻通道，F(xiàn)MCW產(chǎn)生器，ADC,DSP,MCU（ARM、M3）等
集成了SPI、UART等多種接口
2023-05-09 10:32:44
了解毫米波“移相”--之三
“移相”的實(shí)現(xiàn)
由于各信號的“相位”與信號的發(fā)射方向、疊加強(qiáng)度直接相關(guān)，所以“移相”功能是相控陣系統(tǒng)中非常重要的功能模塊。在現(xiàn)代相控陣系統(tǒng)中，移相功能通常由移相器電路實(shí)現(xiàn)
2023-05-08 10:54:25
了解毫米波相控陣 -- 之二
相控陣（Phased Array）技術(shù)是控制陣列天線各單元的相位、幅度，來形成對信號空間波束控制的技術(shù)。
相控陣技術(shù)起源于20世紀(jì)初發(fā)明的相控陣天線技術(shù)，并最早在軍用
2023-05-06 15:10:13
MIMO（多入多出）。
由下圖可見，不同頻段下，手機(jī)的能力是不一樣的。在中國5G的主流頻段3.5GHz或者2.6GHz上，手機(jī)可支持4路接收，2路發(fā)射；毫米波頻段次之，能支持2路接收，2路發(fā)射；像
2023-05-06 14:34:55
相控陣完整發(fā)射機(jī)系統(tǒng)，整個系統(tǒng)包含本振、上變頻器、功率放大器等各個模塊，并且包含4個通道數(shù)。如此復(fù)雜的通信系統(tǒng)在2.1mm x 6.8 mm的芯片下即可實(shí)現(xiàn)，只有一粒大米大小。
圖：4通道24GHz毫米波系統(tǒng)
2023-05-05 11:22:19
的問題。
首先，5G毫米波通過先進(jìn)的波束賦形技術(shù)增加EIRP（等效全向輻射功率），提升覆蓋能力，能夠輕松實(shí)現(xiàn)數(shù)百米的信號傳輸，緩解路徑損耗問題。這項(xiàng)技術(shù)不僅通過仿真實(shí)驗(yàn)得到了驗(yàn)證，而且在外場測試和商用部署中也
2023-05-05 10:49:47
噪聲的函數(shù)。低于6GHz的頻譜已經(jīng)分配殆盡，而6GHz以上的頻譜，特別是毫米波頻率已經(jīng)成為一個非常有前景的替代方案來實(shí)現(xiàn)eMBB用例。但是，哪些毫米波頻率會被采用呢？
頻譜選項(xiàng)
國際電信聯(lián)盟
2023-05-05 09:52:51
今天，我們接著來說E波段毫米波雷達(dá)的功率。在這之前，先來看一個汽車?yán)走_(dá)的有趣應(yīng)用。
2023-05-04 09:29:302051 
具有這些Dk值的電路材料，并使其盡可能多地具備其他電路材料屬性，以制造出優(yōu)質(zhì)、高性能、高頻率的功率放大器。
無論對于微波頻率還是毫米波頻率，高頻PA的電路材料必須能夠支持電路實(shí)現(xiàn)與那些PA中功率晶體管
2023-04-28 11:44:44
NPTB00004BGaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHzNPTB00004B GaN HEMT 是一款針對 DC - 6 GHz 操作優(yōu)化的功率晶體管
2023-04-25 16:42:38
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負(fù)反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
放大器、混頻器、甚至收發(fā)系統(tǒng)等功能；特點(diǎn)：電路損耗小、噪聲低、頻帶寬、動態(tài)范圍大、功率大、附加效率高、抗電磁輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)；2)雷達(dá)天線高頻PCB板：毫米波雷達(dá)天線的主流方案是微帶陣列，即將高頻PCB板集成
2023-04-18 11:42:23
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
采用晶體管互補(bǔ)對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設(shè)計(jì) PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
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