CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強,可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3563 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36130 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù),據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù),相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181473 利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:4668 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在過去的2023年,國產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來了全面爆發(fā),眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品,尋求打進汽車供應鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價
2024-03-13 01:17:002634 碳化硅(SiC)技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術(shù),也是要在這個領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標,擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領(lǐng)域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26239 另外,CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值(Rdson),這大大提高了能效、功率密度,以及在電力系統(tǒng)中的可靠性,降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 在通用PWM發(fā)電機中,我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎?
2024-03-01 06:34:58
安全可靠的運行帶來影響。因此針對基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元,重點研究了其低感設計和散熱設計方法,并提出了功率單元的整體設計方案。通過優(yōu)化疊層母排的結(jié)構(gòu),將高壓交流模塊與低壓直流模塊
2024-02-22 09:39:26436 SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ,展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 ,進行標記、注釋和分享,無需攜帶大量紙質(zhì)文件,也提高了會議的便捷性。同時,系統(tǒng)的實時協(xié)作功能支持多方交互批注、標注內(nèi)容同步等,實現(xiàn)了參會者之間的零距離實時互動體驗,進一步提高了會議的效率和效果。 ? 其次,分布式
2024-01-15 14:18:10110 等大功率領(lǐng)域,能顯著提高效率,降低裝置體積。在這些應用領(lǐng)域中,對功率器件的可靠性要求很高,為此,針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先,按照常規(guī)的評估技術(shù)對其進行了高溫
2024-01-04 09:41:54599 。 一、集成化設計,簡化生產(chǎn)流程 ZR機械手采用集成化設計,將Z軸、R軸、氣路、真空產(chǎn)生與監(jiān)控、壓力閉環(huán)控制與檢測以及氣動夾持等功能集成在一起。這種設計不僅簡化了設備結(jié)構(gòu),提高了設備的可靠性和穩(wěn)定性,而且使得生產(chǎn)流程更加簡
2024-01-03 16:20:59140 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導通損耗、快速開關(guān)速度等特點
2023-12-27 09:34:56473 瑤芯微此次參評的專注于“車規(guī)級低比導通電阻SiC MOSFET”,專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果,堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點,經(jīng)過嚴謹評鑒,評委會授予瑤芯微的SiC MOSFET技術(shù)極高評價,同時認定其擁有自主創(chuàng)新產(chǎn)權(quán),展現(xiàn)了強勁的技術(shù)實力。
2023-12-25 10:56:54456 SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場效應晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關(guān)速度和功率密度,廣泛應用于多種電路中。 首先,讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應? 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應是一個復雜的問題,涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中,我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應,并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種新興的功率半導體器件,具有良好的電氣特性和高溫性能,因此被廣泛應用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一,這能讓系統(tǒng)效率顯著提升,但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45941 高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而讓驅(qū)動電壓產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-18 09:18:59997 【科普小貼士】MOSFET性能改進:超級結(jié)MOSFET(SJ-MOS)
2023-12-13 14:16:16411 SiC MOSFET器件存在可靠性問題,成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。
2023-12-12 09:33:27344 瑞森半導體在工業(yè)電源上的應用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:42207 瑞森半導體在工業(yè)電源上的應用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:13194 帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:56359 MOS管在三相逆變器上的應用,推薦使用瑞森半導體SiC MOS系列,簡化逆變電路拓撲結(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 12:00:21558 MOS管在三相逆變器上的應用,推薦使用瑞森半導體SiC MOS系列,簡化逆變電路拓撲結(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 10:57:48197 SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17222 有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系,環(huán)境過熱會降低設備的電氣特性并導致過早失效,充分散熱、正確放置導熱墊以及確保充足的氣流對于 MOSFET 散熱至關(guān)重要。
2023-12-05 17:14:30332 SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:46211 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
2023-12-04 15:26:12293 新的寬帶隙半導體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 18:00:18216 在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強大的擊穿場和較低的損耗特性,逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前,它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為主導的鍵合部件領(lǐng)域。然而,在當今功率設備的大格局中,SiC MOSFET到底扮演了何種角色?
2023-11-30 16:12:41243 SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 SiC FET神應用,在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11155 SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后Nexperia將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,
2023-11-30 09:12:02432 Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 以碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體可在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導體效率的提高,碳化硅模組周圍材料和組件關(guān)注度越來越高,因為需要
2023-11-21 10:18:26365 MOSFET 的選擇關(guān)乎效率,設計人員需要在其傳導損耗和開關(guān)損耗之間進行權(quán)衡。傳導損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間,由于電流流過導通電阻而造成;開關(guān)損耗則發(fā)生在MOSFET 開關(guān)期間,因為 MOSFET 沒有即時開關(guān)而產(chǎn)生。這些都是由 MOSFET 內(nèi)半導體結(jié)構(gòu)的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33168 點擊藍字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應用,碳化硅或SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優(yōu)勢。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應
2023-11-09 10:10:02334 隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應用對系統(tǒng)效率的不斷追求,SiC 功率半導體市場將迎來前所未有的增速。
2023-11-07 11:07:37178 有許多應用,其中的MCU和一個FPGA,配對在一起,可以顯著地經(jīng)由較低功耗,減少電路板空間,提高了處理,或增加的靈活性提高系統(tǒng)效率。了解如何通過分配這兩個設備之間的函數(shù)來實現(xiàn)其中的一些改進,可能是在你的下一個設計成功的關(guān)鍵。
2023-11-03 14:48:00144 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列,進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 點擊藍字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 我們知道,SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發(fā)的導通電阻和閾值電壓等問題,最近,日本東北大學提出了一項新的外延生長技術(shù),據(jù)說可以將柵氧界面的缺陷降低99.5%,溝道電阻可以降低85.71%,整體SiC MOSFET損耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 SBD和Si FRD的效率差距在不斷拉大,并且采用Si FRD的開關(guān)器件的溫度較高。運行時間300s時,SiC SBD比Si FRD的效率高0.4%左右,Si FRD的開關(guān)器件溫度高了9.3℃。
圖:開關(guān)
2023-10-07 10:12:26
碳化硅,或SiC,作為一種半導體材料,正在逐漸嶄露頭角,廣泛應用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù),碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表現(xiàn)出顯著的性能提升,為眾多電子應用帶來了新的可能性。
2023-09-15 14:22:291252 在高功率應用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 這些超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr),以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qg),能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節(jié)省了空間,并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
場效應管MOSFET是mos管嗎?場效應管mos管的區(qū)別?場效應管和mos管有什么不一樣的地方?? MOSFET和場效應管(FET)都屬于半導體器件中的一種,類似晶體管。MOSFET是MOS(金屬
2023-09-02 11:31:152543 碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 在本指南中,您將學習如何通過在更短的時間內(nèi)運行更多的測試來增加您的單元測試吞吐量。
這種效率的提高來自于使用虛擬平臺而不是物理硬件作為開發(fā)平臺。
本指南對任何開發(fā)或運行嵌入式軟件單元測試的人都很
2023-08-28 06:31:42
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 據(jù)介紹,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V,可提升應用兼容性,簡化應用系統(tǒng)設計。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET,但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設計,使器件比導通電阻降低約25%,并顯著降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703 ? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+ FET (Field Effect Transistor場效應晶體管
2023-08-16 09:22:213852 對于SiC功率MOSFET技術(shù),報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 首先,是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后,設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中,我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求,然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9:快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541 我公司要做個5.25V,5.5A,輸入174-500VAC ,效率為80%的開關(guān)電源;我用EFD25磁芯,匝比為112/3/14,頻率為65KHZ,做出來的效率僅有65%,請教各位大俠,怎么調(diào)才能提高電源的效率?
2023-08-01 10:58:07
皇家墨爾本理工大學(RMIT)的工程師們表示,他們已經(jīng)將廉價、可充電、可回收的質(zhì)子流電池的能量密度提高了三倍,現(xiàn)在可以挑戰(zhàn)市售鋰離子電池245Wh/kg的比能量密度。
2023-07-30 17:34:09243 本設計筆記展示了如何通過降低振蕩器頻率來提高電壓轉(zhuǎn)換器的效率。在20mA電壓轉(zhuǎn)換器上增加一個振蕩器電容可降低振蕩器頻率,從而在降低IO值時提高電壓轉(zhuǎn)換效率。采用 ICL7660 電荷泵。
2023-06-26 09:51:561323 點擊藍字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467 點擊藍字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領(lǐng)域,如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
前幾天,三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄(.點這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:55855 更優(yōu)的雪崩耐量,提高了器件應用中的可靠性。同時,采用自主創(chuàng)新先進的多層外延技術(shù),優(yōu)化了器件開關(guān)特性,使其在系統(tǒng)應用中具有更好的表現(xiàn),為系統(tǒng)設計提供更多選擇。 安森德SJ MOSFET優(yōu)勢 效率
2023-06-13 16:30:37
碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管,但需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247。然而,此類封裝的連接往往會導致較高的電感。閱讀本博文,了解如何謹慎使用開爾文連接技術(shù)以解決電感問題。
2023-06-12 03:24:47635 點擊藍字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 當前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074308 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性,在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關(guān)頻率高達幾百K赫茲,門極驅(qū)動的設計在應用中就變得格外關(guān)鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 在高壓開關(guān)電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 與硅相比,寬禁帶半導體技術(shù),如 Wolfspeed 的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基勢壘二極管(SBD)可為電源設計人員帶來諸多優(yōu)勢。更低的傳導和開關(guān)損耗提高了效率,高頻工作有助于減小電感
2023-05-24 10:40:05546 碳化硅(SiC)已經(jīng)成為一個明確的選擇,因為它已經(jīng)成熟并且是第三代。基于 SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢,特別是在效率、更高的可靠性、更少的熱管理問題和更小的占位面積方面。這些適用于整個功率譜,不需要徹底改變設計技術(shù),盡管它們可能需要一些調(diào)整。
2023-05-24 10:15:29676 該方案由一個升壓電感器、兩個高頻升壓 SiC 開關(guān)(SiC1 和 SiC2)和兩個用于在電路上傳導電流的元件組成,線路可以是兩個慢速二極管。(A)顯示了兩個硅MOSFET(Si1和Si2)。(B)表明,Si1和Si2的使用進一步提高了效率。
2023-05-24 10:06:222823 的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。 ? 文:英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cerezo ? 逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。 ? 在焊機行業(yè),諸如提高效率、降
2023-05-23 17:14:18619 碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送,比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎設施。
2023-05-22 17:36:411063 碳化硅(SiC)技術(shù)為電源、電動汽車和充電、大功率工業(yè)設備、太陽能應用和數(shù)據(jù)中心等多個行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。
2023-05-22 17:12:11939 MIMO天線分集技術(shù)是一種利用多個天線進行接收的技術(shù),通過將多個天線排列在一起,從而提高了系統(tǒng)的容量和可靠性。MIMO天線分集技術(shù)可以采用不同的技術(shù)手段和算法,如空時編碼、空時分集、空時多址等,以提高系統(tǒng)的性能和效率。
2023-05-19 16:54:331996 MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時間可以改變電壓嗎?
2023-05-16 14:26:16
這些挑戰(zhàn)。與硅相比,SiC器件具有更低的導通電阻和更快的開關(guān)速度,并且能夠在更高的結(jié)溫下耐受更大的電壓和電流。這些特性結(jié)合其更小的尺寸以及更高的效率,提高了功率密度,這使SiC成為了許多重要EV應用中的關(guān)鍵技術(shù)。據(jù)我們估計
2023-05-11 20:16:34224 條件。因此SiC MOSFET閾值電壓的準確測試,對于指導用戶應用,評價SiC MOSFET技術(shù)狀態(tài)具有重要意義。
2023-05-09 14:59:06853 高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導通電阻隨電壓等級相應增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進一步提高了總導通電阻。
2023-05-04 09:43:181395 本文是“SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 MOSFET溝道會降低溝道密度并增加RonA。現(xiàn)在新的內(nèi)嵌式SBD結(jié)構(gòu)解決了這一問題,東芝證實這種方法顯著提高了性能特征。通過將SBD按格子花紋分布,降低了SBD嵌入式SiC MOSFET的導通損耗,并
2023-04-11 15:29:18
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 減小了電場集中效應,提高了SiC器件的擊穿電壓,SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關(guān)單元有關(guān),同時和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。
2023-04-07 11:19:23705 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329 在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529 V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
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