旋轉(zhuǎn)花鍵的制造工藝是一門精細(xì)的技術(shù)，涉及多個步驟和精細(xì)的操作，以確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，下面簡單介紹下旋轉(zhuǎn)花鍵的制造工藝。
2024-03-16 17:39:17
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根據(jù)IRDS的樂觀預(yù)測，未來5年，邏輯器件的制造工藝仍將快速演進(jìn)，2025年會初步實(shí)現(xiàn)Logic器件的3D集成。TSMC和Samsung將在2025年左右開始量產(chǎn)基于GAA (MBCFET)的2nm和3nm制程的產(chǎn)品 [17]。
2024-03-15 09:16:2752 
Marvell將與臺積電合作2nm 以構(gòu)建模塊和基礎(chǔ)IP 張忠謀于1987年成立的臺灣積體電路制造股份有限公司，簡稱：臺積電，英文簡稱：TSMC。早在2022年底臺積電就已經(jīng)宣布3納米制程工藝
2024-03-11 16:32:59258 Ansys的多物理場簽核解決方案已經(jīng)成功獲得英特爾代工（Intel Foundry）的認(rèn)證，這一認(rèn)證使得Ansys能夠支持對采用英特爾18A工藝技術(shù)設(shè)計的先進(jìn)集成電路（IC）進(jìn)行簽核驗(yàn)證。18A工藝技術(shù)集成了新型RibbonFET晶體管技術(shù)和背面供電技術(shù)，代表了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破。
2024-03-11 11:25:41254 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚(yáng)）半導(dǎo)體制造工藝經(jīng)過多年的發(fā)展，已經(jīng)有了翻天覆地的變化。但如果我們單從晶圓代工廠的工藝布局來看，就會發(fā)現(xiàn)變化并不算大，領(lǐng)頭的臺積電、三星等依然在加大先進(jìn)工藝投入，而第二
2024-02-21 00:17:002598 
例如，盡管iPhone 15 Pro已發(fā)布四個月，A17 Pro仍在使用臺積電專有的3nm工藝。根據(jù)MacRumors的報告，這一趨勢似乎仍將延續(xù)至2nm工藝。
2024-01-26 09:48:34202 臺灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）已經(jīng)確認(rèn)，由于仍在等待美國政府補(bǔ)助的確定，該公司
2024-01-20 11:30:00974 
印度和TSMC能否成功合作？ 盡管觀察家們質(zhì)疑印度吸引先進(jìn)芯片制造商的能力，但這是該國決心追求的目標(biāo)，我們相信最終會實(shí)現(xiàn)。
2024-01-18 09:31:28377 據(jù)悉，臺積電自2022年12月份起開始量產(chǎn)3nm工藝，然而由于成本考量，第一代3納米工藝僅由蘋果使用。其他如聯(lián)發(fā)科、高通等公司則選擇了4nm工藝。
2024-01-05 10:13:06193 這座晶圓廠于2022年4月開始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個變種，專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 據(jù)悉，2024年臺積電的第二代3nm工藝（稱為N3E）有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋果有能力訂購第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過解決工藝難題及提升產(chǎn)量后，臺積電推出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的3nm版型，吸引更多企業(yè)采用。
2024-01-03 14:15:17279 12月27日，導(dǎo)遠(yuǎn)電子獲得DEKRA德凱頒發(fā)，國內(nèi)首張高精度定位IMU模組ISO 26262 ASIL B功能安全產(chǎn)品認(rèn)證證書，標(biāo)志著導(dǎo)遠(yuǎn)IMU5104成為首個獲得ISO 26262功能安全認(rèn)證的車載IMU模組產(chǎn)品。
2023-12-27 17:07:27300 英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠(yuǎn)。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進(jìn)程度無疑已經(jīng)超過了三星和臺積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799 1. 傳ASML 將在未來幾個月推出2nm 制造設(shè)備 英特爾已采購6 臺 ? 近日有消息稱，ASML將于未來幾個月內(nèi)推出2nm制程節(jié)點(diǎn)制造設(shè)備，并計劃在2024年生產(chǎn)10臺2nm設(shè)備，英特爾已采購
2023-12-20 11:23:51706 歲末再傳佳訊，12月14日， 德賽西威順利獲得智能制造能力成熟度（CMMM）四級認(rèn)證 ，惠州市工信局副局長張世鋅一行蒞臨德賽西威惠南工業(yè)園頒發(fā)證書，并表示祝賀。 該認(rèn)證是目前國內(nèi)智能制造領(lǐng)域最具
2023-12-15 16:05:03219 
2023年11月30日，SK海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司（以下簡稱“無錫工廠”）獲得由UL公司頒發(fā)的ZWTL廢棄物零填埋Platimum鉑金級認(rèn)證，從而成為SK集團(tuán)在中國首家獲得鉑金級認(rèn)證的工廠。
2023-12-15 09:11:23299 
1. 臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:00733 芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來看看吧！
2023-12-07 11:45:311591 
引入不同的氣態(tài)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行的，這些化學(xué)物質(zhì)通過與基材反應(yīng)來改變表面。IC最小特征的形成被稱為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過程中最重要的工藝步驟。
2023-12-06 18:17:331122 
3nm工藝剛量產(chǎn)，業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了，并且在調(diào)整相關(guān)的時間表。2nm工藝不僅對晶圓廠來說是一個重大挑戰(zhàn)，同樣也考驗(yàn)著EDA公司，以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計芯片的客戶。
2023-12-06 09:09:55693 極海APM32F107VCT6工業(yè)級互聯(lián)型MCU成功獲得USB-IF認(rèn)證。該系列芯片符合USB裝置品質(zhì)要求并通過了兼容性測試，獲USB2.0認(rèn)證和USB標(biāo)志的使用權(quán)。
2023-11-30 10:09:28308 
今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來介紹平面工藝最后一個節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232 
DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15536 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
以tsmc180nm工藝的nmos2V為例，搭建gmId設(shè)計電路schematic如figure1：
2023-11-21 16:35:59883 
，英偉達(dá)當(dāng)前的 RTX 40 顯卡采用“TSMC 4N”工藝，沒有說明具體是幾納米工藝，有報道稱是定制的 5nm 工藝。英偉達(dá)官方表示，在 TSMC 4N 定制工藝技術(shù)加持下，RTX 40 系列 GPU
2023-11-20 11:05:44632 近日，萬華化學(xué)MDI、TDI、IPDI、PMMA、TPU和生物基聚醚六款產(chǎn)品獲得國際可持續(xù)發(fā)展和碳認(rèn)證（ISCC PLUS）
2023-11-16 09:14:20443 
Samsung Foundry 的 8nm Low Power Plus（LPP）先進(jìn)制程工藝認(rèn)證。 EMX Solver 是市面上首個獲得此認(rèn)證的電磁（EM）求解器，成功達(dá)到三星的各項(xiàng)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。雙方的共同客戶可以安心使用 EMX Solver 用
2023-11-15 15:55:02359 
。廣和通智能模組SC126-NA獲得北美主流運(yùn)營商認(rèn)證智能模組SC126-NA基于高通11nm制程工藝的QCM2290物聯(lián)網(wǎng)解決方案設(shè)計，擁有四核64位Cortex
2023-11-14 18:10:33183 
近期，廣和通4G智能模組SC126-NA獲得北美主流通信運(yùn)營商認(rèn)證，這意味著SC126-NA可在北美LTE網(wǎng)絡(luò)下為全球客戶提供無線連網(wǎng)服務(wù)，幫助客戶縮短終端上市認(rèn)證時間并節(jié)省成本，快速搶占市場先機(jī)
2023-11-13 18:25:57114 
廣和通要聞 近期，廣和通4G智能模組SC126-NA獲得北美主流通信運(yùn)營商認(rèn)證，這意味著SC126-NA可在北美LTE網(wǎng)絡(luò)下為全球客戶提供無線連網(wǎng)服務(wù)，幫助客戶縮短終端上市認(rèn)證時間并節(jié)省成本，快速
2023-11-13 18:15:02210 
創(chuàng)新實(shí)力及技術(shù)沉淀，億緯鋰能已獲得多項(xiàng)國際認(rèn)證：2021年5月通過歐洲汽車工業(yè)協(xié)會信息安全最高等級TISAX評估
2023-11-11 09:42:15389 全套的西門子控制系統(tǒng)，電機(jī)也是西門子的變頻電機(jī)（非貝得，2920rpm,48nm）。
因?yàn)樵O(shè)備本身裝有扭矩，轉(zhuǎn)速傳感器。電機(jī)工作轉(zhuǎn)速2000轉(zhuǎn)，輸出扭矩到20nm左右時，大概有50轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速下降。當(dāng)
2023-11-09 07:33:19
韓國綜合汽車半導(dǎo)體解決方案企業(yè)telechips (KOSDAQ:054450)獲得了德國汽車工業(yè)協(xié)會(VDA)頒發(fā)的與信息安全相關(guān)的汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)——可信信息安全評估交換(TISAX?)認(rèn)證
2023-11-07 14:44:10382 10月17日，瞻芯電子通過了第三方認(rèn)證機(jī)構(gòu)TUV的嚴(yán)格評審，正式獲得IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證，表明瞻芯電子碳化硅(SiC)晶圓廠的制造質(zhì)量管理體系全面符合國際汽車行業(yè)質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)，為持續(xù)、穩(wěn)定量產(chǎn)高品質(zhì)的車規(guī)級產(chǎn)品，提供了堅實(shí)保障。
2023-10-31 09:14:41734 ? 近日，偉創(chuàng)力吳中獲得福特 Q1 認(rèn)證榮譽(yù)，這是美國福特汽車公司對偉創(chuàng)力吳中在產(chǎn)品質(zhì)量、運(yùn)營交付、服務(wù)能力和持續(xù)改進(jìn)等關(guān)鍵領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)的認(rèn)可。在汽車行業(yè)，福特Q1（Quality is No.1
2023-10-31 09:13:55457 （System-on-Chip）。該產(chǎn)品預(yù)計于2026年開始量產(chǎn)。目前TSMC 3nm制程工藝已經(jīng)正式量產(chǎn)，相較于早前的工藝，3nm制程工藝在功耗、性能，以及面積（PPA）方面都有了顯著提升。目前的3nm N3E工藝與上一代
2023-10-30 11:11:44642 N2，也就是2nm，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 2nm芯片是指采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級別。 2nm芯片手機(jī)
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161958 流程，能兼容所有的 TSMC（臺積電）先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。 這款生成式設(shè)計遷移流程由 Cadence 和 TSMC 共同開發(fā)，旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計在 TSMC
2023-09-27 10:10:04301 臺積電推出了世界上第一個3nm智能手機(jī)芯片apple a17 pro，該芯片也用于新款iphone 15 pro。據(jù)悉，tsmc到2023年為止，將只批量生產(chǎn)蘋果的3nm工藝。
2023-09-25 14:25:28616 的大部分時間里，用于制造芯片的工藝節(jié)點(diǎn)的名稱是由晶體管柵極長度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來指定的。350nm工藝節(jié)點(diǎn)就是一個例子。
2023-09-19 15:48:434477 
華為技術(shù)有限公司副總裁兼首席執(zhí)行官徐直軍9月15日在2023世界計算大會上表示，從計算產(chǎn)業(yè)的發(fā)展途徑來看，只有大規(guī)模使用才能帶動計算產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展。計算芯片要建立在能夠?qū)嶋H獲得的芯片制造工藝基礎(chǔ)上，
2023-09-18 10:57:17410 蘋果用于 Mac 和 iPad 的 M3 芯片預(yù)計也將采用 ??3nm?? 工藝。首批 M3 設(shè)備預(yù)計將包括更新的 13 英寸MacBook Air和 24 英寸iMac，這兩款設(shè)備最早可能于今年 10 月上市。
2023-09-14 12:57:00893 Compiler是統(tǒng)一的多裸晶芯片封裝探索、協(xié)同設(shè)計和分析的平臺，已經(jīng)獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認(rèn)證。 全面和可擴(kuò)展的新思科技多裸晶芯片系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)從早期設(shè)計探索到芯片生命周期管理全流程的快速異構(gòu)集成。 新思科技（Synopsys）近日宣布，與三星晶圓廠（以下簡稱為“三星”）深化合作，助
2023-09-14 09:38:28838 Z20K11xN采用國產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:081073 
8月24日，芯?？萍迹ü善贝a：688595）旗下的多快充協(xié)議Buck-Boost電源管理芯片CPW6410成功獲得“融合快速充電功能認(rèn)證證書”。該產(chǎn)品于近日在2023（秋季）亞洲充電展首發(fā)
2023-08-25 08:18:03437 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
該接口符合以下時序準(zhǔn)則：
·AXI輸入必須在CLK上升沿之前30%的周期內(nèi)有效，輸出必須在CLK上升沿后20%的周期內(nèi)有效。
·通過使用用于TSMC CL013G工藝的Artisan SAGE HS
2023-08-21 06:55:33
全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布，TrustME W77Q 安全閃存系列已獲得權(quán)威認(rèn)證——ISO/SAE 21434。華邦電子現(xiàn)為全球首家獲得此認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存供應(yīng)商。
2023-08-09 11:08:52581 根據(jù)外媒報道，據(jù)稱臺積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 15:59:27780 8月8日消息，據(jù)外媒報道，臺積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%，但根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 14:13:40491 Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝，也就是之前的7nm，但是Intel認(rèn)為它能達(dá)到4nm級別的水平，所以改了名字。
2023-08-01 09:41:50561 制造的關(guān)鍵在于精密性和可靠性，以確保連接器能夠適應(yīng)多種場景。同樣的設(shè)計圖紙，最后出來的產(chǎn)品質(zhì)量卻存在三六九等。其中連接器的制造工藝起到了非常重要的作用。好了，今天就來談?wù)勥B接器制造工藝的話題。連接器
2023-08-01 00:25:12425 
CNLINKO?凌科電氣 連接器知識分享 連接器制造的關(guān)鍵在于精密性和可靠性，以確保連接器能夠適應(yīng)多種場景。同樣的設(shè)計圖紙，最后出來的產(chǎn)品質(zhì)量卻存在三六九等。其中連接器的制造工藝起到了非常重要的作用
2023-07-31 16:09:44381 近幾年，芯片產(chǎn)業(yè)越來越火熱，一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語大家也聽得比較多了。那么工藝節(jié)點(diǎn)、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？
2023-07-28 17:34:335639 
電動機(jī)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)在很大程度上與其制造材料、制造工藝有關(guān)。在電動機(jī)制造廠中，同樣的設(shè)計結(jié)構(gòu)，同一批原材料所制成的產(chǎn)品，其質(zhì)量往往相差甚大。沒有先進(jìn)的制造工藝技術(shù)，很難生產(chǎn)出先進(jìn)的產(chǎn)品。今天我們來看看電機(jī)制造中的那些關(guān)鍵工藝。
2023-07-21 17:19:25694 
英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門IFS后，將向三方開放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 電池保護(hù)IC（Integrated Circuit）的納米工藝并沒有固定的規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)。電池保護(hù)IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣，采用從較大的微米級工藝（如180nm、90nm、65nm等）逐漸進(jìn)化到更先進(jìn)的納米級工藝（如45nm、28nm、14nm等）。
2023-07-11 15:42:371171 
3nm 時代來臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會期間發(fā)布了面向臺積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-07-10 09:26:20406 IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:22
0 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030 IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-07-06 20:20:310 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392 IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200 IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070 IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 ，2023 年 6 月 30 日——楷登電子（美國? Cadence ?公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，基于 AI 的 Cadence?Virtuoso?Studio 設(shè)計工具和解決方案已獲得 Samsung Foundry 認(rèn)證。 雙方的共同客戶可以放心利用 Virtuoso Studio 和
2023-06-30 10:08:30680 盡管英特爾的第14代酷睿尚未發(fā)布，但第15代酷睿（代號Arrow Lake）已經(jīng)曝光。新的酷睿系列產(chǎn)品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺積電的3nm工藝，預(yù)計會有顯著的性能提升。
2023-06-20 17:48:571100 跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊
2023-06-15 08:57:31
在探討半導(dǎo)體行業(yè)時，我們經(jīng)常會聽到兩個概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個重要的概念。
2023-06-06 10:44:001420 
在代工行業(yè)，采用先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)更能帶來明顯的成本競爭優(yōu)勢。2020年，臺積電（TSMC）是業(yè)界唯一同時使用7nm和5nm工藝節(jié)點(diǎn)用于IC制造的企業(yè)，此舉也使得TSMC每片晶圓的總收入大幅增加，達(dá)到1634美元。這一數(shù)字比GlobalFoundries高66%，是UMC和中芯國際的兩倍多。
2023-05-20 14:58:50628 3nm 時代來臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會期間發(fā)布了面向臺積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是
2023-05-19 16:25:12784 
3nm 時代來臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會期間發(fā)布了面向臺積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-05-19 15:23:07675 
解決方案—— Calibre? nmPlatform，現(xiàn)已獲得臺積電的 N3E 和 N2 工藝認(rèn)證，該套解決方案包括 Calibre? nmDRC 軟件、Calibre? YieldEnhancer
2023-05-11 18:25:301872 1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接，外引線通過金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過金屬外殼，將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，Cadence 數(shù)字和定制/模擬設(shè)計流程已通過 TSMC N3E 和 N2 先進(jìn)工藝的設(shè)計規(guī)則手冊（DRM）認(rèn)證。兩家公司還發(fā)
2023-05-09 10:09:23708 認(rèn)證。一些測試項(xiàng)目是這樣失敗的..
我知道有新內(nèi)核版本的新版本 SDK 可能會通過這些測試，但我們很難在生產(chǎn)階段替換當(dāng)前穩(wěn)定的內(nèi)核。
我想知道是否有人通過這些測試并獲得 Linux 4.14.98 的 TAHI IPv6 認(rèn)證？是否可以通過修補(bǔ)內(nèi)核 IPv6 源代碼來完成？
2023-05-06 06:04:48
一、PCB制造基本工藝及目前的制造水平
PCB設(shè)計最好不要超越目前廠家批量生產(chǎn)時所能達(dá)到的技術(shù)水平，否則無法加工或成本過高。
1.1層壓多層板工藝
層壓多層板工藝是目前廣泛
2023-04-25 17:00:25
半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外光譜范圍（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)
2023-04-24 11:23:281480 
搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個是技術(shù)，一個是資金，一個是市場，在技術(shù)上日本是指望跟美國的IBM公司合作，后者前兩年就演示過2nm工藝，但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級別，距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。
2023-04-14 10:24:55507 如何解決PCB制造中的HDI工藝內(nèi)層漲縮對位問題呢？
2023-04-06 15:45:50
摩爾定律在制造端的提升已經(jīng)逼近極限，開始逐步將重心轉(zhuǎn)向封裝端和 設(shè)計端。隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場景的爆發(fā)，對算力的需求更加旺盛， 芯片的性能要求也在不斷提高，業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展，TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:49:351544 隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場景的爆發(fā)，對算力的需求更加旺盛， 芯片的性能要求也在不斷提高，業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展，TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:48:15892 推出一項(xiàng)將加速計算引入計算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果。 在當(dāng)前生產(chǎn)工藝接近物理極限的情況下，這項(xiàng)突破使 ASML、TSMC 和 Synopsys 等半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者能夠加快新一代芯片的設(shè)計和制造。 全球
2023-03-23 06:45:02310
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