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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>百舸爭流 第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽東部賽區(qū)決賽圓滿舉行

百舸爭流 第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽東部賽區(qū)決賽圓滿舉行

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2023-10-11 16:30:48250

進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢,這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295

#GaN #氮化鎵 #第三代半導(dǎo)體 為什么說它是第三代半導(dǎo)體呢?什么是GaN?

半導(dǎo)體氮化鎵
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-07 17:14:51

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心通線,中國科學(xué)院院士郝躍領(lǐng)銜

西安電子科技大學(xué)表示,該項(xiàng)目竣工后,將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測試等整個工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺和產(chǎn)業(yè),圍繞國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心,5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840

汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇成功舉辦| 聚焦ICS2023峰會

行業(yè)協(xié)會指導(dǎo),深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計(jì)分會、“核高基”國家科技重大專項(xiàng)總體專家組主辦。繼21日上午的高峰論壇成功舉辦后,汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇作為本屆峰會亮點(diǎn)正式開啟。 ? 當(dāng)前,隨著汽車四化時代來臨,汽車產(chǎn)業(yè)迎來更大風(fēng)口,
2023-09-25 09:09:35520

第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅

  隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代,能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始成為市場寵兒,開啟了第三代半導(dǎo)體的新紀(jì)元。
2023-09-22 15:40:41476

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20890

路演回顧 | 華秋第九屆中國硬件創(chuàng)新創(chuàng)客大賽-華東分賽區(qū)線上項(xiàng)目路演活動圓滿舉行~

為推動硬科技創(chuàng)業(yè)的 發(fā)展與進(jìn)步 加速優(yōu)質(zhì)硬科技項(xiàng)目對接資本 9月16日下午 華秋第九屆中國硬件創(chuàng)新創(chuàng)客大賽- 華東分賽區(qū)決賽項(xiàng)目路演活動 通過線上路演的形式圓滿舉行 01 晉級全國總決賽項(xiàng)目名單
2023-09-19 10:25:02238

長電科技第三代半導(dǎo)體器件的高密度模組解決方案獲得顯著增長

? 新能源汽車和光伏、儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379

東科與北京大學(xué)成立第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心

9月15日,東科半導(dǎo)體(安徽)股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452

何以在第三代半導(dǎo)體技術(shù)中遙遙領(lǐng)先?

已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料,近年來越來越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前,領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點(diǎn)?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365

長電科技加速擴(kuò)充中大功率器件成品制造產(chǎn)能,面向第三代半導(dǎo)體市場解決方案營收有望大幅增長

新能源汽車和光伏,儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)
2023-09-18 16:11:25261

第一代、第二代和第三代半導(dǎo)體知識科普

材料領(lǐng)域中,第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導(dǎo)體,或?qū)⒌?、砷化鎵、磷化銦制?/div>
2023-09-12 16:19:271932

BLUENRG-LP無線處理器介紹

意法半導(dǎo)體第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍(lán)牙SIG核心規(guī)范5.2版本要求,兼具出色的射頻性能和極長的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點(diǎn)對多點(diǎn)連接和藍(lán)牙SIG
2023-09-08 06:57:13

助力SiC功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代,美浦森和泰克攜手產(chǎn)業(yè)鏈合作共贏

點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們! ?泰克科技? 在雙碳戰(zhàn)略的發(fā)展大背景下,以第三代半導(dǎo)體為首的功率半導(dǎo)體行業(yè)正在飛速崛起,國產(chǎn)替代、技術(shù)迭代、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)展趨勢使功率半導(dǎo)體迎來行業(yè)發(fā)展的最大歷史機(jī)遇
2023-09-04 12:20:01233

無錫芯動第三代半導(dǎo)體模組封測項(xiàng)目擬12月底投產(chǎn)

據(jù)錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息,芯動第三代半導(dǎo)體模塊將在測試項(xiàng)目主體上蓋屋頂,10月土木工程竣工,12月底投產(chǎn)。凱威特斯半導(dǎo)體設(shè)備配件再制造事業(yè)已經(jīng)完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程,計(jì)劃于今年12月竣工,2024年3月批量生產(chǎn)。
2023-08-31 09:25:07447

芯干線獲戰(zhàn)略投資,系第三代半導(dǎo)體企業(yè)

據(jù)融合資產(chǎn)消息,此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲存、充電包、新能源汽車等多個領(lǐng)域展開合作,幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228

2023年以來19起半導(dǎo)體收購案,廠商加快構(gòu)建AI、第三代半導(dǎo)體版圖

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)根據(jù)IT桔子的數(shù)據(jù),2022年集成電路行業(yè)發(fā)生了33起收購,其中國內(nèi)24起,海外9起。在經(jīng)歷2022艱難的一年后,人們并沒有在2023年看到預(yù)期的增長,半導(dǎo)體市場依舊持續(xù)
2023-08-27 10:28:222153

硅化物、氮化物與鈣鈦礦:第三代半導(dǎo)體的四大分類與應(yīng)用探索

隨著科技的不斷進(jìn)步,新的半導(dǎo)體材料正在為整個電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場技術(shù)革命的前沿,第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看,第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915

化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計(jì)、數(shù)理模型與制備

近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920

第七屆集創(chuàng)賽“芯海杯”西南賽區(qū)決賽圓滿收官

創(chuàng)業(yè)大賽(簡稱:集創(chuàng)賽)“芯海杯”西南分賽區(qū)決賽頒獎典禮成功舉行。歷經(jīng)多年發(fā)展,集創(chuàng)賽現(xiàn)已發(fā)展成為我國集成電路產(chǎn)學(xué)領(lǐng)域影響力最大,規(guī)格最高的全國性重大賽事活動。本屆集創(chuàng)
2023-07-31 22:59:17416

精彩回放 | 第十五屆深創(chuàng)賽-福田預(yù)選賽區(qū)暨華秋第九屆硬創(chuàng)大賽-華南分賽區(qū)決賽項(xiàng)目路演圓滿結(jié)束~

第十五屆深創(chuàng)賽福田預(yù)選賽區(qū) 暨華秋第九屆硬創(chuàng)大賽-華南分賽區(qū)決賽項(xiàng)目路演回顧視頻 01 賽事回顧 7月21日,第十五屆深創(chuàng)賽福田預(yù)選賽區(qū)暨華秋第九屆硬創(chuàng)大賽華南分賽區(qū)決賽路演活動在深圳華強(qiáng)科創(chuàng)廣場
2023-07-27 18:15:12370

到底什么是第三代半導(dǎo)體

半導(dǎo)體
學(xué)習(xí)電子知識發(fā)布于 2023-07-26 21:18:58

碳化硅晶圓對半導(dǎo)體的作用

 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域,碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405

零碳故事丨新能源“東風(fēng)”下的第三代半導(dǎo)體

來源:內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號21tech(News-21),作者:李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場搭好了舞臺。過去
2023-07-06 10:07:54367

第三代半導(dǎo)體嶄露頭角:氮化鎵和碳化硅在射頻和功率應(yīng)用中的崛起

半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石,幾乎每一項(xiàng)科技創(chuàng)新都離不開半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。過去幾十年,硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而,隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加,硅材料在一些方面已經(jīng)無法滿足需求,這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131316

意法半導(dǎo)體牽手空客: 第三代半導(dǎo)體“上天”,加速飛行電動化

? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國” , 關(guān)注我們 ???????? ? ?雙方將合作研發(fā)先進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù),推動航空業(yè)向混動和純電動系統(tǒng)轉(zhuǎn)型 ? ?合作研發(fā)的半導(dǎo)體器件將助力未來的混動直升機(jī)、飛機(jī)
2023-06-29 08:10:02343

鑫祥微第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目落戶日照

據(jù)藍(lán)色空港消息,先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元,分三期建設(shè),一期投資2億元,計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602

長飛先進(jìn)獲A輪融資,擬60億元建第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目

據(jù)公告,此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項(xiàng)目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū),總投資額約為60億元,包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測試等生產(chǎn)線的該事業(yè),將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬個、輸出配件模塊6100萬個的能力。
2023-06-27 09:54:38539

如何開辟公司半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)新藍(lán)海

因具備高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)越性能特點(diǎn),氮化鎵是時下最熱門的第三代半導(dǎo)體材料之一;因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗的特性,SIP(System in Package
2023-06-26 09:52:52362

第三代半導(dǎo)體:在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用前景展望

近年來,隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大,半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中,第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心:著力打造一流的產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(以下簡稱“國創(chuàng)中心”)獲批建設(shè)兩年以來,瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求,以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命,進(jìn)一步推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660

華燦光電半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室提供從芯片設(shè)計(jì)到封裝的一站式代工服務(wù)

隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù),SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰,值此之際,TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會”,匯聚
2023-06-16 15:37:32964

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用市場面臨三大痛點(diǎn),威邁斯IPO上市加速突圍

當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件,在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面,顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此,碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢,威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入快速增長期

  日前,2023中關(guān)村論壇“北京(國際)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上,科技部黨組成員、副部長相里斌表示,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能,在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313

國星光電第三代半導(dǎo)體看點(diǎn)盡在《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》

為期四天的2023廣州國際照明展覽會(簡稱:光亞展)在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會,國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū),鮮明的主題,引來了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中,在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437

國產(chǎn)第二“香山”RISC-V 開源處理器計(jì)劃 6 月片:基于中芯國際 14nm 工藝,性能超 Arm A76

是南湖,第三代架構(gòu)是昆明湖。香山開源社區(qū)稱,第一“雁棲湖”架構(gòu)已經(jīng)成功片,實(shí)測達(dá)到預(yù)期性能,第二“南湖”架構(gòu)正在持續(xù)迭代優(yōu)化中。去年 8 月 24 日,中科院計(jì)算所、北京開源芯片研究院、騰訊、阿里
2023-06-05 11:51:36

半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備,如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787

后摩爾時代,洞見第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試的趨勢和未來!

2022年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長,進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對比,在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展,全球化供應(yīng)鏈體系正在形成,競爭格局逐步確立,產(chǎn)業(yè)步入快速
2023-05-30 14:15:56534

后摩爾時代,洞見第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試的趨勢和未來!

前言 ??????? 2022年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長,進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對比,在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展,全球化供應(yīng)鏈體系正在形成,競爭格局逐步
2023-05-30 09:40:59568

性能超ARM A76!國產(chǎn)第二“香山”RISC-V開源處理器最快6月

A76,為工業(yè)控制、汽車、通信等泛工業(yè)領(lǐng)域提供CPU IP核;高性能核則基于第三代“香山”(昆明湖)性能提升,對標(biāo)ARM N2,為數(shù)據(jù)中心和算力設(shè)施等領(lǐng)域提供高性能CPU IP核。
2023-05-28 08:41:37

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等,其中
2023-05-18 10:57:361018

第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)綠色科技:氮化鎵與碳化硅的崛起

半導(dǎo)體
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-05-16 13:26:21

什么是寬禁帶半導(dǎo)體?

第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442618

什么是寬禁帶半導(dǎo)體

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN
2023-05-05 17:46:226167

第三代半導(dǎo)體SIC產(chǎn)業(yè)鏈研究(下)

半導(dǎo)體SiC
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-25 17:57:10

第三代半導(dǎo)體SIC產(chǎn)業(yè)鏈研究(上)

半導(dǎo)體SiC
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第三代半導(dǎo)體GaN產(chǎn)業(yè)鏈研究(下)

半導(dǎo)體GaN
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第三代半導(dǎo)體GaN產(chǎn)業(yè)鏈研究(上)

半導(dǎo)體GaN
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-25 17:02:27

第一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別?

第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-04-04 14:46:2912680

IKW15N120H3

1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26

第三代半導(dǎo)體SiC模塊廠商中科意創(chuàng)完成數(shù)千萬元A+輪融資

,芯片支撐系統(tǒng)”模式布局第三代半導(dǎo)體 SiC 功率模塊以及系統(tǒng)應(yīng)用,基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯的市場成績。而且中科意創(chuàng)成功研發(fā)了國內(nèi)首臺ASIL-D最高功能安全等級的SiC電機(jī)控制器,并獲得了國內(nèi)首張ASIL-D產(chǎn)品認(rèn)證證書。 對
2023-03-24 18:24:394106

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