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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>富士通首推兩款125℃規(guī)格的低功耗SiP存儲(chǔ)器

富士通首推兩款125℃規(guī)格的低功耗SiP存儲(chǔ)器

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2020-05-07 15:56:37

錘子手機(jī)發(fā)布會(huì)羅永浩提到的富士通

配置相當(dāng)強(qiáng)大與上一產(chǎn)品基本相同。5 行業(yè)地位  富士通是全球第三大IT服務(wù)公司  富士通是全球前五大服務(wù)和PC機(jī)生產(chǎn)商,日本第一大服務(wù)及第二大PC廠家  富士通曾經(jīng)是世界第二大企業(yè)用硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)
2014-05-21 10:54:53

閃速存儲(chǔ)器的分類及特征

的連接方式與NOR閃速存儲(chǔ)器相同,寫(xiě)入邏輯為反相(NOR寫(xiě)人時(shí)V th 變高,而AND式則降低),命名為AND式?,F(xiàn)在的NOR閃速存儲(chǔ)器也致力于改良,目的在于將寫(xiě)人操作也采用隧道方式以降低功耗,或者通過(guò)
2018-04-09 09:29:07

魅族MX3用的是富士通ISP?

`魅族MX3宣稱采用富士通四通道ISP,有人知道是用哪ISP么?查看拆機(jī)報(bào)道,似乎都沒(méi)有正面芯片照和型號(hào),是采用富士通第六代的MilbeautMobile ISP MBG046嗎?下面是MX3的攝像頭模塊拆機(jī)圖。`
2013-09-23 16:18:11

富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片,無(wú)限次擦寫(xiě)

低功耗模式寫(xiě)入工作,實(shí)現(xiàn)相同的讀/寫(xiě)通信距離。? 大容量?jī)?nèi)置存儲(chǔ)單元:記錄信息于電子標(biāo)簽,實(shí)現(xiàn)追溯應(yīng)用所需的大容量?jī)?nèi)存單元。? 讀寫(xiě)工作高耐久性:保證最高1萬(wàn)億次
2023-12-27 13:53:33

富士通召回3款筆記本電池

富士通召回3款筆記本電池 12月15日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,富士通周一宣布,由于存在火災(zāi)隱患,現(xiàn)決定召回部分型號(hào)筆記本的電池
2009-12-15 08:28:41490

富士通聲稱革新相干檢測(cè)用DSP技術(shù)

富士通聲稱革新相干檢測(cè)用DSP技術(shù), 富士通 公司宣布推出更低功耗,更低成本和更小型的相干光檢測(cè)用DSP芯片。該芯片不僅可以補(bǔ)償諸如色散等線性失真,還可以補(bǔ)償非線性效應(yīng)帶來(lái)
2011-10-09 09:16:13779

Ramtron推出最低功耗非易失性存儲(chǔ)器FM25P16

Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16,是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器,為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開(kāi)創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551190

富士通FRAM“上天入地” 拓展更多低功耗、高可靠性應(yīng)用空間

據(jù)富士通展臺(tái)工程師介紹,從要抗宇宙輻射的衛(wèi)星裝置,到頗接地氣的無(wú)電池舒適智能家居設(shè)備,已處處可見(jiàn)這種先進(jìn)非易失性嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)的身影。除FRAM外,在本次展會(huì)上富士通還展示了繼電器Relay、設(shè)計(jì)可追溯管理工具SQTRACER等領(lǐng)先技術(shù)。
2016-09-05 11:20:291106

低功耗的高性能四路組相聯(lián)CMOS高速緩沖存儲(chǔ)器

低功耗的高性能四路組相聯(lián)CMOS高速緩沖存儲(chǔ)器
2017-01-19 21:22:5412

富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

上海, 2016-11-08——富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)(注1)產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體(注2)合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2017-03-24 18:03:201539

追求存儲(chǔ)性能,富士通把它做到了極致!

在新材料創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)上,富士通電子作為領(lǐng)導(dǎo)廠商一直在努力追求最極致的存儲(chǔ)性能,從FRAM到ReRAM以及NRAM。請(qǐng)隨小編一起回顧,我們?cè)谧非髽O致存儲(chǔ)技術(shù)的道路上的那些最新極致成就吧!
2017-03-24 18:35:521047

富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM,是穿戴式裝置與助聽(tīng)器的絕佳選擇

富士通電子元器件(上海)有限公司推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)(注1)產(chǎn)品 MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體(注2)合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2017-03-24 18:48:431375

富士通FRAM產(chǎn)品特性介紹(視頻)

本視頻主要內(nèi)容:介紹了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品特性:低功耗,快速讀寫(xiě),高讀寫(xiě)次數(shù)和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:27951

富士通針對(duì)車載電子和工業(yè)控制系統(tǒng)推出全新FRAM存儲(chǔ)解決方案

上海,2017年6月5日 –富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出全新FRAM(鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器)解決方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY,此為該全新產(chǎn)品系列的首推器件
2017-06-05 16:43:17977

獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-17 16:34:229446

富士通FRAM拓展更多應(yīng)用空間

在前不久落下帷幕的深圳國(guó)際電子展現(xiàn)場(chǎng),聚集了大量專業(yè)觀眾的富士通展臺(tái)格外亮眼,而引發(fā)這場(chǎng)圍觀的黑科技之一就是已上天入地的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM)。據(jù)富士通展臺(tái)工程師介紹,從要抗宇宙輻射的衛(wèi)星裝置
2017-10-15 12:11:312

富士通開(kāi)發(fā)全球最小的LPWA感測(cè)裝置

富士通(Fujitsu)宣布開(kāi)發(fā)出全球最小的感測(cè)裝置,可以減少電池替換的需求,并支持低功耗廣域網(wǎng)絡(luò)(LPWA)傳輸技術(shù),可以用更低的功耗達(dá)到更廣的區(qū)域。
2017-12-18 08:54:481069

使用MCU的存儲(chǔ)器架構(gòu)降低功耗并優(yōu)化系統(tǒng)成本

巨大影響。讓我們分析一下這些關(guān)鍵的存儲(chǔ)器元件,以便更好地了解如何最有效地使用它們來(lái)最大限度地提高性能,降低功耗并優(yōu)化系統(tǒng)成本。
2019-02-06 11:09:002958

富士通存儲(chǔ)器領(lǐng)域的另類崛起 用20年專注演繹叢林法則

FRAM的非易失性對(duì)于當(dāng)時(shí)業(yè)界可以說(shuō)是顛覆性的,存儲(chǔ)器的非易失性指在沒(méi)有上電的狀態(tài)下依然可以保存所存儲(chǔ)信息的特性,這意味著電路中無(wú)須加入后備電池,仍可在偶發(fā)斷電時(shí)保存重要數(shù)據(jù),因此一經(jīng)推出即備受關(guān)注。而當(dāng)談及FRAM,往往無(wú)法避開(kāi)這一家半導(dǎo)體廠商,它就是——富士通半導(dǎo)體。
2019-02-21 11:32:394813

富士通開(kāi)發(fā)的超小型封裝串行FRAM

富士通是一家通過(guò)不斷創(chuàng)新全球化信息通信技術(shù)的公司。眾多的標(biāo)志性成果和產(chǎn)品里程碑將富士通塑造成為現(xiàn)在這樣一家在ICT領(lǐng)域領(lǐng)先的公司。富士通為廣大用戶開(kāi)發(fā)了眾多的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。還開(kāi)發(fā)出業(yè)界中具有超小型封裝
2020-04-08 13:43:40575

滿足工作要求125°C的富士通車載FRAM

都須保留在存儲(chǔ)器中,這就要求存儲(chǔ)器具有高可靠性及快速寫(xiě)入的性能。 富士通的FRAM被廣泛應(yīng)用于電力儀表、辦公設(shè)備及產(chǎn)業(yè)設(shè)備市場(chǎng)。目前提供的FRAM高溫端最大工作保證溫度為85℃,但為了適應(yīng)車載設(shè)備市場(chǎng)的要求,富士通公司
2020-04-15 16:58:58669

富士通FRAM存儲(chǔ)器內(nèi)置RFID LSI的產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體利用FRAM的高速寫(xiě)入,高讀寫(xiě)耐久性(多次讀寫(xiě)次數(shù))特長(zhǎng), 提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗(yàn)證IC產(chǎn)品。富士通提供使用無(wú)限接口的FRAM內(nèi)置RFID用LSI。富士通
2020-05-21 14:01:03751

富士通FRAM鐵電存儲(chǔ)器解決方案在汽車上的應(yīng)用

汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉(zhuǎn)型。通過(guò)全新FRAM解決方案,得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品。富士通推出的FRAM解決方案MB85RS128TY和MB85RS256TY,這兩款器件可在高達(dá)攝氏
2020-06-02 14:00:09941

汽車導(dǎo)航系統(tǒng)應(yīng)用于富士通FRAM鐵電存儲(chǔ)器MB85R2001

電池。MB85R2001中使用的存儲(chǔ)單元可用于1010次讀/寫(xiě)操作,與Flash存儲(chǔ)器 和E2PROM支持的讀和寫(xiě)操作數(shù)量相比,有了顯著改進(jìn)。使用與常規(guī)異步SRAM兼容的偽SRAM接口。 引腳 富士通
2020-06-28 16:04:16777

富士通新款4Mbit FRAM可穩(wěn)定在125℃高溫下運(yùn)行

鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存,即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM主要結(jié)合了ROM和RAM的特性,并擁有高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)
2020-07-30 14:22:20469

富士通微電子推兩款新型消費(fèi)類FCRAM存儲(chǔ)器芯片

,是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴(kuò)大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開(kāi)始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。這兩款低功耗存儲(chǔ)器適用于數(shù)字電視、數(shù)字視頻攝像機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)。
2020-08-30 09:54:01700

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它的自身優(yōu)勢(shì)是什么

具有優(yōu)勢(shì)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特點(diǎn),具有高速寫(xiě)數(shù)據(jù),低功耗,高速讀/寫(xiě)周期等優(yōu)點(diǎn)。 富士通型號(hào)MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM,可在125℃高溫下正常工作,工作電壓可低至1.7V至1.95V,并設(shè)有串行外設(shè)接口(SPI)。這種全新的FRAM產(chǎn)品是汽車電子控制單元的最
2020-09-27 14:32:311634

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02824

富士通這么多的FRAM都用到了哪些領(lǐng)域之中

與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)相比,F(xiàn)RAM在需要非易失性、高速讀寫(xiě)、低功耗、高讀寫(xiě)耐久等綜合性能的應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產(chǎn)20年以來(lái),出貨量更是超過(guò)了41億顆!咱們富士通這么多
2021-04-24 10:56:48422

富士通FRAM一路走來(lái),它是如何崛起的

FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn),在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。那么
2021-04-26 14:31:28544

富士通的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM有著廣泛的應(yīng)用

富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開(kāi)始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器,F(xiàn)RAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689

富士通FRAM實(shí)現(xiàn)低成本通用智能表計(jì)的方案說(shuō)明

表重要數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)元件。富士通FRAM在智能水和氣表中的應(yīng)用,與智能電表類似,如非易失性與高寫(xiě)入耐久性確保了準(zhǔn)確、可靠的數(shù)據(jù)記錄。 此外由于水和氣表使用電池供電,F(xiàn)RAM存儲(chǔ)器擁有超低功耗的特性使之備受方案商的青睞。以64Byte數(shù)據(jù)寫(xiě)
2021-05-08 15:41:37421

低功耗SRAM存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)單描述及特征介紹

低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品,是靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一種類別,靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(SRAM)作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:321933

串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64概述及特點(diǎn)

富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器,其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲(chǔ)器MB85RS128B概述及特點(diǎn)

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲(chǔ)器,性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:461394

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器(如EEPROM、閃存)相比,F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲(chǔ)器都用在了哪里

操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品富士通半導(dǎo)體的FRAM器件從開(kāi)始交付給工業(yè)市場(chǎng)已超過(guò)21年。因此,富士通FRAM是具有成熟量產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn)的高性能和高度可靠的存儲(chǔ)器。 這么優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)器都用在了哪里呢?今天小編就為大家梳理一下FRAM的應(yīng)該領(lǐng)域。 物聯(lián)
2021-10-28 10:26:562565

富士通新品8Mbit FRAM高達(dá)100萬(wàn)億次的寫(xiě)入耐久性

100萬(wàn)億讀/寫(xiě)周期的產(chǎn)品。 ? 與富士通的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了高速運(yùn)行、約30%的訪問(wèn)速度和低功耗、10%的工作電流。該存儲(chǔ)器IC是需要高速運(yùn)行的工業(yè)機(jī)器中SRAM的理想替代品
2021-12-11 14:46:17579

富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

FRAM 是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 (如EEPROM、閃存)相比,F(xiàn)RAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性,更快的寫(xiě)入速度操作和更低的功耗
2022-01-10 15:50:314123

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

是一款非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品,與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,具有寫(xiě)入速度快、讀/寫(xiě)耐久性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? 近日富士通半導(dǎo)體推出配備Quad SPI接口的8Mbit?FRAM?MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666

富士通推出12Mbit電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MB85AS12MT

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133

富士通在不同業(yè)務(wù)場(chǎng)景下的具體變革

富士通近日發(fā)布了中文版《Fujitsu Technology and Service Vision 2022(富士通技術(shù)與服務(wù)愿景,以下簡(jiǎn)稱“FT&SV”)》,對(duì)富士通面向未來(lái)的商業(yè)與社會(huì)愿景進(jìn)行了展望。
2022-08-30 10:27:191108

TPS53515低功耗DDR存儲(chǔ)器電源參考設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS53515低功耗DDR存儲(chǔ)器電源參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 16:18:370

AN4777_STM32微控制器低功耗存儲(chǔ)器接口配置啟示

AN4777_STM32微控制器低功耗存儲(chǔ)器接口配置啟示
2022-11-21 17:06:460

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