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符合DrMOS規(guī)定的新款器件

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飛兆開發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊系列

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊(MCM)系列。飛兆半導(dǎo)體Genernation III DrMOS系列器件提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù),以應(yīng)對現(xiàn)今設(shè)計(jì)所遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。
2012-04-18 09:53:381350

Vishay的新款VRPower DrMOS尺寸更小更高效

PowerPAK? MLP 5mm x 5mm的31pin封裝的VRPower?集成DrMOS新品---SiC620。
2014-09-09 11:20:08915

Vishay推新款VRPower?集成式DrMOS功率級解決方案

5款新的VRPower?集成式DrMOS功率級解決方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632,可用于多相POL穩(wěn)壓器。
2016-02-17 15:10:151238

雅特生科技新推出的插墻式USB外置電源適配器系列不但符合能源效率標(biāo)準(zhǔn)最新規(guī)定而且還可支持62368-1的產(chǎn)品安

 二零一六年四月六日 -- 中國訊 -- 雅特生科技 (Artesyn Embedded Technologies) 宣布推出兩系列型號分別為DA5和DA10的全新插墻式外置電源適配器,其特點(diǎn)是采用可支持USB輸出的插接方式,而且符合多個(gè)能源效率標(biāo)準(zhǔn)的最新規(guī)定。
2016-04-06 16:00:191349

PCB焊盤大小規(guī)定

規(guī)范產(chǎn)品的PCB焊盤設(shè)計(jì)工藝, 規(guī)定PCB焊盤設(shè)計(jì)工藝的相關(guān)參數(shù),使得PCB 的設(shè)計(jì)滿足可生產(chǎn)性、可測試性。
2016-05-27 17:24:440

安規(guī)認(rèn)證標(biāo)志及尺寸規(guī)定

安規(guī)認(rèn)證標(biāo)志及尺寸規(guī)定
2017-11-29 14:38:1712

5W無線充電SoC方案有哪些 FSM、Drmos、Mos哪家強(qiáng)

隨著越來越多的智能手機(jī)搭載無線充電功能后,無線充電市場持續(xù)升溫。無線充電SoC方案也推層出新,F(xiàn)SM、Drmos、Mos集成方案,哪種方案更勝一籌呢?
2018-06-13 14:34:228267

LTC3882 1V/40A 和 1.8V/30A、500kHz 轉(zhuǎn)換器具 DrMOS 功率級

LTC3882 是一款雙通道、多相 DC/DC 同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器,其具有符合 PMBus 標(biāo)準(zhǔn)的串行接口。該控制器運(yùn)用了一種恒定頻率、前沿調(diào)制、電壓模式架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)卓越的瞬態(tài)響應(yīng)和輸出
2018-06-29 19:03:34271

74HC00和74HCT00 CMOS器件的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載

74HC00/74HCT00是高速硅柵CMOS器件,與低功耗肖特基TTL(LSTTL)引腳兼容,其規(guī)定符合JEDEC第7A號標(biāo)準(zhǔn)。
2019-03-18 08:00:0046

Vishay推出新款電感器 可在高溫條件下工作

Vishay推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A,擴(kuò)展其汽車級IHLP薄形大電流電感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作溫度+155 C,高度2mm
2019-05-16 14:26:463078

關(guān)于DrMOS的分析和介紹

RTQ2823 以 8A 的負(fù)載能力就要這樣做,那些需要負(fù)載幾十 A、上百 A 電流的負(fù)載就需要更好的做法了,而 DrMOS 也就是因此產(chǎn)生的。下面就讓我們來看一下 Intel 在定義 DrMOS 時(shí)預(yù)定義的封裝及其引腳定義是如何做的,以便我們對它有一個(gè)很直觀的認(rèn)識。
2019-10-09 15:58:5922061

高壓設(shè)備的接地電阻規(guī)定

有關(guān)高壓設(shè)備的接地電阻規(guī)定值的問題,包括大接地電流系統(tǒng)(接地電流500A以上)接地電阻的規(guī)定、小接地電流系統(tǒng)(接地電流500A以下)接地電阻的規(guī)定。
2019-11-10 11:16:2811560

真空斷路器的安裝規(guī)定_真空斷路器安裝后的驗(yàn)收檢查要求

分閘制動板應(yīng)可靠地扣入,脫扣鎖鉤與底板軸間應(yīng)保持一定的間隙,且符合產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)定
2019-12-20 16:09:394438

SMT元器件的檢測方法

SMT元器件如何檢測?主要包括性能和外觀質(zhì)量,這兩個(gè)因素對表面組裝組件的可靠性有直接影響。對元器件來料首先要根據(jù)有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范對其進(jìn)行檢查,并要特別注意元器件性能、規(guī)格、包裝等是否符合訂貨要求,是否符合產(chǎn)品性能指標(biāo)要求,是否符合組裝工藝和組裝設(shè)備生產(chǎn)要求,是否符合存儲要求等。
2020-07-19 09:12:051996

為什么選擇符合RoHS的PCB?

板為其應(yīng)用增加了價(jià)值,但他們不知道該標(biāo)準(zhǔn)的確切含義和意義。 您是定期投入幾種類型的 PCB 來組裝各種電子產(chǎn)品的客戶嗎?如果是,那么對您來說了解 RoHS 符合性證書很重要。 符合 RoHS 規(guī)定 歐盟于 2003 年采用了有害物質(zhì)限制指令( RoHS )。該標(biāo)準(zhǔn)的制定旨在限制制造商在組裝電子產(chǎn)品時(shí)
2020-10-18 21:13:562035

腳手架掛牌方案需要符合哪些層面的規(guī)定

在腳手架掛牌的過程中,當(dāng)然就必須應(yīng)用到方案,即然是方案,又和生產(chǎn)安全有關(guān),也就必須讓它符合各個(gè)方面的規(guī)定,那麼必須讓這類方案符合哪些層面的規(guī)定呢? 最先就必須讓它符合機(jī)器設(shè)備構(gòu)造上的規(guī)定,由于生產(chǎn)線
2021-02-11 10:52:001213

斷路器鎖牽涉到生產(chǎn)安全,它須符合哪些個(gè)方面的規(guī)定

由于斷路器鎖牽涉到生產(chǎn)安全,也就必須讓它符合各個(gè)方面的規(guī)定,那麼必須讓它符合哪幾個(gè)方面的規(guī)定呢? 最先就必須符合精確性的規(guī)定。在全部過程中機(jī)器設(shè)備會出現(xiàn)各個(gè)方面的涉及到,氣動閥門、開關(guān)電源以及
2021-02-03 10:49:07311

斷路器鎖必須符合哪幾個(gè)方面的生產(chǎn)規(guī)定

斷路器鎖必須合乎哪幾個(gè)方面的生產(chǎn)規(guī)定: 僅有讓斷路器鎖只有在生產(chǎn)中符合各方面的規(guī)定,客戶應(yīng)用時(shí)才能放心,在安全上真的可以放心,或者在應(yīng)用時(shí)可以安心。 那么,這種五金工具在生產(chǎn)中必須符合哪些方面的規(guī)定
2021-02-05 10:41:16357

雙輸出、多相降壓型 DC/DC 控制器與 Power Block 和 DrMOS 器件運(yùn)行

雙輸出、多相降壓型 DC/DC 控制器與 Power Block 和 DrMOS 器件運(yùn)行
2021-03-19 07:25:559

雙輸出、多相降壓型 DC/DC 控制器可與 Power Block 及 DrMOS 器件運(yùn)行

雙輸出、多相降壓型 DC/DC 控制器可與 Power Block 及 DrMOS 器件運(yùn)行
2021-03-19 11:50:587

可燃?xì)怏w與有毒氣體探測器的設(shè)置應(yīng)符合哪些規(guī)定

不宜大于4m。 2.液化烴、甲B、乙A、類液體的裝卸設(shè)施。探測器的設(shè)置應(yīng)符合下列規(guī)定: ①鐵路裝卸棧臺,在地面上每一個(gè)車位宜設(shè)一臺探測器,且探測器與裝卸車口的水平距離不應(yīng)大于10m; ②汽車裝卸站的裝卸車位與探測器的水平距離不應(yīng)大
2021-07-09 11:18:175756

SIP立體封裝器件自動回流焊裝配規(guī)范

為規(guī)范SIP立體封裝器件自動回流焊裝配工藝,確保產(chǎn)品裝配質(zhì)量符合規(guī)定的要求,制定本規(guī)范。
2022-06-08 14:52:440

SIP立體封裝器件手動裝配規(guī)范

為規(guī)范SIP立體封裝器件手工焊接裝配工藝,確保產(chǎn)品裝配質(zhì)量符合規(guī)定的要求,制定本規(guī)范。
2022-06-08 14:51:060

東芝推出具有低導(dǎo)通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻,可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品,現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53480

單片式驅(qū)動器和MOSFET技術(shù)如何改進(jìn)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文介紹最新的驅(qū)動器加MOSFET(DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)在功率密度、效率和熱性能方面得到極大改善,從而可以提高終端應(yīng)用的整體性能。
2022-12-13 13:48:23492

矽力杰集成功率級DrMOS方案

伴隨著CPU, GPU等的性能進(jìn)步和制程發(fā)展,主板的供電設(shè)計(jì)也迎來了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小、動態(tài)響應(yīng)快、保護(hù)更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分立MOS的方案逐漸被取代,SPS/DrMOS的解決方案憑借更好的性能表現(xiàn)成為主流。
2022-12-21 09:17:522047

電源可與FET驅(qū)動器、DrMOS和電源模塊配合使用

LTC?3860 是一款電壓模式降壓型控制器,其支持多達(dá) 12 相并聯(lián)和片內(nèi)均流。該器件可與 DrMOS、電源模塊或分立式 MOSFET 以及 LTC4449 驅(qū)動器配合使用。由于 LTC3860
2023-01-29 14:17:361167

符合出口管制規(guī)定!英偉達(dá)向中國客戶提供替代芯片H800;芯片要大漲價(jià)?ARM 已通知小米等客戶將改變授權(quán)模式

熱點(diǎn)新聞 1、符合出口管制規(guī)定!英偉達(dá)向中國客戶提供替代芯片H800 英偉達(dá)表示,已將其旗艦產(chǎn)品修改為可合法出口中國的版本。據(jù)報(bào)道,美國監(jiān)管機(jī)構(gòu)去年出臺規(guī)定,以國家安全為由,禁止英偉達(dá)向中國客戶銷售
2023-03-25 04:25:031817

RAJ20660AGNP 數(shù)據(jù)表(Integrated Driver-MOS FET(DrMOS))

RAJ20660AGNP 數(shù)據(jù)表 (Integrated Driver - MOS FET (DrMOS))
2023-03-31 19:28:030

汽車毫米波雷達(dá)的規(guī)定和標(biāo)準(zhǔn)介紹

在76-79GHz頻段內(nèi)設(shè)置、使用汽車?yán)走_(dá),無需申請取得無線電臺執(zhí)照,但應(yīng)當(dāng)遵守國家道路交通安全、市場監(jiān)督管理等行政管理部門有關(guān)汽車性能、安全駕駛、產(chǎn)品質(zhì)量等法律法規(guī)和國家標(biāo)準(zhǔn)的要求,并符合國家有關(guān)電磁環(huán)境輻射限值的規(guī)定
2023-04-10 11:09:561137

SILERGY矽力杰集成功率級DrMOS方案

SILERGY矽力杰集成功率級DrMOS方案
2023-06-07 15:17:17735

單片驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548

最新消息:英國UKCA發(fā)布最新規(guī)定

眾所周知,從2021年1月1日起,進(jìn)入英國市場的電器產(chǎn)品需要通過ukca認(rèn)證。作為過渡政策,CE標(biāo)志可以在2022年12月31日之前同時(shí)被接受。從2023年1月1日起,進(jìn)入英國市場的電器產(chǎn)品只能使用ukca標(biāo)志來表明產(chǎn)品符合相應(yīng)的規(guī)定。
2022-06-29 17:58:25327

矽力杰集成功率級DrMOS方案

DrMOS驅(qū)動電路與功率MOS集成化—第84期—伴隨著CPU,GPU等的性能進(jìn)步和制程發(fā)展,主板的供電設(shè)計(jì)也迎來了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小、動態(tài)響應(yīng)快、保護(hù)更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用
2023-01-12 15:17:18616

RAJ20660AGNP 數(shù)據(jù)表(Integrated Driver-MOS FET(DrMOS))

RAJ20660AGNP 數(shù)據(jù)表 (Integrated Driver - MOS FET (DrMOS))
2023-07-14 09:39:070

變壓器正常運(yùn)行的規(guī)定

一、正常運(yùn)行的規(guī)定 1、 帶負(fù)荷運(yùn)行的規(guī)定 1)變壓器外加一次電壓一般不得超過相應(yīng)分接頭值的5%。 2)溫度的規(guī)定 (1)為防止變壓器油劣化過速,變壓器上層油溫一般不宜經(jīng)常超過85℃,最高不超過95
2023-09-24 15:39:122075

矽力杰高效率DrMOS方案

高效率DrMOS大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能的興起,通信基站、數(shù)據(jù)中心及自動駕駛等終端應(yīng)用都需要耗電更大的CPU、GPU及ASIC來支持更強(qiáng)勁的算力需求。這對供電電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2023-11-22 08:19:19636

黃仁勛:英偉達(dá)將開發(fā)符合美國對華出口規(guī)定的新芯片

黃仁勛在新加坡舉行的新聞發(fā)布會上表示:“英偉達(dá)一直同美國政府密切合作,生產(chǎn)符合規(guī)定的產(chǎn)品。我們現(xiàn)在的計(jì)劃是繼續(xù)與美國政府合作推出符合規(guī)定的產(chǎn)品。英偉達(dá)應(yīng)該向市場尋求建議。他補(bǔ)充說:“華為是強(qiáng)有力的競爭者?!?/div>
2023-12-06 14:41:39348

安世半導(dǎo)體宣布推出新款GaN FET器件

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝,為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312

移動光纜使用規(guī)定

移動光纜使用的規(guī)定
2024-01-11 17:03:03149

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