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電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>廠商新聞>飛兆半導(dǎo)體和英飛凌進(jìn)一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體和英飛凌進(jìn)一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

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英飛凌與Wolfspeed擴展并延長150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議

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2024-02-02 10:35:33332

英飛凌與Wolfspeed延長硅碳化(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議

協(xié)議。這份協(xié)議最初簽訂于2018年2月(當(dāng)時Wolfspeed以Cree的名字為人所知)。擴展的合作包括一個多年的產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這對英飛凌的供應(yīng)鏈穩(wěn)定性至關(guān)重要,也考慮到了碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品在汽車、太陽能、電動車(EV)應(yīng)用以及能源存儲系統(tǒng)越來越大的需求。 英飛凌
2024-01-30 17:06:00180

英飛凌與Wolfspeed擴展并延長多年期 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議

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英飛凌與格芯達(dá)成合作協(xié)議

英飛凌科技股份公司與格芯近日宣布達(dá)成一項新的多年合作協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,格芯將為英飛凌生產(chǎn)AURIX TC3x 40納米汽車微控制器(MCU)以及電源管理和連接解決方案。這一合作將有助于確保英飛凌在2024至2030年間的業(yè)務(wù)增長,并進(jìn)一步提升公司在汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭力。
2024-01-25 16:09:56194

英飛凌與Wolfspeed擴大并延長晶圓供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技(Infineon Technologies)與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed近日宣布,雙方將擴大并延長現(xiàn)有的晶圓供應(yīng)協(xié)議。這一協(xié)議擴展進(jìn)一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關(guān)系,以滿足市場對碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:52440

Luminus Devices與湖南三安半導(dǎo)體簽署合作協(xié)議

Luminus Devices近日宣布,已與湖南三安半導(dǎo)體簽署了一項合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,Luminus將成為湖南三安在美洲地區(qū)的獨家銷售渠道,負(fù)責(zé)銷售其SiC和GaN產(chǎn)品,這些產(chǎn)品主要應(yīng)用于功率半導(dǎo)體市場。
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英飛凌與碳化硅供應(yīng)商SK Siltron CSS達(dá)成協(xié)議

英飛凌與韓國SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達(dá)成了一項重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圓,以支持英飛凌在SiC半導(dǎo)體生產(chǎn)方面的需求。
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全球高性能功率半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)新趨勢

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2024-01-09 16:22:11380

全耀成為英飛凌獨立設(shè)計提供商

榮獲英飛凌獨立設(shè)計提供商證書,這標(biāo)志著雙方將進(jìn)一步加強合作,基于全耀的毫米波雷達(dá)產(chǎn)品與英飛凌半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行組合共同開發(fā)、設(shè)計滿足市場和客戶需求的系統(tǒng)解決方案。授牌
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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

V 功率 MOSFET半導(dǎo)體制造商,采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn),我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能,賦能未來。
2023-12-29 12:30:49362

Transphorm:氮化鎵應(yīng)用進(jìn)一步擴展,2024年下半年半導(dǎo)體市場將回暖

正值歲末年初之際,回顧過去的2023年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下行周期,各大應(yīng)用領(lǐng)域的市場表現(xiàn)并不理想。那么復(fù)盤2023年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況,能夠發(fā)現(xiàn)哪些細(xì)分市場具有潛力?展望2024年,半導(dǎo)體市場又會
2023-12-27 11:18:32348

半導(dǎo)體的特征及工藝介紹

無可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個建設(shè)地。而每一次的技術(shù)革新都會進(jìn)一步增加對智能設(shè)備的需求,半導(dǎo)體芯片的重要性也隨之變得愈加突顯。
2023-12-25 11:18:431037

有什么方法可以進(jìn)一步提高AD7714的分辨率???

級放大再加給AD7714時,測得人分辨率還要低些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號,該信號相對來說很穩(wěn)定,而且板上的噪聲也不是太大。請問各位大蝦,還有什么方法可以進(jìn)一步提高AD7714的分辨率???不勝感激!
2023-12-25 06:33:32

英飛凌推出AIROC? CYW5551x Wi-Fi 6/6E和藍(lán)牙5.4二合一解決方案

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英飛凌半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品推薦

英飛凌(Infineon)作為世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和引領(lǐng)者,一直致力于打造先進(jìn)的產(chǎn)品和全面的系統(tǒng)解決方案,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、移動性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案,推動構(gòu)建低碳化、數(shù)字化的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
2023-12-20 14:13:12379

哪些因素會給半導(dǎo)體器件帶來靜電呢?

是物體,人體會釋放大量電荷,絕緣體的情況下放電能量要比外部物體大得多;當(dāng)外部物體是設(shè)備時,如果不接地,即使導(dǎo)體也會積累電荷,旦與半導(dǎo)體設(shè)備接觸,電流就會流過設(shè)備,導(dǎo)致靜電擊穿;除去人體和設(shè)備的外部原因
2023-12-12 17:18:54

直接談判!英飛凌:車企與半導(dǎo)體廠商簽訂長約的新趨勢

來源:滿天芯,謝謝 編輯:感知芯視界 萬仞 隨著汽車脫碳化和自動駕駛技術(shù)的開發(fā)不斷取得進(jìn)展,半導(dǎo)體的長期供應(yīng)被越來越多廠商所重視 。德國英飛凌科技被認(rèn)為是在功率半導(dǎo)體等車載半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有全球最大份額
2023-12-07 09:53:01144

功率半導(dǎo)體冷知識:功率器件的功率密度

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2023-12-05 17:06:45264

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全方位理解功率MOSFET的雪崩失效現(xiàn)象

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你好,我有個小問題。我使用100m時鐘芯片。每個時鐘只有10ns,ad9106寄存器的最小輸出波形只有100Hz。如何將波形頻率設(shè)置為進(jìn)一步降低到10Hz?我已將配置設(shè)置為相關(guān)寄存器的最大值。拍
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功率半導(dǎo)體廠商鉅芯科技擬A股IPO 已進(jìn)行上市輔導(dǎo)備案登記

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半導(dǎo)體測試分選機企業(yè)慶鑫科技投資進(jìn)駐馬來西亞科技園

nct集團(tuán)表示,通過上述協(xié)議,nsip將進(jìn)一步鞏固作為半導(dǎo)體吸引外資企業(yè)的地位。另外,作為馬來西亞最早的管理工團(tuán)(mip), nsip的獨特價值持續(xù)凸顯。
2023-11-23 11:33:01621

英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品

英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,進(jìn)一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管,以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255

現(xiàn)代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議

協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并保留向現(xiàn)代/起亞供應(yīng)碳化硅及硅功率模塊和芯片的產(chǎn)能直至 2030 年?,F(xiàn)代/起亞將出資支持這一產(chǎn)能建設(shè)和產(chǎn)能儲備。 ? 英飛凌與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議 ? 現(xiàn)代汽車集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼全球戰(zhàn)略辦公室(GSO)負(fù)責(zé)人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51175

英飛凌與現(xiàn)代汽車、起亞汽車簽署了功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

英飛凌功率半導(dǎo)體對電動汽車轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。這種轉(zhuǎn)型將帶動功率半導(dǎo)體市場強勁增長,尤其是基于功能硅材料(如SiC)的半導(dǎo)體市場。通過在馬來西亞居林?jǐn)U建廠房,英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導(dǎo)體
2023-11-07 11:00:57385

功率半導(dǎo)體類型有哪些

功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件,主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今,功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動的各個行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體,電動汽車包括功率半導(dǎo)體,飛機和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體
2023-11-07 10:54:05459

什么是功率半導(dǎo)體?

功率半導(dǎo)體,作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分,扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計用于處理高功率電信號和控制電力流動的半導(dǎo)體器件,與低功率應(yīng)用中使用的小信號半導(dǎo)體不同,功率半導(dǎo)體經(jīng)過優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27490

樹莓派獲得 Arm 戰(zhàn)略性投資,進(jìn)一步擴展長期合作伙伴關(guān)系

購樹莓派的少數(shù)股權(quán)?;陔p方攜手合作為物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 開發(fā)者社區(qū),提供關(guān)鍵解決方案的基礎(chǔ),這項協(xié)議進(jìn)一步擴展兩家公司成功且長期的合作伙伴關(guān)系。 ? 隨著邊緣計算需求的加速,以及要求更高的物聯(lián)網(wǎng)與人工智能 (AI) 應(yīng)用的急劇增加,樹莓派的解決方案讓全球各地的人們與企業(yè)都能
2023-11-03 18:21:22184

英飛凌科技、現(xiàn)代汽車和起亞達(dá)成為期多年的Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技、現(xiàn)代汽車公司和起亞公司達(dá)成了一項為期多年的SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并儲備制造能力,為現(xiàn)代/起亞提供SiC和Si功率模塊和芯片,直至2030年。現(xiàn)代/起亞將提供資金支持
2023-10-23 15:40:35436

英飛凌收購超寬帶領(lǐng)域先鋒3db Access,進(jìn)一步強化其連接產(chǎn)品組合

AG(3db)。作為安全低功耗超寬帶(UWB)技術(shù)領(lǐng)域的先鋒,該公司如今已成為主要汽車品牌首選的IP供應(yīng)商。此次收購進(jìn)一步強化了英飛凌在安全智能訪問、精確定位和增強傳感方面的半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。英飛凌將 UWB 增加到其現(xiàn)有的連接產(chǎn)品陣容中,包括 Wi-Fi、藍(lán)牙/低功耗藍(lán)牙和以及NFC 解決方案。首批
2023-10-20 16:22:08207

淺談功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于,其在設(shè)計的時候,需要多一塊區(qū)域,來承擔(dān)外加的電壓,如圖5所示,300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比,明顯尺寸更大,這也是功率半導(dǎo)體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21878

請問如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動?

如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動?
2023-10-18 06:53:31

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應(yīng)用賦能

MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單,可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02268

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518

英飛凌收購超寬帶先驅(qū)3db Access,進(jìn)一步加強其連接產(chǎn)品系列

提供商適用于各大汽車品牌。此次收購進(jìn)一步增強了英飛凌在安全智能訪問、精確定位和增強傳感方面的產(chǎn)品系列。英飛凌現(xiàn)在將UWB添加到其連接范圍中,包括Wi-Fi、Bluetooth?/Bluetooth? 低功耗和NFC解決方案。第一組物聯(lián)網(wǎng)用例包括安全訪問和身份驗證、準(zhǔn)確位置跟蹤和室內(nèi)導(dǎo)航,以及利用
2023-10-12 17:25:42295

STM8在待機模式如何進(jìn)一步降低功耗?

有什么方法可以進(jìn)一步降低待機模式的功耗
2023-10-12 07:23:28

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

半導(dǎo)體工業(yè)的誕生

結(jié)構(gòu)以及不同的集成度水平來進(jìn)行相關(guān)的介紹和闡述。除此之外,我們還將對實際應(yīng)用到的工業(yè)產(chǎn)品和制程演進(jìn)的趨勢進(jìn)行進(jìn)一步的介紹。
2023-09-22 10:35:47370

復(fù)合集流體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程進(jìn)一步提速

復(fù)合集流體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程進(jìn)一步提速。
2023-09-21 09:52:29835

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計和損耗分析

nitride h鄄igh electron mobility transistor) 的應(yīng)用可以進(jìn)一步提高開關(guān)頻率, 使變換器的開關(guān)頻率達(dá)到 500 kHz甚至幾赫[1]。 但 GaN HEMT 存在
2023-09-18 07:27:50

東芝進(jìn)一步擴展Thermoflagger?產(chǎn)品線—檢測電子設(shè)備溫升的簡單解決方案

點擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 進(jìn)一步擴展 Thermoflagg er 過 溫檢測IC 產(chǎn)品線—“ TCTH0xxxE 系列” 。該系
2023-09-14 17:40:07257

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容,此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案,在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202

安世半導(dǎo)體熱插拔MOSFET與碳化硅二極管入圍年度功率半導(dǎo)體

和管理者。今年,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體! 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140

擴展了DDR后,蜂鳥的指令尋址空間和地址空間為什么還是不變?

擴展了DDR后,蜂鳥的指令尋址空間和地址空間還是不變,最大都只有64K嗎?如果想進(jìn)一步擴大指令空間的話,需要修改SDK的makefile嗎?
2023-08-16 06:57:28

全球最大200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠將落戶馬來西亞

低碳化趨勢將推動功率半導(dǎo)體市場強勁增長,尤其是基于寬禁帶材料的功率半導(dǎo)體。全球功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正向構(gòu)建新的市場格局邁出又一決定性的一步——英飛凌將大幅擴建居林晶圓廠
2023-08-11 17:08:36577

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29

三星半導(dǎo)體與芯馳科技達(dá)成車規(guī)芯片戰(zhàn)略合作

三星半導(dǎo)體與芯馳科技聯(lián)合宣布,雙方達(dá)成長期戰(zhàn)略合作關(guān)系,加強在車規(guī)芯片領(lǐng)域的深度合作。為進(jìn)一步推動車規(guī)半導(dǎo)體的系統(tǒng)集成和適配項目,芯馳科技將在全場景車規(guī)芯片的參考方案開發(fā)中引入三星半導(dǎo)體的高性能存儲芯片,共同推進(jìn)雙方在車載領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與突破。
2023-08-03 17:29:15679

功率半導(dǎo)體的知識總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件)

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035041

官宣 | 更進(jìn)一步,揚杰科技蟬聯(lián)中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強企業(yè)前三

熱 烈 祝 賀 揚杰科技蟬聯(lián)中國半導(dǎo)體行業(yè) 功率器件十強企業(yè)前三 7月20日-21日,錢塘江畔,第十七屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會暨2023年中國半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇于杭州蕭山
2023-07-24 15:40:021613

旗芯微半導(dǎo)體與上海電驅(qū)動、知從科技簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議

2023年6月29日,旗芯微,上海電驅(qū)動,知從科技共同簽署了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。三方將在汽車領(lǐng)域進(jìn)一步深化合作,推動純國產(chǎn)化的電驅(qū)控制器產(chǎn)品落地。
2023-07-04 13:49:36452

旗芯微半導(dǎo)體與上海電驅(qū)動、知從科技 簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議

2023年6月29日,旗芯微,上海電驅(qū)動,知從科技共同簽署了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。三方將在汽車領(lǐng)域進(jìn)一步深化合作,推動純國產(chǎn)化的電驅(qū)控制器產(chǎn)品落地。 旗芯微首席運營官劉毅峰,首席市場官黃政欽,上海電驅(qū)動
2023-07-04 11:29:32541

美國或在半導(dǎo)體、人工智能和量子計算考慮進(jìn)一步對我國加以限制

美國或在半導(dǎo)體、人工智能和量子計算考慮進(jìn)一步對我國加以限制 目前人工智能發(fā)展迅猛,與之相關(guān)的AI大模型訓(xùn)練在加速跟上,市場需求很大,對應(yīng)的AI芯片主要是英偉達(dá)的A100、H100以及
2023-06-29 10:54:12343

增強型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么?

MOSFET進(jìn)一步分為耗盡型和增強型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式,而術(shù)語MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫。
2023-06-28 18:17:137741

中國車企下決“芯” 功率半導(dǎo)體全布局

無獨有偶,在車規(guī)級功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的車企不止吉利一家。近日,深藍(lán)汽車與斯達(dá)半導(dǎo)體達(dá)成合作,雙方組建了一家名為 " 重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司 " 的全新合資公司,雙方將圍繞車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊開展合作,共同推進(jìn)下一代功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-06-25 16:47:45556

有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

鎵器件大約在2015年推出市場,與具有相同導(dǎo)通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比,其價格更低 。從那時起,產(chǎn)量繼續(xù)提升、氮化鎵器件的價格持續(xù)下降、氮化鎵技術(shù)不斷改進(jìn)和芯片進(jìn)一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNFast功率半導(dǎo)體建模資料

GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27

基于GaN的OBC和低壓DC/DC集成設(shè)計

OBC和低壓DC/DC的集成設(shè)計可以減小系統(tǒng)的體積;提高功率密度,降低成本。寬帶隙半導(dǎo)體器件GaN帶來了進(jìn)一步發(fā)展的機遇提高電動汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42

行業(yè)應(yīng)用||安森德SJ MOSFET產(chǎn)品在充電樁上的應(yīng)用

高速公路服務(wù)區(qū)的重要基礎(chǔ)設(shè)施,確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品,通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計,采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù),進(jìn)一步提高了產(chǎn)品性能,具有
2023-06-13 16:30:37

步進(jìn)電機接收低到高電平走一步,如果是從高到低呢?也會轉(zhuǎn)一步嗎?

步進(jìn)電機接收低到高電平走一步,如果是從高到低呢?也會轉(zhuǎn)一步嗎?
2023-05-10 15:07:47

國際著名半導(dǎo)體公司英飛凌簽約國產(chǎn)碳化硅材料供應(yīng)商

援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息: 【英飛凌公司正推動其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化,并與中國碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協(xié)議,以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:06438

i.MX8MM是否可以在opp-table中引入這些額外的頻率以進(jìn)一步降低時鐘頻率?

imx_pll1416x_tbl 還報告了額外的時鐘頻率。 是否可以在 opp-table 中引入這些額外的頻率以進(jìn)一步降低時鐘頻率? 如果是,哪些值應(yīng)該用于屬性 opp-microvolts、opp-supported-hw、clock-latency-ns?
2023-04-23 11:14:12

ROHM關(guān)于MOSFET管的研討會

也將達(dá)到飛躍式增長。 如果您想更進(jìn)一步了解MOSFET的相關(guān)信息, 4月26日(周三)上午10點 由全球知名半導(dǎo)體品牌ROHM組織的這場直播研討會千萬不要錯過啦!本次研討會將從 MOSFET的基礎(chǔ)知識、特性講解、選型要點,到產(chǎn)品介紹和實際電路案例 等各方面開展介紹,
2023-04-18 08:57:11295

功率半導(dǎo)體的主要種類

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹及主要種類!
2023-04-14 15:26:45554

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長

及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),預(yù)計2021年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國內(nèi)市場而言,二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化,而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下功率器件的材料,因為碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景,包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵,SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13

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