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電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>廠商新聞>超微著手兩面策略 擬結(jié)合同行技術(shù)創(chuàng)造晶片

超微著手兩面策略 擬結(jié)合同行技術(shù)創(chuàng)造晶片

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晶片主要切割方式的原因、區(qū)別和應(yīng)用

晶片切割方式對(duì)晶振的性能和應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)生重要影響。不同的切割方式適用于不同的需求和環(huán)境條件,提供了多樣性的選擇。本文將深入探討主要的晶片切割方式,包括原因、區(qū)別以及主要的應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 12:08:371066

三星積極培養(yǎng)工廠當(dāng)?shù)厝瞬?與臺(tái)積電策略不同

去年在得克薩斯州泰勒,為了生產(chǎn)尖端系統(tǒng)半導(dǎo)體,在約500萬(wàn)平方米的地皮上著手建設(shè)170億美元規(guī)模的半導(dǎo)體合同工廠。這是三星迄今為止最大規(guī)模的海外投資。該工廠將生產(chǎn)主要用于5g (5g)、高性能計(jì)算(hpc)、人工智能(ai)等的以5納米工程為基礎(chǔ)的尖端半導(dǎo)體。
2023-09-13 14:37:18444

奧拓電子三十而勵(lì),筑夢(mèng)同行

從1993到2023,奧拓電子走過(guò)了30年。三十年櫛風(fēng)沐雨,三十年披星戴月,三十年苦寒暗香,三十年春華秋實(shí),三十而勵(lì),筑夢(mèng)同行,激情澎湃的奧拓人在創(chuàng)新進(jìn)取的征程上迎來(lái)了自己的30周年慶典。 三十
2023-09-11 18:40:512352

一路同行 | 瑞薩北京工廠舉辦員工開(kāi)放日活動(dòng)

一路同行 感恩有你 Open Day 瑞薩北京工廠“員工開(kāi)放日”活動(dòng) 2023年8月25日 瑞薩北京工廠 舉辦了主題為 “一路同行 感恩有你”首屆員工開(kāi)放日活動(dòng) ,來(lái)自公司各部門(mén)20多個(gè)家庭的家屬
2023-09-07 18:15:14394

紹興有沒(méi)有做STM的同行,認(rèn)識(shí)下

我在紹興新昌,想學(xué)習(xí)STM32,有沒(méi)有同行指導(dǎo)一下。感謝??梢哉J(rèn)識(shí)下
2023-09-07 10:35:46

關(guān)于使用NANO130KE3BN晶片USB_HID功能Window Tool的疑問(wèn)

BSP_CMSIS_V3.02.000SampleCodeStdDriverUSBD_HID_TransferKEIL 裡頭的檔案燒錄進(jìn)NANO130KE3BN晶片 并且想要使用內(nèi)附的Window Tool觀察資料的傳輸 但是我利用Visual C++ compile出Window
2023-08-24 06:13:50

深度學(xué)習(xí)的七種策略

深度學(xué)習(xí)的七種策略 深度學(xué)習(xí)已經(jīng)成為了人工智能領(lǐng)域的熱門(mén)話題,它能夠幫助人們更好地理解和處理自然語(yǔ)言、圖形圖像、語(yǔ)音等各種數(shù)據(jù)。然而,要想獲得最好的效果,只是使用深度學(xué)習(xí)技術(shù)不夠。要獲得最好的結(jié)果
2023-08-17 16:02:531166

面部表情識(shí)別技術(shù)的倫理問(wèn)題與應(yīng)對(duì)策略

面部表情識(shí)別技術(shù)作為一項(xiàng)涉及隱私和倫理的技術(shù),需要我們?cè)趹?yīng)用過(guò)程中關(guān)注并解決相關(guān)的倫理問(wèn)題。本文將探討面部表情識(shí)別技術(shù)的倫理問(wèn)題及其應(yīng)對(duì)策略,以促進(jìn)該技術(shù)的合理應(yīng)用和發(fā)展。 首先,面部表情識(shí)別的隱私
2023-08-14 17:41:38302

yolov5和YOLOX正負(fù)樣本分配策略

整體上在正負(fù)樣本分配中,yolov7的策略算是yolov5和YOLOX的結(jié)合。因此本文先從yolov5和YOLOX正負(fù)樣本分配策略分析入手,后引入到Y(jié)OLOv7的解析中。
2023-08-14 11:45:171567

ARM Cortex-M23處理器設(shè)備修訂版:r2p0通用用戶指南

整個(gè)系統(tǒng)的功能或性能。您或被許可方將負(fù)責(zé)執(zhí)行任何系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。 您負(fù)責(zé)與本文檔中描述的Arm技術(shù)結(jié)合使用的任何應(yīng)用程序。為了最大限度地降低風(fēng)險(xiǎn),您應(yīng)該提供足夠的設(shè)計(jì)和操作保障。
2023-08-11 07:03:33

切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響

采用砂漿多線切割工藝加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶體,研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過(guò)優(yōu)化切割工藝參數(shù),最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311048

點(diǎn)云標(biāo)注在自動(dòng)駕駛中的優(yōu)化策略

信息,從而提高障礙物檢測(cè)、車(chē)道線檢測(cè)等任務(wù)的準(zhǔn)確性。 其次,結(jié)合其他感知技術(shù)。例如,可以將點(diǎn)云標(biāo)注與圖像處理技術(shù)結(jié)合,利用圖像中的顏色、紋理等信息來(lái)增強(qiáng)點(diǎn)云數(shù)據(jù)的感知能力,從而提高標(biāo)注的準(zhǔn)確性。 數(shù)據(jù)堂自有數(shù)
2023-07-25 10:55:49264

插電式混合動(dòng)力汽車(chē)的增程器控制策略解讀

研究了插電式混合動(dòng)力汽車(chē)的增程器控制策略,包括定點(diǎn)發(fā)電控制策略和功率跟隨控制策略,重點(diǎn)聚焦于功率跟隨策略下的發(fā)電優(yōu)化方法、定點(diǎn)發(fā)電策略下的噪聲-振動(dòng)-聲振粗糙粗(NVH)優(yōu)化及能量回饋時(shí)的發(fā)電功率優(yōu)化。
2023-06-28 16:00:47504

AI 人工智能的未來(lái)在哪?

人工智能、AI智能大模型已經(jīng)孵化;繁衍過(guò)程將突飛猛進(jìn),ChatGPT已經(jīng)上線。 世界首富馬斯克認(rèn)為AI對(duì)人類(lèi)是一種威脅;谷歌前CEO施密特認(rèn)為AI和機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì)人類(lèi)有很大益處。 每個(gè)國(guó)家對(duì)核武器的運(yùn)用有兩面性,可造可控;但AI智能他具備學(xué)習(xí)能力,如果他自裝意識(shí)形態(tài),自己衍生,人類(lèi)是否可控?
2023-06-27 10:48:14

請(qǐng)問(wèn)一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD,單晶片。國(guó)內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位???

請(qǐng)問(wèn)一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD,單晶片。國(guó)內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位???
2023-06-16 11:12:27

同行丨藍(lán)卓趙偉:用長(zhǎng)期主義構(gòu)建工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型新范式

原文標(biāo)題:同行丨藍(lán)卓趙偉:用長(zhǎng)期主義構(gòu)建工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型新范式 文章出處:【微信公眾號(hào):軟通動(dòng)力】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-06-15 17:35:01294

同行丨研華蔡奇男:以軟硬件工具平臺(tái)賦能伙伴共創(chuàng),加速產(chǎn)業(yè)數(shù)智化

原文標(biāo)題:同行丨研華蔡奇男:以軟硬件工具平臺(tái)賦能伙伴共創(chuàng),加速產(chǎn)業(yè)數(shù)智化 文章出處:【微信公眾號(hào):軟通動(dòng)力】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-06-14 16:55:02233

電動(dòng)病床沖擊試驗(yàn)儀座沖擊耐久試驗(yàn)

電動(dòng)病床沖擊試驗(yàn)儀一.符合標(biāo)準(zhǔn):沖擊試驗(yàn)儀符合標(biāo)準(zhǔn): ANSI/BIFMA 5.1;EN 1730/1728;QB/T 2280 YY0571 圖BB.2等。可完成座沖擊耐久試驗(yàn),座結(jié)構(gòu)強(qiáng)度沖擊
2023-06-12 10:00:05

高品質(zhì)抗硫化汽車(chē)級(jí)晶片電阻器NS系列-阻容1號(hào)

高品質(zhì)抗硫化汽車(chē)級(jí)晶片電阻器NS系列-阻容1號(hào)
2023-06-10 11:14:31492

高品質(zhì)抗硫化汽車(chē)級(jí)晶片電阻器NS系列-阻容1號(hào)

/R-5000) 以上便是高品質(zhì)抗硫化汽車(chē)級(jí)晶片電阻器NS系列的相關(guān)介紹。阻容1號(hào)網(wǎng)站將繼續(xù)不斷更新文章,為廣大用戶提供最新的技術(shù)資訊和產(chǎn)品信息,幫助用戶了解和選擇最適合自己需求的元器件。
2023-06-10 11:11:56

同行丨模德寶成亞飛:乘數(shù)字“東風(fēng)”,揚(yáng)帆智能制造新藍(lán)海

原文標(biāo)題:同行丨模德寶成亞飛:乘數(shù)字“東風(fēng)”,揚(yáng)帆智能制造新藍(lán)海 文章出處:【微信公眾號(hào):軟通動(dòng)力】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-06-09 17:35:02352

同行丨索為李義章:用工業(yè)技術(shù)軟件化擘畫(huà)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化

原文標(biāo)題:同行丨索為李義章:用工業(yè)技術(shù)軟件化擘畫(huà)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化 文章出處:【微信公眾號(hào):軟通動(dòng)力】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-06-08 15:35:01249

Easygo 實(shí)時(shí)仿真丨網(wǎng)孤島運(yùn)行下儲(chǔ)能控制策略仿真應(yīng)用

電網(wǎng)作為大電網(wǎng)的補(bǔ)充,不但具有靠近用戶側(cè)、靈活、抗災(zāi)能力強(qiáng)等特點(diǎn),而且還可以提高可再生能源的利用率。近年來(lái),由于光伏發(fā)電具有清潔、可再生性,以光伏為主的電網(wǎng)發(fā)展迅速。但由于光伏發(fā)電受天氣、溫度等
2023-06-08 14:57:16

系統(tǒng)芯片與晶片測(cè)試

系統(tǒng)芯片 (Sxstem on Chip,SoC)通過(guò)軟硬件結(jié)合的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證方法
2023-06-07 16:14:59529

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

震驚!港媒曝光美光“兩面派” 至少170次游說(shuō)美提出中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題

行業(yè)芯事時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-05-31 10:46:53

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響,并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062212

LED封裝晶片便攜式推拉力測(cè)試機(jī)

博森源LED封裝晶片便攜式推拉力測(cè)試機(jī)是一種非常實(shí)用的測(cè)試設(shè)備,可以方便地進(jìn)行LED封裝晶片的推拉力測(cè)試,從而保證LED產(chǎn)品的質(zhì)量。該測(cè)試機(jī)具有便攜式設(shè)計(jì)、數(shù)字顯示屏、高精度、高穩(wěn)定性、高可靠性等特點(diǎn),可以滿足各種LED封裝晶片的測(cè)試需求。
2023-05-31 10:05:25386

led晶片推拉力機(jī)半導(dǎo)體推拉力測(cè)試儀

led晶片
力標(biāo)精密設(shè)備發(fā)布于 2023-05-24 17:40:04

TFN窄帶寬可調(diào)諧光學(xué)濾波器TeraXion

TFN窄帶寬可調(diào)諧光學(xué)濾波器TeraXion窄帶寬可調(diào)諧光學(xué)濾波器TFN結(jié)合了TeraXion的光纖布拉格光柵(FBG)技術(shù)和熱可調(diào)平臺(tái),從而創(chuàng)建了具有較強(qiáng)的穩(wěn)定性和分辨率的可調(diào)濾波器。緊湊而
2023-05-24 11:36:28

使用Reset&Halt After bootloader復(fù)位策略

DLL。如果這個(gè)方式都不可用,使用通用方法。 2.2.1J-Link Commander 啟動(dòng)J-Link Commander后,可以通過(guò)執(zhí)行RSetType命令改變復(fù)位策略為 RSetType
2023-05-18 13:55:01

晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(pán)(晶片),然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

厚聲晶片排列電阻器-阻容1號(hào)

晶片排列電阻器(Surface Mount Resistor Array)是一種常用的電阻器封裝方式,它采用集成電路工藝制造,將多個(gè)電阻器集成在一個(gè)小型封裝中。
2023-05-15 17:06:06459

簡(jiǎn)述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法,(1)機(jī)械研磨,(2)化學(xué)機(jī)械平面化,(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成:研磨和蝕刻。為了研磨晶片,將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄,而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06978

碳化硅晶片的磨拋工藝詳解

SIC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)良的熱導(dǎo)率,是GaN基的理想襯底材料,如LED,LD。因此,SiC襯底加工技術(shù)是器件制作的重要基礎(chǔ),其表面加工的質(zhì)量和精度,直接會(huì)影響外延
2023-05-05 07:15:001154

如何做好TSN落地前的最后一步:TSN組網(wǎng)測(cè)試

隨著TSN技術(shù)的具體實(shí)施在不同行業(yè)和應(yīng)用中被廣泛提出和研究,不少技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)也開(kāi)始著手布局TSN。但作為一種新興的網(wǎng)絡(luò)技術(shù),TSN網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建與測(cè)試需要一定的準(zhǔn)備工作和特定的設(shè)備。
2023-04-28 15:39:41589

求分享FS26喚醒策略

FS26 喚醒策略
2023-04-21 06:33:08

TSC峰會(huì)回顧02 | 上海交通大學(xué)OpenHarmony技術(shù)俱樂(lè)部建設(shè)

目前的OpenHarmony課程建設(shè)策略點(diǎn):1.基于現(xiàn)有課程,將OpenHarmony與相關(guān)的內(nèi)容結(jié)合;2.專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)一門(mén)OpenHarmony課程,以研究生做試點(diǎn),通過(guò)教師和學(xué)生的反饋促進(jìn)課程內(nèi)容
2023-04-19 15:12:22

為什么我不再推薦枚舉策略模式?

我們可以看到經(jīng)典方法,創(chuàng)建了一個(gè)接口、三個(gè)策略類(lèi),還是比較啰嗦的。調(diào)用類(lèi)的實(shí)現(xiàn)也待商榷,新增一個(gè)策略類(lèi)還要修改榜單實(shí)例(可以用抽象工廠解決,但是復(fù)雜度又上升了)。加之我們有更好的選擇,所以此處不再推薦經(jīng)典策略模式
2023-04-14 10:52:231652

OpenHarmony 開(kāi)發(fā)者大會(huì)2023 活動(dòng)開(kāi)始報(bào)名啦!

研究成果,結(jié)識(shí)同行了解最佳實(shí)踐,與社區(qū)技術(shù)專(zhuān)家互動(dòng)交流,搶先獲得OpenHarmony系統(tǒng)、技術(shù)和工具的最新動(dòng)態(tài)。時(shí)間地點(diǎn)2023.4.199:30-17:30北京·石景山景園假日酒店(北京市石景山區(qū)
2023-04-13 17:22:19

景深光學(xué)顯微鏡與共聚焦

中圖儀器VT6000景深光學(xué)顯微鏡與共聚焦材料表面納米級(jí)測(cè)量?jī)x以轉(zhuǎn)盤(pán)共聚焦光學(xué)系統(tǒng)為基礎(chǔ),結(jié)合高穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和3D重建算法,共同組成測(cè)量系統(tǒng),保證儀器的高測(cè)量精度;隔震設(shè)計(jì)能夠消減底面振動(dòng)噪聲
2023-04-04 11:04:53

【電磁兼容知識(shí)要點(diǎn)分享】不同行業(yè)產(chǎn)品電源端LISN介紹及差異分析(第一篇)

【電磁兼容知識(shí)要點(diǎn)分享】不同行業(yè)產(chǎn)品電源端LISN介紹及差異分析(第一篇)
2023-03-31 16:41:37563

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技術(shù)
2023-03-24 15:07:41

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