CHK8201-SYA?GAN HEMT微波晶體管UMS

UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管，CHK8201-SYA集成化2個(gè)CHK8101A99F功率棒封裝形式，能夠單獨(dú)瀏覽，可以產(chǎn)生45W的搭配輸出功率。CHK8201-SYA致力于高至4GHz的普遍射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域需求設(shè)計(jì)。CHK8201-SYA特別適合多功能應(yīng)用領(lǐng)域，例如空間和電信網(wǎng)絡(luò)

CHK8101-SYC在SIC技術(shù)上使用的GAN是種表面評(píng)估的HEMT工藝技術(shù)，根據(jù)0.5μm柵極尺寸GaN?on?SiC?HEMT工藝研發(fā)。CHK8201-SYA需要有外部適配電源電路。

CHK8101-SYC選用密封性陶瓷金屬法蘭電源封裝形式，滿足RoHsN°2011/65和REACHN°1907/2006指令。

主要特征

寬帶性能：DC-4GHZ

45WPout，+29dbm輸入功率

0dbm輸入功率中的22db線性增益值

直流電偏置電壓：Vps=50V@IDo=200MA

UMS微波作為歐洲毫米波芯片的代表品牌，在德國(guó)和法國(guó)設(shè)置有產(chǎn)業(yè)基地。UMS在全球范圍內(nèi)高端應(yīng)用市場(chǎng)占有無(wú)可替代的地位。UMS提供基于ASIC或目錄產(chǎn)品的綜合報(bào)價(jià)，主要基于公司內(nèi)部的III-V技術(shù)，并提供全面的合同服務(wù)，使客戶可以直接創(chuàng)建自己的產(chǎn)品解決方案。從直流電到100GHz的UMS目錄產(chǎn)品均基于GaAs、Gan、SiGe技術(shù)，包括高達(dá)200W的功率放大器、混合信號(hào)功能、超低噪聲放大器和完整的收發(fā)器系統(tǒng)。UMS產(chǎn)品以模具形式提供，但一般以多芯片模塊的形式封裝。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司是UMS的代理商，專業(yè)為無(wú)線通信工程、航天基站、國(guó)防、汽車、ism等行業(yè)提供高可靠性射頻微波毫米波器件及集成電路。UMS產(chǎn)品采用QFN和模具包裝，交貨期短，價(jià)格優(yōu)勢(shì)獨(dú)特。立維創(chuàng)展存有一些型號(hào)UMS產(chǎn)品庫(kù)存。歡迎咨詢。

審核編輯黃宇

閱讀全文

晶體管(134504) 晶體管(134504)
UMS(2418) UMS(2418)

評(píng)論

相關(guān)推薦

線性調(diào)整器的開關(guān)管驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)如下怎么分析？

串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過(guò)。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法

2024-03-06 20:49:11

功率GaN的多種技術(shù)路線簡(jiǎn)析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實(shí)也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號(hào)角。目前，從晶體管來(lái)看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管

2024-02-28 00:13:00

1844

QPD0007 GaN射頻晶體管

Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級(jí)、不匹配晶體管

2024-02-26 19:46:40

QPD1016L GaN射頻晶體管

Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預(yù)匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC

2024-02-26 19:28:10

晶體管摻雜和導(dǎo)電離子問(wèn)題原因分析

雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？這個(gè)問(wèn)題困擾

2024-02-21 21:39:24

晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么？

晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)

2024-01-26 23:07:21

在特殊類型晶體管的時(shí)候如何分析？

管子多用于集成放大電路中的電流源電路。請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中

2024-01-21 13:47:56

單結(jié)晶體管的工作原理是什么？

常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？

2024-01-21 13:25:27

晶體管基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？

晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？

2024-01-19 22:39:57

CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵

2024-01-19 09:27:13

晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的本質(zhì)問(wèn)題理解

晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過(guò)基射極電流控制集射極電流。 1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒(méi)有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài) 2、當(dāng)基

2024-01-18 16:34:45

Wolfspeed CGH40045 GaN HEMT 晶體管

射頻和微波應(yīng)用提供通用寬帶解決方案。 GaN HEMT 具有高效率、高增益和寬帶寬功能，使 CGH40045 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用法蘭

2024-01-03 12:33:26

CGHV40180 L波段功率放大器CREE

CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時(shí)寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異

2024-01-02 12:05:47

同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子

2023-12-27 09:11:36

1219

微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

報(bào)告內(nèi)容包含：微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng) GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

2023-12-14 11:06:58

178

CGHV96130F X波段功率放大器CREE

CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比

2023-12-13 10:10:57

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻

2023-12-07 17:27:20

337

如何選擇分立晶體管？

來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？

2023-11-24 08:16:54

AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？

我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？

2023-11-21 06:54:43

晶體管 - 改變世界的發(fā)明

晶體管

油潑辣子發(fā)布于 2023-11-18 12:13:27

AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。

2023-10-10 16:21:11

291

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

無(wú)論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。

2023-09-28 17:44:22

1864

晶體管詳細(xì)介紹

專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管

2023-09-28 08:04:05

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計(jì)和損耗分析

目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限，即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)洌试陂_關(guān)頻率超過(guò) 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium

2023-09-18 07:27:50

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設(shè)計(jì)

氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高

2023-09-07 07:43:51

光敏晶體管(2)#傳感器

傳感器晶體管光敏晶體管

未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-08-20 14:38:39

光敏晶體管(1)#傳感器

傳感器晶體管光敏晶體管

未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-08-20 14:38:13

INN650DA260A增強(qiáng)功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無(wú)引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。

2023-08-16 23:36:51

686

CHK8201-SYA是一款晶體管

CHK8101-SYC 是一款無(wú)與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為各種射頻功率應(yīng)用提供通用和寬帶解決方案。它非常適合空間和電信等多用途應(yīng)用CHK8101-SYC 采用 0.5μm 柵極長(zhǎng)度

2023-08-10 10:47:29

INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)

2023-08-07 17:22:17

968

CGHV59070P是一款晶體管

70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達(dá)系統(tǒng)的內(nèi)部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

2023-08-07 15:55:56

CGHV59070F是一款晶體管

2023-08-07 15:53:36

CGHV59070F-AMP是一款晶體管

2023-08-07 15:49:41

CGH40006P-AMP是一款晶體管

6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源

2023-08-07 15:02:04

CGHV40320D-GP4是一款晶體管

320-W；4.0-GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CGHV40320D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有

2023-08-07 14:40:06

CGHV40200PP-AMP1是一款晶體管

200W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP

2023-08-07 14:23:55

CGHV40200PP是一款晶體管

200W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP

2023-08-07 14:13:01

CGHV40100P是一款晶體管

100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管

2023-08-07 13:52:20

CGHV40100P-AMP是一款晶體管

100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管

2023-08-07 13:50:28

CGHV40100F是一款晶體管

100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管

2023-08-07 13:48:33

CGHV40100F-AMP是一款晶體管

100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管

2023-08-07 13:46:18

CGHV60075D5-GP4是一款晶體管

75-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60075D5 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能

2023-08-07 13:39:03

CGHV40050P是一款晶體管

50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT

2023-08-07 11:29:17

CGHV40050F是一款晶體管

50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT

2023-08-07 11:25:21

CGHV40050F-AMP是一款晶體管

50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT

2023-08-07 11:22:14

CGHV60040D-GP4是一款晶體管

40-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60040D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括

2023-08-07 11:19:46

CMPA0060025D是一款晶體管

25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片

2023-08-07 10:35:51

CMPA0060025F是一款晶體管

25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波

2023-08-07 10:33:50

CMPA0060025F-AMP是一款晶體管

25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片

2023-08-07 10:31:47

CMPA0060025F1是一款晶體管

25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片

2023-08-07 10:26:30

CMPA0060025F1-AMP是一款晶體管

25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片

2023-08-07 10:23:54

CMPA0527005F是一款晶體管

5-W；0.5 - 2.7 GHz；50V；用于功率放大器的 GaN MMIC CMPA0527005F 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的封裝單片微波

2023-08-07 10:16:21

CGH40180PP是一款晶體管

180W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP；采用

2023-08-07 09:29:54

CGH40180PP-AMP是一款晶體管

180W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP；采用

2023-08-07 09:27:38

CG2H40120F是一款晶體管

120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT

2023-08-07 09:22:52

CG2H40120F-AMP是一款晶體管

120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用

2023-08-07 09:20:30

CGH40120P是一款晶體管

通用用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT 效率高；高增益和寬帶寬能力；使 CGH40120 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管

2023-08-07 09:15:24

CGH21120是一款晶體管

遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷

2023-08-07 09:00:48

CGH40025F是一款晶體管

25W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40025 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025；采用 28 伏電源軌運(yùn)行

2023-08-03 15:59:00

CG2H40025P是一款晶體管

25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28

2023-08-03 15:43:09

CGH40025P是一款晶體管

2023-08-03 15:39:32

CG2H40025F是一款晶體管

25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28

2023-08-03 15:08:51

GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)是什么？ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件

解決方案帶來(lái)了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點(diǎn) 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（

2023-08-03 14:43:28

225

CGH60015D-GP4是一款晶體管

15-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括

2023-08-03 14:14:18

CGH40010P是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏

2023-08-03 13:44:13

CG2H40010P是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28

2023-08-03 13:41:45

CGH40010F是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏

2023-08-03 13:39:48

CG2H40010F是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010

2023-08-03 13:36:27

CGH40010F-AMP是一款晶體管

10W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏電源軌運(yùn)行

2023-08-03 12:01:16

CGH60008D-GP4是一款晶體管

8瓦；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60008D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括更高

2023-08-03 11:36:09

CGH40006P是一款晶體管

6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源

2023-08-03 11:33:36

CGH40006S是一款晶體管

6W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源

2023-08-03 11:26:41

CGH40006S-AMP1是一款晶體管

Wolfspeed 的 CGH40006 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏電源軌運(yùn)行；提供通用用途；適用于各種射頻和微波

2023-08-03 11:23:41

CMPA0060002D是一款晶體管

2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片

2023-08-03 11:11:41

CMPA0060002F是一款晶體管

2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT

2023-08-03 11:07:32

不同類型的晶體管及其功能

(HBT) AlgaAs/GaAs 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT) 用于頻率高達(dá) Ku 頻段的數(shù)字和模擬微波應(yīng)用。HBT 可以提供比硅雙極晶體管更快的開關(guān)速度，主要是因?yàn)榛鶚O電阻和集電極到基板的電容降低

2023-08-02 12:26:53

CMPA2560025F GaN MMIC功率放大器規(guī)格書

CMPA2560025F是一種高電子遷移率的氮化鎵（GaN）基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優(yōu)越的性能，包括擊穿電壓越高，飽和電子漂移速度越高導(dǎo)熱性

2023-07-05 15:04:32

幾種晶體管的區(qū)別，你了解了嗎

晶體管

YS YYDS發(fā)布于 2023-07-04 22:18:41

晶體管做電子開關(guān)

晶體管

YS YYDS發(fā)布于 2023-07-04 20:45:13

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料

2023-06-14 14:00:55

1652

未來(lái)智能城市的動(dòng)力引擎：潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）

潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。產(chǎn)品特點(diǎn)：易于使用：650V GaN

2023-06-12 16:38:34

688

晶體管S參數(shù)重要性晶體管有哪些重要指標(biāo)

微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。

2023-06-09 10:59:27

1640

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。

2023-05-25 15:14:06

1220

GaN HEMT大信號(hào)模型

GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)

2023-05-24 09:40:01

1374

高功率GaN RF放大器的熱考慮因素

，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和軍用雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。

2023-05-19 11:50:49

626