LSI演示12Gb/s SAS片上RAID技術(shù)

LSI 公司日前宣布于本周在舊金山舉辦的英特爾開發(fā)者論壇 (IDF) 上演示其新一代 12Gb/s SAS 片上 RAID (ROC) 技術(shù)。此次展示的是一種單片 8 端口 12Gb/s SAS ROC 芯片，將該芯片連接到 8 塊6Gb/s Seagate? SAS 2.5 英寸硬盤驅(qū)動器，在 PCI Express? 2.0 直連存儲配置下，運行小數(shù)據(jù)塊連續(xù)讀/寫時，其性能可超過 120 萬 IOPS（每秒 I/O 操作次數(shù)）。

通過集成 SAS 和 PCI Express 的最新增強技術(shù)，同時采用創(chuàng)新的 LSI 硬件加速引擎，LSI SAS ROC 能夠為企業(yè)級固態(tài)驅(qū)動器 (SSD) 和基于即將發(fā)布的 PCI Express 3.0 規(guī)格的服務(wù)器平臺提供所需的I/O性能，使它們充分發(fā)揮出性能優(yōu)勢。

LSI RAID 存儲部門的高級副總裁兼總經(jīng)理 Bill Wuertz 表示：“固態(tài)驅(qū)動器的性能加之即將發(fā)生的全行業(yè)向 PCI Express 3.0 服務(wù)器平臺的轉(zhuǎn)型，將成為推動行業(yè)對 12Gb/s SAS 連接功能需求不斷增長的強勁動力。采用 12Gb/s SAS，IT 管理人員既能夠讓現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)揮出最大效益，又能夠滿足 I/O 密集型應(yīng)用、云數(shù)據(jù)中心和虛擬化服務(wù)器環(huán)境的存儲需求?！?/p>

以 LSI 第四代 SAS 架構(gòu)為基礎(chǔ)的 12Gb/s SAS ROC，與上一代 6Gb/s SAS ROC 相比，其 IOPS 性能提高 57%，I/O 吞吐量提高 45%。如果使用上一代產(chǎn)品實現(xiàn) 100 萬 IOPS 的性能，需要使用多片 SAS ROC 和 12 塊硬盤驅(qū)動器，這會導(dǎo)致更高的硬件采購成本，同時會增加功耗和空間，并會提高對冷卻系統(tǒng)的要求。將12Gb/s SAS ROC 與新一代基于 PCI Express 3.0 的系統(tǒng)集成，則有望實現(xiàn)更高的性能水平。

SCSI 貿(mào)易協(xié)會副會長，Seagate Technology 新興架構(gòu)項目經(jīng)理 Marty Czekalski 表示：“LSI 在 SAS 架構(gòu)的開發(fā)和廣泛市場推廣方面所作的貢獻是有目共睹的。SCSI 貿(mào)易協(xié)會非常興奮地看到我們的會員企業(yè) LSI 公司能夠公開演示 12Gb/s SAS 芯片的早期原型。這次早期公開演示是一個重要的技術(shù)里程碑，為將于 2012 年年中舉辦的首屆 12Gb/s SAS 互通性測試大會打下了良好的基礎(chǔ)?！?/p>

據(jù)行業(yè)預(yù)計，12Gb/s SAS 的市場推廣將從單個 SAS 組件和器件的發(fā)布開始，隨后，OEM 廠商會批量生產(chǎn)和交付采用 12Gb/s SAS 的服務(wù)器和外部存儲系統(tǒng)，這會給 12Gb/s SAS 的普及注入新的動力。采用 12Gb/s SAS 的服務(wù)器預(yù)計將在 2013 年初實現(xiàn)批量交付，隨后在 2013 年下半年，外部存儲系統(tǒng)也將批量投放市場。
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