3月20日，CFMS | memoryS 2024中國閃存市場峰會（以下簡稱“CFMS 2024”）在深圳寶安前?！W萬豪酒店隆重召開，本屆峰會以“存儲周期 激發(fā)潛能”為主題，匯聚了全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈及終端應(yīng)用企業(yè)
2024-03-22 13:34:37
34 自2021年起，西部數(shù)據(jù)及合作方鎧俠一直著手探討合并事宜，以便共同掌控占據(jù)全世界NAND閃存市場三分之一份額的市場份額。然而，2023年10月的合并協(xié)商陷入停滯，此后西部數(shù)據(jù)宣布，他們將逐步剝離受供應(yīng)過盛所困的閃存業(yè)務(wù)
2024-03-06 16:57:07243 我有一個 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個 NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲設(shè)備。
我應(yīng)該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:51612 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機(jī)存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
我嘗試讀取閃存，并定義宏內(nèi)存（地址）來讀取閃存。
#define MEM（地址）* ((uint32 *)（地址））
aa = MEM (0xa0008000)；bb=aa
；
但是不能讀取任何
2024-01-24 07:51:33
; 沒有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫尚未設(shè)置。在庫管理器1.0下，而我使用的是庫管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行閃存庫。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
你好，
我通過 vsCode 使用 ModustoolBox。 我已經(jīng)成功地在 CYPROTO-063-BLE 套件上測試了我的程序。 為此，我必須調(diào)整那里的閃存。 現(xiàn)在我想在 CY8C6245 上
2024-01-22 06:42:24
在存儲容量和成本的權(quán)衡下，據(jù)報道，蘋果 iPhone 16 Pro 系列的1TB機(jī)型可能將采用QLC NAND閃存。這一決策意味著成本降低，但讀寫速度可能會受到影響。
2024-01-18 20:02:24818 IDC數(shù)據(jù)表明，傳統(tǒng)企業(yè)存儲系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%，用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲。
2024-01-03 10:43:18282 
華為在2023年第三季度全閃存（SSA）全球市場中表現(xiàn)出色，實(shí)現(xiàn)了驚人的增長，市場份額首次超越Dell，成為全球全閃存市場的季度第一。
2023-12-29 16:18:25522 FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲特性相當(dāng)于硬盤，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
2023-12-15 14:06:27419 據(jù)了解，在此次訴訟中，Temu 重申了此前提出的指控，指責(zé) SHEIN 在市場上采取了不公平的行為，如大規(guī)模抄襲 Temu 自有的品牌設(shè)計(jì)、侵權(quán)以及濫用其市場支配地位等。
2023-12-14 15:07:13195 目前，Marvell以自主開發(fā)或外包的方式，為掌握nand閃存ic市場而展開競爭。因此，Marvell在企業(yè)市場上的運(yùn)營受到了影響，Marvell正在縮小相關(guān)團(tuán)隊(duì)。
2023-11-17 10:28:48362 三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111212 8gu盤閃存顆粒壞了 可以自己換16g或者更大的閃存顆粒嗎
2023-11-01 06:47:37
工業(yè)閃存卡有很多種類，常見的有CF卡、SD卡、MMC卡、記憶棒、SM卡、xD卡、TF卡等
2023-10-25 15:53:53958 
對閃存的整片擦除有兩種方法，操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）或者解除訪問保護(hù)。一般情況下使用的方法是操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）進(jìn)行整片擦除，使用整片擦除函數(shù)
2023-10-20 08:21:03
中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn)，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?！蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 在現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域中，長度尺寸測量至關(guān)重要。無論是制造業(yè)、建筑業(yè)還是科學(xué)研究，準(zhǔn)確測量長度都是保證質(zhì)量和安全的基礎(chǔ)。為滿足多樣化的測量需求，如今市場上測量長度的工業(yè)儀器有許多種類型，本文介紹幾種常見
2023-10-11 14:34:04
首先，內(nèi)存請求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行刷新到CXL啟用的閃存，將導(dǎo)致16KiB的閃存內(nèi)存頁面讀取、64B更新和16KiB的閃存程序?qū)懭氲搅硪粋€位置（假設(shè)16KiB的頁面級映射）。
2023-10-09 16:46:20375 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚(yáng)）在近期的閃存峰會上，一家由英國蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎。他們展示了ULTRARAM，一個結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中出特別說明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QSPI閃存的主機(jī)編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 11:08:49
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《將SPI閃存與7系列FPGA結(jié)合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 10:00:230 近日，由百易傳媒（DOIT）主辦的2023閃存峰會于杭州圓滿舉辦，2023閃存風(fēng)云榜榜單同步揭曉，作為國內(nèi)固態(tài)硬盤市場的領(lǐng)導(dǎo)者，憶聯(lián)繼榮登“2022閃存風(fēng)云榜后”，再次獲得“ 2023年度十大固態(tài)
2023-09-13 08:10:01517 
片上閃存特性和系統(tǒng)框圖
? 存儲空間組織架構(gòu)
? 用戶閃存
? 系統(tǒng)閃存
? OTP
? 選項(xiàng)字節(jié)
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預(yù)取
? 指令高速緩存
? 數(shù)據(jù)高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護(hù)和寫保護(hù)
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
閃存特性及參數(shù)一瞥? 多達(dá)64K字節(jié)空間 ，分成64個頁或16個扇區(qū)? 讀寫操作次數(shù)：多達(dá)10K次? 半字（16位）的編程時間：53.5μs （典型值）? 頁擦除和全部擦除的時間：20ms （最小值
2023-09-12 07:26:04
系統(tǒng)內(nèi)閃存設(shè)備編程通常要求在閃存編程期間，不執(zhí)行來自正被編程的設(shè)備的代碼。
這是一個問題，因?yàn)榇蠖鄶?shù)系統(tǒng)使用單個大型閃存設(shè)備。
在這種情況下，必須將Flash編程例程復(fù)制到RAM中并從RAM執(zhí)行
2023-09-01 11:10:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《釋放所有閃存陣列的全部潛力.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-30 11:05:070 全閃存存儲的歷史性時刻到來！ Gartner最新數(shù)據(jù)顯示，2023年第一季度全球外部存儲市場同比增長0.5%；其中，全閃存陣列同比增長3.6%，市場規(guī)模超過非全閃存陣列，占整個外部存儲市場收入
2023-08-29 18:30:03204 
分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09495 如何比較市場上不同品牌的安全光幕安全光柵？ ?現(xiàn)代工業(yè)化水平的提高，技術(shù)水平不斷增加，全國制造業(yè)領(lǐng)域?qū)T工的工作安全上的要求逐年增加，安全光幕安全光柵廠家隨之興起。 ?面對市場上各種品牌的安全
2023-08-23 15:00:40259 
應(yīng)用程序 : 本代碼是 FreeRTOS 任務(wù)的基本應(yīng)用程序, 用于創(chuàng)建閃存 LED 任務(wù) 。
BSP 版本: M480系列 BSP CMSIS V3.04.000
硬件
2023-08-22 06:28:14
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 AMBA通用閃存總線（GFB）通過在系統(tǒng)和閃存之間提供簡單的接口，簡化了子系統(tǒng)中嵌入式閃存控制器的集成。GFB存在于Flash控制器的管理器側(cè)和下級側(cè)之間的邊界上，如圖1-1所示。Manager端有
2023-08-11 07:55:01
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額
2023-08-08 12:55:47716 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額15億元，市場占比25%，混閃存儲銷售額38
2023-08-07 11:10:02327 在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 
蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。
2023-07-19 15:21:372102 UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲的閃存標(biāo)準(zhǔn)，而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲技術(shù)，用于移動設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲。
2023-07-18 15:00:0313543 NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
RH850 - 數(shù)據(jù)閃存庫
2023-07-05 20:43:480 RH850 - 閃存代碼庫
2023-07-05 20:43:350 用于 Dialog SoC 產(chǎn)品的 Dialog 閃存
2023-07-03 20:35:200 PG-FP6，瑞薩閃存編程器用戶手冊附加文檔（連接閃存編程器的推薦電路）
2023-06-30 19:18:433 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于Arduino閃存的壓縮庫(PROGMEM).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-19 10:58:290 本應(yīng)用筆記介紹如何使用內(nèi)置實(shí)用程序ROM擦除/寫入MAXQ7665微控制器（μC）中的程序和數(shù)據(jù)閃存。此信息適用于帶可頁面擦除（PE）閃存的基于MAXQ7665閃存的μC。
2023-06-16 11:37:02712 
字節(jié)）。每一頁的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲的部分，實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前
2023-06-10 17:21:001982 SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489 
ESP8285 芯片（Soc）是否帶有內(nèi)置閃存？如果是，我們可以使用帶有內(nèi)置閃存的 ESP8285 芯片（Soc）通過 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作為 WiFi 連接
2023-06-05 08:31:11
你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存？
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash：W25X40CLSNIG（華邦）
2023-06-01 09:03:36
我需要為生產(chǎn)目的對 ESP8285 IC 進(jìn)行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內(nèi)完成此操作的 SPI 閃存編程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎？
2023-05-31 10:11:19
我打算在我的項(xiàng)目中使用帶有 2MB 板載閃存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎無法讓用戶代碼從板載閃存工作。
與其他模塊的不同之處在于，S2 已通過閃存連接到 HSPI（與 SPI 相對）。
我
2023-05-31 06:38:49
有沒有我可以加載到我的 ESP 中并讓它告訴我真正的閃存大小的程序/草圖？我有幾塊板可以正常工作，但后來我用相同的程序加載另一塊板，但它失敗了。我懷疑是假的或壞的閃存，但我沒有辦法證明這一點(diǎn)。
2023-05-30 09:16:50
我們在定制板上使用 imxrt1064，我們有一個外部閃存連接 flexspi1。
對于我們的項(xiàng)目，我們需要在外部閃存上存儲 lvgl 圖像和字體，因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">閃存 (4MB) 的大小不夠
我們正在使用具有外部存儲選項(xiàng)的 gui guider 1.5.1 我們?nèi)绾问褂盟鼇碜x取和寫入外部閃存中的圖像
2023-05-30 07:50:00
我只是在思考未來的項(xiàng)目想法，我想知道是否有可能只對外部閃存 IC 使用正常的 SPI 模式（它只需要兩個引腳用于數(shù)據(jù)傳輸，而不是像往常一樣的四個 Quad-SPI 閃存 IC )?
這樣做的好處是可以在軟件中使用兩個以上的 GPIO。一個缺點(diǎn)可能是由于與外部閃存的接口較慢而需要引入更多的等待狀態(tài)。
2023-05-30 06:30:10
在當(dāng)今智能設(shè)備的互聯(lián)世界中，我們希望更快地訪問我們的數(shù)據(jù)，同時我們希望它得到保護(hù)并免受入侵者的侵害。閃存不僅速度更快，而且安全可靠，其化身為UFS - 通用閃存。此博客深入了解 UFS 設(shè)備的各種安全模式以及如何訪問它們。它還指出了如何使用加密來進(jìn)一步保護(hù)數(shù)據(jù)。
2023-05-26 15:29:051757 
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《斯丹麥德應(yīng)用案例|干簧傳感技術(shù)在電混動汽車市場上的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-05-25 09:07:080 處理器：MIMXRT1062CVL5
外部閃存：W25Q512JV
我們正在創(chuàng)建一個使用 LVGL 庫在監(jiān)視器上顯示 GUI 的項(xiàng)目，因此我們需要一個外部閃存來存儲大量數(shù)據(jù)。
特別是，我們
2023-05-24 07:34:02
我使用 RTD 包擦除寫入和讀取內(nèi)部閃存。它在數(shù)據(jù)閃存上是成功的，但是當(dāng)我將地址更改為代碼閃存時，寫入和讀取都失敗了。
然后我調(diào)試發(fā)現(xiàn)Register MCR->PGM在擦除后已經(jīng)變成了1。但是我找不到它是在哪里改變的。
2023-05-19 08:41:05
我們想同時使用 M7 和 A53 的 QSPI 閃存，這兩個內(nèi)核都有自己的內(nèi)存區(qū)域，驅(qū)動程序目前支持這種情況嗎？
如果是這樣，我們可以研究任何參考或示例嗎？我們是否需要在應(yīng)用程序中實(shí)現(xiàn)信號量或其他
2023-05-18 07:47:18
。
除了只有 512K 的閃存外，一切都很好。
正在運(yùn)行的應(yīng)用程序只留下 159K 的可用空間。
我以為我只需要編譯一個只做 OTA 的小應(yīng)用程序，但沒有用戶代碼的 Arduino 框架本身是 300K
2023-05-17 08:29:00
我打算把它放在 Native SDK 部分，但我想只有
人才會知道這個？
我正在為 EEPROMClass 編寫一個替換類，以在閃存扇區(qū)內(nèi)進(jìn)行磨損均衡。我還想編寫類來檢測而不是使用壞的 4 字節(jié)區(qū)域
2023-05-12 06:30:50
我如何閃存 ESP 模塊 3 以及有多少內(nèi)存？
2023-05-10 12:48:37
我想了解我的微控制器 (MPC5777C) 的生產(chǎn)日期以及品牌和型號信息。我在閃存上看到了 UID 信息。我認(rèn)為這些信息（品牌、型號、生產(chǎn)年份等）我可以從閃存中讀取。是否可以？哪些地址存儲這些信息？
2023-05-05 06:39:19
無法使用 Segger J-Flash 工具（使用 J-Link Plus 工具）讀取或?qū)懭?MCU 閃存。
成功可以連接到MCU。
讀取閃存沒有發(fā)生，錯誤信息如下所示。
需要您的支持來解決這個問題
2023-04-28 06:20:00
我們正在考慮使用 MIMXRT1021 的新設(shè)計(jì)。我們正在尋找合適的閃存。它應(yīng)該通過 Q-SPI 連接并且應(yīng)該支持 RWW (ReadWhileWrite)。目的是能夠在執(zhí)行時擦除/寫入 FLASH
2023-04-20 07:07:30
我的項(xiàng)目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有兩個閃存數(shù)據(jù)塊，如 RM 所示。 所以我的應(yīng)用程序在主閃存陣列 1 中運(yùn)行，并將主閃存陣列 2 用于我的保存數(shù)據(jù)區(qū)。但我無法在
2023-04-19 08:54:32
操作系統(tǒng)- Linux開發(fā)板- i.MX RT1170 EVKBIDE-mcuexpresso 我們正在嘗試使用 GUI 閃存工具閃存示例代碼，但在 Linux 中出現(xiàn)“無法執(zhí)行操作”之類的錯誤，并且在控制臺中打印“未配置閃存”。
2023-04-19 08:00:03
我正在使用 mpc5777c 微控制器。我在 nxp 閃存代碼示例中看到了這些代碼。我不明白為什么他們在閃存操作后恢復(fù)閃存控制器緩存。據(jù)我了解，RestoreFlashControllerCache
2023-04-17 07:17:57
當(dāng)我使用 PE 微型調(diào)試器在微控制器中閃存程序時，我們在 216 處收到以下錯誤 ieruntime 錯誤并且 GDB 已終止，因此我們無法在控制器中閃存程序。請解決問題
2023-04-17 06:03:53
眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時，鎧俠還是第一個設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 您好，我們正在使用 iMX RT 1021 MCU 設(shè)計(jì)定制板。由于此 MCU 沒有內(nèi)部閃存，我們通過 MiMX RT1020 EVK 用于外部閃存接口的相同 SPI 接口使用 Microchip
2023-04-14 08:35:18
有什么方法可以添加閃存前和閃存后構(gòu)建步驟嗎？對于我的系統(tǒng)，我必須向 ESP 發(fā)送一條特殊命令以將其置于引導(dǎo)加載程序模式，然后再發(fā)送一條命令使其真正啟動。除了正常的構(gòu)建步驟之外，我似乎無法在 IDF 中找到任何用于增加構(gòu)建步驟的文檔。誰能指出我的好方向？
2023-04-14 08:07:35
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《斯丹麥德應(yīng)用案例|干簧傳感技術(shù)在新能源市場上的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-04-12 10:25:033 ，所以只剩下一個硬件問題：寫入 SPI 閃存時如何保持 LCD 刷新？在 manuconfig 中，我將所有 SPI、GDMA 和 LCD ISR 標(biāo)記為放置在 IRAM 中，但沒有任何幫助。每次我嘗試
2023-04-12 08:41:21
是否可以使用外部閃存繞過 C3FN4 或 C3FH4 中的內(nèi)部嵌入式閃存？我的意思是作為指令（引導(dǎo)）閃存當(dāng)然，不僅僅是數(shù)據(jù)閃存。
2023-04-12 06:15:17
我正在使用 EVK 套件 MIMXRT1024。當(dāng)我嘗試調(diào)試時出現(xiàn)以下錯誤閃存驅(qū)動程序 V.2 啟動失敗 - rc Ef(34)：初始化閃存超時。芯片初始化失敗 - Ef(34)：初始化閃存超時
2023-04-11 06:37:52
在SMT電子行業(yè)中，錫膏大多用于電子電路板SMT焊接的技術(shù)中，這樣的錫膏不僅要求焊接牢固，導(dǎo)電性好，無立碑，無虛焊等，還要求無殘留、絕緣阻抗性佳、環(huán)保；那么現(xiàn)在市場上什么錫膏品牌好用呢？在錫膏廠家
2023-04-10 17:44:261664 
我正在使用 LPC54608、LwIP 和 MCUXpresso IDE v11.7.0 SDK2_13。在我的項(xiàng)目中，我需要一個兩步引導(dǎo)加載，在第一步中，位于@0x000 閃存地址的引導(dǎo)加載程序
2023-04-06 06:49:13
我將在 LPCXPresso 7.9.2 版上運(yùn)行的項(xiàng)目移植到 MCUXpresso 11.6。該項(xiàng)目正常運(yùn)行，但是我在一個功能上失敗了。在此功能中，有時我僅在 RAM 中運(yùn)行軟件并完全擦除閃存
2023-04-03 06:03:48
NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)，其中NANDFlash存儲器具有容量較大，擦寫速度快等優(yōu)點(diǎn)。它們的廣泛應(yīng)用就不用小編敲黑板了吧？然而，市場上流行的NANDFlash產(chǎn)品，尤其是
2023-03-31 10:34:54382 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
我正在使用 S32K148 EVB 測試閃存中的 EEPROM 仿真。我想使用 EEE Size = 1KB，那么如何在 FlexRAM 中配置這個大小。是否有任何示例代碼可用于分區(qū) D 閃存
2023-03-28 08:28:20
大家好，我正在從 MPC5744P 移植 MPC5775E 的啟動應(yīng)用程序，所以首先我創(chuàng)建了一個使用 S32DS 閃爍 LED 的項(xiàng)目，我將 linker_flash.ld 中的默認(rèn)閃存地址從
2023-03-24 07:28:05
程序會通過藍(lán)牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序?qū)懭雈lash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲在哪里，我應(yīng)該什么時候?qū)⑺鼘懭?b class="flag-6" style="color: red">閃存才能使整個更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認(rèn)逐個扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測試的其他階段。（我不想一次擦除整個芯片，因?yàn)槲覀兊闹饕浖枰獜?b class="flag-6" style="color: red">閃存中
2023-03-23 06:06:43
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