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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>等離子電漿拋光機(jī)拋光物件的要求

等離子電漿拋光機(jī)拋光物件的要求

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半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)

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宏集推出七軸都帶有扭矩傳感器的柔性機(jī)械臂,通過(guò)類人類觸覺(jué)、力位控制策略與直觀易用的打磨app,實(shí)現(xiàn)均勻一致的打磨效果,打破“被動(dòng)柔順”方案的不可控性與精度限制,使表面精加工技術(shù)效率和精度大幅提升
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2023-12-28 15:13:06409

SK海力士近日研發(fā)出了可重復(fù)使用的CMP拋光墊技術(shù)

12月27日消息,根據(jù)韓媒報(bào)道,SK海力士近日研發(fā)出了可重復(fù)使用的 CMP拋光墊技術(shù),不僅可以降低成本,而且可以增強(qiáng) ESG(環(huán)境、社會(huì)、治理)管理。
2023-12-27 13:48:50231

SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù)

需要指出的是,CMP 技術(shù)通過(guò)化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中,拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光,清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31335

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碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術(shù)

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2023-12-21 09:44:26491

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納米級(jí)[1] 。傳統(tǒng)的平面化技術(shù)如基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射玻璃 SOG、低壓 CVD、等離子體增強(qiáng) CVD、偏壓濺射和屬于結(jié)構(gòu)的濺射后回腐蝕、熱回流、淀積 —腐蝕 —淀積等 , 這些技術(shù)在 IC
2023-09-19 07:23:03

等離子體納米結(jié)構(gòu)的光譜成像

背景 Adi Salomon 教授的實(shí)驗(yàn)室主要致力于了解納米級(jí)分子與光的相互作用,并構(gòu)建利用光傳感分子的設(shè)備。該小組設(shè)計(jì)并制造了金屬納米結(jié)構(gòu),并利用它們通過(guò)與表面等離子體激元的相互作用來(lái)影響納米級(jí)
2023-09-19 06:28:29223

TDG 23版新增鈉離子電池運(yùn)輸要求

離子電池因其成本與環(huán)保等優(yōu)勢(shì),應(yīng)用范圍越來(lái)越廣,相關(guān)法規(guī)及標(biāo)準(zhǔn)也在不斷完善。近期,聯(lián)合國(guó)《關(guān)于危險(xiǎn)貨物運(yùn)輸?shù)慕ㄗh書(shū)規(guī)章范本》(以下簡(jiǎn)稱TDG)第23修訂版已發(fā)布。鈉離子電池運(yùn)輸規(guī)定新要求01新增
2023-09-15 16:26:201243

CMP拋光液市場(chǎng)高速增長(zhǎng),到2023年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到25億美元

得益于半導(dǎo)體業(yè)界的繁榮,世界cmp拋光液市場(chǎng)正在經(jīng)歷明顯的增長(zhǎng)。cmp拋光液是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵成分,在實(shí)現(xiàn)集成電路制造的精度和效率方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體的格局不斷重新形成,對(duì)cmp拋光液的需求從來(lái)沒(méi)有這么高過(guò)。
2023-09-14 10:28:36663

半導(dǎo)體企業(yè)精密檢測(cè)儀器故障原因排查方案

半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備有刻蝕、薄膜沉積、清洗、濕制、封裝和測(cè)試、拋光、硅晶圓制造等設(shè)備,這些精密生產(chǎn)設(shè)備對(duì)工藝要求很高,例如對(duì)供電的穩(wěn)定性和質(zhì)量要求,對(duì)溫度嚴(yán)格的監(jiān)測(cè)和控制等
2023-08-31 12:33:15378

等離子

電路元器件電容晶體管電子技術(shù)電子diy
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-08-30 23:03:15

平面拋光機(jī)的工藝要求

光學(xué)加工是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程。難以通過(guò)單一加工方法加工滿足各種加工質(zhì)量指標(biāo)要求的光學(xué)元件。平面拋光機(jī)的基礎(chǔ)是加工材料的微去除。實(shí)現(xiàn)這種微去除的方法包括研磨加工、微粉顆粒拋光和納米材料拋光。根據(jù)
2023-08-28 08:08:59355

使用銅納米結(jié)構(gòu)控制等離子

來(lái)自斯圖加特大學(xué)(德國(guó))的 Harald Gie?en 教授的團(tuán)隊(duì)正在致力于將光子學(xué)和納米技術(shù)用于新的應(yīng)用和設(shè)備。研究人員正在研究通過(guò)控制等離子體效應(yīng)來(lái)創(chuàng)建顯示器的技術(shù)。等離激元學(xué)研究光與金屬納米
2023-08-23 06:33:33215

FPC等離子表面處理#人工智能 #單片機(jī)

單片機(jī)自動(dòng)化
cousz發(fā)布于 2023-08-17 13:54:26

等離子體顯示器與液晶顯示器相比有何特點(diǎn) 等離子體顯示器的顯示原理

等離子體顯示器在對(duì)比度、視角和響應(yīng)速度等方面的優(yōu)勢(shì)較為顯著,適合用于娛樂(lè)和家庭影院等方面;而液晶顯示器則在功耗、分辨率和便攜性等方面有一定的優(yōu)勢(shì),適合辦公和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。選擇時(shí),可以根據(jù)使用需求和個(gè)人偏好來(lái)進(jìn)行選擇。
2023-08-10 14:38:36766

富樂(lè)德半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目20億傳感器子項(xiàng)目完成簽約

據(jù)麗水經(jīng)開(kāi)區(qū)官微消息,8月2日,富樂(lè)德半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目傳感器子項(xiàng)目在水街基金產(chǎn)業(yè)園正式完成簽約。 (圖源:麗水經(jīng)開(kāi)區(qū)) 據(jù)悉,富樂(lè)德半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目總投資120億元,主要建設(shè)12英寸拋光片生產(chǎn)線、傳感器
2023-08-08 18:29:07451

CMP的概念、重要性及工作原理

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是晶圓制造的關(guān)鍵步驟,其作用在于減少晶圓表面的不平整,而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,價(jià)值量較高,分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量,其品質(zhì)直接影響著拋光效果,因而
2023-08-02 10:59:473404

半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)詳解

20世紀(jì)60年代以前,半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光,得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后,以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407522

等離子體浸置型離子注入及等離子體摻雜系統(tǒng)介紹

在常規(guī)離子注入中,三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷(C2B10&或CBH)是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571397

盛合晶微J2B廠房交付 首批全國(guó)產(chǎn)設(shè)備助力多芯片集成封裝項(xiàng)目擴(kuò)張

億美元的三維多芯片集成封裝項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn),跨入新的發(fā)展階段。 首批搬入的設(shè)備涵蓋了曝光、顯影、電鍍、清洗、等離子濺射、減薄拋光、檢測(cè)量測(cè)等晶圓級(jí)先進(jìn)封裝主要工藝環(huán)節(jié)。值得一提的是,2015年盛合晶微創(chuàng)立之初,首條12英寸中段凸塊(Bum
2023-07-20 19:12:591212

出于意料!電化學(xué)拋光過(guò)程出現(xiàn)馬氏體相變

電化學(xué)拋光(EP)通過(guò)選擇性地去除工件表面區(qū)域中的特定零件(如粗糙度和氧化物)形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550

陶氏化學(xué)工廠爆炸 牽動(dòng)半導(dǎo)體關(guān)鍵耗材生產(chǎn)

陶氏化學(xué)公司是粘合劑,輔助劑等在內(nèi)的多種材料提供的高純度化學(xué)產(chǎn)品生產(chǎn)線的半導(dǎo)體核心化學(xué)材料的主要供應(yīng)商,也供應(yīng)全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613

sps等離子燒結(jié)脈沖電源,真空爐加熱電源,高頻電加熱脈沖電源-濟(jì)南能華

1、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:      放電等離子燒結(jié) (SPS)是一種快速、低溫、節(jié)能、環(huán)保的材料制備新技術(shù),可用來(lái)制備金屬、陶瓷、納米材料、非晶材料、復(fù)合材料、梯度材料等
2023-07-16 23:06:19

等離子體微弧氧化雙向脈沖電源穩(wěn)流穩(wěn)壓

行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-11 14:27:42

大電流可調(diào)脈沖恒流電源,加熱,溫升試驗(yàn),瞬時(shí)電流,短路試驗(yàn),高頻試驗(yàn)

、污水處理、電容老化、等離子放電、科學(xué)研究等對(duì)電源的要求,更能通過(guò)其特有的 標(biāo)準(zhǔn)脈沖矩形波和高精度調(diào)節(jié)能為您的生產(chǎn)或研究創(chuàng)造更大的效益、為社會(huì)節(jié)約更多的能 源。緊湊
2023-07-11 12:24:25

脈沖恒流電源,大電流脈沖電源,溫升恒流電源,老化試驗(yàn)脈沖整流電源,恒流直流電源

、污水處理、電容老化、等離子放電、科學(xué)研究等對(duì)電源的要求,更能通過(guò)其特有的 標(biāo)準(zhǔn)脈沖矩形波和高精度調(diào)節(jié)能為您的生產(chǎn)或研究創(chuàng)造更大的效益、為社會(huì)節(jié)約更多的能 源。緊湊
2023-07-11 12:23:40

美國(guó) KRi 考夫曼離子源應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng)

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng), 實(shí)現(xiàn)小規(guī)模試驗(yàn)中 2-4 英寸硅片等半導(dǎo)體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無(wú)污染, 滿足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.
2023-07-07 14:55:44439

中國(guó)電科實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝全覆蓋!【附41份報(bào)告】

)、刻蝕(Etch)、離子注入(Ion Implant)、薄膜生長(zhǎng)(Dielectric Deposition)、拋光
2023-07-03 09:16:46649

漲知識(shí)!半導(dǎo)體材料的分類

根據(jù)制造工藝分類,半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)形成外延片,拋光片經(jīng)過(guò)氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。
2023-06-27 14:34:383725

等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓,但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318

制造等離子納米金剛石

近日,Nano Letters(《納米快報(bào)》)在線發(fā)表武漢大學(xué)高等研究院梁樂(lè)課題組和約翰霍普金斯大學(xué)Ishan Barman課題組關(guān)于高效構(gòu)建等離子增強(qiáng)NV色心的納米器件研究進(jìn)展,他們利用自下向上的DNA自組裝方法開(kāi)發(fā)了一種混合型獨(dú)立式等離子體納米金剛石
2023-06-26 17:04:52396

外圓車(chē)拋一體裝置及倉(cāng)內(nèi)粉塵壓力密度監(jiān)控系統(tǒng)研究

拋光機(jī)構(gòu)底部后側(cè)設(shè)置有粉塵吸收裝置,可將加工拋光過(guò)程中形成的粉塵吸收至排風(fēng)管中排出,防止大量粉塵直接飄散對(duì)加工人員身體健康產(chǎn)生損害。罩殼底設(shè)置有粉塵吸收軟管,上端口連接至出風(fēng)管上,中部設(shè)置有固定
2023-06-21 14:16:58233

什么是電拋光smt鋼網(wǎng)工藝?

拋光smt鋼網(wǎng)是什么工藝,它與其他smt鋼網(wǎng)相比有哪些優(yōu)點(diǎn)呢,今天我們?yōu)榇蠹易錾钊氲闹v解,希望幫助大家在選購(gòu)適合自己工廠真正需要的smt鋼網(wǎng)。
2023-06-19 10:17:44568

氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器?2R3600ML5

交流電源板過(guò)載防護(hù)高電壓氣體放電管  氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器 2R3600ML5  Gas Discharge
2023-06-14 17:30:02

海納與浦江縣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署半導(dǎo)體級(jí)拋光片生產(chǎn)線項(xiàng)目協(xié)議

2023年6月,浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“海納半導(dǎo)體”)與浦江縣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)正式簽署《半導(dǎo)體級(jí)拋光片生產(chǎn)線項(xiàng)目投資框架協(xié)議》。 浦江縣委書(shū)記俞佩芬、浦江縣委副書(shū)記、縣長(zhǎng)
2023-06-13 15:47:371042

動(dòng)力電池安全性試驗(yàn)設(shè)備之一|電池芯重物沖擊試驗(yàn)機(jī)

高格科技儀器給大家介紹一下芯重物沖擊試驗(yàn)機(jī),先來(lái)了解一下什么是芯,芯主要由正極、負(fù)極、隔膜和電解液組成。主要工作原理是靠鋰離子的在正極和負(fù)極之間的遷移實(shí)現(xiàn)充
2023-06-10 16:41:08

鍍膜設(shè)備激光清洗機(jī)

電化學(xué)清洗及電拋光和超聲波清洗方法。不僅需要拆卸鍍膜機(jī)內(nèi)零件,耗費(fèi)大量時(shí)間精力,同時(shí)拆裝過(guò)程也有不可避免的污染,而且需要消耗一定的清洗材料,尤其是清洗體積大的物件時(shí),及其不便。
2023-06-08 14:35:37542

一文讀懂CMP拋光

在現(xiàn)代工業(yè)中,表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求,往往需要進(jìn)行拋光處理。
2023-06-08 11:13:552652

藍(lán)寶石在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中的材料去除機(jī)理

在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高,腐蝕速率越快。在拋光過(guò)程中拋光液持續(xù)流動(dòng),我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度,腐蝕率以最快的速度發(fā)生,則拋光液不同的PH值對(duì)應(yīng)一個(gè)腐蝕率,由此可見(jiàn),去除速率與PH值有關(guān),PH越高,速率越快。
2023-06-02 15:24:06344

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響,并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062212

機(jī)器人復(fù)雜曲面打磨拋光主軸 全自動(dòng)高精度打磨很簡(jiǎn)單

速科德Kasite打磨拋光主軸主要對(duì)高精度零件的加工處理,如汽車(chē)零部件、光纖接插件陶瓷加工、義齒加工雕銑等行業(yè)。這些高精度零件如果在拋光打磨過(guò)程中稍有誤差可能就會(huì)導(dǎo)致零件的報(bào)廢,造成較大的經(jīng)濟(jì)損失,因此一款高精度高性能打磨拋光主軸就顯得尤為重要。
2023-05-29 17:39:48743

金屬銀鍍PTFE涂層等離子處理原理 提高PTFE粘附性

金屬銀鍍PTFE涂層等離子處理是指在金屬鍍銀進(jìn)行PTFE涂層,并在PTFE涂層上進(jìn)行等離子處理的一種表面處理技術(shù)。該技術(shù)可以使金屬表面具有一定的耐腐蝕性、耐磨性和耐高溫性,同時(shí)還可以提高金屬表面的潤(rùn)滑性和粘附性。
2023-05-25 15:54:14513

PTFE表面等離子改性的原理 引入活性基團(tuán) 提高粘附性

PTFE表面等離子改性是一種有效的技術(shù)手段,可以改變PTFE表面的性質(zhì),增加其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。通過(guò)引入親水基團(tuán)、改善表面形貌、形成致密的氟化物膜等方式,可以提高PTFE表面的粘附性、潤(rùn)濕性、抗腐蝕性、耐磨性、生物相容性和電性能。
2023-05-19 10:45:39628

強(qiáng)磁場(chǎng)中等離子體湍流的性質(zhì)和機(jī)制

在天體物理學(xué)中,有許多天體都具有強(qiáng)大的磁場(chǎng),例如恒星、行星和黑洞。這些天體周?chē)ǔS写罅康?b class="flag-6" style="color: red">等離子體,例如恒星風(fēng)、行星際介質(zhì)和吸積盤(pán)。
2023-05-17 09:24:16452

硅晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(pán)(晶片),然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

射頻等離子體源,射頻離子

因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)射頻等離子體源 RF2100ICP Plasma Source上海伯東代理美國(guó) KRi 考夫
2023-05-11 14:57:22

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426

芯片等離子活化原理 提高化學(xué)惰性、抗腐蝕性、耐磨性

芯片等離子活化技術(shù)是一種物理處理技術(shù),通過(guò)改變材料表面的化學(xué)性質(zhì)、物理性質(zhì)和機(jī)械性能,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的表面處理和改性。芯片等離子活化技術(shù)具有處理效率高、處理精度高、無(wú)需添加劑、處理后材料性能穩(wěn)定和應(yīng)用范圍廣泛等優(yōu)勢(shì)。
2023-05-06 10:44:50651

鋁箔等離子表面處理設(shè)備原理 增加鋁箔表面的粘附力

通過(guò)金徠等離子體處理,可以提高金屬表面的活性,改善金屬表面的結(jié)合力、增強(qiáng)涂層附著力等性質(zhì),使得金屬制品的質(zhì)量和性能得到明顯的改善和提升。此外,等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度,使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23525

如何讓自動(dòng)拋光設(shè)備達(dá)到理想的拋光效果

一、自動(dòng)拋光機(jī)拋光效果因素自動(dòng)拋光機(jī)拋光效果取決于多個(gè)因素,除了自動(dòng)拋光機(jī)本身的質(zhì)量以外,還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料,要拋光物件材質(zhì),操作者的經(jīng)驗(yàn)技術(shù)等,在條件都合適的情況下,自動(dòng)
2023-05-05 09:57:03535

PCB熱設(shè)計(jì)之x和z間隙對(duì)Tj的影響

因子導(dǎo)致了輻射傳熱的改善。因此,去除導(dǎo)熱路徑并不會(huì)導(dǎo)致溫度的劇烈變化?! ?.3.2 拋光鋁外殼  可以預(yù)計(jì),鋁外殼會(huì)產(chǎn)生更顯著的影響,因?yàn)殇X是比塑料更好的導(dǎo)熱體,因此,去除這種傳導(dǎo)路徑對(duì)Tj的影響應(yīng)
2023-04-21 15:00:28

射頻功率放大器在等離子體壓力傳感器中的應(yīng)用

(6~10mm)、溫度漂移等問(wèn)題,無(wú)法滿足發(fā)動(dòng)機(jī)復(fù)雜機(jī)械內(nèi)部非定常測(cè)量的需要。而在對(duì)新技術(shù)的探索中,等離子體技術(shù)由于其有著許多先天優(yōu)勢(shì)而引起了研究者們的關(guān)注,如其理論上有著高頻率響應(yīng)的特性、不受熱慣性的限制、基于等離子體原理的探針結(jié)構(gòu)尺寸小,可達(dá)毫米尺度。因此認(rèn)為其具有十分優(yōu)秀的發(fā)展?jié)摿?,有望突破高溫?/div>
2023-04-19 15:29:42260

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā)

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā) 編號(hào):JFKJ-21-214 作者:炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151

從半導(dǎo)體原材料到拋光晶片的基本工藝流程

 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過(guò)了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過(guò)程,接下來(lái)我們就聊聊其工藝流程。今天我們來(lái)聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502034

通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關(guān)實(shí)現(xiàn)拋光設(shè)備數(shù)據(jù)采集遠(yuǎn)程監(jiān)控

拋光工作在電鍍、涂裝、陽(yáng)極氧化等表面處理過(guò)程中發(fā)揮重要作用。早期的拋光工作由工人手動(dòng)操作,通過(guò)經(jīng)驗(yàn)和觀察進(jìn)行打磨拋光。此種作業(yè)方式既損害環(huán)境和身體健康,也具備較大的安全風(fēng)險(xiǎn)和人力成本,逐漸被自動(dòng)拋光
2023-04-14 10:21:59337

超精密拋光技術(shù),不簡(jiǎn)單!

很早以前看過(guò)這樣一個(gè)報(bào)道:德國(guó)、日本等國(guó)家的科學(xué)家耗時(shí)5年時(shí)間,花了近千萬(wàn)元打造了一個(gè)高純度的硅-28材料制成的圓球,這個(gè)1kg純硅球要求超精密加工研磨拋光、精密測(cè)量(球面度、粗糙度和質(zhì)量),可謂
2023-04-13 14:24:341683

利用等離子體色散效應(yīng)來(lái)增強(qiáng)硅基電光調(diào)制器的性能

全硅等離子體色散效應(yīng)環(huán)形諧振器調(diào)制器具有誘人的發(fā)展前景。然而,其性能目前受限于調(diào)制深度和開(kāi)關(guān)速度之間的權(quán)衡。
2023-04-12 09:12:121594

等離子光譜儀需要進(jìn)行哪種維修保養(yǎng)

大家目前對(duì)于等離子光譜儀的普遍使用早已見(jiàn)怪不怪了,這種相對(duì)來(lái)說(shuō)較為細(xì)致的設(shè)備是一定要盡早的實(shí)施維修保養(yǎng)的,否則很容易就沒(méi)辦法運(yùn)用或者機(jī)械設(shè)備產(chǎn)生情況,下面大家一起來(lái)看看等離子光譜儀需要進(jìn)行哪種
2023-04-07 07:37:42124

如何通過(guò)使用粘合劑連接連接器來(lái)端接光纖

本教程向您展示了有關(guān)如何將環(huán)氧樹(shù)脂端接和拋光 sc 連接器連接到3毫米護(hù)套光纖的詳細(xì)分步指南。徹底了解拋光光纖連接器的原因和方法,將有助于確保一致、高質(zhì)量的端接。
2023-04-03 10:52:02186

等離子電視關(guān)鍵技術(shù)探秘

? 導(dǎo)讀:?屏(也叫面板),是等離子電視最重要的部件,占整機(jī)成本的六、七成。屏的好壞,直接決定著平板電視的優(yōu)劣。目前世界上只有韓國(guó)LG、三星和日本的松下等少數(shù)廠商具備等離子屏的生產(chǎn)能力,其中LG的A3生產(chǎn)線被公認(rèn)為最先進(jìn)的等離子生產(chǎn)線。很大程度上,等離子電視的選擇就是等離子屏的選擇。 ?
2023-03-30 15:56:10452

氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器3600V

2RM3600A6L2 氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器3600Discharge 2-Electrode Arrester  5.5*6 直流擊穿電壓3600V氣體
2023-03-27 17:04:09

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