對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DRAM工藝中存在的AA形狀扭曲和與之相關(guān)的微負載效應(yīng)與制造變量。

AA扭曲及其機理

領(lǐng)先DRAM制造商幾乎所有已商業(yè)化的DRAM產(chǎn)品都存在AA形狀扭曲。除中心線不穩(wěn)定以外，這種扭曲還體現(xiàn)在切割區(qū)域周邊的關(guān)鍵尺寸差異（見圖1）。

圖1. 三家不同制造商生產(chǎn)的1x DRAM器件的AA剖面圖

圖2為晶體管鰭片刻蝕工藝的簡要示意圖。在鰭片 (AA) 干法刻蝕工藝中，側(cè)壁會因刻蝕副產(chǎn)物的鈍化作用而出現(xiàn)錐形輪廓。由于A點所處區(qū)域需要去除的硅要多于B點所處區(qū)域，A區(qū)域消耗的反應(yīng)物更多，產(chǎn)生的副產(chǎn)物也會更多（見圖2 (b)）。這樣，在鰭片刻蝕后，A區(qū)域側(cè)壁的鈍化錐度就要超過B區(qū)域的側(cè)壁（見圖2 (c)），這也就是AA形狀扭曲的原因。

圖2. 鰭片刻蝕工藝中的AA形狀扭曲 (a) 刻蝕前硬掩膜的頂視圖；(b) A、B兩區(qū)域的圖形刻蝕對比；(c) 鰭片刻蝕后的頂視圖

AA扭曲的建模

SEMulator3D采用創(chuàng)新的偽3D方法，實現(xiàn)基于2D迫近函數(shù)的圖形建模。通過這種建模技術(shù)，我們可以創(chuàng)建DRAM器件的3D模型并模擬出AA形狀扭曲現(xiàn)象。圖3展示的是通過SEMulator3D模擬的DRAM 3D結(jié)構(gòu)和平面圖、布局設(shè)計和圖形相關(guān)掩膜。通過對比可以看出，圖3 (d) 和圖1 (c) 所呈現(xiàn)的AA扭曲形態(tài)是類似的，這證明模型能正確反映實際制造結(jié)果。圖4展示的是不同鰭片高度的AA剖面圖，從中可以看出結(jié)構(gòu)底部的扭曲幅度要遠高于器件頂部的扭曲。

圖3. (a) 布局設(shè)計；(b) 硬掩膜生成的PDE掩膜；(c)鰭片刻蝕后的3D結(jié)構(gòu)；(d)來自鰭片中部平面切口的AA形狀

圖4. 不同鰭片高度的AA剖面 (a) 沿字線切開的3D視圖；(b) 沿字線切開的橫截面圖；(c) 沿鰭片頂部切開的3D視圖；(d)沿鰭片中間切開的3D視圖；(e) 沿鰭片底部切開的3D視圖

器件模擬與分析

在具有埋入式字線的DRAM單元中，晶體管通道位于鰭片中部附近，這里的形狀扭曲要比鰭片頂部嚴重（見圖4 (c)和 (d)）。在這種情況下，受側(cè)壁鈍化的影響，該通道下方的鰭片CD也要大很多。

圖5. 電容接觸點形成后的DRAM結(jié)構(gòu) (a) 3D視圖；(b)切出的單器件；(c)鰭片切面和端口定義

為評估AA形狀扭曲對器件性能的影響，我們用SEMulator3D建模了0.1、2.5和5度的側(cè)壁裂角以模擬不同程度的AA扭曲，并使用來自全環(huán)路DRAM結(jié)構(gòu)的單個器件進行了電氣分析（見圖5 (b)）。通過SEMulator3D分配電端口（源極、漏極、柵極和襯底）即可獲得電氣測量值（見圖5 (c)），之后使用SEMulator3D內(nèi)置漂移/擴散求解器即可計算不同程度AA扭曲可能導(dǎo)致的電氣性能變化。

圖6展示的是不同側(cè)壁角度下鰭片的斷態(tài)漏電流分布?？梢钥闯?，無論側(cè)壁角度如何，大部分漏電流集中在鰭片的中心，它們遠離柵極金屬，柵極電場對其沒有太大影響。由于厚鰭（側(cè)壁角度較大）的柵極可控性更低，其漏電流密度要遠高于更薄的鰭片。

圖6. 從鰭片表面到中心在不同側(cè)壁角度下的通道泄漏形態(tài)

總結(jié)

本研究使用SEMulator3D建模和分析了先進DRAM工藝中的晶體管微負載效應(yīng)。分析結(jié)果表明，圖形相關(guān)刻蝕中的微負載效應(yīng)會導(dǎo)致AA形狀扭曲，這種微負載效應(yīng)將嚴重影響器件的電氣性能，其中涉及的斷態(tài)泄漏更是決定DRAM單元數(shù)據(jù)保留能力的關(guān)鍵因素。

　　審核編輯：湯梓紅