德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開(kāi)發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1711 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽(yáng)能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲，門極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)在應(yīng)用中就變得格外關(guān)鍵。因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">短路
2023-06-01 10:12:07998 
談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時(shí)間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:56890 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
測(cè)試1200V輸入時(shí)，加十多分鐘后就炸機(jī)了，不是一開(kāi)始就炸，MOS管那一串都炸了，變壓器沒(méi)燒毀。大神幫我看一下電路和波形，600V以后的CS波形感覺(jué)就不太好看了，不知道是什么導(dǎo)致的。示波器通道2壞了，沒(méi)法雙通道，只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00
。 另外采用平均電流采樣模式，可以提高寬 輸入電壓情況下的電流精度。 AP2813 帶有輸出短路保護(hù)功能， 5V～80V 輸入條件下，短時(shí)短路不會(huì)損壞 電源器件。 AP2813 還有過(guò)溫調(diào)節(jié)電流的功能
2021-07-16 11:40:25
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)?！ √蓟瓒O管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
”和“BSM600D12P3G001”。ROHM于2012年3月份于全球首家開(kāi)始量產(chǎn)內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大，并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著
2018-12-04 10:20:43
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù)，使得系統(tǒng)外圍結(jié)構(gòu)十分簡(jiǎn)單，可在外圍器件數(shù)量少，參數(shù)范圍寬 松的條件下實(shí)現(xiàn)高精度恒流控制，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積，并且能夠確保在批量生產(chǎn)時(shí)LED燈具參 數(shù)的一致性
2016-06-16 20:42:44
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
二極管的Vf特性，。Vgs為0V即MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，沒(méi)有通道電流，因此該條件下的Vd-Id特性可以說(shuō)是體二極管的Vf-If特性。如“何謂碳化硅”中提到的，SiC的帶隙更寬，Vf比
2018-11-27 16:40:24
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說(shuō)是具有極大優(yōu)勢(shì)的開(kāi)關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
的小型化?！ ×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開(kāi)關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了Si IGBT很難實(shí)現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個(gè)晶體管并聯(lián)組成了1個(gè)開(kāi)關(guān)
2018-11-27 16:38:39
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
閾值電壓穩(wěn)定性以及工藝增強(qiáng)和篩選，以確?？煽康臇艠O氧化物和完成器件認(rèn)證。從本質(zhì)上講，SiC社區(qū)越來(lái)越接近尋找圣杯。 今天的MOSFET質(zhì)量 在過(guò)去兩年中，市售的1200 V SiC MOSFET在
2023-02-27 13:48:12
的雪崩耐用性評(píng)估方法不是進(jìn)行典型的UIS測(cè)試（這是一種破壞性測(cè)試），而是基于對(duì)SiC功率MOSFET的全面表征，以更好地了解其穩(wěn)健性。因此，在1200V160mΩSiCMOSFET上進(jìn)行重復(fù)UIS
2019-07-30 15:15:17
。在這里就SiC-SBD的可靠性試驗(yàn)進(jìn)行說(shuō)明。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)。首先請(qǐng)看一下具體的項(xiàng)目和條件。對(duì)于進(jìn)行過(guò)半導(dǎo)體的可靠性探討和實(shí)際評(píng)估的人來(lái)說(shuō)，這些標(biāo)準(zhǔn)和條件應(yīng)該都是司空見(jiàn)慣
2018-11-30 11:50:49
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開(kāi)發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無(wú)恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
開(kāi)來(lái)，并應(yīng)用于電纜以將電線與電纜所穿過(guò)的環(huán)境隔離開(kāi)來(lái)。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
不斷發(fā)生變化而進(jìn)行的測(cè)試。如果在潮濕條件下溫度循環(huán)的測(cè)試在其測(cè)試過(guò)程中除掉濕度這一因素，則它們的測(cè)試效果是一樣的。通常這種環(huán)境下的測(cè)試是用來(lái)評(píng)估前面所提及到的那些因素以及在溫度作用下因磨損而導(dǎo)致質(zhì)量
2019-07-16 16:47:05
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開(kāi)展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開(kāi)展，實(shí)施，結(jié)果過(guò)程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開(kāi)關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
40mR導(dǎo)通電阻Ron的SIC-MOSFET來(lái)說(shuō)，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實(shí)際應(yīng)用中需要加強(qiáng)散熱才可以。不過(guò)，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應(yīng)用，這里才是48V的測(cè)試，屬于
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過(guò)使用新型開(kāi)關(guān)管以提高開(kāi)關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評(píng)估版以測(cè)試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng)，望批準(zhǔn)！項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
的比較明顯對(duì)應(yīng)TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件首先在官網(wǎng)下載了開(kāi)發(fā)板的user guide進(jìn)行學(xué)習(xí)，有個(gè)整體的了解，開(kāi)發(fā)板
2020-05-19 16:03:51
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動(dòng)板Sic Mosfet驅(qū)動(dòng)電路要求1. 對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路來(lái)講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
變壓器漏感及引線電感的存在，當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)， 在雜散電感上形成電壓尖峰，針對(duì)這一特點(diǎn)，在設(shè)計(jì)IGBT耐壓時(shí)進(jìn)行優(yōu)化處理(標(biāo)稱1200V器件的實(shí)際耐壓值達(dá)到1400V左右)。另外焊機(jī)中和IGBT反并聯(lián)
2014-08-13 09:01:33
器件相比，具有更低的導(dǎo)通電阻和更高的電壓耐受能力。（圖片來(lái)源：ROHM Semiconductor）標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 在高至 150°C 的溫度條件下工作時(shí)，RDS(on) 導(dǎo)通電阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
試驗(yàn)，以在實(shí)際應(yīng)用條件下，評(píng)估1200V/45mΩ CoolSiC? MOSFET在TO-247 3引腳和4引腳封裝中的寄生導(dǎo)通特性。所有試驗(yàn)均在柵極關(guān)斷電壓為0V的條件下開(kāi)展?！ D2. 用于特性測(cè)試
2023-02-27 13:53:56
一定的短路能力。下表是派恩杰半導(dǎo)體部分產(chǎn)品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半導(dǎo)體針對(duì)柵極的可靠性是嚴(yán)格按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行，在柵極分別加負(fù)壓和正壓（-4V
2022-03-29 10:58:06
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開(kāi)關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
SiC-MOSFET關(guān)斷時(shí)導(dǎo)通該MOSFET，強(qiáng)制使Vgs接近0V，從而避免柵極電位升高。評(píng)估電路中的確認(rèn)使用評(píng)估電路來(lái)確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動(dòng)電路示例，柵極驅(qū)動(dòng)L為負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)。CN1
2018-11-27 16:41:26
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
ROHM一直專注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
CRD-60DD12N，60 kW交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個(gè)15 kW交錯(cuò)升壓級(jí)組成，每個(gè)級(jí)使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅(qū)動(dòng)板
2019-04-29 09:18:26
為6.8 Ω）。對(duì)于使用VSD的1200V、55A SiC-MOSFET，需要27Ω的柵極電阻才能將dv/dt限制在5V/ns，對(duì)于電流源極驅(qū)動(dòng)器，需要290mA的柵極電流設(shè)置（ROUTREF值為
2023-02-21 16:36:47
頻率選擇演示了基于 1200V SiC MOSFET 的 500-840V 可變直流母線的 OBC 設(shè)計(jì)，用于 250-450V 電池電壓 ［10］。OBC的整體效率得到了優(yōu)化，但是，1200V SiC
2023-02-27 09:44:36
引腳發(fā)生短路。這便會(huì)導(dǎo)致連接D-引腳的MCU暴露于VBUS，從而損壞MCU，如圖3所示。
圖3：9V電壓條件下未使用TS3USB3000發(fā)生短路的后果。
TS3USB3000 USB開(kāi)關(guān)可以在9V電壓條件下
2018-08-31 10:29:16
。右圖為SiC-MOSFET＋SiC-SBD組成的全SiC模塊BSM300D12P2E001（1200V/300A）與IGBT＋FRD的模塊在同一環(huán)境下實(shí)測(cè)的開(kāi)關(guān)損耗結(jié)果比較。Eon是開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的損耗
2018-12-04 10:14:32
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
反饋模式，無(wú)需次級(jí)反饋電路，也無(wú)需補(bǔ)償電路，加之精準(zhǔn)穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù)，使得系統(tǒng)外圍結(jié)構(gòu)十分簡(jiǎn)單，可在外圍器件數(shù)量少，參數(shù)范圍寬松的條件下實(shí)現(xiàn)高精度恒流控制，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積，并且能夠確保在
2022-02-17 15:42:55
，使得系統(tǒng)外圍結(jié)構(gòu)十分簡(jiǎn)單，可在外圍器件數(shù)量少，參數(shù)范圍寬松的條件下實(shí)現(xiàn)高精度恒流控制，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積，并且能夠確保在批量生產(chǎn)時(shí)LED燈具參數(shù)的一致性。SIC9554具有豐富的保護(hù)功能：輸出
2022-08-04 14:21:46
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的開(kāi)發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評(píng)估驅(qū)動(dòng)板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器，其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動(dòng)器IC過(guò)程控制和反饋信號(hào)并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
MOSFET幾乎立即完全導(dǎo)通，而相比之下，IGBT顯示出明顯的斜率。這導(dǎo)致Eon能量損失大幅下降。在相同的實(shí)驗(yàn)室條件下操作快速開(kāi)關(guān)IGBT和東芝TW070J120B SiC MOSFET表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
實(shí)現(xiàn)了良好的二極管導(dǎo)電性。優(yōu)化設(shè)計(jì)的1.2kV級(jí)SBD嵌入式MOSFET導(dǎo)通電流特性評(píng)估結(jié)果證實(shí)，采用格子花紋設(shè)計(jì)將嵌入式SBD靠近體二極管可以有效限制寄生二極管雙極性導(dǎo)通，相同SBD占位面積條件下
2023-04-11 15:29:18
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
在同等規(guī)格和條件下的比較，因此請(qǐng)當(dāng)做用來(lái)理解上述VGS之不同的資料使用。設(shè)計(jì)中所使用的電源IC：SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC：BD7682FJ-LB通過(guò)前面的說(shuō)明，相信您已經(jīng)
2018-11-27 16:54:24
了一個(gè)基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D的工程樣品??的原型，以驗(yàn)證設(shè)計(jì)的性能和熱完整性。該原型展示了54 W / in3的功率密度以及在充電和放電模式下的峰值效率
2019-10-25 10:02:58
。此系統(tǒng)適用于要求在無(wú)負(fù)載條件下最高轉(zhuǎn)速 10300 RPM 的應(yīng)用。此系統(tǒng)在不包括電機(jī)時(shí)的尺寸為 19 x 33 mm，因此非常適合需要占用空間小的應(yīng)用。電機(jī)電源電壓支持為 1.8V 到 11V，且
2018-07-24 08:08:03
暴露于VBUS，從而損壞MCU，如圖3所示。 圖3：9V電壓條件下未使用TS3USB3000發(fā)生短路的后果。 TS3USB3000 USB開(kāi)關(guān)可以在9V電壓條件下保護(hù)MCU，同時(shí)實(shí)現(xiàn)MCU
2018-10-09 10:41:19
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開(kāi)發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過(guò)采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品（圖1）。特點(diǎn)是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導(dǎo)通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531592 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發(fā)布首個(gè)1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161329 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498006 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:003685 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會(huì)表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長(zhǎng)期的門極電應(yīng)力下會(huì)產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過(guò)調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓，來(lái)限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:00
6 本文將探討如何在雪崩工作條件下評(píng)估 SiC MOSFET 的魯棒性。MOSFET 功率變換器，特別是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動(dòng)命令信號(hào)錯(cuò)誤，就會(huì)致使變換器功率開(kāi)關(guān)管在雪崩條件下工作。
2020-08-09 10:33:001724 
《SiC MOSFET在實(shí)際應(yīng)用柵極開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下的參數(shù)變化（AC BTI）》 多年來(lái)，英飛凌一直在進(jìn)行超越標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量認(rèn)證方法的應(yīng)用相關(guān)試驗(yàn)，以期為最終應(yīng)用確立可靠的安全運(yùn)行極限。閾值電壓和導(dǎo)通電
2021-02-12 17:40:002593 
SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。 仿真只是工具，仿真無(wú)法替代實(shí)驗(yàn)，仿真只供參考，切勿癡迷迷信。以上寒暄既畢，我們直奔主題： 1、選取仿真研究對(duì)象 SiC MOSFET
2021-03-11 09:22:053311 本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下（包括雪崩模式和發(fā)散振蕩）的性能，并研究了它們?cè)诶昧汶妷洪_(kāi)關(guān)的電路中的性能。
2022-05-07 16:27:451744 
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
由于快速開(kāi)關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加，碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán)，該框架減小了尺寸并提高了系統(tǒng)效率。大功率 SIC MOSFET 模塊
2022-08-05 08:04:521064 
值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16874 重復(fù) UIS/短路條件下的 MOSFET 瞬態(tài)結(jié)溫
2022-11-14 21:08:061 2022年11月，上海瞻芯電子開(kāi)發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:332073 
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-08 20:45:02281 
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-16 14:40:01389 
之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39538 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來(lái)說(shuō)，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071113 增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10422 
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。包括之前通過(guò)測(cè)試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:49323 
據(jù)悉，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾公司已研發(fā)出具備指標(biāo)性能堪比國(guó)外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，部分型號(hào)產(chǎn)品已開(kāi)始供應(yīng)市場(chǎng)。另一方面，針對(duì)比亞迪在內(nèi)的多方潛在客戶，該公司的電動(dòng)汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品正在進(jìn)行進(jìn)一步洽談。
2023-12-12 10:41:48229 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:36:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:37:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:28:290 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228
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圖 1a：短路測(cè)試電路原理圖。
圖 1b：短路測(cè)試設(shè)置。一個(gè)丙烯酸外殼圍繞著測(cè)試裝置，以在發(fā)生災(zāi)難性的設(shè)備故障/爆炸時(shí)保護(hù)設(shè)備和實(shí)驗(yàn)者。
圖 2：本次評(píng)估的被測(cè)器件是 Littelfuse LSIC1MO120E0080 系列增強(qiáng)型 1200 V、80 mOhm N 溝道 SiC MOSFET
圖 3：不同設(shè)備的短路測(cè)試結(jié)果
圖 4：600 V DC 漏極電壓下的耐受時(shí)間 
圖 5：600 V DC 漏極電壓下的臨界能量
圖 6：不同直流漏極電壓下的短路
圖 7：不同柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的短路
圖 8：去飽和實(shí)施
圖 9：去飽和保護(hù)瞬態(tài)
表 1：商用驅(qū)動(dòng)器 IC 評(píng)估
圖 10a：?jiǎn)蝹€(gè)設(shè)備的擊穿保護(hù)
圖 10b：半橋配置中的擊穿保護(hù)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論