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上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí)，其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量（保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值），電流耐量則得按器件的結(jié)溫降額要求決定、它與外部散熱條件和器件
2024-03-21 09:44:15
功率器件是指用于控制和調(diào)節(jié)電能的器件，其主要功能是將電能轉(zhuǎn)換為其他形式的能量，如電機(jī)的驅(qū)動(dòng)、電源的變換等。功率器件一般分為三類：晶閘管、功率二極管和場效應(yīng)管。晶閘管主要用于大功率開關(guān)控制，功率二極管
2024-03-20 14:43:16
106 本文通過單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)對比與分析，選取原生HgCdTe材料，對其進(jìn)行PIN結(jié)構(gòu)雪崩器件的全過程工藝模擬，形成大面積的雪崩Ⅰ區(qū)。采用微分霍爾、微分少子壽命等測試手段進(jìn)行材料表征，評估獲得了關(guān)鍵雪崩區(qū)域的真實(shí)材料晶體質(zhì)量。
2024-03-15 09:38:28105 
常規(guī)的碲鎘汞PIN結(jié)構(gòu)雪崩器件一般采用non-p結(jié)構(gòu)，其中最為關(guān)鍵的雪崩Ⅰ區(qū)采用離子注入及推結(jié)退火的后成結(jié)工藝。
2024-03-15 09:37:4975 
AP8022H芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，適用于小功率離線式開關(guān)電源。該芯片提供的智能化保護(hù)功能，包括過流保護(hù)，欠壓保護(hù)，過溫保護(hù)和軟啟動(dòng)功能。間歇工作模式
2024-03-09 11:09:32
0 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43103 
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47103 
功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2024-02-25 16:16:35487 
當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。
2024-02-25 15:48:081122 
電子元器件的封裝測試是確保元器件在正常工作條件下能夠穩(wěn)定運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。
2024-02-23 18:17:171002 雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象，特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超過一定的臨界值時(shí)，會(huì)突然有大量電流流過原本
2024-02-23 17:06:03243 
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:53343 
怎么一回事，制冷量和功率又該如何換算，一臺(tái)10KW的空調(diào)，制冷量25000W，還有一個(gè)能效比是2.5，這個(gè)能效比是什么意思？家用電器的幾級(jí)能耗是什么意思？這個(gè)和具體用電器的輸入功率，輸出功率，效率等什么因素有關(guān)？
2024-02-22 14:46:48
OPEAK提供雪崩光電探測器(APD)比帶放大光電探測器（PIN），同樣帶寬下具有更高的靈敏度和更低的噪聲，因此非常適合用于低光功率應(yīng)用，一般而言，雪崩光電二極管利用內(nèi)部增益機(jī)制提高靈敏度。在二極管
2024-01-23 09:25:260 高壓功率放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著重要的角色。半導(dǎo)體測試是指對半導(dǎo)體器件進(jìn)行各種電性能參數(shù)測試和質(zhì)量檢測的過程。以下是關(guān)于高壓功率放大器在半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用的詳細(xì)介紹。 一、高壓信號(hào)發(fā)生器
2024-01-15 11:24:49138 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力，處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏，通過電流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400 光功率測試儀怎么使用？ 光功率測試儀是一種用于測量光纖連接的光功率的儀器。它是光通信設(shè)備測試和維護(hù)的重要工具。下面將詳細(xì)說明光功率測試儀的使用方法。 一、準(zhǔn)備工作 首先，確保光功率測試儀的電池充滿
2024-01-05 14:31:37388 崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象，它們在物理機(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。 一、雪崩擊穿 物理機(jī)制 雪崩擊穿是指在高電場作用
2023-12-30 17:06:003140 
逆變電路中的功率開關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件，其主要作用是在控制信號(hào)的作用下，將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中，功率開關(guān)器件的性能直接影響到整個(gè)逆變器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702 碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09285 開關(guān)電源功率常見的測試方法有：通過測量電壓和電流來計(jì)算出功率、使用功率計(jì)直接測出功率。這兩種測試方法各有優(yōu)點(diǎn)與不足。以自動(dòng)化方式測試開關(guān)電源工率，用開關(guān)電源測試軟件不僅可以提高測試速度，還可以對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行多維度分析，確保測試數(shù)據(jù)和結(jié)果可靠性。
2023-12-20 16:03:42635 品牌：久濱型號(hào)：JB-JM5名稱：耐碎石沖擊試驗(yàn)機(jī)一、產(chǎn)品概述： 汽車材料耐碎石沖擊測試機(jī)是一種高精密度的多重沖擊儀器，它的優(yōu)點(diǎn)在于所獲得結(jié)果具有很好的重復(fù)性和可比性，通過壓縮空氣和加速的鋒利粒子
2023-12-14 16:36:22
來激勵(lì)被測材料或器件。功率放大器能夠?qū)⒌?b class="flag-6" style="color: red">功率信號(hào)放大到所需的高功率水平，從而有效地激發(fā)被測試物體的響應(yīng)。例如，在聲學(xué)測試中，功率放大器可以將信號(hào)放大，以便在材料中產(chǎn)生足夠的聲音強(qiáng)度來進(jìn)行聲學(xué)特性測量。 提供可
2023-12-14 10:42:43177 
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46240 光功率計(jì)測試光纖正常值多少？ 光功率計(jì)是用于測試光纖光信號(hào)強(qiáng)度的儀器，通過測量光纖上的光功率來判斷其傳輸質(zhì)量。在進(jìn)行光功率計(jì)測試之前，我們需要了解光纖的正常功率值范圍。 在光纖通信系統(tǒng)中，發(fā)射
2023-12-11 11:06:081754 SCK-Y玻璃瓶耐內(nèi)壓力測試儀適用于各種啤酒瓶、酒瓶、飲料瓶、輸液瓶、西林瓶等各類玻璃瓶耐內(nèi)壓力測試，產(chǎn)品依據(jù)GB/T 4546-2008(玻璃容器 耐內(nèi)壓力試驗(yàn)方法)標(biāo)準(zhǔn)中實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目規(guī)定，全自動(dòng)
2023-12-08 13:11:41
【科普小貼士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:47423 
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53289 
季豐電子ATE實(shí)驗(yàn)室最新引進(jìn)了兩臺(tái)雙脈沖測試儀DPT1000A和Edison，分別覆蓋功率單管和模塊。
2023-12-05 18:09:59430 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管
2023-12-03 16:33:191134 
-產(chǎn)品詳情-AF-01藥用鋁箔耐破度測試儀產(chǎn)品介紹AF-01鋁箔耐破度測試儀專業(yè)應(yīng)用于各類藥用鋁箔耐破強(qiáng)度試驗(yàn),是鋁箔強(qiáng)度性能檢測的基本儀器,是食品、藥品包裝廠家、商檢、科研等部]的理想檢測設(shè)備
2023-12-01 14:29:45
本推文包含兩個(gè)部分，一個(gè)是雪崩擊穿和碰撞電離的關(guān)系，一個(gè)是光電器件仿真簡介。旨在提倡用理論知識(shí)去指導(dǎo)仿真，和通過仿真結(jié)果反過來加深對理論理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32699 
高壓功率器件的開關(guān)技術(shù)簡單的包括硬開關(guān)技術(shù)和軟開關(guān)技術(shù)
2023-11-24 16:09:22534 
下，PN結(jié)中的載流子會(huì)迅速增多，形成一個(gè)大的電流。擊穿特性是PN結(jié)的重要特點(diǎn)之一，對于電子器件設(shè)計(jì)和安全運(yùn)行都有重要的影響。 雪崩擊穿是PN結(jié)的一種擊穿機(jī)制，當(dāng)反向電壓足夠大時(shí)，電子和空穴在結(jié)區(qū)域的耗盡層中會(huì)獲得足夠的能量，以使它們
2023-11-24 14:20:271214 什么是雪崩擊穿？單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同？雪崩擊穿失效機(jī)理是什么？ 雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中，由于過電壓等原因?qū)е陆^緣擊穿，進(jìn)而引發(fā)設(shè)備失效的一種故障現(xiàn)象。在電力系統(tǒng)中，絕緣是保證設(shè)備正常運(yùn)行
2023-11-24 14:15:36817 當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后，半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過碰撞電離開始倍增，這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。
2023-11-23 16:22:27572 
三分鐘看懂雪崩光電二極管
2023-11-23 09:09:06640 
單光子雪崩二極管（SPAD）的關(guān)鍵特征是能夠探測單個(gè)光子并提供數(shù)字信號(hào)輸出。
2023-11-21 09:17:39582 
有關(guān)運(yùn)放全功率帶寬的問題，全功率帶寬應(yīng)該怎么測試？ADA4857和AD8479兩款運(yùn)放全功率帶寬的測試條件不一樣，一個(gè)輸出電壓峰峰值為2V，另一個(gè)輸出電壓峰峰值為20V，應(yīng)該如何確定這個(gè)值？
2023-11-21 08:21:30
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率器件的熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 09:21:590 簡介：本資料的主要內(nèi)容包括風(fēng)電及大功率逆變器中阻容器件及功率器件的應(yīng)用，太陽能逆變器中膜電容及光驅(qū)動(dòng)器件的應(yīng)用以及電阻及功率器件在電動(dòng)汽車的應(yīng)用。
2023-11-09 15:40:110 一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-08 17:10:15822 
一、引言食品復(fù)合袋耐內(nèi)壓力測試儀是一種專門用于測試食品復(fù)合袋耐內(nèi)壓力性能的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。食品復(fù)合袋作為食品包裝的重要形式，其耐內(nèi)壓力性能對于食品的保存和安全性具有重要影響。本文將介紹食品復(fù)合袋耐內(nèi)壓力
2023-10-25 16:42:21
網(wǎng)分的射頻輸出功率如何設(shè)置？改動(dòng)射頻輸出功率，對測試參數(shù)有什么影響？ 網(wǎng)分器是一種常用的高頻器件，它可以將輸入的高頻信號(hào)分成兩個(gè)或多個(gè)輸出端口，用于進(jìn)行不同的測試或應(yīng)用。網(wǎng)分器的射頻輸出功率是指在
2023-10-20 14:44:20557 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21879 
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng)，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實(shí)現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)域有著迫切的需求。隨著航天技術(shù)的快速發(fā)展，作為
2023-10-18 10:34:31378 
100家功率器件廠商匯總前言功率器件應(yīng)用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)
2023-10-18 08:33:092498 
探頭與示波器被稱為工程師的眼睛，是工程師進(jìn)行電信號(hào)測量時(shí)必不可少的工具。探頭在功率領(lǐng)域的應(yīng)用是其發(fā)揮作用的重要方面，包括功率器件測試和變換器測試兩個(gè)方面。
2023-10-17 14:37:10206 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
紙張耐折度測試儀 耐折度是指紙或紙板在一定張力下所能承受往復(fù)135°的雙折次數(shù),以往復(fù)折疊的雙折次數(shù)或按以10為底的雙折次數(shù)對數(shù)值表示。 試驗(yàn)步驟：校準(zhǔn)儀器水平,調(diào)節(jié)所需的彈簧
2023-10-12 16:47:27
電子元器件可靠性測試是保證元器件性能和質(zhì)量的一個(gè)重要測試項(xiàng)目，同時(shí)也是電子設(shè)備可靠性的基礎(chǔ)。常見的可靠性測試項(xiàng)目有機(jī)械沖擊測試、高溫存儲(chǔ)測試、溫度循壞測試、引線鍵合強(qiáng)度測試等。
2023-10-11 14:49:05350 
在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
長電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心，專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評估，公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則，制定產(chǎn)品可靠性規(guī)范并依此對產(chǎn)品進(jìn)行完整可靠性驗(yàn)證。
2023-09-20 16:29:21808 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342682 
玻璃瓶耐內(nèi)壓測試機(jī) 在玻璃瓶檢測標(biāo)準(zhǔn)中，玻璃瓶的耐內(nèi)壓力是一項(xiàng)至關(guān)重要的指標(biāo)。這是因?yàn)椴Ａ康?b class="flag-6" style="color: red">耐內(nèi)壓力直接關(guān)系到其易破碎程度，對于保證玻璃瓶在使用過程中的安全性和可靠性具有重要意義。根據(jù)
2023-09-19 14:19:04
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 功率循環(huán)測試-簡介功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級(jí)測試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測項(xiàng)目。相對于溫度循環(huán)測試，功率循環(huán)通過在器件內(nèi)運(yùn)行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:59857 
? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494672 
功率二極管有哪些？二極管是功率器件嗎? 功率二極管是一種功率電子器件，它與普通的二極管的不同之處在于其能夠承受更大的電流和電壓，用于控制和轉(zhuǎn)換電能。功率二極管是一種關(guān)鍵的電子器件，廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域
2023-09-02 11:13:57790 氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532 碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng)，相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級(jí)、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢，有助于實(shí)現(xiàn)新能源車電力電子驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)輕量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導(dǎo)體功率器件在高電場和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動(dòng)力學(xué)的基本特征，也是所有元器件在電動(dòng)汽車、軌道交通、電網(wǎng)和新能源等實(shí)際應(yīng)用場景中承受瞬態(tài)過壓(Overvoltage)、過流(Overcurrent)等應(yīng)力沖擊的先決條件。
2023-07-30 17:20:10841 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-29 15:34:440 功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。
2023-07-27 16:17:151630 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SBR雪崩能量應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-25 17:37:300 PN8034內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。
2023-07-21 15:55:072352 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ （本文轉(zhuǎn)載自公眾號(hào)： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學(xué)習(xí)） GaN HEMT功率器件實(shí)測及其測試注意事項(xiàng)。氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)
2023-07-17 18:45:02711 
對功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗(yàn)證、評價(jià)、對比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。
2023-07-10 16:28:08343 碳化硅功率器件作為新一代功率半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)異的特性獲得了廣泛的應(yīng)用，同時(shí)也對其動(dòng)態(tài)特性測試帶來了挑戰(zhàn)，現(xiàn)階段存在的主要問題有以下三點(diǎn)
2023-07-08 15:14:02325 
車規(guī)級(jí)功率器件未來發(fā)展趨勢
材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能
●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化
●評測方面:多應(yīng)力綜合測試方法、新型結(jié)溫測試方法和技術(shù)
●進(jìn)展方面:國產(chǎn)在趕超進(jìn)口(參數(shù)和性能)，可靠性還需要時(shí)間沉淀
2023-07-04 10:48:05415 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率器件是指用于控制、調(diào)節(jié)和放大電能的電子元件。它們主要用于處理大功率電信號(hào)或驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，例如電機(jī)、變壓器、照明設(shè)備等。
2023-06-28 17:02:091644 光隔離探頭主要用于開關(guān)電源、逆變器、充電樁、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等由功率半導(dǎo)體組成的高壓高頻電路的測試，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體器件包括氮化鎵、碳化硅器件組成的半/全橋電路的測試。
2023-06-27 17:32:33555 
1 Buck 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式 （1）：Buck 變換器的電路圖： （2）：Buck 變換器的主要穩(wěn)態(tài)規(guī)格： （3）：功率器件的穩(wěn)態(tài)應(yīng)力： -- 有源開關(guān) S： -- 無源開關(guān) D： 上述
2023-06-26 10:06:01434 
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導(dǎo)體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導(dǎo)體材料由于高溫而分解）。
2023-06-11 15:58:46452 
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復(fù)退化”與“不可恢復(fù)退化”一直以來很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識(shí)別和壽命評估帶來了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:12477 
功率模組OSRG測試什么 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT
2023-05-31 09:39:49671 EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。
2023-05-24 09:51:302761 
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對于感性負(fù)載在開關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國
2023-05-15 10:04:53804 
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
2023-05-05 09:11:22556 通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 16:11:33917 
平臺(tái)型多通道消光比測試儀可獨(dú)立進(jìn)行偏振消光比測試、光功率測試、插損變化測試等，配備 USB(RS232) 接口，上位機(jī)軟件可自動(dòng)進(jìn)行數(shù)據(jù)測試、 記錄、分析，可方便地組成自動(dòng)測試系統(tǒng)。 廣泛應(yīng)用于光通信設(shè)備、光纖、光無源器件與光有源器件的測試，功率范圍寬、測試精度高、性價(jià)比高、可靠性好。
2023-04-25 17:35:450 騷擾功率測試是絕大多數(shù)AV類產(chǎn)品，家電以及電動(dòng)工具產(chǎn)品在認(rèn)證時(shí)常見的EMC測試之一。本文從騷擾功率的測試原理說起，論述測試要點(diǎn)，以及出現(xiàn)測試不合格的原因分析，和可以采取的對策。后給出一個(gè)實(shí)際的整改案例加以說明。
2023-04-18 10:45:191646 
在有限的封 裝空間內(nèi)，如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度，已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結(jié)構(gòu)
2023-04-18 09:53:235973 
電壓擺幅在MOSFET擊穿電壓之上，從而激活了其內(nèi)在的寄生雙極晶體管，并在FET上出現(xiàn)有效的雪崩效應(yīng)。這項(xiàng)測試重復(fù)進(jìn)行，電流逐漸增加，直到開始的泄漏測試失敗，表明器件已被損壞。
2023-04-17 09:45:061407 
單光子探測器是一種可檢測單個(gè)光子能量的高靈敏度器件。按工作原理不同，單光子探測器可分為光電倍增管（PMT）、超導(dǎo)單光子探測器（SSPD）和單光子雪崩光電二極管（SPAD）。
2023-04-15 16:00:591405 碲鎘汞線性雪崩焦平面探測器具有高增益、高帶寬及低過剩噪聲等特點(diǎn)，在航空航天、天文觀測、軍事裝備及地質(zhì)勘探等領(lǐng)域展現(xiàn)了巨大的應(yīng)用潛力。
2023-03-28 09:12:33727
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