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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>基于選擇性紫外光刻的光纖微圖案化

基于選擇性紫外光刻的光纖微圖案化

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金屬Cr詳解

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2023-08-04 16:30:15653

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng),在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學(xué)、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。由于紫外光在很多領(lǐng)域中具有重要的研究和應(yīng)用價值,日盲紫外探測器的發(fā)展對于提高測量的精確性和可靠性具有重要意義。
2023-08-04 11:21:08762

如何結(jié)合需求與特性選擇光纖光纜?

的的帶寬容量也可以滿足我們對于網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)男枨?。對?光纖光纜 的選擇同樣有著許多的方式,下面我們就來看一下如何結(jié)合需求與特性選擇光纖光纜。 對于光纖來說,根據(jù)芯數(shù)的不同可以劃分為四種中心束管式、層絞式、骨架式、
2023-07-28 10:10:24222

EUV***市場:增長趨勢、競爭格局與前景展望

(通常為13.5納米),相比傳統(tǒng)的光刻技術(shù),EUV技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更小的芯片尺寸和更高的集成度。 EUV光刻機的工作原理是通過將極端紫外光投影到硅片上,在光敏材料上形成圖案,從而實現(xiàn)芯片的精密圖案化。與傳統(tǒng)的光刻技術(shù)相比,EUV技術(shù)的短波長可以顯著提高曝光的分辨率
2023-07-24 18:19:471095

紫外光固化系統(tǒng)在制造和生產(chǎn)中的優(yōu)勢有哪些

在uvitron,我們直接了解紫外光固化設(shè)備如何成為許多行業(yè)的關(guān)鍵技術(shù),紫外光固化系統(tǒng)的好處很多,該技術(shù)對許多工業(yè)過程的效率、質(zhì)量和可持續(xù)性產(chǎn)生了重大影響。
2023-07-21 11:42:17286

紫外光刻復(fù)雜照明光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計

。照明系統(tǒng)是光刻機的重要組成部分,其主要作用是提供高均勻性照明、控制曝光劑量和實現(xiàn)離軸照明,以提高光刻分辨率和增大焦深。論文以深紫外光刻照明系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計為研究方向,對照明系統(tǒng)關(guān)鍵單元進行了光學(xué)設(shè)計與仿真研究。
2023-07-17 11:02:38592

光刻掩膜版測溫儀,光刻機曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀

GK-1000光刻掩膜版測溫儀,光刻機曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀光刻機是一種用于微納米加工的設(shè)備,主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS(微機電系統(tǒng))等微細結(jié)構(gòu)。光刻機是一種光學(xué)投影技術(shù),通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07

虹科案例 | 用于低成本改造光刻設(shè)備的UV紫外光

? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中,光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵,然后投射到光刻膠層上,形成所需的微細圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026

基于IC4060和IC555的選擇性定時器報警電路

下面給出了使用IC4060和IC555的選擇性定時器報警電路。眾所周知,IC NE555是一個定時器和振蕩器,而IC1CD4060是一個內(nèi)置振蕩器的14級二進制計數(shù)器。IC1的輸出
2023-07-04 18:18:44867

昊衡科技-OLI用于光纖彎曲檢測

原理。光信號于光纖垂直端射入,在與光纖的軸心線重合時沿軸心線向前傳播,如果光纖的彎曲度過大,就會造成一部分的光信號無法通過而反射回去。昊衡科技推出的OLI光纖微裂紋檢測
2023-06-30 10:04:05293

如何選擇適合的光纖連接器與光模塊配對

選擇光纖連接器與光模塊配對時,可以參考設(shè)備制造商的建議和規(guī)范,以及詳細了解所需的技術(shù)規(guī)格和特定的應(yīng)用場景,從而做出更合適的選擇。
2023-06-27 16:49:461495

晶圓代工廠如何突破物理極限提升光刻技術(shù)?

EUV微影技術(shù)的落實延續(xù)了摩爾定律的壽命,這里的EUV指的其實是一種紫外光源,跟過去光刻技術(shù)所采用的光源比起來,EUV的波長更短,因此有助于大幅提高分辨率。
2023-06-27 10:11:42248

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中,刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步,用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816

綜述:聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計的自由度上分為三大類,第一類能夠自由形成任意圖案,主要包括掃描探針刻?。⊿PL)和噴墨打??;第二類需要在模板或預(yù)圖案化基材的輔助下形成復(fù)雜的圖案,包括區(qū)域選擇性沉積(ASD)、納米壓?。∟IL)、微接觸印刷(mCP)
2023-06-21 15:49:50522

理清網(wǎng)線和光纖的區(qū)別正確選擇

網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)在已經(jīng)成為我們?nèi)粘I?、工作中不可或缺的一部分,那講到網(wǎng)絡(luò),你首先想到的是什么呢?網(wǎng)線?光纖線?目前網(wǎng)線和光纖是網(wǎng)絡(luò)信號傳輸中最重要的兩種載體,我們在選擇的時候要理清網(wǎng)線和光纖的區(qū)別,正確選擇,下面跟著科蘭小編一起來了解一下吧。
2023-06-16 10:10:001088

半導(dǎo)體前端工藝:刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

在半導(dǎo)體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料,從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備,在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177

遠程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優(yōu)良的靜電完整性,三維(3D)設(shè)計(如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET ))預(yù)計將在互補金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻,但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性,需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779

上海和晟 HS-1008 QUV紫外耐氣候試驗箱

一、產(chǎn)品名稱 紫外光加速老化試驗機/紫外光耐氣候試驗箱/紫外老化試驗箱 二、產(chǎn)品概述 該系列產(chǎn)品適用于非金屬材料的耐陽光和人工光源的老化試驗;包括3類:UV-A波長為
2023-06-09 17:13:36

半導(dǎo)體制備的主要方法

光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一,常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠,隨后對其進行預(yù)熱。接著,選擇一種光源(如深紫外光或X光)透過預(yù)先設(shè)計好的掩模圖案照射在硅片
2023-06-09 11:36:522037

利用選擇性改善接收機的截止點

。本文分別介紹了二階和三階交調(diào)情況下傳統(tǒng)接收機截止點級聯(lián)方程的改進形式。二階截止點(IP2)和三階截止點(IP3)級聯(lián)方程的數(shù)學(xué)推導(dǎo)過程引入了給接收級之間增加選擇性(S)帶來的影響,以改善IIP2與IIP3。
2023-06-08 17:06:15687

紫外光刻隨機效應(yīng)的表現(xiàn)及產(chǎn)生原因

  極紫外光刻的制約因素   耗電量高極紫外線波長更短,但易被吸收,可利用率極低,需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機,250W的功率,每天耗電達到三萬度。   生產(chǎn)效率仍不
2023-06-08 15:56:42283

昊衡科技:OLI-國產(chǎn)高性能光纖微裂紋檢測儀

OLI是昊衡科技推出的一款低成本光學(xué)鏈路診斷系統(tǒng),基于白光干涉原理,通過相干檢測技術(shù),精確測量整個鏈路的回波損耗分布,進而判斷鏈路的性能。圖1OLI低成本光學(xué)鏈路診斷儀保偏光纖有兩個主要的傳輸
2023-06-07 10:13:36338

一文看懂EUV光刻

紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當今使用的最先進的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688

可燃氣體報警器價格一覽:如何選擇性價比最高的產(chǎn)品?

可燃氣體報警器價格一覽:如何選擇性價比最高的產(chǎn)品?
2023-06-05 16:27:25644

芯片里面百萬億的晶體管是怎么裝進去的?

光刻 (用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣. 于是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意, 此時還沒有加入雜質(zhì), 依然是一個硅晶圓. )
2023-06-02 14:48:301085

無需FMM,京東方研發(fā)出光刻AMQLED

BOE(京東方)開發(fā)的量子點直接光刻(DP-QLED)工藝,僅需要涂膜、曝光、顯影三步即實現(xiàn)了一種量子點的圖案化;相對于其它光刻圖案化工藝,步驟減少,無需引入附加結(jié)構(gòu),可有效提升效率、成本可大幅降低。
2023-06-01 17:44:041286

EUV光源四種產(chǎn)生方式及對比分析

隨著光刻技術(shù)的進步,光刻光源的曝光波長已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長為436nm、365nm (分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線),所制造的集成電路特征尺寸為600nm或更大。
2023-06-01 10:19:001318

載體晶圓對蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟,然而,載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵(GaN)設(shè)備,通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中,英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452

紫外光譜儀的操作

紫外-可見分光光度法(ultraviolet and visible spectrophotometry,UV-vis)是基于物質(zhì)分子對紫外-可見區(qū)輻射的吸收特性建立起來的一種定性、定量和結(jié)構(gòu)分析的方法。這種分子光譜主要產(chǎn)生于分子的外層價電子在電子能級間的躍遷。
2023-05-25 09:06:201159

光纖收發(fā)器單模和雙模的選擇和怎么接線

  綜上所述,如果需要進行長距離、高速率、高質(zhì)量的數(shù)據(jù)傳輸,應(yīng)該選擇單模光纖收發(fā)器;如果需要進行短距離、低速率、一般質(zhì)量的數(shù)據(jù)傳輸,可以選擇雙模光纖收發(fā)器。在選擇光纖收發(fā)器時,還需要考慮實際應(yīng)用場景、設(shè)備兼容性、成本等因素,以選擇合適的光纖收發(fā)器。
2023-05-17 15:06:172982

光纖收發(fā)器的選擇事項和常見問題

  在以太網(wǎng)光纖收發(fā)器設(shè)計中,元器件的選擇舉足輕重,它決定了產(chǎn)品的性能、壽命和成本。光電介質(zhì)轉(zhuǎn)換芯片(OEMC)是整個收發(fā)器的核心。選擇介質(zhì)轉(zhuǎn)換芯片是以太網(wǎng)光纖收發(fā)器設(shè)計的第一步,也是非常重要的一步。它的選擇直接影響和決定了其它元器件的選擇。
2023-05-16 18:12:08493

受四色視覺啟發(fā)的超弱紫外光探測神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器

針對以上問題,天津大學(xué)紀德洋教授團隊,聯(lián)合南京郵電大學(xué)凌海峰教授團隊和長春應(yīng)用化學(xué)研究所的田洪坤研究員團隊,以有機光電晶體管(OPTs)為基本工作單元(圖1b和1c),受昆蟲眼睛四色視覺系統(tǒng)的啟發(fā),利用OPTs超靈敏的紫外光響應(yīng)特性及存儲性能
2023-05-05 09:45:49414

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689

光刻技術(shù)簡述

光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過程
2023-04-25 09:55:131057

計算光刻技術(shù)有多重要?計算光刻如何改變2nm芯片制造?

光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過程,是芯片制造過程的起始階段,包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。
2023-04-25 09:22:16696

虹科技術(shù)|半導(dǎo)體制造工藝中的UV-LED光源

半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外光譜范圍(i 線:365 nm、h線:405 nm和g線:436 nm)中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)
2023-04-24 11:23:281480

光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

從制造端來聊聊——芯片是如何誕生的

光刻膠層透過掩模被曝光在紫外線之下,變得可溶,掩模上印著預(yù)先設(shè)計好得電路圖案,紫外線透過它照在光刻膠層上,就會形成每一層電路圖形。這個原理和老式膠片曝光類似。
2023-04-20 11:50:141523

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā),必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164

實力不允許低調(diào),瑞豐恒高功率紫外激光器在白色陶瓷表面打黑

RS232串口與計算機通信,在外部精確控制激光器參數(shù)。瑞豐恒Expert III 355系列紫外激光器擁有小巧體積,一體設(shè)計,方便設(shè)備集成,而且無需做大光路,進一步節(jié)省成本。在瑞豐恒,全程無塵的生產(chǎn)
2023-04-04 16:40:21

西安光機所在表面功能化光纖傳感器的研究

近日,西安光機所在表面功能化光纖傳感器研究方面取得重要進展。研究團隊基于通信單模光纖開發(fā)出一種免標記、高靈敏度、高選擇性的法布里-泊羅(Fabry-Perot)型干涉探針
2023-04-04 10:11:07631

高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

氧化鎵(Ga2O3)是一種新興寬禁帶半導(dǎo)體(禁帶寬度為4.9 eV),具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數(shù)大、材料易加工等優(yōu)點,是日盲紫外探測理想的半導(dǎo)體材料?;贕a2O3的日盲紫外光電探測器已有很多的報道。
2023-03-28 11:48:012795

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直寫設(shè)備具備高靈活性,且可以實現(xiàn)較高精度,但由于是逐行掃描,曝光效率較低。近些年,基于空間光調(diào)制器(DMD/DLP)的技術(shù)在紫外曝光方面獲得了長足的進展。 閃光科技為您推出TTT-07-UV Litho-ACA無掩模板紫外光刻機就采用空間光調(diào)
2023-03-28 08:55:41692

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