我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法，并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時間變化，和抗蝕劑寬度對幾何形狀的影響，并對蝕刻過程進行了數(shù)值模擬。驗證了蝕刻截面的模擬幾何形狀與觀測結(jié)果一致，表明本數(shù)值模擬可以有效地預(yù)測蝕刻截面的幾何形狀。
2021-12-14 17:12:05
3667 
本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設(shè)計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-07-13 16:55:042263 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負載效應(yīng)。負載效應(yīng)有兩種:宏觀負載效應(yīng)和微觀負載效應(yīng)。
2023-02-08 09:41:262466 單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。
2023-02-13 11:13:235904 
在半導體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
但是里面也有幾個關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 在半導體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
本內(nèi)容詳解了晶圓制造工藝流程，包括表面清洗，初次氧化，熱處理，光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)等
2011-11-24 09:32:106258 13um應(yīng)變補償多量子阱SLD臺面制作工藝的研究臺面制作工藝對１?３μｍ應(yīng)變補償多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影響。根據(jù)外延結(jié)構(gòu)，分析比較了兩種臺面制作的方法，即選擇性濕法腐蝕法和ＩＣＰ 刻蝕
2009-10-06 09:52:24
鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測量24、 納米、微米臺階測量25、 電阻、方阻、電阻率測量等26、 半導體
2015-01-07 16:15:47
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應(yīng)各個薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
`華林科納濕法設(shè)備分類全自動設(shè)備：全自動RCA清洗機全自動硅片刻蝕機全自動片盒清洗機全自動石英管清洗機半自動設(shè)備：半自動RCA清洗機半自動硅片刻蝕機半自動石英管清洗機半自動有機清洗機`
2021-02-07 10:14:51
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
PCB工藝流程詳解PCB工藝流程詳解
2013-05-22 14:46:02
使用化學溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機和/或無機表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
新加坡知名半導體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機臺poly刻蝕經(jīng)驗。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機臺。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
分別為：等離子體、離子銑和反應(yīng)離子刻蝕。等離子刻蝕等離子體刻蝕像濕法刻蝕一樣是一種化學工藝，它使用氣體和等離子體能量來進行化學反應(yīng)。二氧化硅刻蝕在兩個系統(tǒng)中的比較說明了區(qū)別所在。在濕法刻蝕二氧化硅中，氟在
2018-12-21 13:49:20
。然后再通過第二條生產(chǎn)線處理部分組裝的模 塊，該生產(chǎn)線由倒裝芯片貼片機和回流焊爐組成。底部填充工藝在專用底部填充生產(chǎn)線中完成，或與倒裝芯片生 產(chǎn)線結(jié)合完成。如圖1所示。圖1 倒裝晶片裝配的混合工藝
2018-11-23 16:00:22
助焊劑工藝在倒裝晶片裝配工藝中非常重要。助焊劑不僅要在焊接過程中提供其化學性能以驅(qū)除氧化物和油污 ，潤濕焊接面，提高可焊性，同時需要起到黏接劑的作用。在元件貼裝過程中和回流焊接之前黏住元件，使其
2018-11-23 15:44:25
由于倒裝晶片韓球及球問距非常小，相對于BGA的裝配，其需要更高的貼裝精度。同時也需要關(guān)注從晶片被吸 取到貼裝完成這一過程。在以下過程中，元件都有可能被損壞： ·拾取元件； ·影像處理
2018-11-22 11:02:17
操作，并具備對PECVD或LPCVD工藝優(yōu)化的能力； 4、 熟悉光刻工藝、濕法刻蝕；離子蝕刻(RIE, ICP etc)者優(yōu)先;5、熟悉計算機操作，具備相關(guān)專業(yè)英語閱讀能力； 6、工作認真細致、有
2012-12-19 22:42:16
蘇州晶淼半導體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高端PP/PVC通風柜/廚、CDS化學品集中供液系統(tǒng)等一站式解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導體、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
：太陽能電池清洗設(shè)備, 半導體清洗設(shè)備,微電子工藝設(shè)備及清洗設(shè)備，太陽能電池片清洗刻蝕設(shè)備, 微電子半導體清洗刻蝕設(shè)備,LCD液晶玻璃基板清洗刻蝕設(shè)備;LED晶片清洗腐蝕設(shè)備,硅片切片后清洗設(shè)備，劃片后
2011-04-13 13:23:10
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
擊穿電壓。同時，還簡要描述了這種器件的制造工藝。關(guān)鍵詞：靜電感應(yīng)晶閘管；埋柵結(jié)構(gòu)；臺面刻蝕；柵陰擊穿；表面缺
2009-10-06 09:30:24
形成電路，而“濕法”刻蝕（使用化學浴）主要用于清潔晶圓。 干法刻蝕是半導體制造中最常用的工藝之一。 開始刻蝕前，晶圓上會涂上一層光刻膠或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻時將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡述干刻清洗工藝開發(fā)和評價過程。針對實際應(yīng)用中的問題，展開討論。通過實際案例分析,展示了干刻清洗工藝的應(yīng)用價值。關(guān)鍵字：干刻清
2009-12-14 11:06:10
16 納米磁性薄膜材料的濕法工藝馮則坤，何華輝關(guān)鍵詞：納米薄膜，磁性材料，電鍍摘 要：介紹了納米磁性薄膜材料特性、類型，綜述了近年來興起的濕法工藝及其用濕法
2010-02-07 16:42:4637 刻蝕•光刻就是在光刻膠上形成圖形•下一步就是將光刻膠上的圖形通過刻蝕轉(zhuǎn)移到光刻膠下面的層上•刻蝕工藝分為濕法和干法刻蝕的品質(zhì)•刻
2010-06-21 17:29:4072 濕法貼膜技術(shù)在HDI細線路制作工藝中的應(yīng)用(一)李
2006-04-16 21:21:59901 濕法貼膜技術(shù)在HDI細線路制作工藝中的應(yīng)用(三)李
2006-04-16 21:22:15627 濕法貼膜技術(shù)在HDI細線路制作工藝中的應(yīng)用(四)李
2006-04-16 21:22:221236 釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32879 蘋果設(shè)計和工程團隊研究出一種新型的鍵盤刻蝕工藝，利用不同的激光來制作蘋果背光鍵盤.
2011-12-16 09:43:20764 
本文在淺溝槽隔離刻蝕過程中發(fā)現(xiàn)，當刻蝕腔室上石英窗口的溫度超過85℃時，刻蝕終止出現(xiàn)在300mm晶圓的中心。我們認為刻蝕終止的原因是由于某些低揮發(fā)SiOxCly刻蝕產(chǎn)物再淀積。石英
2012-05-04 17:09:372800 
晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序培訓 1、刻蝕的作用及方法；2、刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學品；3、主要檢測項目及標準；4、常見問題及解決方法；5、未來工藝的發(fā)展方向；
2017-09-29 10:29:0924 光刻蝕 這是目前的CPU 制造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什么這么說呢？ 光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術(shù)對于所用光的波長要求極為
2017-10-24 14:52:5816 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實現(xiàn)。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768520 摘要：在半導體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個相對復雜又難以控制的工藝。在這個工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:072510 
摘要：對比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等幾種ＧａＮ７干法刻蝕方法的特點?；仡櫫耍牵幔危狈?b class="flag-6" style="color: red">刻蝕領(lǐng)域的研究進展。以ＩＣＰ刻蝕ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料為例，通過工藝參數(shù)的優(yōu)化，得到了高刻蝕速率和理想的選擇比及
2020-12-29 14:39:292909 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進行
2020-12-29 14:42:588546 
本發(fā)明的工藝一般涉及到半導體晶片的清洗。更確切地說，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導體晶片
2020-12-29 14:45:211999 】 濕法清洗 有機藥液 槽式 單片式 滾筒式在集成電路生產(chǎn)過程中，WET ?濕法工藝主要是指使用超純水及超純酸堿 , 有機等化學藥液 , 完成對晶圓的清洗刻蝕及光刻膠剝離等工藝 ??[1]。伴隨著集成電路設(shè)計線寬越來越窄，使得集成電路高
2023-04-20 11:45:00823 
引言 為了分析不同尺寸的金字塔結(jié)構(gòu)對太陽能電池特性的影響，我們通過各種刻蝕工藝在硅片上形成了金字塔結(jié)構(gòu)。在此使用一步蝕刻工藝（堿性溶液蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)和金屬輔助化學蝕刻）以及兩步蝕刻工藝
2022-01-11 14:05:05822 
蝕刻的濕法蝕刻技術(shù)的方法。本文分析了玻璃濕法刻蝕工藝的基本要素，如:玻璃成分的影響、刻蝕速率、掩膜層殘余應(yīng)力的影響、主要掩膜材料的表征、濕法刻蝕工藝產(chǎn)生的表面質(zhì)量。通過分析的結(jié)果，提出了一種改進的玻璃深度濕
2022-01-19 16:13:401873 
本研究透過數(shù)值解析，將實驗上尋找硅晶片最佳流動的方法，了解目前蝕刻階段流動的形式，并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實驗的方法尋找最佳流動，通過數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32340 
摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝，其中液體分布在整個晶片表面。在單晶片工具中，流體分配是至關(guān)重要的，它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動力學和化學傳輸，結(jié)果表明在沖洗時間的一般分析中必須
2022-03-01 14:38:07330 
摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應(yīng)用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法對清洗性能有很大影響。實驗研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:46521 
性，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術(shù)。其進一步推進應(yīng)得到理論計算的支持。 因此，在我們之前的研究中開發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機進行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計算模型。首先，通過水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個水運動，并進行評估
2022-03-02 13:58:36750 
摘要 低氧含量的濕法加工可能會提供一些優(yōu)勢，但是，完全控制在晶圓加工過程中避免吸氧仍然是單個晶圓工具上的短流程工業(yè)化的挑戰(zhàn)。在線氧濃度監(jiān)測用于工藝優(yōu)化。然后，根據(jù)記錄的氧濃度和處理室中氣氛控制的硬件
2022-03-02 13:59:57313 
摘要 本文介紹了半導體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:502588 
已經(jīng)完成了理解硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學效應(yīng)的研究。反應(yīng)物克服液相傳質(zhì)阻力和動力學阻力完成反應(yīng)。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機位置，因此，表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽
2022-03-08 14:05:09610 
介紹了半導體晶片制造設(shè)備濺射機和濺射工藝對晶片碎片的影響，給出了如何減少晶片應(yīng)力以達到少碎片的目的。
2022-03-10 14:45:082 我們開發(fā)了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產(chǎn)量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設(shè)備中， 這是一個很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設(shè)備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設(shè)置。
2022-03-15 13:41:592907 
隨著器件尺寸縮小到深亞微米級，半導體制造中有效的濕法清洗工藝對于去除硅晶片表面上的殘留污染物至關(guān)重要。GOI強烈依賴于氧化前的晶片清潔度，不同的污染物對器件可靠性有不同的影響，硅表面上的顆粒導致
2022-03-21 13:39:405472 
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:49516 
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實生產(chǎn)線中，器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過清潔技術(shù)去除污染物，例如使用批量浸漬工具進行濕法清潔批量旋轉(zhuǎn)
2022-04-08 14:48:32585 
半導體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆?；蛉毕?。擴散、光和化學氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝
2022-04-21 12:27:43589 
本文介紹了我們?nèi)A林科納半導體將空間交替相移(SAPS)兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝，SAPS技術(shù)通過在兆頻超聲波裝置和晶片之間的間隙中改變兆頻超聲波的相位，在整個晶片的每個點上提供
2022-05-26 15:07:03700 
刻蝕室半導體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對于確保成功的前沿節(jié)點、先進半導體器件制造，濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要，這是因為器件的可靠性和最終產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān)，因為晶片要經(jīng)過數(shù)百個圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231578 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。
2022-08-26 09:21:362363 
濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物
2022-10-08 09:16:323581 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187250 刻蝕是移除晶圓表面材料，達到IC設(shè)計要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748 刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個重要參數(shù)。
2023-02-06 15:06:263998 濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料，達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184083 對于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點都取決于時間，而時間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法，所以通常由操作員目測終點。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨用時間決定刻蝕終點很困難，一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:031773 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
集成電路前道工藝及對應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種，取決于所使用的物質(zhì)
2022-07-12 15:49:251453 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 智程半導體自2009年起致力于半導體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636
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