臺灣茂矽聯(lián)手富鼎先進開發(fā)電動車高功率IGBT

　　茂矽電子與富鼎先進將合作開發(fā)電動車（EV）高功率絕緣閘雙極型電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）元件。茂矽電子與富鼎先進聯(lián)合申請的「綠能車用高功率IGBT元件技術(shù)開發(fā)計畫」日前獲經(jīng)濟部「業(yè)界科專計畫」審議通過，未來茂矽電子、富鼎先進將與工研院電光所進一步合作，透過雷射煺火（Laser Anneal）製程開發(fā)適用于電動車的高功率IGBT，防堵中國大陸業(yè)者一波波的IGBT發(fā)展攻勢。

　　茂矽電子副總經(jīng)理周崇勛表示，高功率IGBT是電動車馬達系統(tǒng)的關(guān)鍵元件及能量耗損之處，一旦馬達系統(tǒng)效率提升，將能帶動電動車速度、降低散熱系統(tǒng)需求并提高電池續(xù)航力，因此，富鼎先進與茂矽電子分別針對高功率IGBT設(shè)計與晶圓代工提出「綠能車用高功率IGBT元件技術(shù)開發(fā)計畫」，未來該計畫將利用工研院雷射煺火製程技術(shù)的回火製程，期能大幅降低IGBT製造成本并得到較高的良率，并改善***電動車關(guān)鍵零組件多得向英飛凌（Infineon）、意法半導體（ST）等國外大廠購買的情形。

　　據(jù)了解，綠能車用高功率IGBT元件技術(shù)開發(fā)計畫為期2年，2013年起，富鼎先進將會針對高功率IGBT元件進行設(shè)計模擬（Simulation），而茂矽電子則積極提升晶圓薄化技術(shù)能量，以降低晶圓導通電阻。未來，高功率IGBT元件由茂矽電子封裝后，將交由工研院電光所組裝至馬達模組并進行驗證。

　　周崇勛指出，茂矽電子將使用該公司位于竹科的6吋晶圓廠生產(chǎn)電動車高功率IGBT元件。若該元件順利研發(fā)成功，未來相關(guān)技術(shù)與經(jīng)驗，亦可轉(zhuǎn)移至製造太陽能逆變器、冰箱變頻器等IGBT元件上。

　　事實上，高功率IGBT元件成本居高不下，因而讓各國業(yè)者想要火速加快電動車IGBT元件自製化步調(diào)。以中國大陸為例，高功率IGBT元件在十二五計畫當中為重點開發(fā)項目，政府大力補助IGBT元件開發(fā)計畫，因此，中國大陸內(nèi)部多家廠商正戮力研發(fā)製程。例如知名電動車商比亞迪收購IGBT生產(chǎn)商中緯，利用中緯的6吋晶圓廠生產(chǎn)電動車高功率IGBT，并已陸續(xù)發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。

　　周崇勛指出，本次由茂矽與富鼎先進、工研院的合作計畫在國際競爭上仍具價格競爭力。計畫中主要的雷射煺火製程的機臺成本相較于他國版本，臺廠至少可以一半價格製造，因為***廠商已具備該製程機臺的零組件技術(shù)，所以，高功率IGBT元件製程成本大幅降低將是臺廠的一大優(yōu)勢。

　　展望未來電動車市場，周崇勛認為全球市場情況仍不明朗，尚未見到終端市場需求起飛之勢。儘管如此，各元件廠仍看好電動車市場未來發(fā)展?jié)摿?，并加足火力持續(xù)研發(fā)電動車關(guān)鍵零組件，以跨越高技術(shù)門檻并提高自製程度，期在未來電動車商機爆發(fā)時，能一舉在市場裡圈地。