3月20日，CFMS | memoryS 2024中國閃存市場峰會（以下簡稱“CFMS 2024”）在深圳寶安前海·JW萬豪酒店隆重召開，本屆峰會以“存儲周期 激發(fā)潛能”為主題，匯聚了全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈及終端應用企業(yè)
2024-03-22 13:34:37
35 據(jù)三星展示的圖片顯示，此模組可以通過CXL接口在閃存部分及CPU之間進行I/O塊傳輸，也可以運用DRAM緩存和CXL接口達到64字節(jié)的內(nèi)存I/O傳輸。
2024-03-21 14:31:05174 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 三星電子，全球半導體產(chǎn)業(yè)的領軍企業(yè)，近期在其位于中國西安的NAND閃存工廠實現(xiàn)了開工率的顯著回升，從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對市場趨勢的敏銳洞察和快速響應，也凸顯了中國智能手機市場回暖以及全球半導體庫存調(diào)整對產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:26317 GB/T 9639-1998 薄膜、薄片落鏢沖擊測試儀 自由落鏢法產(chǎn)品介紹落鏢沖擊試驗儀用于厚度小于1mm的塑料薄膜或薄片在給定高度的自由落鏢沖擊下，測定50%塑料薄膜或薄片試樣破損時的沖擊質量
2024-01-31 11:26:58
是否可以使用 XMC Flasher 命令行實用程序（bat 文件）將目標閃存讀取到*.hex 文件中？
2024-01-26 07:24:42
IDC數(shù)據(jù)表明，傳統(tǒng)企業(yè)存儲系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%，用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲。
2024-01-03 10:43:18282 
請問一下電機的星三角啟動是不是降低電機的啟動電流的啊，還是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
產(chǎn)品詳情FB-30J纏繞膜落鏢沖擊試驗儀產(chǎn)品介紹落鏢沖擊試驗儀用于厚度小于1mm的塑料薄膜或薄片在給定高度的自由落鏢沖擊下，測定50%塑料薄膜或薄片試樣破損時的沖擊質量和能量。產(chǎn)品特點1.機械造型
2023-11-27 15:30:04
西門子電機繞組重繞后，星三角啟動角型切換時跳空開，電機保養(yǎng)廠商說可能線圈繞組順序換了，只要把線圈首尾端換后就能啟動，西門子電機有這種現(xiàn)象，有誰遇到過這種情況嗎？原因是什么？
2023-11-09 07:17:20
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實現(xiàn)明年上半年逆轉市場等目標。
2023-11-03 17:21:111214 在此之前，三星、sk海力士、美光、皮協(xié)因需求嚴重疲軟而采取了大規(guī)模減產(chǎn)措施，三星也在今年4月公布了閃存第一次減產(chǎn)計劃后延長了減產(chǎn)計劃。
2023-11-03 12:14:35538 據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設備，并向業(yè)界通報了到2025年分階段完成的目標。
2023-11-03 11:48:031140 伴隨著中國鋰電企業(yè)出海加速，國外本土鋰電廠商的相關布局亦在加快。
2023-10-30 14:29:23296 沖擊試驗機的工作原理包裝膜落鏢式?jīng)_擊試驗機的工作原理是將待測包裝膜固定在設備上，通過落鏢的自由落體運動，施加沖擊力量在包裝膜上。設備內(nèi)部裝有傳感器，可以實時監(jiān)測沖
2023-10-27 16:37:53
一、引言AB法薄膜落鏢沖擊測試儀是一種用于測試薄膜材料抗沖擊性能的實驗設備。在包裝、食品、醫(yī)藥等領域，薄膜材料的抗沖擊性能對其包裝產(chǎn)品的保護和保存具有重要影響。本文將介紹AB法薄膜落鏢沖擊測試儀
2023-10-25 16:40:05
flash_internal_all_erase()，即將閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）的 bit2 置 1 選擇為整片擦除，然后將bit6 置 1 觸發(fā)擦除操作。
2023-10-20 08:21:03
將IAP放在非閃存起始地址的方法如何將IAP放在非閃存起始地址？
2023-10-20 07:02:29
隨著汽車工業(yè)的持續(xù)發(fā)展，汽車配件的質量和安全性成為了消費者和制造商關注的焦點。為了確保汽車配件的質量和安全性，制造商需要對汽車配件進行各種測試，其中落球沖擊試驗機是評估其耐沖擊性能的重要工具之一。落
2023-10-18 15:45:55
，對于保證產(chǎn)品質量和提高安全性具有重要的作用。落球沖擊試驗儀的主要工作原理是利用高精度傳感器測量落球對材料產(chǎn)生的沖擊力。在測試過程中，將試樣材料放置在設備上，然后將具
2023-10-16 16:30:47
日前有媒體報道稱，受三星等存儲原廠減產(chǎn)以及國內(nèi)閃存龍頭存儲顆粒產(chǎn)能不足的影響，內(nèi)存和閃存元器件采購成本逐步上漲。
2023-10-16 11:13:05452 GPS定位到三顆星為什么還不能實現(xiàn)定位？
2023-10-16 06:58:02
10月9日，韓國半導體業(yè)傳來好消息，美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導體設備，而且無需其它許可；美方的這一決定即日起生效。 三星電子在我國西安有生產(chǎn)NAND閃存，SK
2023-10-10 11:59:16368 請問，在用java開發(fā)鴻蒙應用布局UI時，怎么才能全屏布局（不顯示labelb標題）
2023-09-20 22:09:12
落鏢沖擊試驗儀 落鏢沖擊試驗儀是一種用于檢測各種材料的抗沖擊性能的專用設備。它通過模擬自由落下的鏢體對材料進行沖擊，以評估材料的抗沖擊性能，為產(chǎn)品的質量和安全性提供重要依據(jù)。本文將介紹
2023-09-18 11:06:00
評估材料的抗沖擊性能，為產(chǎn)品的質量和安全性提供重要依據(jù)。 落鏢沖擊試驗機的主要工作原理是，將待測材料固定在試驗臺上，設定好沖擊高度和鏢體質量等參數(shù)，自由
2023-09-15 15:50:40
三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強NAND閃存競爭力計劃在2024年升級其NAND核心設備供應鏈。
2023-08-30 16:10:02192 2023 年 RISC-V 中國峰會上，倪光南院士表示，“RISC-V 的未來在中國，而中國半導體芯片產(chǎn)業(yè)也需要 RISC-V，開源的 RISC-V 已成為中國業(yè)界最受歡迎的芯片架構”。大家怎么看呢？
2023-08-26 14:16:43
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:58422 支持的設備設置了所有正確的參數(shù)。
在開始之前，本指南使用三星Gear VR作為示例設備。
本指南中的一些說明是針對三星Gear VR的。
本指南中描述的原則適用于任何VR設備，但您可能需要根據(jù)您的環(huán)境
2023-08-12 07:12:26
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額
2023-08-08 12:55:47716 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額15億元，市場占比25%，混閃存儲銷售額38
2023-08-07 11:10:02327 據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:24762 的 RAM 中。是否有任何意義/概念/技術將這些引導到閃存中，以便在運行時，我們將節(jié)省一些 RAM 以供操作。
2023-06-12 06:18:46
我想將數(shù)據(jù)保存到閃存中，這樣即使斷電我也可以擁有這些數(shù)據(jù)。
我嘗試使用 spi_flash_write 但出現(xiàn)錯誤
代碼：全選
char ssid[32] = SSID;
char test
2023-06-12 06:04:57
任何人都可以幫助我面對像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無法將超過 8K 的數(shù)據(jù)寫入 64k 的問題嗎？即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
1.概述
XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充協(xié)議、PD2.0/3.0 快充協(xié)議、QC2.0/3.0 快充協(xié)議、華為 FCP 協(xié)議和三星 AFC 協(xié)議
2023-06-01 22:14:22
供應SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關鍵參數(shù) ，廣泛應用于AC-DC 適配器、車載充電器等設備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-06-01 10:10:41
供應XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應用于AC-DC 適配器、車載充電器等設備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
有沒有人成功地將 ESP8266EX 連接到 EEPROM 芯片而不是閃存？在我住的地方，沒有人出售大于 512k 的閃存芯片，我至少需要 4 個。如果可以使用 EEPROM，我不想從美國進口。
2023-05-30 11:10:19
供應XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
供應XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應用于AC-DC 適配器、USB 充電設備等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
器件銷售 2,772.30 億元，2020 年中國半導體分立器件銷售 2,966.30 億元，預計 2023 年分立器件銷售將達到 4,428 億元。
分立器件部分細分市場情況之場效應管市場情況
2023-05-26 14:24:29
在 SPI 閃存 ROM 布局表（沒有 OTA）中有 5 個 bin 文件被閃存到 esp8266。盡管在其他資源中在線找到了說明如何將所有 bin 文件合并為一個文件，
可能它似乎一次性解決了多個問題，但從根本上說，所有問題都指向 ESP MCU 中內(nèi)存布局的相同概念及其在構建過程/閃存中的反映。
2023-05-25 07:07:52
大家好，
我正在嘗試將 NodeMCU 閃存到我的新 Sonoff 上。我正在使用 ESP8266Flasher x64 來刷新最新的開發(fā)和穩(wěn)定版
2023-05-23 09:44:49
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
我使用 RTD 包擦除寫入和讀取內(nèi)部閃存。它在數(shù)據(jù)閃存上是成功的，但是當我將地址更改為代碼閃存時，寫入和讀取都失敗了。
然后我調(diào)試發(fā)現(xiàn)Register MCR->PGM在擦除后已經(jīng)變成了1。但是我找不到它是在哪里改變的。
2023-05-19 08:41:05
。這使得 OTA 非常棘手！
我需要一個開銷比 Arduino 少得多的環(huán)境？
或者從 SD 閃存進行 OTA 的方法？
或者修改 eboot 以在 OTA 期間將代碼從 SD 復制到閃存？
或者其他一些聰明的解決方案？
2023-05-17 08:29:00
的裸片面積上實現(xiàn)相同的功能，從而實現(xiàn)了外設和存儲的更高集成度，新產(chǎn)品預計第四季度全面上市。
行業(yè)風向
【三星將減產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)能5%，西安廠為重點】
據(jù)韓媒報道，三星將在第二季度將其NAND產(chǎn)能
2023-05-10 10:54:09
大家好，
我們有一塊定制板，W25Q128JV 連接到 FLEXSPI 端口 B，我無法讓 MCUXpresso/Keil 直接將固件下載到閃存，我可以確認下載算法是正確的，因為相同的算法適用于
2023-05-04 08:44:59
功......
編程電纜接線如下...
如何讓 Segger J-Link 將代碼從 IDE 閃存/調(diào)試到評估板？
2023-05-04 08:34:20
供應XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:22:36
將 Basic 閃存到我的 esp8266 中。
接下來我需要連接到它作為接入點，對嗎？它沒有顯示在我可用的 wifi 網(wǎng)絡上......
有什么指示嗎？
紅色 LED 一直亮著。沒有藍色。
Serial 上也沒有。
2023-04-26 06:05:16
。標簽顯示在對應于+90o連接的圖中，其中三角洲側的正序列與星側的正序列領先90o。因此，線路電流流過相位A和A?！ ×硪环N方法是將增量標記為 b→a、c→b 和 a→c;因此，我們得到了一個標準
2023-04-20 17:39:25
怎樣測量非正弦波電壓的幅值？有何方法？
2023-04-19 18:24:04
我正在使用S32K142 EVB和i-SYSTEM IC5000調(diào)試器，最近我將代碼閃存到 S32K142 EVB 后，我在 winIDEA（i-SYSTEM 調(diào)試器）中獲得 SoC ATTACHING 狀態(tài)，之后我無法將新代碼閃存到target 我也無法從 winIDEA 中批量擦除。
2023-04-18 10:17:54
組件引腳均連接到的占位焊盤）?！ ?b class="flag-6" style="color: red">將原理圖轉換為PCB布局 通過CAD軟件將完整的原理圖轉換為由元件封裝和線條組成的PCB布局; 這個相當不愉快的詞是指尚未轉換為物理連接的電氣連接?！ ≡O計人員先排
2023-04-14 16:28:43
據(jù)我所知，ESP32-D0WDR2-V3 有一個 2MB 的嵌入式 PSRAM，但只有 448KB 的內(nèi)部閃存。是否可以連接外部閃存（用于代碼和數(shù)據(jù)）和 eMMC（僅存儲）并使三者（PSRAM+外部
2023-04-12 06:01:59
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已加緊布局扇出型（FO）晶圓級封裝領域，并計劃在日本設立相關生產(chǎn)線。
2023-04-10 09:06:501284 我希望在特定的閃存位置存儲變量/參數(shù)集。我記得我必須 在閃存中使用 __attribute__ 和內(nèi)存地址，但我沒有找到 s32k146 或 s32k sdk 的任何具體示例。
2023-04-04 07:51:52
。UUU 工具使用此電纜將圖像閃存到 eMMC。以下是我嘗試刷入 eMMC 所遵循的步驟：1）將啟動開關設置為Serial Download（0001）2) 打開電路板并執(zhí)行命令 - “sudo uuu
2023-04-03 08:04:43
目前，我使用的是 S32R294。我想從 S32 Design Studio for Power Architecture 下載 S32R294 的外部閃存。據(jù)我所知，外部閃存的代碼在啟動時被復制到 SRAM 中，因為 s32r294 中沒有內(nèi)部閃存。
2023-03-29 06:13:04
module')這是因為 AT25SF041 的時鐘頻率最高應為 80 MHz 才能支持整組命令。- 是否有任何方法（例如通過將 DCD 文件添加到 ivt_flashloader.bin）來激活 SEMC
2023-03-24 07:17:47
三相不對稱負載星型連接有無中心線對電路工作是否有影響？若有影響是什么影響？
2023-03-23 09:55:20
程序會通過藍牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序寫入flash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲在哪里，我應該什么時候將它寫入閃存才能使整個更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
已經(jīng)擦除的閃存，在擦除大約 500 到 700 個扇區(qū)后，將調(diào)用信號處理程序，CPU 將開始掛起在 startup_lpc54s018.c 中名為“IntDefaultHandler(void)”的函數(shù)
2023-03-23 06:06:43
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