國(guó)際整流器公司IGBT技術(shù)平臺(tái)強(qiáng)攻工業(yè)市場(chǎng)

　　國(guó)際整流器（IR）推出新一代絕緣閘雙極電晶體（IGBT）技術(shù)平臺(tái)。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技術(shù)平臺(tái)利用IR新一代溝道閘極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越的性能。

　　嶄新的Gen8設(shè)計(jì)讓頂尖的Vce（on）能減少功耗，增加功率密度，以及提供超卓的耐用性。國(guó)際整流器亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示，該公司透過(guò)開(kāi)發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及頂尖的IGBT矽平臺(tái)，彰顯在數(shù)十年來(lái)致力提升功率電子技術(shù)的承諾。國(guó)際整流器期望為所有電動(dòng)馬達(dá)提供百分百變頻，借以更有效使用電能，并且綠化環(huán)境。

　　新技術(shù)針對(duì)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更好的軟關(guān)斷功能，有助于把dv/dt減到最低，從而減少電磁干擾和過(guò)壓，以提升可靠性與耐用性。這個(gè)平臺(tái)的參數(shù)分布較狹窄，在高電流功率模組內(nèi)并聯(lián)起多個(gè)IGBT之時(shí)，可帶來(lái)出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善熱阻和達(dá)到175℃的最高結(jié)溫。

　　潘大偉指出，國(guó)際整流器的Gen8 IGBT平臺(tái)憑借最佳的Vce（on）、耐用性及開(kāi)關(guān)功能，能讓工業(yè)市場(chǎng)廠商所面對(duì)的艱巨難題迎刃而解。

　　關(guān)于IGBT：

　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。