引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞
2022-01-10 11:37:131396 
關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻
2022-01-27 14:07:432203 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進(jìn)環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-04-19 11:22:57918 
在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路導(dǎo)致PR實質(zhì)上硬化且難以去除。在后段制程
2022-07-04 17:04:087175 
引言 過氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗
2022-07-07 17:16:442758 
光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代？中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機會和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力？在南京半導(dǎo)體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
在整個晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
在當(dāng)今的器件中，最小結(jié)構(gòu)的尺寸接近于需要從晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破壞脆弱設(shè)備的情況下，在工藝步驟之間去除納米顆粒的清洗過程的重要性正在不斷增長。兆波清洗可用于單晶片或批量晶片處理。
2023-05-02 16:32:11865 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模增長帶動了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內(nèi)關(guān)注焦點。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 :1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)?！」庵驴刮g劑 簡稱光刻膠或抗蝕劑，指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑：受光照部分發(fā)生降解反應(yīng)而能為顯影液所溶解。留下的非
2012-01-12 10:51:59
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運用
2018-07-12 11:57:08
（電子科技大學(xué) 微電子與固體電子學(xué)院，成都 610054）摘 要：光刻膠技術(shù)是曝光技術(shù)中重要的組成部分,高性能的曝光工具需要有與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。主要圍繞光刻膠
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
過程中，θ相Ａｌ２Ｃｕ 在Ａｌ 晶界聚集成大顆粒，并且在隨后的有機溶液濕法清洗過程中原電池反應(yīng)導(dǎo)致Ａｌ 被腐蝕而在互連導(dǎo)線側(cè)壁生成孔洞。通過對光刻膠去除工藝溫度以及濕法清洗工藝中有機溶液的水含量控制可以
2009-10-06 09:50:58
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志：NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
環(huán)境濕度太大，使膠與玻璃表面粘附不良。因此，得注意做好玻璃表面清潔處理和操作的環(huán)境的溫，濕度及清潔工作。2）光刻膠配制有誤或膠陳舊不純，膠的光化學(xué)反應(yīng)性能不好，使膠與ITO層成健能力差，或者膠膜不均勻
2018-11-22 16:04:49
與Sn02）的導(dǎo)電玻璃，此易與酸發(fā)生反應(yīng)，而用于蝕刻掉多余的ITO，從而得到相應(yīng)的拉線電極。I. 去膜：用高濃度的堿液（Naoh溶液）作脫膜液，將玻璃上余下的光刻膠剝離掉，從而使ITO玻璃上形成與光刻掩模
2019-07-16 17:46:15
、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU- 8 光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項新技術(shù)。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進(jìn)行光刻膠旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
還改變了濕蝕刻輪廓GaAs 與沒有表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更具各向同性；簡介 光刻膠的附著力對濕蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學(xué)器件的產(chǎn)量起著關(guān)鍵作用。有許多因素會影響光刻膠對半導(dǎo)體襯底的粘附
2021-07-06 09:39:22
)、HF 等，已廣泛應(yīng)用于濕法清洗工藝，以去除硅片表面上的光刻膠、顆粒、輕質(zhì)有機物、金屬污染物和天然氧化物。然而，隨著硅電路和器件架構(gòu)的規(guī)模不斷縮?。ɡ鐝?VLSI 到 ULSI 技術(shù)），探索有效和可靠
2021-07-06 09:36:27
工藝步驟：光刻：通過在晶片表面涂上均勻的薄薄一層粘性液體（光刻膠）來定義圖案的過程。光刻膠通過烘烤硬化，然后通過光穿過包含掩模信息的掩模版進(jìn)行投射而選擇性地去除。蝕刻：從晶片表面選擇性地去除不需要的材料
2021-07-08 13:13:06
的關(guān)鍵。這包括使用新的材料讓沉積過程變得更為精準(zhǔn)的創(chuàng)新技術(shù)。光刻膠涂覆晶圓隨后會被涂覆光敏材料“光刻膠”（也叫“光阻”）。光刻膠也分為兩種——“正性光刻膠”和“負(fù)性光刻膠”。正性和負(fù)性光刻膠的主要
2022-04-08 15:12:41
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對準(zhǔn)時,硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
，LIGA是X射線光刻技術(shù)的德語簡稱，于1982年由德國卡爾斯魯厄核研究中心開發(fā)出來。LIGA技術(shù)的工藝步驟如圖4.7所示，包括對基片上光刻膠的X射線光刻、光刻膠顯影、在光刻膠結(jié)構(gòu)上的金屬電鑄、從光刻膠結(jié)構(gòu)中
2020-05-12 17:27:14
、劃片后清洗設(shè)備、硅片清洗腐蝕臺、晶圓濕法刻蝕機、濕臺、臺面腐蝕機、顯影機、晶片清洗機、爐前清洗機、硅片腐蝕機、全自動動清洗臺、兆聲波清洗機、片盒清洗設(shè)備、理片機、裝片機、工作臺、單晶圓通風(fēng)柜、倒片器
2011-04-13 13:23:10
噴膠機是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪Σ煌叽绾托螤畹幕M(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過計算機系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
) （7）光刻膠的去除 5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除 6 、離子布植將硼離子 (B+3) 透過 SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱 7、 去除光刻膠，放高溫爐中進(jìn)行退火處理 8、 用熱磷酸去除
2011-12-01 15:43:10
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數(shù)在玻璃上附著力差了很多 懇請哪位高人指點一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
一．工藝流程簡述： 前段工位： ITO 玻璃的投入（grading）—— 玻璃清洗與干燥（CLEANING）——涂光刻膠（PR COAT）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP
2016-06-30 09:03:48
(etching) 經(jīng)過上述工序后，以復(fù)制到光刻膠上的集成電路的圖形作為掩模，對下層的材料進(jìn)行腐蝕。腐蝕技術(shù)是利用化學(xué)腐蝕法把材料的某一部分去除的技術(shù)。腐蝕技術(shù)分為兩大類：濕法腐蝕—進(jìn)行腐蝕的化學(xué)物質(zhì)是溶液；干法
2019-08-16 11:11:34
芯片開蓋去除封膠Decap芯片失效分析時需分析內(nèi)部的芯片、打線、組件時，因封裝膠體阻擋觀察，利用「laser蝕刻」及「濕式蝕刻」兩種搭配使用，開蓋(Decap)、去膠(去除封膠，Compound
2018-08-29 15:21:39
技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域，使掩模板上的電路圖轉(zhuǎn)移到光刻膠上，最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到硅片上?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">光刻根據(jù)所采用正膠與負(fù)膠之分，劃分為正性光刻和負(fù)性光刻兩種基本工藝。 在正性光刻中，正
2020-07-07 11:36:10
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2離線光刻膠微粒子計數(shù)器是一款新型液體顆粒監(jiān)測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器，可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無機化學(xué)品、有機化學(xué)品、有機溶劑、清洗
2022-12-14 10:44:24
MPS-100A化學(xué)品、光刻膠微粒子計數(shù)器是普納赫科技向韓國公司訂制的一款新型在線液體顆粒監(jiān)測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器，可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水
2023-01-03 15:30:32
PMT-2在線光刻膠液體粒子計數(shù)器，采用英國普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
GK-1000光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀光刻機是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07
綜述了半導(dǎo)體材料SiC拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了SiC單晶片CMP技術(shù)的研究現(xiàn)狀, 分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術(shù)和理論問題,并對其發(fā)展方
2010-10-21 15:51:21
0 單晶片PLL電路
ＰＬＬ用ＩＣ已快速的進(jìn)入高集積化，以往需要２～３晶片之情形，現(xiàn)在只需單晶片之專用ＩＣ就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:222075 
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 本文主要介紹集成電路加工-光刻技術(shù)與光刻膠。集成電路加工主要設(shè)備和材料：光刻設(shè)備，半導(dǎo)體材料：單晶硅等，掩膜，化學(xué)品：光刻膠（光致抗蝕劑），超高純試劑，封裝材料及光刻機的介紹
2017-09-29 16:59:0218 Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時魯汶的微電子研發(fā)中心共同開發(fā)新的光刻膠和殘留物去除工藝。
2019-08-13 10:15:107842 來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影
2020-09-15 14:00:1416531 光刻膠是微納加工過程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國要制造芯片，光有光刻機還不夠，還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564168 本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:211999 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:096227 通過對 Si ， CaAs ， Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 ， 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3949 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152623 在實際清洗處理中，常采用物理、或化學(xué)反應(yīng)的方法去除;有機物主要來源于清洗容積、機械油、真空脂、人體油脂、光刻膠等方面，在實際清洗環(huán)節(jié)可采取雙氧水或酸性溶液去除 ;氧化物主要是相應(yīng)半導(dǎo)體單晶拋光片
2021-06-20 14:12:151150 德國達(dá)姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球領(lǐng)先的科技公司默克日前宣布推出新一代環(huán)保精密清洗溶劑產(chǎn)品 ?--?AZ??910?去除劑。該系列產(chǎn)品用于半導(dǎo)體芯片制造圖形化工藝中清除光刻膠
2021-07-28 14:23:102646 
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